Linh kiện điện tử chương 5 transistor hiệu ứng trường (FET)

25 1.7K 2
Linh kiện điện tử   chương 5  transistor hiệu ứng trường (FET)

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Chương Transistor hiệu ứng trường (FET) NHATRANG UNIVERSITY • Cấu tạo, nguyên lý hoạt động FET (Field-Effect Transistor) • Các tham số đặc tính FET • Phân cực cho FET • Sơ đồ tương đương FET chế độ tín hiệu nhỏ, tần số thấp Transistor trường (Field-Effect Transistor) NHATRANG UNIVERSITY • Là loại linh kiện hoạt động dựa hiệu ứng trường để điều khiển độ dẫn điện bán dẫn đơn tinh thể • Dòng điện loại hạt mang điện sinh nên cịn gọi linh kiện đơn cực (unipolar device) • Transistor trường gồm có hai loại: – Nếu cực cửa cách ly với kênh tiếp giáp p-n transistor trường cực cửa tiếp giáp JFET – Nếu cực cửa cách ly với kênh lớp oxit kim loại transistor trường cực cửa cách ly oxit kim loại (MOSFET); MOSFET lại có hai loại MOSFET kênh đặt sẵn MOSFET kênh cảm ứng • Ưu điểm transistor trường là: mức độ tiêu hao lượng thấp, hoạt động tin cậy, nhiễu, trở kháng vào lớn, trở kháng nhỏ,… Transistor trường có cực cửa tiếp giáp (JFET) NHATRANG UNIVERSITY • Cấu tạo – Trên đế bán dẫn loại n (hoặc p) ta pha tạp hai lớp bán dẫn loại p (hoặc n) có nồng độ cao; lớp bán dẫn loại n (hoặc p) gọi kênh dẫn – Hai đầu kênh dẫn đưa hai chân cực Máng D (Drain) cực Nguồn S (Source); thường JFET có cấu trúc đối xứng, nên cực D cực S đổi lẫn cho – Hai miếng bán dẫn hai bên nối với đưa chân cực cửa G (Gate) Nguyên lý hoạt động JFET NHATRANG UNIVERSITY • Để JFET hoạt động chế độ khuếch đại phải phân cực cho theo ngun tắc tiếp giáp p-n ln phân cực ngược • Xét nguyên lý làm việc JFET kênh n: – Để tiếp giáp p-n phân cực ngược UGS0 có tác dụng tạo dịng điện qua kênh – Dòng điện qua kênh (dòng cực máng I D) phụ thuộc vào UGS UDS Nguyên lý hoạt động JFET NHATRANG UNIVERSITY • Nếu giữ UGS giá trị cố định, xét phụ thuộc dịng cực máng ID vào UDS, ta có đặc tuyến ra: ID=f(UDS)|Ugs=const Nguyên lý hoạt động JFET NHATRANG UNIVERSITY • Khi UGS=0 – Nếu UDS=0, chưa có điện trường electron từ S→D, nên ID=0 – Tăng dần UDS>0, tiếp giáp p-n bị phân cực ngược mạnh dần, khơng đồng đều: phân cực mạnh phía D giảm dần phía S Nếu chưa có “thắt” kênh, điện trở kênh khơng đổi dòng ID tăng dần – Tiếp tục tăng UDS, đến hai lơp tiếp giáp p-n gặp điểm, “thắt” kênh→UDS=UDSS (pinch off) – Tiếp tục tăng UDS điểm “thắt” dịch chuyển phía S, điện trở kênh tăng dần, nên ID=IDSS≈const – Tiếp tục tăng UDS tiếp giáp p-n bị đánh thủng, JFET không hoạt động • Khi UGS0 – Nếu UGS=0, lúc tiếp giáp p-n bị phân cực ngược yếu nhất, nên độ rộng kênh lớn nhất, dòng ID lớn – Nếu giảm UGS0, kênh dẫn hình thành điện trường UGS gây kéo electron từ đế kênh; điện áp UGS bắt đầu hình thành kênh gọi điện áp ngưỡng UGSth – Người ta tính dịng ID: I D = K (U GS − U GSth ) K: số, đơn vị A/V2; thường xác định nhờ thông số datasheet nhà sản xuất NHATRANG UNIVERSITY Nguyên lý hoạt động EMOSFET

Ngày đăng: 29/04/2016, 15:46

Từ khóa liên quan

Mục lục

  • Chương 5 Transistor hiệu ứng trường (FET)

  • Transistor trường (Field-Effect Transistor)

  • Transistor trường có cực cửa tiếp giáp (JFET)

  • Nguyên lý hoạt động JFET

  • Slide 5

  • Slide 6

  • Slide 7

  • Slide 8

  • Slide 9

  • Slide 10

  • Slide 11

  • Các cách mắc JFET trong mạch khuếch đại

  • Phân cực cho JFET

  • Slide 14

  • Slide 15

  • Các tham số của JFET ở chế độ tín hiệu nhỏ

  • Slide 17

  • Sơ đồ tương đương của JFET ở chế độ tín hiệu nhỏ, tần số thấp

  • Transistor trường có cực cửa cách ly (MOS-FET)

  • Slide 20

  • MOSFET

  • Nguyên lý hoạt động MOSFET

  • Nguyên lý hoạt động của DMOSFET

  • Nguyên lý hoạt động của EMOSFET

  • Slide 25

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan