Chöông 6 25 Phaân tích maïch: KVL, KCL Chương 6 26 6.6.5 Mạch tách pha (phase-splitting circuit): Tín hiệu nhỏ: i ds = s o d o R v R v 21 =− ⇒ 12 o d s o v R R v −= Nếu R s = R d ⇒ v o2 = - v o1 : Mạch tách pha Để xác đònh A v1 , A v2 , Z o1 , Z o2 : Sử dụng pp phản ánh trở kháng với v 2 = v 3 = 0 ⇒ ddss d i o v RrR R v v A +++ −== )1( 1 1 µ µ ddss s i o v RrR R v v A +++ −== )1( 2 2 µ µ ])1(//[ 1 sdsdo RrRZ ++= µ ] 11 //[ 2 + + + = µµ dds so Rr RZ Chương 6 27 6.6.6 Mạch khuếch đại cực cổng chung (CG): Mạch CG:  Trở kháng ngõ vào: Phản ánh vào mạch cực S: ⇒ Z i = R sg = 1+ + µ dds Rr  Trở kháng ngõ ra: Phản ánh vào mạch cực D: Chửụng 6 28 Z o = r ds + (à + 1)r i Heọ soỏ khueỏch ủaùi: idsd d i d v rrR R v v A )1( )1( +++ + == à à Chương 6 29 6.7 Mở rộng 6.7.1 FET kênh p:  p-channel JFET Cấu tạo: Đặc tuyến VA: Chửụng 6 30 p-channel MOSFET Caỏu taùo: ẹaởc tuyeỏn VA: Chương 6 31 Nhận xét: p-channel FET (i SD , v SD , v SG ) tương tự n-channel FET (i DS , v DS , v GS ) 6.7.2 Depletion-mode MOSFET:  So sánh: Khi v GS = 0: Enhancement-mode: Không có kênh dẫn giữa D và S Depletion-mode: Có kênh dẫn giữa D và S ⇒ Enhancement-mode: V TN > 0: Điện áp ngưỡng hình thành kênh dẫn. Depletion-mode: V TN < 0: Điện áp ngưỡng tắt kênh dẫn.  Đặc tuyến: .  p-channel JFET Cấu tạo: Đặc tuyến VA: Chửụng 6 30 p-channel MOSFET Caỏu taùo: ẹaởc tuyeỏn VA: Chương 6 31 Nhận xét: p-channel FET (i SD , v SD , v SG ) tương tự n-channel. v GS ) 6.7.2 Depletion-mode MOSFET:  So sánh: Khi v GS = 0: Enhancement-mode: Không có kênh dẫn giữa D và S Depletion-mode: Có kênh dẫn giữa D và S ⇒ Enhancement-mode: V TN > 0: Điện. 6 26 6.6.5 Mạch tách pha (phase-splitting circuit): Tín hiệu nhỏ: i ds = s o d o R v R v 21 =− ⇒ 12 o d s o v R R v −= Nếu R s = R d ⇒ v o2 = - v o1 : Mạch tách pha Để xác đònh