... Chương 5: Transistorhiệuứngtrường Hình 5.1 Cấu tạo JFET D D G G JFET N JFET P S S Hình 5.2 Ký hiệu JFET 5.2.3 Nguyên lý vận chuyển Giữa D S đặt điện áp VDS tạo điện trường mạnh có tác ... P S Sub Hình 5.12 Cấu tạo- ký hiệu MOSFET kênh gián đoạn loại N 71 Chương 5: Transistorhiệuứngtrường S G D Al SiO2 D + + P P G N S Sub Hình 5.13 Cấu tạo- ký hiệu MOSFET kênh gián đoạn loại ... giảm xuống dòng I D tăng cao trò số bão hòa IDsat Trường hợp ID lớn dễ làm hư MOSFET nên ID(mA) dùng IDsat 70 -V Chương 5: Transistorhiệuứngtrường Hình 5.10 Đặc tuyến chuyển ID(VGS) MOSFET...
... ( FieldEffect Transistor) -Transistor hiệuứngtrường – Transistortrường • Có loại: - Junction field- effecttransistor - viết tắt JFET: Transistortrường điều khiển tiếp xúc P-N (hay gọi transistor ... transistortrường mối nối) - Insulated- gate fieldeffecttransistor - viết tắt IGFET: Transistor có cực cửa cách điện • Thông thường lớp cách điện dùng lớp oxit nên gọi metal - oxide - semiconductor transistor ... thường gọi tắt transistortrường loại MOS Tên gọi MOS viết tắt từ ba từ tiếng Anh là: Metal - Oxide - Semiconductor • Transistortrường MOS có hai loại: transistor MOSFET có kênh sẵn transistor MOSFET...
... 6.1 Giới thiệu Transistorhiệuứngtrường (Field EffectTransistor – FET): JFET: Junction FET MOSFET: Metal-Oxid Semiconductor FET ... Hoạt động loại tăng (enhancement mode): vGS > 0: Hình thành kênh dẫn cảm ứng: vGS > VTN : Điện áp ngưỡng ⇒ Tạo kênh dẫn n cảm ứng S D vGS tăng → Bề rộng điện dẫn (conductivity) kênh dẫn tăng Thay ... thiện độ ổn đònh i Để cực tiểu S TD : ⇒ VGG = 2VGSQ + Vpo VGSQ + V po Rs = I DQ 6.5 Giải tích tín hiệu lớn – Sự sái dạng Chương 13 ...
... gmrds ∂vGS Q 6.6.2 Mạch khuếch đại áp cực nguồn chung (CS): Mạch CS: Chương 15 Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Trở kháng vào nhìn từ nguồn: Zi = R3 + (R1 // R2) Trở kháng nhìn từ tải: Zo = Rd // rds ... vi Z i + ri Chương 16 Ví dụ: Xác đònh Av, Zi, Zo mạch KĐ dùng MOSFET sau: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Tại D: i = Chương v gs − v ds Rf = g m v gs + v ds rds // R L 17 v Với vgs = vi ⇒ Av = ... Thông thường, để Q nằm DCLL: vDS ≈ (VDD / 2) >> VGSQ ⇒ Rs1
... TRNG CU KIN IN T 71 3.4 TRANSISTOR HIU NG TRNG CNG TIP GIP JFET Transistor hiu ng trng cng tip giỏp, gi tt l JFET [Junction Field- Effect Transistor] l mt kiu khỏc ca transistor hiu ng trng cú ... VTN ) f) Transistor PMOS kiu tng cng Cỏc transistor MOSFET kờnh p (transistor PMOS) kiu tng cng cú cu to nh hỡnh 3.10, mt cỏch chớnh xỏc l PMOS cú cu to bng cỏc vựng bỏn dn ngc vi transistor ... ỏp ngng cho c bn loi transistor NMOS v PMOS BNG 3.1: c tớnh ca cỏc transistor MOS NMOS PMOS Kiu tng cng VTN > VTP < Kiu nghốo VTN VTP BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT CHNG 3: TRANSISTOR HIU NG TRNG...
... - Giới thiệu tổng quan cấu trúc, tính chất đặc trưng, ứng dụng thực tế ống nano carbon - Giới thiệu sơ lược transistorhiệuứngtrường (MOSFET) - Giới thiệu transistorhiệuứngtrườngứng dụng ... tiếp p-n nhớ 1.2 Transistorhiệuứngtrường (FET) 1.2.1 Nguyên lý hoạt động Hoạt động transistortrường dựa nguyên lý hiệuứng trường, nghĩa độ dẫn diện đơn tinh thể bán dẫn điện trường bên điều ... 1.2.2 Phân loại Transistortrường có hai loại là: [2] - Transistortrường điều khiển tiếp xúc P-N hay gọi transistortrường mối nối (Junction fieldeffecttransistor – JFET) - Transistor có cửa...
... 3.2 DIODE BÁN DẪN 3.3 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) 3.4 TRANSISTORHIỆUỨNGTRƯỜNG (JFET) Thái độ • • Có niềm say mê với môn học Nâng cao ý thức tự học Kỹ • • Phân biệt ký hiệu JFET kênh n kênh ... CẤU TẠO – KÝ HIỆU NGUYÊN LÝ HOẠT ĐẶC TUYẾN VOLT - CỦA JFET ĐỘNG CỦA JFET AMPE CẤU TẠO – KÝ HIỆU CỦA JFET Hình Cấu tạo ký hiệu JFET kênh n CẤU TẠO – KÝ HIỆU CỦA JFET Hình Cấu tạo ký hiệu JFET kênh ... lý hoạt động Kênh dẫn bị thu hẹp Vùng nghèo mở rộng Giữ không đổi Tăng dần giá trị Electron IG Trường hợp JFET kênh n Nguyên lý hoạt động Đặc tuyến volt – ampe (kênh n) Đặc tuyến = const Đặc...
... biến sinh học sở transistorhiệuứng trƣờng ống nano carbon nhƣ: phân tích cấu tạo nguyên lý hoạt động transistorhiệuứng trƣờng truyền thống (MOSFET) sở phát triển transistorhiệuứng trƣờng ống ... cho mục đích chế tạo transistorhiệuứng trƣờng sở mạng lƣới ống nano carbon từ mở ứng dụng cảm biến sinh học Chƣơng 3: Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo transistorhiệuứngtrường sở ống nano carbon ... đƣợc thực với 02 mục tiêu chính: (1) nghiên cứu chế tạo transistorhiệuứng trƣờng sở mạng lƣới ống nano carbon; (2) ứng dụng transistorhiệuứng trƣờng sở mạng lƣới ống nano carbon cảm biến sinh...
... MOS-FET Nguyên lí làm việc transistortrường dựa điều khiển điện trở kênh dẫn điện trường (do điện áp lối vào, dòng điện vào xấp xỉ 0) để khống chế dòng điện Như vậy, transistortrường thuộc loại linh ... H 5.6 Cấu tạo kí hiệu MOS-FET kênh có sẵn a) loại n; b) loại p đối ri vGS áp Do đó, làm việc với tín hiệu xoay chiều tần số thấp, thay J-FET sơ đồ tương đương IV) Transistortrường có cực cửa ... đổi theo tín hiệu xoay chiều es lối vào tải lối nhận tín hiệu khuếch đại Đặc tuyến (H 5.8) đặc tuyến truyền đạt đặc tuyến MOS-FET kênh có sẵn loại n Mỗi đặc tuyến có ba đoạn tương ứng: đoạn ID...
... DE-MOSFET N P E-MOSFET N P Transistorhiệuứngtrường FET (Field Effect Transistor) dạng linh kiện bán dẫn ứng dụng hiệuứng điện trở suất bán dẫn điều khiển điện trường, loại cấu kiện điều khiển ... ngắt FET tốt so với BJT Sơ lược JFET Transistorhiệuứngtrường cổng tiếp giáp, gọi tắt JFET ( Junction Field- Effect Transistor) kiểu khác transistorhiệuứngtrường tạo thành mà không cần phải ... đồ cực nguồn chung: Tín hiệu vào tín hiệu ngược pha Trở kháng vào lớn Zvào = RGS ≈ ∞ Trở kháng Zra = RD // rd Hệ số khuếch đại điện áp μ ≈ S rd > Đối với transistor JFET kênh N hệ số...
... Ký hiệu – Phân loại: - Loại liên tục (loại không cách ly): D G G S D G S Kênh N - Loại gián đoạn: (có cực cửa cách ly) G D S G S Kênh P D D G S S Kênh N Kênh P 36 D Bài 5: Transistorhiệuứngtrường ... Bài 5: Transistorhiệuứngtrường - Đo cặp chân (D, S) có giá trò điện trở vài trăm Ω đến vài chục kΩ Ta thử khả ... giá trò bảng 4.1, ta đo thông số ID - Thay đổi điện áp chân G tiến hành đo 37 Bài 5: Transistorhiệuứngtrường R1 HI 220 A LO 0V -3V K30A 0V 30V V Hình 4.1: Khảo sát đặc tuyến ngõ JFET Bảng...
... hai bậc, chứng tỏ hiệuứng trƣờng xảy tƣơng đối lớn transistor chế tạo đƣợc Sự thay đổi Ids ứng với Vg khác tƣơng tự nhƣ transistor MOSFET truyển thống Chỉ có điều với MOSFET hiệuứng xảy mặt ... cực nguồn cực máng Transistor với tính chất nhƣ gọi transistorhiệuứng trƣờng (Field Effect Transistor- FET) Dòng điện transistor với hiệu điện ix không đổi đƣợc điều khiển cách thay đổi điện cực ... Kết ta thấy độ nhạy phƣơng pháp không cao đặt biệt thời gian phân tích lâu Transistorhiệuứng trƣờng Transistorhiệuứng trƣờng dựa sợi Silic kích thƣớc nano Cacbon nanotube (SiNWs FET CNT FET)...
... - Giới thiệu tổng quan cấu trúc, tính chất đặc trưng, ứng dụng thực tế ống nano carbon - Giới thiệu sơ lược transistorhiệuứngtrường (MOSFET) - Giới thiệu transistorhiệuứngtrườngứng dụng ... Transistorhiệuứng trƣờng có cửa cách điện JFET Junction FieldEffectTransistorTransistor trƣờng mối nối MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffectTransistorTransistorhiệuứng trƣờng ... Semiconductor FieldEffectTransistor MOSFET chế độ nghèo E-MOSFET Enhancement mode Metal-OxideSemiconductor FieldEffectTransistor MOSFET chế độ giàu IGFET Insulated Gate FieldEffectTransistor Transistor...
... giảm cho cảm ứngứng suất Tuy nhiên, ba hiệuứng bù đắp cho nhau, vậy, thay đổi ứng suất cảm ứng dòng xuyên hầm cho màng áp điện dự tính I.5 Chất sắt điện ứng xuyên hầm: Hình biểu diễn ứng suất sinh ... lượng tự vị trí ứng suất - điện trường riêng đánh dấu Trạng thái không rõ ràng thảo luận lý thuyết độ dẫn xuyên hầm cho hiệu điện - ứng suất cảm ứng chất sắt điện Cả hiệuứngứng suất bề dày ... nó, nguyên nhân làm cạn dần electron tích lũy kênh dẫn 2D, ví dụ nguồn hiệuứngtrường II.1 Giới thiệu: Transistorhiệuứngtrường với cổng sắt điện (Fe-FET) thu hút ý khả ghi lại, nhớ không điện...
... thêm ưu điểm ứng dụng S DG GD S D G D S D S G S G Hình 5.25 Hình dạng số loại FET 101 Chương 5: Transistorhiệuứngtrường CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP FET gì? Có loại? Kể tên vẽ kí hiệu tương ứng FET Điều ... theo hiệu điện VDS VGS, từ người ta đưa hai dạng đặc tuyến JFET VDS hiệu điện cực D cực S VGS hiệu điện cực G cực S RD VCC VDC Hình 5.7 Mạch khảo sát đặc tuyến JFET 90 Chương 5: Transistorhiệuứng ... 5.2.1.MOSFET kênh liên tục a Cấu tạo – kí hiệu S G D Al SiO2 D N + N N+ G P S Sub Hình 5.12 Cấu tạo – kí hiệu MOSFET kênh liên tục loại N 93 Chương 5: Transistorhiệuứngtrường S G D Al SiO2 + D P + P...
... Transistortrường (Field- Effect Transistor) NHATRANG UNIVERSITY • Là loại linh kiện hoạt động dựa hiệuứngtrường để điều khiển độ dẫn điện bán dẫn đơn ... device) • Transistortrường gồm có hai loại: – Nếu cực cửa cách ly với kênh tiếp giáp p-n transistortrường cực cửa tiếp giáp JFET – Nếu cực cửa cách ly với kênh lớp oxit kim loại transistortrường ... kênh đặt sẵn MOSFET kênh cảm ứng • Ưu điểm transistortrường là: mức độ tiêu hao lượng thấp, hoạt động tin cậy, nhiễu, trở kháng vào lớn, trở kháng nhỏ,… Transistortrường có cực cửa tiếp giáp...
... reduction [33], the negatively charged AuNPs are expected to bind to the amine-derivatized surface effectively via an electrostatic interaction [34] After coupling with BS3, the amine-derivatized ... BS3-activated surface The resulting substrate was treated with AuNP If the immobilization of KSI 126C is effective, the deposition of AuNP becomes much increased, presumably through the formation of an ... to Art KSI/mA51 by comparing the responses of SiNWFET modified by BS3 and further by Art KSI The effects of 19-NA on those devices are shown in Fig The electrical response of SiNWFET was measured...