0

ion implantation into zno

Báo cáo hóa học:

Báo cáo hóa học: " Effect of ion implantation energy for the synthesis of Ge nanocrystals in SiN films with HfO2/SiO2 stack tunnel dielectrics for memory application" pot

Hóa học - Dầu khí

... the H content in the films Ion implantation in these stack layers were carried out with 74Ge+ ions using GeH4 gas source for the extraction of Ge The Ge+ ion implantation was carried out at two ... diffusion of Ge toward Si/tunnel oxide interface and/or to the surface of control layer by suitably varying the implantation parameters and annealing condition The dependence of implantation energy ... electronbeam evaporation method However, they have employed relatively thicker dielectric films for the evolution of Ge-NCs In the present investigation, lowenergy ion implantation method, which...
  • 7
  • 361
  • 0
Báo cáo hóa học:

Báo cáo hóa học: " A Novel Method to Fabricate Silicon Nanowire p–n Junctions by a Combination of Ion Implantation and in-situ Doping" docx

Hóa học - Dầu khí

... Conclusion In conclusion, we have demonstrated a novel method to form p–n junction NW diodes by combining two well- 123 established doping techniques—in-situ doping and ion implantation, in succession ... p–n junction NW after the P ion implantation and removal of the SOG h SEM image of a p–n junction NW 3.2 1013 cm-2, respectively The NWs were tilted by 7° with respect to the impinging ions (Fig ... and Discussions We illustrate the formation of an axial p–n junction in a NW in Fig Figure 2a shows the SEM image of a p–n junction NW Figure 2b shows the expected phosphorus concentration profile...
  • 4
  • 332
  • 0
Báo cáo hóa học:

Báo cáo hóa học: " Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing" potx

Báo cáo khoa học

... proton implantation, the QD GS luminescence peak (P10 ) from the implanted region is blue shifted with respect to peak P1 from the un-implanted region Under the implantation and annealing conditions ... region of the device structures annealed with and without implantation For the un-implanted region, the QD ground state (GS) luminescence peaks at 1015 nm (P1) Due to enhanced interdiffusion ... result of interdiffusion due to background (grown-in) defect levels, whereas the shift between the annealed only device and device annealed after implantation is due to implantation induced differential...
  • 4
  • 220
  • 0
ION IMPLANTATION potx

ION IMPLANTATION potx

Kĩ thuật Viễn thông

... Spatial resolution of ion implantation and its limiting factors In the process of ion implantation, the spatial resolution is defined as the precision in the final position of an implanted ion in the ... that involve ion implantation This book presents a collection of chapters which address novel aspects of ion implantation: beam manipulation and modification, beam-solid interactions, physical ... Chapter 10 Neon and Manganese Ion Implantation into AlInN 203 Abdul Majid Chapter 11 Implantation Damage Formation in GaN and ZnO 237 Katharina Lorenz and Elke Wendler Section Advances in Processing...
  • 448
  • 268
  • 0
Application of ion implantation to the fabrication of GAN based devices

Application of ion implantation to the fabrication of GAN based devices

Tổng hợp

... 14 CHAPTER IMPLANTATION BACKGROUND AND CHARACTERIZATION TECHNIQUES 2.1 Advantages of ion implantation 17 2.2 Ion implantation range and distribution 18 2.3 Damage and post -implantation annealing ... concentration contour without implantation, (b) electron concentration contour with implantation, (c) I-V characteristics without implantation, and (d) I-V characteristics with implantation 117 ... integration of ion implantation to GaN device vii fabrication For Be (p-type) implantation, the Hall results showed p-type conversion after pulsed laser annealing (PLA) with optimized irradiation...
  • 202
  • 469
  • 0
Carbon rich silicon (si1 ycy)for defect engineering of ion implantation damage in devices activated by solid phase epitaxy

Carbon rich silicon (si1 ycy)for defect engineering of ion implantation damage in devices activated by solid phase epitaxy

Tổng hợp

... incorporation may be achieved mainly through a diffusion process or ion implantation Ion implantation remains the industrial standard to introduce dopants into the silicon substrate for the fabrication ... suppression of boron diffusion [19-21] and elimination of implantation EOR defects [22, 23] in the presence of carbon The combined effects of dopant diffusion suppression and defects elimination ... most implantation energy used in fabrication, the resulting damage in the silicon substrate may be divided into regions, as shown in Fig 2.1 The region, which experiences the highest implantation...
  • 170
  • 376
  • 0
A modeling study of ion implantation in crystalline silicon involving monte carlo and molecular dynamics methods

A modeling study of ion implantation in crystalline silicon involving monte carlo and molecular dynamics methods

Tổng hợp

... distributions, accurate profiles are needed from the ion implantation simulation to be the inputs for the diffusion simulations Ion implantation simulations can be broadly classified into three ... in the modeling of ion implantation especially with device miniaturization 2.1.1 Analytical Distribution Functions Analytical distribution function models for ion implantation profiles are the ... all these processes, ion implantation and dopant diffusion are particularly strongly affected by device miniaturization and remains an active area of study Ion implantation has been a dominant...
  • 305
  • 302
  • 0
Modelling and simulation of ion implantation induced damage

Modelling and simulation of ion implantation induced damage

Cao đẳng - Đại học

... evolution and dopant diffusion 1.1.2 Modeling and Simulation of Ion Implantation Induced Damage The physical processes, namely ion implantation and annealing, involved in junction formation are ... Experimental observations of ion- implantation induced damage accumulation In this section, an overview of experimental findings on the dependence of ionimplantation parameters on damage accumulation is presented ... simultaneous simulation of ion implantation and annealing This section gives an overview of the different simulation techniques that could be used for the simulation of ion implantation induced damage...
  • 191
  • 311
  • 0
Báo cáo sinh học:

Báo cáo sinh học: " Influence of helium-ion bombardment on the optical properties of ZnO nanorods/p-GaN light emitting diodes" pot

Điện - Điện tử

... increase after the He+ ion irradiation The decrease in the UV emission is due to degradation in the crystalline quality after the He+ ion irradiation The enhancement in the green emission is due to the ... properties of ZnO nanostructures [19] The irradiation changes the amount of defects in ZnO nanorods resulting in changes in the optical properties of ZnO The effect of the ion irradiation of complete ... emission after the He+ ion irradiation The blue shift in the excitonic emission peak can be attributed to the presence of homogeneous compressive strain produced by the He+ ion irradiation Compressive...
  • 13
  • 411
  • 0
báo cáo hóa học:

báo cáo hóa học:" Influence of helium-ion bombardment on the optical properties of ZnO nanorods/p-GaN light emitting diodes" pdf

Hóa học - Dầu khí

... increase after the He+ ion irradiation The decrease in the UV emission is due to degradation in the crystalline quality after the He+ ion irradiation The enhancement in the green emission is due to the ... properties of ZnO nanostructures [19] The irradiation changes the amount of defects in ZnO nanorods resulting in changes in the optical properties of ZnO The effect of the ion irradiation of complete ... emission after the He+ ion irradiation The blue shift in the excitonic emission peak can be attributed to the presence of homogeneous compressive strain produced by the He+ ion irradiation Compressive...
  • 13
  • 366
  • 0
Nghiên cứu tổng hợp oxit nano zno có pha tạp al3+, fe3+ bằng phương pháp đốt cháy và bước đầu ứng dụng để hấp thụ ion mn2+

Nghiên cứu tổng hợp oxit nano zno có pha tạp al3+, fe3+ bằng phương pháp đốt cháy và bước đầu ứng dụng để hấp thụ ion mn2+

Thạc sĩ - Cao học

... thước hạt ZnO- 1%Al3+ ZnO- 1%Fe3+ nhiệt độ nung khác 31 Bảng 3.2 Kích thước hạt ZnO- 1%Al3+ ZnO- 1%Fe3+ nung 5000C thời gian khác 32 Bảng 3 Kích thước hạt ZnO- 1%Al3+ ZnO- 1%Fe3+ ... thước hạt ZnO- 1%Al3+ ZnO- 1%Fe3+ tỉ lệ mol KL/PVA khác 34 Bảng 3.5 Kích thước hạt ZnO- 1%Al3+ ZnO- 1%Fe3+ tạo gel nhiệt độ khác 35 Bảng 3.6 Kích thước hạt oxit ZnO- x%Al3+ ZnO- x%Fe3+ ... ZnO - 1%Fe3+ 37 Hình 3.16 Phổ EDX oxit ZnO- 1%Al3+ 38 Hình 3.17 Phổ EDX oxit ZnO- 1%Fe3+ 38 Hình 3.18 Ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) ZnO tinh khiết (a) ZnO1 %Al3+ (b), ZnO- 1%Fe3+...
  • 69
  • 772
  • 0
Chương liên kết ion.doc

Chương liên kết ion.doc

Ôn thi Đại học - Cao đẳng

... 19 : LUYÊN TẬP VỀ : LIÊN KếT ION LIÊN KẾT CỘNG HOÁ TRỊ SỰ LAI HOÁ CÁC OBITAN NGUYÊN TỬ Liên kết phân tử KF thuộc liên kết A cộng hoá trị B cộng hoá trị phân cực C ion D cho - nhận Hãy chọn phương ... HCl, CsF, H2O NH3 Hợp chất có liên hết ion A HCl B CsF C H2O D NH3 Chọn đáp án Các liên kết phân tử NH3 thuộc liên kết A cộng hoá trị B cộng hoá trị phân cực C ion D cho - nhận Hãy chọn đáp án Nguyên ... kết A ion B cộng hoá trị không phân cực C cộng hoá trị phân cực D cho - nhận Hãy chọn đáp án Liên kết phân tử HBr liên kết A cộng hoá trị không phân cực B cộng hoá trị phân cực C cho -nhận D ion...
  • 4
  • 1,881
  • 11
VideoStudio Pro X3 kicks the movie making process into high gear

VideoStudio Pro X3 kicks the movie making process into high gear

Thiết kế - Đồ họa - Flash

... mobile device Start with professional content New! Professionally designed HD templates from RevoStock—worth over $500 US Enhanced! Studio-quality music, titles, transitions and real-time effects ... import, edit, burn and share standard or HD video GPU acceleration – edit and render twice as fast, especially with HD video Professional content – get $500 US worth of studio-quality RevoStock ... including 3D movement Speed up your entire workflow Enhanced! NVIDIA CUDA GPU acceleration and Intel Core i7 CPU optimization Enhanced! Smart Proxy for faster and smoother HD editing New! Express Edit...
  • 3
  • 632
  • 0
Chapter 4: Getting Images into and out of Photoshop

Chapter 4: Getting Images into and out of Photoshop

Thiết kế - Đồ họa - Flash

... existing selection ߜ New Selection: When you select the first button, any selection that you make replaces an active selection (deselecting any previous selection) If, with a selection tool, you ... click and drag adds the selection to any existing selection Holding down the Option/Alt key before dragging subtracts the new selection from any existing selection The Single Row Marquee and ... existing selection The nine selection tools are divided into three groups: ߜ Four marquee tools ߜ Three lasso tools ߜ The Quick Selection tool and the Magic Wand Marquee selection tools You have...
  • 42
  • 590
  • 1
Tapping into the Power of Text Mining

Tapping into the Power of Text Mining

Cơ sở dữ liệu

... interactive exploration of document collections We conclude this section with a brief discussion of further application areas for text mining 3.1 Classification Text classification aims at assigning ... Document Collections For the visualization of document collections usually two-dimensional projections are used, i.e the high dimensional document space is mapped on a two-dimensional surface In ... of information extraction naturally decomposes into a series of processing steps, typically including tokenization, sentence segmentation, part-of-speech assignment, and the identification of named...
  • 37
  • 1,334
  • 3

Xem thêm

Tìm thêm: hệ việt nam nhật bản và sức hấp dẫn của tiếng nhật tại việt nam xác định các nguyên tắc biên soạn khảo sát chương trình đào tạo của các đơn vị đào tạo tại nhật bản khảo sát chương trình đào tạo gắn với các giáo trình cụ thể tiến hành xây dựng chương trình đào tạo dành cho đối tượng không chuyên ngữ tại việt nam điều tra đối với đối tượng giảng viên và đối tượng quản lí điều tra với đối tượng sinh viên học tiếng nhật không chuyên ngữ1 khảo sát thực tế giảng dạy tiếng nhật không chuyên ngữ tại việt nam khảo sát các chương trình đào tạo theo những bộ giáo trình tiêu biểu xác định mức độ đáp ứng về văn hoá và chuyên môn trong ct mở máy động cơ lồng sóc mở máy động cơ rôto dây quấn các đặc tính của động cơ điện không đồng bộ đặc tuyến mômen quay m fi p2 đặc tuyến dòng điện stato i1 fi p2 động cơ điện không đồng bộ một pha thông tin liên lạc và các dịch vụ từ bảng 3 1 ta thấy ngoài hai thành phần chủ yếu và chiếm tỷ lệ cao nhất là tinh bột và cacbonhydrat trong hạt gạo tẻ còn chứa đường cellulose hemicellulose chỉ tiêu chất lượng theo chất lượng phẩm chất sản phẩm khô từ gạo của bộ y tế năm 2008 chỉ tiêu chất lượng 9 tr 25