y c hs nhắc lại k n từ mượn
đặc điểm lâm sàng, cận lâm sàng và kỹ thuât cắt ruột thừa nội soi 1 vết mổ tại bệnh viên Việt Đức và bệnh viện Đại Học y Hà Nội giai đoạn từ tháng 1/2011 đến tháng 8/2013
... hu nh x khụng thy c c hch Lympho v lm cho lũng RT nh li 1.2.3 Nguy n nh n bnh sinh: Cho n c c nh y hc da vo nguy n nh n sau chng minh hin tng viờm RT: Tc RT, nhim khun v tc mch RT, nguy n nh n ... thit ng m gia di rn hoc ng trng b n phi c s dng chn o n trc m khụng chc chn hoc nghi ng viờm rut tha ó v C c ng m ny c th x lý c c c tn thng kh c bng chn o n nhm v lau sch bng c viờm ph c mc ... bnh nh n vin tt, tr li cuc sng bỡnh thng Khỏ: bnh nh n c bin chng m ,sau m va mu n nhng bnh nh n tr li cuc sng bỡnh thng Bnh nh n khụng tr li cuc sng bỡnh thng hoc t vong 2.3 Tin hnh nghi n cu:...
- 95
- 458
- 2
MỘT SỐ GIẢI PHÁP NHẰM HOÀN THIỆN QUY TRÌNH THỦ TỤC HẢI QUAN ĐIỆN TỬ ĐỐI VỚI HÀNG HÓA XUẤT NHẬP KHẨU BẰNG ĐƯỜNG BIỂN TẠI TP. HCM.doc
... Minh, ng y tháng n m… Sinh vi n Đào Ng c Kim Ng n iii LỜI C M N Những dòng em xin ch n thành c m n gia đình b n bè, người hỗ trợ, tạo điều ki n cho em ho n thành báo c o Em xin ch n thành c m ... thư c hiê n đề tài tốt nghiệp na y Cuối em xin k nh ch c s c khỏe thành đạt đ n Quý th y c Quý c ng ty Á Âu Ch n thành cảm n Tp Hồ Chí Minh, nga y tháng… n m Sinh vi n th c Đào Ng c Kim ... LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan đề tài nghi n c u Những k t số liệu khóa lu n th c cách khảo sát tr c tiếp, không chép từ ngu n kh c Tôi ho n to n chịu trách nhiệm trư c nhà trường cam đoan TP Hồ Chí...
- 11
- 1,352
- 7
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 1 pps
... Germanium (Ge) Gallium Arsenide (GaAs) Chương http://www.khvt.com 1.2.1 C u tr c nguy n tử c u tr c tinh thể Chương http://www.khvt.com 1.2.2 Sự d n đi n C c m c lượng Sự d n đi n chất b n d n Dòng ... Dòng khuếch t n (diffusion current): Khi c thay đổi mật độ electron (hole) Dòng ch y (drift current): Khi c đi n trường Chương http://www.khvt.com 1.2.3 B n d n loại p b n d n loại n “Doping”: ... trình đưa vào chất b n d n chất kh c c n thiết B n d n loại p Chất đưa vào: Chất nh n (acceptor material) Ví dụ: Boron (III) C u tr c tinh thể sơ đồ m c lượng Ph n tử mang đi n chủ y u: Lỗ trống...
- 7
- 356
- 1
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 2 pdf
... C c phương pháp ph n tích mạch dùng Diode Chương http://www.khvt.com 11 1.4 CHỈNH LƯU (Rectification) Chỉnh lưu trình chuy n đổi từ t n hiệu xoay chiều (ac) thành t n ... mạch l c b n: R R L R C (a) L C C (b) (c) Giả sử dùng mạch l c (a) với RC = 100/ o R >> RL Bi n độ đi n áp ngõ mạch l c t n số n Von C VLn n o RC o (n 1) là: VLn 10 0n với VLn bi n độ đi n áp ngõ ... L c (filter) t n hiệu chỉnh lưu b n sóng: Mạch l c dùng để l c bỏ hài xoay chiều (harmonics) nhằm giữ lại thành ph n chiều t n hiệu vL(t): L c thông thấp (lowpass filter – LPF) C c dạng mạch...
- 7
- 418
- 1
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 3 pot
... harmonics) t n số: n o Sử dụng mạch l c thích hợp để tách l y thành ph n hài c n thiết Chương http://www.khvt.com 20 1.5 PH N TÍCH MẠCH DIODE Lưu ý: C c ví dụ ph n sử dụng đ c tuy n Diode th c 1.5.1 ... b n chu k ) D1 D2 vS B n k dương vS: + C2 + + RL _ C1 C2 n p đi n qua D1 đ n đi n áp VSmax Tổng đi n áp vS VSmax C1 (đư c n p từ b n k trư c) đặt l n tải RL thông qua D1 B n k âm vS: C1 n p ... C2 B n k âm vS: C1 n p đi n qua D1 đ n đi n áp VSmax B n k dương vS: Đi n áp chồng chập C1 vS n p đi n cho C2 qua D2 đ n đi n áp 2VSmax Chương http://www.khvt.com 19 Ví dụ 2: (Nh n đôi đi n áp...
- 7
- 355
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 4 pot
... dụng đi n trở động đònh luật Kirchhoff Dùng nguy n lý xếp chồng để tìm tổng đáp ứng Chương http://www.khvt.com 25 Mạch đi n c thành ph n đi n kháng - reactive elements (LC) Ví dụ: + vD _ ri C ... 1.5.2 Ph n tích t n hiệu nhỏ – Đi n trở động (Dynamic resistance) T n hiệu nhỏ Thành ph n thay đổi (ac) t n hiệu nhỏ so với thành ph n dc vT Vdc vi Vdc Vim sin t với Vim
- 7
- 315
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 5 docx
... chủ y u vùng ph n c c nghòch K hiệu Đ c tuy n VA Ph n c c thu n: Như Diode thông thường Ph n c c nghòch: I Z max iZ I Z , vZ = VZ = constant VZ: Đi n áp Zener IZmax: Dòng ph n c c nghòch tối đa ... tưởng) R vo vi VB1 VB2 1.6.2 Mạch ghim đi n áp (Clampers) Mạch ghim đi n áp th c vi c di chuy n t n hiệu (shifting operation) theo tr c Y với độ dòch chuy n phụ thu c vào dạng sóng ngõ vào cho ... Diode Zener IZmin: Dòng ph n c c nghòch tối thiểu để vZ = VZ, thường IZmin = 0.1 IZmax PZmax = VZIZmax: C ng suất tối đa tiêu t n Diode Zener Ứng dụng: Thường dùng để tạo đi n áp chu n (reference...
- 7
- 433
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 6 potx
... Dòng ch y BJT EB: Ph n c c thu n CB: Ph n c c nghòch IC IE IB IB Đặt: IE I CBO IB IC (1 )I E IC I CBO I CBO Lưu ý: C u hình B chung (CB – Common Base configuration) Chương http://www.khvt.com 2.2.1 ... Thông số k thuật Diode thông thường Đi n áp ngư c c c đại (PIV – Giá trò trung bình chỉnh lưu Peak Inverse Voltage) b n sóng Dòng ph n c c nghòch c c đại Nhiệt độ c c đại chỗ ... 1.8 C C LOẠI DIODE KH C 1.9 ẢNH HƯỞNG C A NHIỆT ĐỘ VÀ C C THÔNG SỐ K THUẬT 1.9.1 nh hưởng nhiệt độ nh hưởng l n đ c tuy n VA Đi n áp ngưỡng V (turn-on voltage)...
- 7
- 370
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 7 pptx
... Ví du 2ï: Cho mạch đi n hình vẽ X c đònh hệ số khuếch đại dòng t n hiệu nhỏ C u hình E chung (CE – Common Emitter configuration) Transistor npn C iB B Rb iC Rc E Ngõ vào: VBB Chương VCC iB vi VBEQ ... iC iB không tuy n tính Vùng chủ động: VCEsat vCE BVCEO Quan hệ tuy n tính: iC iB I CBO Giới h n dòng: IC-cutoff iC ICmax Ví dụ 3: VCC = 10V, Rb = 1 0K, Rc = 1K TST: = 100, VBE = 0.7V, VCEsat = ... Giải tích mạch BJT đồ thò Mạch khuếch đại Mạng ph n c c ii RL RL VCC B R2 R2 VCC B Rb ii VCC Rb Re R1 Chương Re R1 http://www.khvt.com VBB VBB Mạng ph n c c (Mạch tương đương Thevenin): V BB Rb...
- 7
- 636
- 7
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 9 ppsx
... I CQ Lưu ý: Ph n tích dùng cho CB, CE, CC V BB 0.7 R e Rb / Để giảm ảnh hưởng I CQ V BB 0.7 Re l n ICQ, ch n Re >> Rb / Thiết k : Ch n tónh điểm Q Ch n Rb Re 10 ; tính to n mạch ph n c c chương ... (current & voltage feedback) VCC I CQ RC VCC I CQ hay: I BQ I BQ R F V BE I CQ R E I CQ R F I CQ RC V BE I CQ R E VCC V BE RC R E R B / VCC V BE ( RC R E ) R B Chương http://www.khvt.com 3.3 nh ... 2 Chương http://www.khvt.com C c k thuật ph n c c sử dụng hồi tiếp (feedback) Khái niệm hồi tiếp Hồi tiếp dòng (current feedback) VCC V BE RE RB / VCC V BE hay I BQ RE RB I CQ Hồi tiếp dòng...
- 7
- 313
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 10 ppsx
... 4.3 C u hình E chung (Common Emitter – CE) 4.4 C u hình B chung (Common Base – CB) 4.5 C u hình C chung (Common Collector – CC) 4.6 Tóm tắt thông số ba c ch m c BJT Chương http://www.khvt.com ... Phương pháp đồ thò T n hiệu nhỏ Mô hình mạch tương đương t n hiệu nhỏ 4.2 C c thông số Hybrid Mạng hai c a: v1, i1, v2, i2 C c thông số đ c trưng: Trở kháng (impedance); d n nạp (admittance), hybrid, ... 4V, IC = 5A: 10 18 T n số c t CE (cutoff frequency): f = 30 kHz 11 Chương http://www.khvt.com Chương 4: PH N TÍCH & THIẾT K MẠCH T N HIỆU NHỎ T N SỐ THẤP 4.1 Giới thiệu 4.2 C c thông số Hybrid...
- 7
- 285
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 11 ppsx
... hưởng hoe l n Ai không đáng k Chương http://www.khvt.com 4.4 C u hình B chung (Common Base – CB) C c thông số hybrid: veb = hib(-ie) + hrbvcb ic = hfbie + hoevcb Lưu ý: Chiều qui ư c ie, ic X c ... Bỏ qua ii) C c thông số hybrid CB (hib, hfb, hob) c c ch l y thông số CE tương ứng chia cho (1+hfe) Ví dụ 3: a) X c đònh thông số CB ví dụ 1, cho 1/hoe = 1 0K b) TST sử dụng c u hình CB với ri ... X c đònh hệ số hybrid cho c u hình CE: Độ lợi đi n áp ngư c hre : Thường nhỏ, bỏ qua D n nạp ngõ hoe : hoe Thường hoe ic v ce ib 10- S, (1/hoe) // RL ( Độ lợi dòng thu n hfe : h fe Trở kháng ngõ...
- 7
- 321
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 12 pps
... Ghép Cascade: Ngõ tầng ngõ vào tầng 2, … Mạch gồm nhiều c u hình ghép cascade (vd: CE-CC, CE-CE, …) Ph n tích: X c đònh tónh điểm Ph n tích mạch tương đương t n hiệu nhỏ Xét mạch ghép AC (ac-coupling) ... (gain), c ng suất ra, đáp ứng t n số, … Sử dụng nhiều TST Mạch khuếch đại DC: Ghép tr c tiếp (direct coupling) Mạch khuếch đại AC: Ghép đi n dung (capacitive coupling) 5.2 Ghép Cascade mạch khuếch ... (ac-coupling) sau: Ph n tích DC, x c đònh tónh điểm: Hai tầng đ c lập (do ghép AC): Chương 2, Ph n tích AC (t n hiệu nhỏ): Mạch tương đương: Chương Chương http://www.khvt.com Độ lợi dòng: Ai iL...
- 7
- 285
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 13 pdf
... c c: Mạch khuếch đại AC: C c tầng đ c lập DC: Chương Mạch khuếch đại DC: Big problem !!! Ví dụ 3: X c đònh thay đổi dòng tónh g y ảnh hưởng nhiệt độ l n VBE ví dụ Hồi tiếp: X c đònh độ n đònh: ... Tầng 2: RDC1 = 1K; Rac1 = 1K // 1K = 0. 5K Từ DCLL ACLL tầng MaxSwing2 = 5V Tầng 1: Tầng m c CC: Zin2 = Rb2 // [hie2 + (hfe2 + 1)(Re2//RL) 3 3K RDC1 = 1K + 1K = 2K; Rac1 = 1K // 3 3K 0.9 7K Từ DCLL ... 0.6 K T 0.6 K I C1 T I C1 T 5.3 Mạch khuếch đại vi sai (difference amplifier) Sử dụng: Ph n tích: Giả sử mạch đối xứng, TST giống nhau, mạch c c B giống Chương http://www.khvt.com Ph n tích tónh...
- 7
- 263
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 14 ppt
... 1/hoe Nh n xét: 1/hoe l n: CMRR tăng đáng k Chỉnh c n bằng: (Balance control) Th c tế: T1 T2 kh c Dùng bi n trở Rv E1 E2 để chỉnh c n 13 Chương http://www.khvt.com Điều ki n c n bằng: ICQ1 = ICQ2 ... DCLL: RDC = Rc + R2 + 2Re ACLL: Rac = Rc // RL 15 Chương http://www.khvt.com 5.4 C u hình Darlington Ph n tích tónh điểm: DCLL cho T2: VCC = VCE2 + Rc(IC1 + IC2) + ReIE2 Do IC1 IE1 = IB2 = IC2 ... hfe2
- 7
- 373
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 15 doc
... Dòng iChannel – Gate ≈ 0: Do Diode tạo tiếp x c pn Channel-Gate ph n c c nghòch (a) Khi vDS tăng: Vùng khuyết (depletion region – vùng gạch chéo) tăng → Rn-Channel tăng (b) vDS = Vpo (Đi n áp ngh n: ... 1mA Ph n tích t n hiệu nhỏ: T1: M c CE T2: M c CC T3: M c CB X c đònh vL / vc1 : Mạch tương đương t n hiệu nhỏ T2: Ph n ánh trở kháng E2 R03 = 1/hob3 tổng trở nh n vào c c C T3 (CB) vL v C1 h fe ... 0.7 VCE1 = VC1 - VE1 = (VE2 – RcIC1) – VE1 VCE2 = VC2 – VE2 = (VCC – RLIC2) – VE2 MẠCH 2: T1: CE T2 T3: Mạch Cascode, dùng để chuy n m c DC (vL) đ n (level shifting) dùng mạch K ghép tr c tiếp...
- 7
- 244
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 16 pptx
... động loại tăng (enhancement mode): vGS > 0: Hình thành k nh d n c m ứng: vGS > VTN : Đi n áp ngưỡng ⇒ Tạo k nh d n n c m ứng S D vGS tăng → Bề rộng đi n d n (conductivity) k nh d n tăng Thay ... Tương tự JFET: (a) Khi vDS tăng → Tăng vùng khuyết → Rn-Channel tăng: Vùng tuy n tính Chương (b) vDS = Vp = vGS - VTN: Đi n áp ngh n: Rn-Channel → ∞ (100 K ) Chương (c) vDS > Vp: iD ≈ const: Vùng ... thuyết hoạt động MOSFET 6.3.1 C u tạo (n- channel MOSFET): Nh n xét: Chương Ban đầu chưa c k nh d n D S (enhancement mode) C c cổng Gate: Metal – Oxide – Semiconductor (MOS) 6.3.2 Hoạt động:...
- 7
- 311
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 17 pptx
... DD : Đi n áp cung c p cho c c cổng ⎟ ⎝ 2⎠ Rs: C i thi n n đònh tónh điểm Q dòng DC hồi tiếp R3: Không c t c dụng DC, dùng để tăng trở kháng ngõ vào AC Bài to n: X c đònh mạch ph n c c (VGG, ... thuyết: rds → ∞ Th c tế: rds ≈ 20 – 500 K ; rds ∼ 1/IDQ Hệ số khuếch đại: ∂v µ = − DS = gmrds ∂vGS Q 6.6.2 Mạch khuếch đại áp c c ngu n chung (CS): Mạch CS: Chương 15 Mạch tương đương t n hiệu nhỏ: ... ngư c: hr ≈ Chương 14 Độ xuy n d n (transconductance): ∂i gm = DS (S) ∂vGS Q Từ c ng th c: i DS = k n [vGS ⇒ gm = k n I DSQ ⎛ v ⎞ − VTN ]2 = I po ⎜1 + GS ⎟ ⎟ ⎜ ⎝ V po ⎠ Đi n trở drain-source: ⎛ ∂v...
- 7
- 344
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 18 pptx
... mạch c c D đo n tương đương DS Ph n mạch c c S × (µ + 1) 3) Ph n ánh vào S: Giữ nguy n ph n mạch c c S Ph n mạch c c D đo n tương đương DS : (µ + 1) Ví dụ: Ph n tích lại mạch CD c ch ph n ánh ... 23 C c bư c th c ph n ánh trở kháng: 1) Tương đương đo n DS FET đi n trở rds n i tiếp ngu n áp (µv1) [c c dương S] Xem đo n mạch g n li n với ph n mạch c c D 2) Ph n ánh vào D: Giữ nguy n ph n ... (Giả sử Rs2 >> Rs1) Nh n xét: Giống mạch Emitter Follower (BJT): Zi l n; Zo nhỏ; Av ≈ Chương 20 6.6.4 Ph n ánh trở kháng: Xét mạch sau: Mạch tương đương tin hiệu nhỏ: Chương 21 ⇒ ids = µv gs...
- 7
- 401
- 0
Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 19 doc
... 6.6.6 Mạch khuếch đại c c cổng chung (CG): Mạch CG: Trở kháng ngõ vào: Ph n ánh vào mạch c c S: rds + Rd µ +1 Trở kháng ngõ ra: Ph n ánh vào mạch c c D: ⇒ Chương Zi = Rsg = 27 ⇒ Chương Zo = rds ... D S Depletion-mode: C k nh d n D S ⇒ Enhancement-mode: VTN > 0: Đi n áp ngưỡng hình thành k nh d n Depletion-mode: VTN < 0: Đi n áp ngưỡng tắt k nh d n Đ c tuy n: Chương 31 ... 30 Nh n xét: p-channel FET (iSD, vSD, vSG) tương tự n- channel FET (iDS, vDS, vGS) 6.7.2 Depletion-mode MOSFET: So sánh: Khi vGS = 0: Enhancement-mode: Không c k nh d n D S Depletion-mode: C k nh...
- 7
- 262
- 0
Tìm thêm: hệ việt nam nhật bản và sức hấp dẫn của tiếng nhật tại việt nam xác định các mục tiêu của chương trình khảo sát chương trình đào tạo của các đơn vị đào tạo tại nhật bản khảo sát chương trình đào tạo gắn với các giáo trình cụ thể xác định thời lượng học về mặt lí thuyết và thực tế điều tra với đối tượng sinh viên học tiếng nhật không chuyên ngữ1 khảo sát thực tế giảng dạy tiếng nhật không chuyên ngữ tại việt nam khảo sát các chương trình đào tạo theo những bộ giáo trình tiêu biểu nội dung cụ thể cho từng kĩ năng ở từng cấp độ mở máy động cơ rôto dây quấn các đặc tính của động cơ điện không đồng bộ hệ số công suất cosp fi p2 đặc tuyến hiệu suất h fi p2 đặc tuyến mômen quay m fi p2 đặc tuyến tốc độ rôto n fi p2 động cơ điện không đồng bộ một pha thông tin liên lạc và các dịch vụ phần 3 giới thiệu nguyên liệu từ bảng 3 1 ta thấy ngoài hai thành phần chủ yếu và chiếm tỷ lệ cao nhất là tinh bột và cacbonhydrat trong hạt gạo tẻ còn chứa đường cellulose hemicellulose chỉ tiêu chất lượng theo chất lượng phẩm chất sản phẩm khô từ gạo của bộ y tế năm 2008