... ph ca mt, gi l ng quan sỏt chun (hay ng c trng cho quan sỏt chun) (Standard observer curve hay Luminosity curve for the Standard observer) hay cũn gi l ng cong CIE (Commision International de ... cú thụng lng bc x oỏt chiu lờn phõn t din tớch vuụng ca b mt ú 1W/m2=1kg.s-3 cng sỏng cande cd la W Candela l cng sỏng theo mt phng xỏc nh ca mt ngun phỏt bc x n sc cú tn s 540 x 1012 hộc v ... 16, 1979) n v c bn 26 Chng : Cỏc kin thc c bn chúi cande cd/m2 la trờn vuụn g Canela trờn vuụng l chúi ca mt ngun phng vuụng cú cng sỏng candela o theo phng vuụng gúc vi ngun 1cd/m2 = 1m-2.cd...
... FIM FIR FIR FM FSS GSM HPA INTELSA T ISI ITU KPA LEO LMS LNA LNA Artificial Neural Network Baseband Bit Error Ratio Backpropagation Binary Phase Shift Keying Direct Broadcasting System Điều biến ... Amplifier Bộ khuếch đại công suất bán dẫn Total Degradation Giảm cấp tổng Telemetry, Tracking& Command Đo, theo dõi huy Travelling Wave Tube Sơ đồ đèn sóng chạy Traveling-Wave Tube Amplifier Bộ khuếch ... Một vệ tinh quỹ đạo phù hợp với trạm mặt đất TT&C (Telemetry: đo từ xa, Tracking: theo dõi & Command: huy) hầu hết vệ tinh thông tin liên lạc quỹ đạo địa tĩnh Quỹ đạo địa tĩnh quỹ đạo tròn độ cao...
... Qua sơ đồ mạch, ta nhận thấy có đến mối nối BE cần bù nhiệt, vậy, ta chọn Diode để thực nhiệm vụ này, nhiệm vụ khác diode phân cực DC cho cặp Transistor Q4, Q5 cho Transistor làm việc lớp AB, ... VBE VR16 DC 0.9V VAB 0.9 0.7 1.6V VAA' 3, 2V Diode chế độ AC chịu thêm dòng Transistor Q3 đưa vào, ta chọn Diode dựa I D 100mA thông số VDr 70V V 0.75V Df Ở chế ... Vz=7.5V, tính R4=100, R8=22k, R6=47k, R5=220k, R7=560 Ta chọn Diode bù nhiệt phân cực loại D1N4544 (40mW,75V-Silicon expitaxial Diode_ MCC) Tính R10 : với sơ đồ mạch cho, ta tính : R10 R10...
... Qua sơ đồ mạch, ta nhận thấy có đến mối nối BE cần bù nhiệt, vậy, ta chọn Diode để thực nhiệm vụ này, nhiệm vụ khác diode phân cực DC cho cặp Transistor Q4, Q5 cho Transistor làm việc lớp AB, ... VBE VR16 DC 0.9V VAB 0.9 0.7 1.6V VAA' 3, 2V Diode chế độ AC chịu thêm dòng Transistor Q3 đưa vào, ta chọn Diode dựa I D 100mA thông số VDr 70V V 0.75V Df Ở chế ... Vz=7.5V, tính R4=100, R8=22k, R6=47k, R5=220k, R7=560 Ta chọn Diode bù nhiệt phân cực loại D1N4544 (40mW,75V-Silicon expitaxial Diode_ MCC) Tính R10 : với sơ đồ mạch cho, ta tính : R10 R10...
... u vo: 50 , khụng cõn bng - nhy: 24 Ch Tn s 90-1600Khz 1.6-29.99999Mhz CW DSB SSB Bandwidth Output DSC and NBDP CW DSB SSB 10 V hoc ớt hn V hoc ớt hn 30 V hoc ớt hn V hoc ớt hn V hoc ớt hn ... hiu h s li: 1*10-2 hoc ớt hn chỳng in ỏp vo = V Ch nhn = FSK Di tn = 0.3 KHz nhy: BW dB bandwith 60 dB bandwith v trớ 12KHz 12KHz hoc hn na 6KHz 4.5-7KHz 14KHz hoc ớt 3KHz 2.5-3KHz 4.1KHz hoc ... NRD-720 AW-209X Qty Remarks 234567(1) (2) (3) * Antenna tuner MF/HF controller Data terminal Printer Handset Cable Printer cable MF/HF controller cable Data terminal cable Interphone cable NFC-700 NCH-700...
... 1u, 10u, 100u/24vdc Điện trở :1R/5w, 220R, 680R, 1k, 2k2, 4k7, 47k, 68k,100k.VR 1k, 10k, 100k Diode : 4007 II THÔNG SỐ VÀ ĐẶC TÍNH KĨ THUẬT CỦA LINH KIỆN A IC TL 082 -Hình ảnh : -Đặc tính chung ... điện áp chiều phẳng hoạt động ổn định nên tín hiệu nhiễu số cao thấp qua hai tụ xuống mass Cặp diode 1N4001 có tác dụng bảo vệ thiết bị mạch khỏi điện áp đầu dội ngược trở lại tránh nhiễu bảo...
... additional resístor belween ports and (Pigure 2b) Tliis resistor is the secrei to the W ilkinson povver divider, and is the reason \vh> it is matcheđ at ports andand ports and are isolateđ N ote however, ... designed and íabncated the pcnver ampliíiers o f 1W, 45W and 200w using the modern components sucli as the transistors vvorkmg at the micro\vave band The components were caiculated and optimalize(j ... Tiuin Anh, andBưch Gia D uoiiiỊ Desimi and Im p lem cn l ol' C o m p a tt U \V Bnndpnss í ĩltcr \vith a F rcqucncy N o tch by C o n sistin g o f Couplcd M icrostrip ỉ.in c Strueture D O S and EO-S...
... Icmax=10mA,5=50 Q6ữQ11 chn l cỏc tranzitor nh cú o=100 v Ucmax=150V Cỏc Tranzitor cú UBE=0.7V; Cỏc Diode chn l Diode silic cú UD=0.7V c Tớnh toỏn cỏc ch phõn cc : chng trụi nhit, chn ch lm vic ca Q2,Q4 ... bự ,lm vic nh mt Tranzitor pnp Đồ án Điện tử cho CNTT Mạch khuếch đại công suất tần số thấp Cỏc Diode D1,D2,D3 c dựng bự in ỏp UBE ca Q1 ,Q2 v Q3Q4 ng thi cng cú tỏc dng bự nhit Cỏc in tr R3,R4 ... ly mt phn in ỏp hi tip v tng K vi sai Tng K vi sai c mc theo s cú gng dũng in, Q7 c mc thnh diode thc hin chc nng ti ng ca tng , nh vy ta cú h s K vi sai Kvs ln hn Q11 c mc to dũng n nh...
... không vẽ cụ thể đồ thị Smith xác định chúng cách dễ dàng nhờ thang giá trị "Hệ số sóng đứng - Standing Wave Ratio (SWR)" phần bên trái đồ thị Giá trị tính theo Vmax ), với thang giá trị từ đến...
... riffID[4]; long riffLen; char waveID[4]; char fmtID[4]; Đồ án Điện tử cho CNTT Mạch khuếch đại công suất tần số thấp long fmtLen; int wFormatTag; int nChannels; long nSamplesPerSec; long nAvgBytesPerSec; ... Icmax=10mA,5=50 Q6ữQ11 chọn tranzitor nhỏ có o=100 Ucmax=150V Các Tranzitor có UBE=0.7V; Các Diode chọn Diode silic có UD=0.7V c Tính toán chế độ phân cực : Để chống trôi nhiệt, chọn chế độ làm ... nAvgBytesPerSec; int nBlockAlign; int nBitsPerSample; char dataID[4]; long dataLen; }; void Init(void); void RecordSin(void); WaveFormat wformat; long sinFreq; // sin frequence float sampleTime; // the time...
... Icmax=10mA,5=50 Q6ữQ11 chọn tranzitor nhỏ có o=100 Ucmax=150V Các Tranzitor có UBE=0.7V; Các Diode chọn Diode silic có UD=0.7V Đồ án Điện tử cho CNTT Mạch khuếch đại công suất tần số thấp c Tính ... kháng vào mạch khuếch đại Tổ hợp Q3,Q4 tạo thành mạch Darlington bù ,làm việc nh Tranzitor pnp Các Diode D1,D2,D3 đợc dùng để bù điện áp UBE Q1 ,Q2 Q3Q4 đồng thời có tác dụng bù nhiệt Các điện trở ... đại công suất tần số thấp Tầng KĐ vi sai đợc mắc theo sơ đồ có gơng dòng điện, Q7 đợc mắc thành diode thực chức tải động tầng , nhờ ta có hệ số KĐ vi sai K vs lớn Q11 đợc mắc để tạo dòng ổn định...
... Icmax=10mA,5=50 Q6ữQ11 chọn tranzitor nhỏ có o=100 Ucmax=150V Các Tranzitor có UBE=0.7V; Các Diode chọn Diode silic có UD=0.7V BàI tập lớn Điện tử cho CNTT Mạch khuếch đại công suất tần số thấp ... kháng vào mạch khuếch đại Tổ hợp Q3,Q4 tạo thành mạch Darlington bù ,làm việc nh Tranzitor pnp Các Diode D1,D2,D3 đợc dùng để bù điện áp UBE Q1 ,Q2 Q3Q4 đồng thời có tác dụng bù nhiệt Các điện trở ... đại công suất tần số thấp Tầng KĐ vi sai đợc mắc theo sơ đồ có gơng dòng điện, Q7 đợc mắc thành diode thực chức tải động tầng , nhờ ta có hệ số KĐ vi sai K vs lớn Q11 đợc mắc để tạo dòng ổn định...
... Electronic Mobility Transistor LTE Long Term Evolution WiMax Worldwide Interoperability for Microwave Access OFDMA Orthogonal Frequency-Division Multiple Access WCDMA Wideband Code Division Multiple ... Electronic Mobility Transistor) HEMT transistor trường kết hợp mối ghép hai vật liệu có độ rộng bandgap khác kênh thay cho vùng khuếch tán.Điện áp phân cực đưa vào cực cửa sử dụng để điều chỉnh ... đại công suất, khuếch đại Doherty xem lựa chọn phù hợp công nghệ khác EER (Envelope Elimination and Restoration), LINC (Linear amplification using Non-linear components), ET (Envelope Tracking)...
... CONTROL CAR -802 DRIVER AMP CAH - 803 POWER AMP ƒ0 CFJ - 801 LPF CDC 800 TUNER CONT CPU CONTROL BAND DATA KĐ Hình 4:Sơ đồ khối mạch khuếch đại công suất (POWER AMP UNIT) Bộ khuếch đại công suất ... TUNER) SENSOR CFG - 801 CPU CDC 800 TUNER CONT CPU CONTROL CFJ - 801 LPF TUNER DATA /TUNER TEST BAND DATA CDC – 800 TUNE CONT Hình 5:Sơ đồ khối điều hưởng anten (ANTENNA TUNER) Tín hiệu sau khuếch...