dạng 2 nghị luận về một hiện tượng đời sống vd hiện nay nhiều nhân tài nước ta có xu hướng ra nước ngoài lập nghiệp em có suy nghĩ gì về chảy máu chất xám đó
... lên bên Port có đệm xu t nhận/cấp dòng cho ngõ vào TTL Port Port (P2.0-P2.7) có số chân từ 21 -28 Port port xu t nhập 8bit hai chiều có sử dụng điện trở kéo lên bên Port có đệm xu t nhận/cấp ... UBT2 > UET2 T2 khoá Th khoá Bộ ổn áp đèn báo nguồn L2 cấp điện - Khi Itải > Iđm, sụt áp qua R4 lớn UBT2 giảm UET2 = Ung – 0.7 UBT2 = Ung – Itải x R4 = Ung – 0.8 x UBT2 < UET2 T2 thông ... R3 = 3k3Ω R2 = 22 0Ω - 5W R4 = 1Ω - 5W R5 = 1k5Ω - Transistor T1: Transistor ngược, loại H1061 UEC = 35V IEC = 1,5A β = 25 0 T2: Transistor thuận, loại A564 UEC = 35V IEC = 0,1A β = 25 0 - Thyristor...
... LM 324 Đóng cắt : Role 12V DC i Quang trở Quang trở có giá trị 5kΩ trời sáng có giá trị 50kΩ trời tối Như ta dùng quang trở để xác định thời điểm ban ngày hay ban đêm ii LM 324 Ta dùng LM 324 để ... Ngày … tháng … năm 20 11 Đồ án môn học Điện Tử LỜI NÓI ĐẦU Ngày nay, cùng với phát triển nhanh chóng ngành điện tử,rất nhiều ứng dụng điện tử giúp ích cho người nhiềuđờisống sản xu t nhằm nâng cao ... sánh Như tacó đầu 1(V) hay 0(0V) để xác định ban ngày hay ban đêm iii Role 12V DC Tiếp điểm Role đóng cắt Đèn led Ở chế độ bình thường, có cặp tiếp điểm thường đóng, thường mở Khi role có điện,...
... L7 C2 C3 L=48 .24 nH {t}C =21 .06 pF {t} C =27 pF {t} L=36 nH {t} C=4700 pF C=4700 pF S2P SNP1 File="C:\ADS2005A\DUCHANH\Tao_LIB_prj\data\NBB-300.txt" Ref Term Term2 Num =2 Z=50 Ohm Y2 407 0 02 L L2 ... MCURVE Tee2 Curve3 Subst="MSub1" Subst="MSub1" W1 =2. 016 mm W =2. 775 mm W2 =2. 016 mm Angle=180 W3=4.8 52 mm Radius=7.718 mm MTEE Tee4 Subst="MSub1" W1 =2. 775 mm W2 =2. 775 mm W3=4.8 52 mm R R1 R=119 .22 Ohm ... ="M Sub1" W1 =2 775 m m W2 =2 775 m m W3=4 8 52 m m M TEE Tee5 Subst ="M Sub1" W1 =2 775 m m W2 =2 775 m m M LI N TL16 Subst ="M Sub1" W =2 775 m m L=6 426 m m M LI N TL24 C C5 M LI N TL25 Subst ="M...
... thức (2. 7) (2. 8) là: ak 2 bp 2 = Y0V {(k 1) g p 1} + bk (k= 1, 2, , N) (2. 11) Do đó, công suất truyền là: 2 a k - bk = (k 1) g p Y0V 2 = (k 1) (2. 12) Pin 2N (k= 1, 2, N) (2. 13) ... 37 2.2 Cấu trúc cộng/chia công suất kiểu ống sóngnhiều cổng 39 2. 2.1 Thiết kế cộng/chia công suất tối u 40 2.2 .2 Phân tích đặc tính kỹ thuật chia 43 2. 2.3 Phân tích đặc tính kỹ thuật cộng 47 2. 3 ... số liệu, ra a, chiến tranh điện tử, có bớc tiến lớn cónhiều ứng dụng rộng rãi quân đờisống Trong đó, quân độita sử dụng phổ biến thiết bị dải sóng siêu cao tần lạc hậu so với giới Một vấn đề...
... đợc tính bằng: + D S11 S 22 k= 2 (2. 1) S 21 S 12 k = S11S 22 S21S 12 (2. 2) (vì tham số S transistor thay đổi theo tần số, k thay đổi theo tần số) 33 Đề tài: ĐTĐL- 20 05 /28 G Nghiên cứu thiết kế chế ... 1,77 1,44 1,35 Góc S 22 (Mag.) 0,65 0,70 0,67 0,76 0,64 -31,8 -39,0 -1 02, 1 -137,9 -149,3 45 Góc -6,7 -13,9 -43,8 -107,1 - 128 ,6 S21 (dB) 24 ,1 25 ,4 27 ,1 25 ,5 24 ,3 Đề tài: ĐTĐL- 20 05 /28 G Nghiên cứu thiết ... vào có G với S ' 22 > Nh điều kiện thiết kế S ' > 22 (2. 9) Điều kiện đợc xem nh trạng thái mà có trở kháng âm đầu transistor Cónhiều kỹ thuật để thực mạch đầu vào mạch cộng hởng kiểu nh Một...
... tạo lọc dải thông Hình 2. 10 Hình 2. 11 Từ ta xác định đợc khoảng cách dải dẫn Si,i+1, thực chất điện dung phân bố nh hình 2. 6 mà códạng nh hình 2. 12 49 Đề tài: ĐTĐL- 20 05 /28 G Nghiên cứu thiết kế ... thông 2. 4.1 .2 Trờng hợp dãy ghép songsong2. 4 .2 Bộ lọc cài lợc cóđộ rộng dải hẹp trung bình 2. 4.3 Các lọc cài lợc cóđộ rộng dải trung bình rộng 60 61 62 Kết luận 63 Tài liệu tham khảo 64 Đề tài: ... S 22, S21, S 12 tham số tán xạ phức lọc hai cửa, nh hàm truyền Chebyshev tổng quát [3]: 2 =1+P [Tm (x)Tn ( y) Um (x)Un ( y)] S21 (1.1) Hàm truyền Butterworth tổng quát là: 2m 2n =1+ (x) ( y) S21...
... chọn kiểu loại vật liệu mạch in 2. 2.3 Thiết kế vòng gép lai Rat-race 27 28 28 28 29 Kết luậnTài liệu tham khảo 31 32 Đề tài: ĐTĐL- 20 05 /28 G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động tích ... đa 37 27 2. 1.3 Cơ sở thiết kế trộn tần cho đa 37 2.2 Thiết kế, chế tạo trộn tần cân tần số 2. 9 GHz 2. 2.1 Các tiêu kỹ thuật trộn tần 2.2 .2 Lựa chọn kiểu loại vật liệu mạch in 2. 2.3 Thiết kế ... FET có trở kháng 8 11 14 16 18 18 18 18 19 21 23 24 Chơng ii: Thiết kế trộn tần cân 27 Thiết kế trộn tần GHz cho đa 37 27 2. 1.1 Giới thiệu chung đài đa 37 27 2. 1 .2 Tham số kỹ thuật đa 37 27 ...
... Trở kháng vào - ra, 13 Số Yêu cầu cần đạt 2, 7- 3,1 Giá trị đo đựơc 2, 7- 3,1 lợng 40 +5, + 12 +5, + 12 50 50 02 III quy trình đo, ... phân tích mạch Có thể lu trữ kết máy in để làm tài liệu 24 B .2. 2Đo mức RF qua B .2. 2.1 Sơ đồ đấu nối thiết bị kiểm tra Máy phân tích mạng HP 8 720 D RF IF Nguồn dao động Hình B .2 Sơ đồ triển khai ... phát tạp 346A Hình Sơ đồ đấu nối kiểm tra hệ số tạp + Thiết lậpdạnghiển thị hình: Graph (đồ thị); + Thiết lập tham số sau: Averaging: On Averages: Average Mode: Point Bandwidth: MHz + Tiến...
... C C6 C =2. 2 nF C C2 C=4700 pF S2P SNP2 File="C:\ADS2005A\DUCHANH\Tao_LIB_prj\data\ne34018 _20 mA.txt" Ref C C7 C =2. 2 nF E1 C C3 C=4700 pF S2P SNP1 File="C:\ADS2005A\DUCHANH\Tao_LIB_prj\data\NBB-300.txt" ... R2 R=10 kOhm C C11 C=1.0 nF L L5 C C2 C=10 pF L L1 +5V C C 12 C=5.0 pF L L2 R R3 R =22 kOhm L L3 C C3 C=10 pF sp_hp_MGA-86576_1_19 921 201 T1 sp_hp_ATF-13336_19 921 201 SNP1 Bias="Fet: Vds =2. 5V Id =20 mA" ... Subst="MSub1" W1 =2. 775 mm W2 =2. 775 mm W3=4.8 52 mm R R1 R=119 .22 Ohm MTEE Tee3 MCURVE Subst="MSub1" Curve4 W1 =2. 016 mm Subst="MSub1" W2 =2. 016 mm W =2. 775 mm W3=4.8 52 mm Angle=180 Radius=7.718 mm...
... C =2. 2 nF C C2 C=4700 pF Ref C C7 C =2. 2 nF E1 C C3 C=4700 pF Term Term2 Num =2 Z=50 Ohm Y2 407 0 02 L L2 L C C L L6 C8 C9 L7 L=48 .24 nH {t}C =21 .06 pF {t} pF {t} L=36 nH {t} C =27 C C5 C=100 pF +12V ... sản phẩm 8 /20 05 16 Lắp thử nghiệm sản phẩm đài 9 /20 05-11 /20 06 17 Hoàn thiện sản phẩm Các sản phẩm đề tài 18 Viết báo cáo tổng kết KH & KT đề tài 11 /20 06 12/ 2006 12 Đề tài: ĐTĐL- 20 05 /28 G Nghiên ... R R2 R=10 kOhm C C11 C=1.0 nF L L5 C C 12 C=5.0 pF C C2 C=10 pF L L1 L L2 R R3 R =22 kOhm L L3 C C3 C=10 pF sp_hp_MGA-86576_1_19 921 201 T1 sp_hp_ATF-13336_19 921 201 SNP1 Bias="Fet: Vds =2. 5V Id =20 mA"...
... 2. 1 DIOD BÁN DẪN 2. 1.1 Khái niệm ………………………………………………………………… 2. 1 .2 Nguyên tắc hoạt động diod bán dẫn …………………………………… 2.2 TRANSISTOR 2. 2.1 Cấu tạo …………………………………………………………………… 2.2 .2. Nguyên lý hoạt ... μF + Tụ tan tang: Loại tụ chế tạo hai dạng hình trụ có đầu dọc theo trục dạng hình tan tan Tụ có kích thước nhỏ trị số điện dung lớn khoảng 0,1 μF - 100 μF + Tụ biến đổi: Là tụ xoay radio tụ ... thường có kích thước nhỏ, dạng ống dạng đĩa có tráng kim loại lên bề mặt, trị số từ 1pF - 1μF có điện áp làm việc tươngđối cao + Tụ mica: Điện môi làm mica có tráng bạc, trị số từ 2, 2pF – 10nF...
... hình tụ có tác dụng lọc điện áp đầu ra, sao cho điện áp đầu ổn định khômg bị nhấp nhô.Và tata phải chọn tụ cho đủ lớn cỡ khoảng vài trăm đến vài nghìn uf ,do ta chọn tụ 22 00uf.Tụ 104 có tác dụng ... định H1061 tacó Vce=5v nên tacó R6 = Vcc − Vce 12 − = = 42( om) Ir 0.17 +Hệ số khuếch đại B=170,Vbe=0,7v Ir6 0.17 = = 0.001A B 170 Vcc - Vbe 12 − 0.7 R5 = = = 11300(om) Ir5 0.001 Chọn R2=10k Ib ... dạng: tụ điện cónhiều hình dạng khác Kí hiệu: kí hiệu C Tụ hóa cấu tạo tụ hóa Biểu tượng mạch điện: tụ gốm Đơn vị tụ điện - Đơn vị tụ điện Fara, Fara có trị số lớn thực tế người ta thường dùng...
... 11 TV không chính thức 12 TV không chính thức 13 TV không chính thức 14 TV không chính thức II NỘI DUNG ĐỀ TÀI: 2. 1 Kiến thức cần có để thực đề ta i: - Kiến thức về điện tử ... củ ,hiện ta i có nhiều công nghệ tiên tiến nhiều 2. 4 Kinh phí để thực đề ta i: (liệt kê kinh phí mua sắm thực đề tài theo bảng sau) STT TÊN THIẾT BỊ GIÁ TIỀN Quạt máy tính 25 .000đ IC ... chỉnh + Biết cách kiểm tra mạch điện 3 .2. Các kỹ thực hành có được: + Kỹ đọc datasheet + Kỹ nhận biết , phân loại linh kiện điện tử + Kỹ đo , kiểm tra mạch điện + Kỹ sử dụng...
... HỌC D1 22 0VAc D2 Hình 2. 4 - Chỉnh lưu pha V1 = Vm Sinωt V2 = Vm (Sinωt - 2 /3) V3 = Vm (Sinωt - 4π/3) V1 V2 V3 D1 D2 D3 Hình 2. 5 - Mạch nhânđơi điện áp C1 V1 - V2 DIODE DIODE C2 V2 Hình 2. 6 Mạch ... trở hồn tồn dòng khuyech tán Tacó đặc tính hình 2. 3: Hình 2. 3 Từ đặc tính tacó đặc tính V-A biểu diễn hình 2. 3 Điện áp rơi Điện áp đánh thủng VD Dòng rò Hình 2. 3 2. 1.3 Các thơng số Diod - Dòng ... lưu cầu V1 V2 Hình 2. 7 b Dùng bảo vệ Transistor GVHD: Trần Văn Chương SVTH: Dỗn Trung Qn Vũ Minh Tiến Page 10 KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐỒ ÁN MƠN HỌC 2.2 Transistor cơng suất 2. 2.1 Cấu tạo: Transistor...
... vo 22 0VAC nờn ta cú th s dng mỏy bin ỏp: 22 0VAC -24 VAC3A hoc 22 0VAC-12VAC-1A Trong ti ny chỳng em chn 22 0VAC -24 VAC-3A vỡ sn cú b linh kin ca chỳng em - Cu chnh lu Cỏc IC n ỏp mch ngun ny cú I Ra ... ỏn ny ta s dng IC7414 (Xem ph lc 2- Trang 26 ) GVHD: Phm Ngc Thng 17 TRNG I HC SPKT HNG YấN - IC mó húa - m Cú nhiu loi IC dựng mó húa nh: IC741 92, IC74193, Trong ỏn ny ta s dng IC741 92 (Xem ph ... ỏp 5V nờn ta s dng IC7805 (Xem ph lc 1Trang 24 ) 1 .2 Khi thu phỏt tớn hiu Hỡnh 2. 2: S nguyờn lý ca mch thu phỏt La chn linh kin - Led phỏt-thu cú hai loi: chõn v chõn Trong ỏn ny ta s dng loi...
... Nz = c c2 Q = f 2g 2g (2. 27) Hiệu suất thủy lực: N n 2( c u ) (1 cos )u th = = Nz c3 (2. 28) Để đạt max, đạo hàm vế trái theo u ta có: (c - u )2 - 2u(c - u) = suy utu = Thay vào tacó c (vận ... thuyết tua bin XK2L 26 XK2L kiểu CINK 3.1 Lý thuyết đơn giản tua bin XK2L 26 3.1.1 Mô tả tua bin XK2L 26 3.1 .2 Chuyển động dòng chảy qua BCT: 27 3.1.3 Lý thuyết tua bin XK2L 31 3 .2 Mở rộng nghiên ... điều kiện (3.8) ta có: W = W2 ; = = 180o - = = 90o Từ đó: (3-10) (3-11) Bỏ qua tổn thất ma sát ta có: W1 = W2 ; W3 = W4 đó: (3- 12) W = W4 (3-13) Từ tam giác tốc độ cửa vào ta có: C1 cos1 = U1...