... theo xạ hay không xạ photon Trong trình xạ không kèm theo xạ, tất lượnggiải phóng truyền cho dao động mạng (phonon) , truyền cho hạt tải điện tự thứ ba (tái hợp Auger), dùng để kích thích dao động ... Nhàn Luận văn tốt nghiệp cao học Bảng 1.1: Số nguyên tửlượng hạt nano hình cầu [18] nguyên tử Tỉ số nguyên tử Năng lượng bề Năng lượng bề mặt/năng bề mặt (%) mặt (erg/mol) lượng tổng 10 30.000 20 ... (3.1) (3.2) Trong đó: r: bán kính trung bình hạt t: thời gian tạo hạt ro :bán kính trung bình ban đầu hạt k: số tốcđộ : lượng bề mặt tinh thể Vm: thểtích mol cr : độ tan ZnO dạng khối : độ nhớt...
... nước quan tâm ứng dụng tuyệt vời chúng như: làm chất xúc tác quang hố xử lí mơi trường, chế sơn tự làm sạch, làm vật liệu chuyển hốlượng pin mặt trời, ứng dụng y học Tuy nhiên, lượng vùng cấm ... chủ yếu như: phân tích nhiệt (TA), nhiễu xạ tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), đẳng nhiệt hấp phụ -giải hấp phụ N2 (BET), phổ tán sắc lượng tia X (EDX), phổ hấp thụ tử ngoại-khả kiến ... Cơng nghệ Xạ - Viện Năng lượng Ngun tử Việt Nam Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS Ngơ Sỹ Lương TS Thân Văn Liên Phản biện : GS TS Nguyễn Trọng Uyển Trường Đại học KHTN - Đại học Quốc gia Hà Nội...
... = 20 Từ độ( emu/g) 10 Từđộ (đ.v.t.y) 20 x=0 x=5 x =10 x = 15 x = 20 -10 Nd60Fe30-xAl 10Cox D = mm -20 -8 Nd60Fe30-xCoxAl 10 H = 100 Oe -6 -4 -2 Từ tr- ờng (kOe) 350 400 450 500 Nhiệt độ (K) 550 ... H=100 Oe D = 4mm -30 -15 Nd60-xCoxFe30Al 10 Từđộ (emu/g) 20 Từđộ (emu/g) x=0 x=5 x = 10 x = 15 -10 -5 Từ tr- ờng (kOe) 10 15 a) 350 400 450 500 Nhiệt độ (K) 550 600 b) Hỡnh 1.10 nh hng ca s thay ... tng nng B thay th Nd Trong khi pha t th hai cú TC cao hn (khong 540 K) v hu nh khụng ph thucvo nng B thay th Theo nhúm nghiờn cu [3] thỡ tuthucvo cu trỳc vi mụ v t phn gia cỏc pha t m cỏc...
... xét: lượng Zn tăng hiệu suất điều chế giảm Điều giải thích sau: lượng Zn tăng, lượng Ti4+ bị khử thành Ti3+ tăng Ở pH thấp, khả 50 thủy phân Ti3+ Zn2+ thấp Ti4+ Nên với lượng TiCl4 ban đầu, lượng ... phần tử mang điện tích di chuyển bề mặt để thực phản ứng oxi hóa khử, lỗ trống tham gia trực tiếp vào phản ứng oxi hóa chất độc hại, tham gia vào giai đoạn trung gian tạo thành gốc tự hoạt động ... (1.1) − Trong đó: r kích thước hạt trung bình (nm), λ bước sóngxạ Kα anot Cu, 0.15406 nm, β độ rộng (FWHM) píc nửa độcao píc cực đại (radian), θ góc nhiễu xạ Bragg ứng với píc cực đại (độ) Từ...
... phần tử mang điện tích di chuyển bề mặt để thực phản ứng oxi hóa khử, lỗ trống tham gia trực tiếp vào phản ứng oxi hóa chất độc hại, tham gia vào giai đoạn trung gian tạo thành gốc tự hoạt động ... phần tử mang điện tích di chuyển bề mặt để thực phản ứng oxi hóa khử, lỗ trống tham gia trực tiếp vào phản ứng oxi hóa chất độc hại, tham gia vào giai đoạn trung gian tạo thành gốc tự hoạt động ... (1.1) − Trong đó: r kích thước hạt trung bình (nm), λ bước sóngxạ Kα anot Cu, 0.15406 nm, β độ rộng (FWHM) píc nửa độcao píc cực đại (radian), θ góc nhiễu xạ Bragg ứng với píc cực đại (độ) Từ...
... giảm Điều giải thích sau: lượng Zn tăng, lượng Ti4+ bị khử thành Ti3+ tăng Ở pH thấp, khả thủy phân Ti3+ Zn2+ thấp Ti4+ Nên với lượng TiCl4 ban đầu, lượng Zn tăng thu kết tủa Đồ thị biểu diễn ... phần tử mang điện tích di chuyển bề mặt để thực phản ứng oxi hóa khử, lỗ trống tham gia trực tiếp vào phản ứng oxi hóa chất độc hại, tham gia vào giai đoạn trung gian tạo thành gốc tự hoạt động ... (1.1) − Trong đó: r kích thước hạt trung bình (nm), λ bước sóngxạ Kα anot Cu, 0.15406 nm, β độ rộng (FWHM) píc nửa độcao píc cực đại (radian), θ góc nhiễu xạ Bragg ứng với píc cực đại (độ) Từ...
... đến tốcđộ trình thuỷ phân hiệu suất điều chế Ở vùng nồng độ TiCl4 thấp tốcđộ thuỷ phân hiệu suất tăng lên tăng nồng độ TiCl4 ngược lại nồng độ TiCl4 cao, việc tăng nồng độ TiCl4 làm giảmtốcđộ ... tăngtốcđộ vận chuyển điện tích thứ hai giảmtốcđộ tái kết hợp electron lỗ trống Để thực phương án 2: giảmtốcđộ tái kết hợp, “bẫy điện tích sử dụng để thúcđẩy bẫy điện tử lỗ trống bề mặt, tăng ... Trong đó: χ hàm lượng rutile (%), IA cường độ nhiễu xạ anatase ứng với mặt phản xạ (101), IR cường độ nhiễu xạ rutile ứng với mặt phản xạ (110) Trong luận văn này, giản đồ XRD mẫu ghi nhiễu xạ...
... Giới thiệu tổng thể thiết bị cần trục băng tải Đ1-Hệ thống cần trục treo băng tải 1.1-Tay cần 1.1.1 -Hình thức kết cấu Hìnhthức kết cấu tay cần dây ta chọn hìnhthức kết cấu dạng dàn chịu lực Vì: ... (trong giới hạn cho phép) sau cố định băng tải lại (điều khiển băng tải quét tay) Hạ chân chống để tăngđộ cứng vững Tiến hành khởi động hệ thống băng tải trung chuyển Trong phần cần ý khởi động ... (Cột tháp) Có cấu tạo thép hình dựng theo phơng thẳng đứng liên kết ngang 1.2.1 -Hình thức kết cấu Hìnhthức kết cấu thân cẩu ta chọn dạng cột hở không gian Bao gồm thép hình chạy theo phơng thẳng...
... cua O-MMT da lim giam md men xoan cua 322 EVA Nguyen nhan la cac hat O-MMT vdi kfeh thudc nhd mjn cd kha nang bdi tran td't cho cie hat EVA chung edn d trang thai rin, nhd vay lam giam manh ma sit ... 325 lam giam md men xoin ban diu cua he, mdt diiu kien rat thuan lgi cho viec gia cdng chi tao vat lieu compozit EVA/O-MMT theo phuang phip trdn hgp trite tie'p d trang thii ndng chay Trong dieu ... EVA thi md men xoin ban diu cua he giam xud'ng vi he cin ft nang lugng han qui trinh trdn hgp d trang thii ndng chiy, mdt diiu kien rit thuan lgi eho viee gia edng che' tao vat lieu compozit...
... mật độ điện tích thay đổi rõ rệt trình hồi quy; Xn yếu tố hồi quy + Khi tăngđộ dài mạch cacbon nhóm chức xeton, giá trị mật độ điện tích tâm O lớn nhóm đính trực tiếp với nhóm 19 20 C=O, tăng ... morpholinxeton bảo vệ (thậm chí lợng obitan phân tử bị chiếm cao (EHOMO), mật độ điện tích làm tăng mức độ ăn mòn) Các -đimetylaminxeton có khả bảo tâm N, momen lỡng cực nhng hệ số tơng quan chúng ... lợng tử IK12 (M1), IK13 (M6) chúng chất có mật độ điện tích Các thông số lợng tử xác định phần mềm Hyper Chem7.0 lớn nguyên tử O N, làm tăng khả hấp phụ lên cho 54 chất nghiên cứu mô Nhiệt độ sôi...
... tích khối lượng (đường TGA) ta thấy khối lượng hai mẫu lệch không lớn ( 43,460% tương ứng với số thứ tự mẫu) 34 Hình 3.2 Giản đồ phân tích nhiệt mẫu bột Sự khối lượng xảy chủ yếu vùng nhiệt độ: ... trộn với theo tỉ lệ hợp thức để tạo phối liệu Ngoài thêm chất khoáng hóa để tăngtốcđộ phản ứng giảm nhiệt độ nung Trong phương pháp tổng hợp gốm, nhiệt độ nung thường cao (khoảng 1200 – 1500ºC) ... định kích thước, hình thái, cấu tạo vật liệu cách phân tích chùm electron tới xuyên qua bề mặt mẫu Trongtrường hợp này, người ta sử dụng điện giatốc khoảng 100 – 200 kV để tăngtốc chùm electron...
... c a TBOT N u mụi tr ng pH quỏ th p s kộo di th i gian th y phõn, kộo di th i gian t o sol, th i gian t o gel v ng c l i, n u mụi tr ng pH quỏ cao, s d n n t o gel s m v kớch th c h t TiO2 i ... ph n ng trung gian v sau ú cho cỏc s n ph m cu i cựng Trong quỏ trỡnh quang xỳc tỏc c a TiO2 v i cỏc ch t h u c, cỏc ch t ph n ng bao g m : ch t h u c RX, H2O, O2 hũa tan H2O, tham giavo ph n ... th 2, cng xu t hi n giai o n m t kh i l ng, nhiờn giai o n ny ch cú quỏ trỡnh m t n c o n cũn l i u xu t hi n khụng xu t hi n pick 100oC l trựng v i gi n th nh t, cũn giai nhi t khỏc c bi...
... c ch n mũn tt hn cỏc amin bc cao Cỏc amin cú tớnh baz cao thng cú kh nng bo v cho thộp cng cao hn Tuy nhiờn nu s chờnh lch ny khụng ln thỡ nh hng ca hiu ng khụng gian s chim u th Hn hp ca amin ... Khoa hc T nhiờn-Lun ỏn tin s hoỏ hc-NCS Trnh Cng hn cỏc vựng cú nhit cao vựng cú khớ hu nhit i, nhit cao kt hp vi thi gian tip xỳc lõu lm tng tc n mũn [13] 1.1.2.3 nh hng ca vi sinh vt Ngoi ... thi gian Trong cụng trỡnh [46] tỏc gi ó s dng phng phỏp MNDO chng trỡnh mỏy tớnh chemdraf II tớnh toỏn cho mt vi metyl pyriin th, etan th l cht c ch n mũn cho st mụi trng axớt ó a mi tng quan gia...
... tia X bước sóng λ thích hợp lên vật rắn, nguyên tử vật chất trở thành tâm phát sóng thứ cấp Các sóngsóng kết hợp nên giao thoa với nhau, làm cho sóng tổng hợp quan sát theo số phương tăng cường ... cấu hình phẳng gần vuông Mỗi nguyên tử Cu2+ đặt trung tâm hình bình hành tạo nguyên tử O 2-, nguyên tử O2- nằm tứ diện tạo nguyên tử Cu2+ (Hình 1.6) [8] 15 Hình 1.7 Ảnh TEM CuO [27] Wenzhong Wang ... tử tạo chùm điện tử thứ cấp, điện tử phản xạ Các điện tử truyền qua mẫu khuếch đại ghi lại ảnh huỳnh quang kỹ thuật số Những hình ảnh thu cho thông tin rõ ràng hình dạng kích thước hạt nano Trong...
... thiết phải có tốcđộcao để không bỏ sót tín hiệu mực nước thay đổi nhanh Hình 3: Hình dạng tín hiệu từcảm biến đo mực nước VH-12E Thiết bị VH-024LA, hình 4, để phòng làm việc, có hình LCD đủ ... VH-12E Hình 2, lắp đặt giếng đo mực nước, thiết kế để thiết bị phải hoạt động môi trường thuận lợi, nóng, độẩmẩmcaoxa vị trí làm việc trạm Tập 2: Thủy văn - Tài nguyên nước, Biển, Môi trường ... kiến Hình Chương trình điều khiển trực tiếp Số liệu dạng số thu trạm thuỷ văn hay trung tâm từxa lưu trữtừ xây dựng thành biểuđồ biến trình theo thời gian: ngày, ngày hay tuần, tháng Hình biểu...
... tác hình thành tâm acid-baz sau [3]: Tâm baz Lewis OH OH O Al O Al Ñoát noùng - H2O O Al O Al Trong + H2O O Al O Al Taâm baz Tâm B II Hình 1.2 S O O Taâm acid Lewis I H H O III hình thành tâm ... đun nóng d n đ n s hình thành tâm acid Lewis (nguyên t Al không bão hòa hóa tr ) tâm baz (anion O−) Công th c III ng v i hình thành tâm acid Bronsted (tâm B) s h p nư c c a tâm Lewis 1.1.2 ng ... phòng, có kh tích h p m r ng cao 1.2.4.2 a Dây nano tr nano Dây nano Các m ng nano kim lo i dây t tính r t h p d n ng d ng ti m b c x , c m ng t , thi t b t m t đ cao, quang ph Raman b m t tăng cư...