... tổng quát: a) Nhắclạisốquanhệlýthuyếtđàn hồi: b) Quanhệ ứng suất-biến dạng lít thuyếtđànhồi - nhớt: Các phương pháp giải toán đànhồi nhớt: 10 a)Phương ... ứng suất tổng quát: a) Nhắclạisốquanhệlýthuyếtđàn hồi: - Phương trình vật lý – quanhệ ứng suất-biến dạng: Người viết: Ngô Thế Phong – ĐHXD -(7)- LÝTHUYẾTĐÀNHỒI NHỚT VÀ TỪ BIẾN CỦA ... Tồn phương án chính: - Lýthuyết vật thể đànhồi từ biến (lý thuyết di truyền già) - Lýthuyết di truyền đànhồi Người viết: Ngô Thế Phong – ĐHXD -(15)- LÝTHUYẾTĐÀNHỒI NHỚT VÀ TỪ BIẾN CỦA...
... nt 2.1.3 Quan h ng sut - bin dng ca bờ tụng - Quan h ng sut - bin dng phõn tớch phi tuyn Quan h gia ng sut c v bin dng c trờn hỡnh c mụ t theo biu thc sau: c k (10) f cm (k 2) Trong ú: ... c1 cu1 c Hỡnh Quan h ng sut - bin dng dựng cho phõn tớch kt cu ( 0,4 f cm dựng xỏc nh E cm l giỏ tr gn ỳng) - Quan h ng sut - bin dng thit k tit din ngang: thit k tit din ngang, quan h ng sut ... tiờu chun cho phộp s dng quan h ng sut - bin dng vi cỏc giỏ tr c v cu (ly theo bng 1) nu an ton hn so vi quan h cho (11) v (12) nh trờn hỡnh c fck fcd cu3 c c3 Hỡnh Quan h ng sut - bin dng...
... Hoặc hệ thức Einstein – Nernst n(Ze) Trong đó: D kT (1.2) U - lượng kích hoạt chuyển động ion C - hệsố đứng trước hàm exponent K - số boltzman T - nhiệt độ C tính sau: C ( Ze) nd 2W0 Trong ... lớn số mạng [5], [13] Để mô tả tính dẫn ion dựa sởlýthuyết “chạy ngẫu nhiên” ion dẫnLýthuyết đưa vài công thức gần để xác định độ dẫn , ví dụ: ( ) ( Ze) ~ r kT Z ( ) (1.3) Trong ... tần số bắt 8 Hệsố khuếch tán D xác định công thức: U D D0 exp kT D0 C Z 2e2n Chúng ta xét trường hợp khuếch tán nút khuyết Trong phương trình (1.2) thấy muốn có độ dẫn cao số...
... thiếc, thiếc điôxit Trongsốhệ thống vật liệu ôxit kim loại kim loại, Sn SnO2 vật liệu anốt đáng quan tâm cho pin ion liti, tính chất bán dẫn chúng kết hợp với dung lượng lưu trữ lýthuyết cao (Sn, ... hóa AutoLab PSG-30 phòng Vật lý Công nghệ màng mỏng, Viện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Công nghệ Việt Nam 43 Hình 2.1 sơ đồ khối hệ điện hóa AutoLab PSG-30 Trong đó: (1)- WE điện cực làm ... chất rắn 5 NỘI DUNG Chương TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ĐIỆN CỰC ÂM CHO PIN ION LITI 1.1 Pin liti 1.1.1 Một vài nét nguồn điện hóa Công nghệ chế tạo pin thứ cấp có khả nạp lại (ắcquy) tiến bước dài, ắcquy...
... Hoặc hệ thức Einstein – Nernst n(Ze) Trong đó: D kT (1.2) U - lượng kích hoạt chuyển động ion C - hệsố đứng trước hàm exponent K - số boltzman T - nhiệt độ C tính sau: C ( Ze) nd 2W0 Trong ... lớn số mạng [5], [13] Để mô tả tính dẫn ion dựa sởlýthuyết “chạy ngẫu nhiên” ion dẫnLýthuyết đưa vài công thức gần để xác định độ dẫn , ví dụ: ( ) ( Ze) ~ r kT Z ( ) (1.3) Trong ... tần số bắt 8 Hệsố khuếch tán D xác định công thức: U D D0 exp kT D0 C Z 2e2n Chúng ta xét trường hợp khuếch tán nút khuyết Trong phương trình (1.2) thấy muốn có độ dẫn cao số...
... Hoặc hệ thức Einstein – Nernst n(Ze) Trong đó: D kT (1.2) U - lượng kích hoạt chuyển động ion C - hệsố đứng trước hàm exponent K - số boltzman T - nhiệt độ C tính sau: C ( Ze) nd 2W0 Trong ... lớn số mạng [5], [13] Để mô tả tính dẫn ion dựa sởlýthuyết “chạy ngẫu nhiên” ion dẫnLýthuyết đưa vài công thức gần để xác định độ dẫn , ví dụ: ( ) r( Ze) ~ kT Z ( ) (1.3) Trong ... tần số bắt 8 Hệsố khuếch tán D xác định công thức: U D D0 exp kT D0 C Z 2e2n Chúng ta xét trường hợp khuếch tán nút khuyết Trong phương trình (1.2) thấy muốn có độ dẫn cao số...
... thiếc, thiếc điôxit Trongsốhệ thống vật liệu ôxit kim loại kim loại, Sn SnO2 vật liệu anốt đáng quan tâm cho pin ion liti, tính chất bán dẫn chúng kết hợp với dung lượng lưu trữ lýthuyết cao (Sn, ... hóa AutoLab PSG-30 phòng Vật lý Công nghệ màng mỏng, Viện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học Công nghệ Việt Nam 43 Hình 2.1 sơ đồ khối hệ điện hóa AutoLab PSG-30 Trong đó: (1)- WE điện cực làm ... chất rắn 5 NỘI DUNG Chương TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ĐIỆN CỰC ÂM CHO PIN ION LITI 1.1 Pin liti 1.1.1 Một vài nét nguồn điện hóa Công nghệ chế tạo pin thứ cấp có khả nạp lại (ắcquy) tiến bước dài, ắcquy...
... tương quan Phiếm hàm (đối số hàm) gần lýthuyết phiếm hàm mật độ, độ xác tính toán phụ thuộc vào độ xác phiếm hàm trao đổi tương quan Hiện tại, khoa học vật liệu nói chung ngành khoa học công nghệ ... xy 4( N 1/ 2)e2 / h N số mức Landau hệsố thêm vào thung lũng gấp đôi suy biến spin kép (spin thực giả spin) Hiệu ứng quan sát nhiệt độ phòng Nghiên cứu lýthuyết cho thấy khác biệt chất ... quan 2.3.1 Gần mật độ cục LDA Từ lýthuyết Hoheberg-Kohn, nhiều phép gần sử dụng để mô tả lượng trao đổi - tương quan hàm mật độ điện tử Năng lượng trao đổi tương quan bao gồm tất tương tác hệ...
... AutoLab PSG 30 phòng Vật lý Công nghệ màng mỏng viện khoa học Vật liệu Hình 2.3 sơ đồ hệ điện hóa AutoLab PSG-30 Trong đó: (1)- WE điện cực làm việc, tất trường hợp điện cực cần quan tâm; 30 (2)- RE ... lượng lýthuyết graphit đề xuất Đề xuất Sato cho Li chiếm vị trí bên cạnh gần cặp graphit [5] Đề xuất đưa Dahn đồng khẳng định tiêm Li liên kết vùng chứa hydro cacbon, hỗ trợ nghiên cứu lýthuyết ... n.λ (2.1) Trong dhkl khoảng cách mặt phẳng mạng lân cận gần có số Miller (hkl) Giản đồ nhiễu xạ tia X bột (X-ray Powder Diffraction Pattern) cho thông tin quantrọng cấu trúc xác định số mạng a,...
... Hoặc hệ thức Einstein – Nernst n(Ze) Trong đó: D kT (1.2) U - lượng kích hoạt chuyển động ion C - hệsố đứng trước hàm exponent K - số boltzman T - nhiệt độ C tính sau: C ( Ze) nd 2W0 Trong ... lớn số mạng [5], [13] Để mô tả tính dẫn ion dựa sởlýthuyết “chạy ngẫu nhiên” ion dẫnLýthuyết đưa vài công thức gần để xác định độ dẫn , ví dụ: ( ) ( Ze) ~ r kT Z ( ) (1.3) Trong ... tần số bắt 8 Hệsố khuếch tán D xác định công thức: U D D0 exp kT D0 C Z 2e2n Chúng ta xét trường hợp khuếch tán nút khuyết Trong phương trình (1.2) thấy muốn có độ dẫn cao số...
... tớch quang ph UV-Vis Quang ph k l thit b dựng o mt quang v truyn quang hot ng vựng UV-Vis Mỏy o cng tia sỏng sau i qua mu (I1) v so sỏnh vi cng ỏnh sỏng ti (Io), t ú tớnh mt quang Trong quang ... phng phỏp vt lý, húa hc hoc kt hp c hai phng phỏp húa -lý - Phng phỏp vt lý: l phng phỏp to vt liu nano t nguyờn t hoc chuyn pha Nguyờn t hỡnh thnh vt liu nano c to t phng phỏp vt lý: bc bay nhit ... nhiu phng phỏp phõn tớch húa lý khỏc nh UV-Vis, XRD v TEM CHNG 1: TNG QUAN 1.1 Vt liu nano kim loi 1.1.1 Tớnh cht vt liu nano 1.1.1.1 Tớnh cht quang hc Tớnh cht quang ca ht nano kim loi cú c...
... AutoLab PSG 30 phòng Vật lý Công nghệ màng mỏng viện khoa học Vật liệu Hình 2.3 sơ đồ hệ điện hóa AutoLab PSG-30 Trong đó: (1)- WE điện cực làm việc, tất trường hợp điện cực cần quan tâm; 30 (2)- RE ... lượng lýthuyết graphit đề xuất Đề xuất Sato cho Li chiếm vị trí bên cạnh gần cặp graphit [5] Đề xuất đưa Dahn đồng khẳng định tiêm Li liên kết vùng chứa hydro cacbon, hỗ trợ nghiên cứu lýthuyết ... n.λ (2.1) Trong dhkl khoảng cách mặt phẳng mạng lân cận gần có số Miller (hkl) Giản đồ nhiễu xạ tia X bột (X-ray Powder Diffraction Pattern) cho thông tin quantrọng cấu trúc xác định số mạng a,...
... mặn xâm nhập sâu vào đất liền Trong nước ta có bờ biển dài 3.260 km, 22 triệu người Việt Nam tương đương phần năm dânsố nhà ở, 12% số diện tích đất canh tác bị (trong có diện tích đất phục vụ ... BIỂN DÂNG II HIỆN TƯỢNG NƯỚC BIỂN DÂNG Ở VIỆT NAM CÁC KỊCH BẢN NƯỚC BIỂN DÂNG TẠI VIỆT NAM Mộtsố nghiên cứu gần cho mực nước biển toàn cầu tăng 50-140cm vào năm 2100 IV ẢNH HƯỞNG CỦA HIỆN ... thiếu nước sinh hoạt sản xuất, dịch bệnh bùng phát v.v MÔI TRƯỜNG TỰ NHIÊN VÀ CÁC HỆ SINH THÁI BỊ THAY ĐỔI ĐỜI SỐNG NGƯỜI DÂN GẶP NHIỀU KHÓ KHĂN HOẠT ĐỘNG SẢN XUẤT KINH TẾ BỊ ẢNH HƯỞNG NGHIÊM...
... xicloankan)người ta dùng danh pháp cis-trans Hệ danh pháp cis-trans đòi hỏi Csp2 phải mang (nhóm)nguyên tử giống nhau.Có lẽ hạn chế hệ danh pháp này,nên có hệ thống khác,đó hệ danh pháp E-Z,mình giới thiệu ... II/TÍNH CHẤT VẬT LÝ: Anken có tính chất vật lý gần với ankan tương ứng.Anken tan ko tan nước, tan nhiều dung môi ko phân cực.Các cis-anken có nhiệt độ sôi cao trans-anken,nhưng lại có nhiệt độ ... hidrocacbon mạch hở ko no chứa nối đôi phân tử.CTPT chung CnH2n(n>=2) 2/DANH PHÁP: *Tên thông thường: số anken thông dụng gọi tên thông thường cách thay "-an" ankan thành "-ilen" VD: CH2=CH2:Etilen...
... tên tộc:so sánh số nguyên tử cacbon vòng với số nguyên tử cacbon nhóm ankyl lớn nhất.Nếu lớn thìhợp chất xicloankan mang nhóm ankyl,còn ngược lại ankan mang nhóm xicloankyl +Đánh số nhóm cho locant ... hưởng số yếu tố khác Vì phản ứng xảy theo chế gốc nên hỗn hợp phản ứng có chất kìm hãm trình phản ứng gốc tự O2, phản ứng chậm lại Tuy nhiên có mặt chất sinh gốc Pb(C2H5)4 hay SO2Cl2 phản ứng lại ... + Iot : Để gốc I phản ứng (2) cần lượng lớn , phải vừa đảm bảo liên kết C-C , số gốc I tham gia phản ứng (2) Một nguyên nhân phương trình ta xét phần Tổng hợp Hữu , HI sinh phản ứng theo phương...
... nhánh nhiều ) + Đánh số thứ tự + Xác định tên nhánh + Thiết lập tên đầy đủ : "Locant" cho nhánh + Tiền tố độ bội + Tên mạch nhánh + Tên mạch Lưu ý tí : "Locant" có nghĩa số c/Cấu trúc : Ankan ... thứ - Hợp hai gốc hidrocacbon lại cách tạo liên kết C-C ( Có nhiều pp chủ yếu Wurtz Corey - House) + Tổng hợp Wurtz ( Vuyec-1854) : R-X + 2Na + R-X > R-R + 2NaX Một vài lưu ý phản ứng : phản ... + H-X Tác nhân khử co thể Zn/HCl - Mg.Hg/HCl - H2/Pd,Pt,Ni - LiAlH4, NaBH4 Na/EtOH Lưu ý tí : Một tác nhân khử mạnh HI thường dùng để khử dẫn xuất Iot theo phản ứng sau : R-I + H-I > R-H +...