chấp hành hội cựu chiến binh xã gồm 9 đồng chí ban thường trực gồm có 2 đồng chí với 128 hội viên trên 6 chi hội

Các chất bán dẫn điện

Các chất bán dẫn điện

Ngày tải lên : 19/04/2014, 23:19
... ni 1014 1015 10 16 1017 1018 10 19 Si GaAs N P 2. 105 40 4,5 0 ,6 0,1 2, 5.10 -2 6. 10-3 180 12 1,8 0,3 6 ,2. 10 -2 1 ,2. 10 -2 N P 7.107 12 160 0 ,9 22 0 ,2 2,3 9. 10-3 0,3 2, 1.10-3 3,5.10 -2 2 ,9. 10-4 8,0.10-3 ... x10-8 x10-8 x10-8 x10-8 x10-8 x10-8 x10-8 0 061 0 068 004 29 0045 0 065 1 00 3 92 7 0000 02 00 09 Độ dẫn điện σ x 107 /Ωm 6, 29 5 ,95 3,77 1, 79 1,03 0 ,94 3 0 ,20 7 0,45 0,10 Sự phụ thuộc điện trở vào nhiệt độ ... (eV) 27 3 K 0 ,67 1,14 0, 16 0,33 1, 29 0 ,67 1, 39 m*/mo Electron Ltrống 0 ,2 0,3 0,33 0,5 0,013 0 ,6 0, 02 0,4 0,07 0,4 0,047 0,5 0,0 72 0,5 Hằng số điện môi 16 12 18 14,5 14 15 13 Ge : mn = 0 ,22 mo...
  • 72
  • 310
  • 0
sự biến đổi tuần hoàn các tính chất độ âm điện

sự biến đổi tuần hoàn các tính chất độ âm điện

Ngày tải lên : 24/07/2014, 22:28
... nhóm = (X -2) +2 = X Ví dụ: Sự thay đổi số oxi hóa chu kỳ Ng.tố Công thức Cho “e” Nhận “e” Li 1s22s1 +1 Be 1s22s2 +2 B 1s22s22p1 +3 C 1s22s22p2 +4 N 1s22s22p3 -3 O 1s22s22p4 -2 F 1s22s22p5 -1 -4 ... H 2, 2 Li 0 ,98 Be 1,57 B 2, 04 C 2, 55 N 3,04 O 3,44 F 3 ,98 Na 0 ,93 Mg 1,31 Al 1 ,61 Si 1 ,90 P 2, 19 S 2, 58 Cl 3, 16 K 0, 82 Ca 1,00 Ga 1,81 Ge 2, 01 As 2, 18 Se 2, 55 Br 2 , 96 Rb 0, 82 Sr 0 ,95 Cs 0, 79 Ba ... NHÓM STT HỌ VÀ TÊN MÃ SỐ SINH VIÊN GHI CHÚ Nhóm trưởng PHẠM MẠNH TIẾN 090 13713 PHẠM THỊ HIÊN 090 160 33 MAI THỊ HUYỀN 090 13 093 THIỀU XUÂN THẮNG 090 17 593 VŨ KIM NGÂN 090 15733 NỘI DUNG  Giới thiệu...
  • 45
  • 706
  • 0
Chế tạo và nghiên cứu tính chất bán dẫn hữu cơ polypyrol cấu trúc nanô

Chế tạo và nghiên cứu tính chất bán dẫn hữu cơ polypyrol cấu trúc nanô

Ngày tải lên : 25/03/2015, 11:56
... 2. 68 100 65 .5 6. 58 9. 35 5.17 0.553 24 .2 B 2. 30 10-1 65 .2 6. 56 9. 41 5.08 0.540 23 .6 C 7.77 10 -2 64 .5 6 .25 9. 42 4.84 0.514 22 .5 D 3 .60 10-3 64 .3 6. 51 9. 53 4.85 0.5 09 22 .3 E 1. 89 10-4 65 .8 6. 84 ... vt liu ICP Bng 1: Lch s phỏt trin ca mt s bỏn dn hu c polyme Nm 1 96 5 197 2 197 3 197 5 197 0 197 4 197 7 197 9 198 0 198 2 198 0 198 7 199 0 20 00 Polyme Polyme ni ụi liờn hp First organic conductor with metallic ... (eV) Ip (eV) 4,7 4,8 5,5 4,0 4 ,9 (5 ,6) (5,1) (3 ,9) (5,0) (4 ,9) 1,4 2, 0 3.4 3,0 3,0 2, 0 2, 2 (1,4) (1,5) (3,5) (2, 5) (3 ,6) (1 ,6) (1 ,6) EA (eV) (3,3) (3,3) (2, 1) (2, 6) (0,3) (3,4) (3,3) Giá trị ngoặc...
  • 61
  • 557
  • 1
Nghiên cứu tổng hợp và tính chất polyme dẫn điện polypyrrole (PPy)

Nghiên cứu tổng hợp và tính chất polyme dẫn điện polypyrrole (PPy)

Ngày tải lên : 31/10/2015, 18:02
... 12 1.3 Phng phỏp tng hp mng polypyrrole 19 Chng 2: thc nghim 20 2. 1 Hoỏ cht 20 2. 2.Cỏc phng phỏp nghiờn cu 20 2. 2.1 Ph hng ngoi( IR) 20 2. 2 .2 Xỏc nh dn in ca PPy bng phng phỏp bn mi dũ 20 2. 3 ... tr 29 7 2, 83 C-H Hoỏ tr 167 5,38 Trn Th Hng C = C, C= N( Liờn hp) 27 Hoỏ tr Lp: K31C Húa Khúa lun tt nghip i hc GVHD: T.S Ngụ Trnh Tựng 163 8 ,67 C =O (trong C2O 42- ) 1 393 ,94 N- H Hoỏ tr Bin dng 1 26 8,51 ... Eg=3,16eV nh hỡnh di: (a) Neutral (ređuce) (b) Polaron CB CB VB VB =3 ,2 eV 1=0,7 eV (388 nm) (1774 nm) (c) Bipolaron (oxidized) CB VB 1=1,0 eV ( 124 2 nm) 2= 2,1 eV 2= 2,1 eV ( 591 nm) ( 460 nm) 3=3,2...
  • 38
  • 1K
  • 3
Chất bán dẫn điện (semiconductor)

Chất bán dẫn điện (semiconductor)

Ngày tải lên : 31/12/2015, 16:58
... Einstein Ở nhiệt độ bình thường (3000K): VT=0, 0 26 V = 26 mV PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC: Xét hình hộp tiết diện A, chi u dài dx đặt mẩu bán dẫn dòng điện lỗ trống Ip qua Tại điểm hoành độ x, cường ... n mật độ điện tử lượng dải dẫn điện p mật độ lỗ trống lượng dải hóa trị Ta có: n=p=ni Người ta chứng minh rằng: ni2 = A0.T3 exp(-EG/KT) Trong đó: A0 : Số Avogadro =6 ,20 3.1 023 T : Nhiệt độ ... Chất bán dẫn điện (Semiconductor) Ta có: dp dt Do đó, dIp dx dp = Ip = − Dp.eA dx = − Dp.eA d2p dx2 Phương trình (2) trở thành: d2p dx = P − P0 Dp.τp = P − P0 L2p Trong đó, ta đặt Lp = √Dp.τp Nghiệm...
  • 13
  • 353
  • 0
Chất bán dẫn điện thuần hay nội bẩm

Chất bán dẫn điện thuần hay nội bẩm

Ngày tải lên : 31/12/2015, 16:58
... n mật độ điện tử lượng dải dẫn điện p mật độ lỗ trống lượng dải hóa trị Ta có: n=p=ni Người ta chứng minh rằng: ni2 = A0.T3 exp(-EG/KT) Trong đó: A0 : Số Avogadro =6 ,20 3.1 023 T : Nhiệt độ ... Bolzman=8, 62 . 10-5 eV/0K EG : Chi u cao dải cấm Ta gọi chất bán dẫn tính chất n=p chất bán dẫn nội bẩm hay chất bán dẫn Thông thường người ta gặp nhiều khó khăn để chế tạo chất bán dẫn loại 2/ 2 ... Chất bán dẫn điện hay nội bẩm Khi lượng lớn lượng dải cấm (0,7eV Ge 1,12eV Si), điện tử vượt dải cấm vào dải dẫn điện chừa lại lỗ trống (trạng thái lượng trống) dải hóa...
  • 2
  • 341
  • 0
Tìm hiểu các tính chất quang của chất bán dẫn và một số linh kiện thu, phát quang thông dụng

Tìm hiểu các tính chất quang của chất bán dẫn và một số linh kiện thu, phát quang thông dụng

Ngày tải lên : 19/12/2013, 09:59
... vùng cấm độ rộng nhỏ 2, 5 eV nhiệt độ phòng Một số vật liệu bán dẫn độ rộng vùng cấm nh sau [1]: nhiệt độ phòng: Ge Eg = 0 ,66 eV Si Eg = 1, 12 eV GaAs Eg = 1, 42 eV AlAs Eg = 2, 16 eV GaP ... hoá trị xem gần phụ thuộc dạng bậc hai tơng ứng [3] () 2 E k = E c2 + 2mn Đối với Electron: () 2 E k = Ev2 2m p Đối với lỗ trống: Trong đó: mn , m p (1.1) (1 .2) lần lợt khối lợng hiệu ... tái hợp khối 26 thể xảy bề mặt bán dẫn, gọi tái hợp mặt thể chia tái hợp thành hai loại: tái hợp trực tiếp tái hợp gián tiếp 2. 1 Quá trình tái hợp trực tiếp Quá trình tái hợp trực tiếp trình...
  • 32
  • 1.3K
  • 3
Tính chất đặc trưng và một số ứng dụng của các linh kiện bán dẫn thu tín hiệu quang

Tính chất đặc trưng và một số ứng dụng của các linh kiện bán dẫn thu tín hiệu quang

Ngày tải lên : 22/12/2013, 13:05
... λ hc q I (2 .9) = 1 ,24 .10 -6 W.m/A L ,λ φ độ nhạy theo bước sóng e ,λ Phương trình (2 .9) dạng: η(λ) = 1 ,24 .10 -6 R (λ) λ (2. 10) Khi linh kiện thu khuếch đại bên công thứ (2. 10) dạng khác ... và độ nhạy phổ 15 2. 2.1 Hiệu suất lượng tử 15 2. 2 .2 Độ nhạy phổ 16 2. 3 Tỷ số tín hiệu nhiễu và độ phân giải 18 2. 4 Thời gian đáp ứng 19 Kết luận chương 22 Chương III Linh kiện ... trở 30 3 .2 Photodiode 32 3 .2. 1 Cấu tạo 32 3 .2. 2 Nguyên lý hoạt động 33 3 .2. 3 Các đặc trưng photodiode 36 3 .2. 4 Ứng dụng photodiode 40 3.3- Pin mặt trời 43 3.3.1 Cấu tạo 43 3.3 .2 Nguyên...
  • 51
  • 999
  • 1
Nghiên cứu tổng hợp và khảo sát tính chất của các hạt nano trên cơ sở các vật liệu bán dẫn, vật liệu từ, kim loại; bước đầu thử nghiệm trong sinh học, y dược học

Nghiên cứu tổng hợp và khảo sát tính chất của các hạt nano trên cơ sở các vật liệu bán dẫn, vật liệu từ, kim loại; bước đầu thử nghiệm trong sinh học, y dược học

Ngày tải lên : 15/04/2014, 21:56
... ZnS, 6 /20 08 CdSe 12/ 2008 6 /20 08 12/ 2008 Chế tạo hạt nano từ tính Fe3O4 6 /20 08 12/ 2008 Tìm hiểu khả ứng dụng 12/ 2008 bước đầu thử nghiệm ứng dụng 12/ 20 09 hạt nano sinh, y học 6 /20 08 12/ 2008 12/ 2008 ... chế tạo hạt 4 /20 08 nano phương pháp hóa-siêu 12/ 2008 âm, điện hóa-siêu âm Chế tạo hạt nano vàng 6 /20 08 12/ 2008 4 /20 07 12/ 2007 Thực tế đạt 4 /20 07 4 /20 08 duyệt 4 /20 08 12/ 2008 6 /20 08 12/ 2008 Chế tạo ... đường glucose Chương 6: CÁC KẾT QUẢ ĐẠT ĐƯỢC 1 12 6. 1 Đánh giá chung 1 12 6 .2 Các sản phẩm KH&CN đề tài 1 16 6 .2. 1 Các sản phẩm “Dạng I” 1 16 6 .2. 2 Các sản phẩm “Dạng II” 1 16 6 .2. 3 Các sản phẩm “Dạng...
  • 250
  • 865
  • 2
Nghiên cứu cơ bản các tính chất quang điện từ của vật rắn

Nghiên cứu cơ bản các tính chất quang điện từ của vật rắn

Ngày tải lên : 19/04/2014, 20:37
... 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-chan.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-chan.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-chan.pdf 5 566 -1-le.pdf 5 566 -1-chan.pdf ...
  • 295
  • 371
  • 0
Báo cáo nghiên cứu khoa học: "CÁC TÍNH CHẤT QUANG, ĐIỆN CỦA MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO: Al CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL-GEL" ppsx

Báo cáo nghiên cứu khoa học: "CÁC TÍNH CHẤT QUANG, ĐIỆN CỦA MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO: Al CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL-GEL" ppsx

Ngày tải lên : 22/07/2014, 06:20
... 80 80 Thuy tinh Thuy tinh 60 60 0.1 0 .2. 1 1 1 2. 1 2. 1 40 40 2. 2.1 3.1 3 .2. 1 4.1 20 4 .2. 1 20 8.1 8 .2. 1 0 25 0 350 450 550 65 0 750 850 95 0 25 0 050 350 450 550 65 0 750 850 95 0 050 Hỡnh 7. truyn qua ... Al b trung hũa nng pha Al cao) 2, 000 ,60 0,000 ,380 ,68 7 ,6 32 ,500 ,20 0,000 ,033 ,000 801 ,835 800,000 67 5,778 745 4 56, 1 40 445,1 90 400,000 66 8 500 3 72 x.1.10 x .2. 10 0 8 Hỡnh S thay i in tr mt ... ed., Wiley, Canada, ( 198 4) [2] V Musat, Effect of post-heat treatment on the electrical and optical properties of ZnO:Al thin films, Thin Solid Films 5 02, 2 19 22 2, (20 06) [3] Minrui Wang, Jing...
  • 7
  • 847
  • 1
Nghiên cứu lý thuyết về các tính chất quang của bán dẫn thấp chiều

Nghiên cứu lý thuyết về các tính chất quang của bán dẫn thấp chiều

Ngày tải lên : 18/03/2015, 12:34
... Wires.Korean Physics Society, Vol 49 No 6, December 20 06 pp .2 67 -23 72 Các công trình công bố trôn tạp chí khoa học Quốc gia; ( I bài) Hoang My Dung, Nguven Quang Ban Le Dinh N guyen Thi Mai Nliicn ... wires, Solid State* Commum v l 11 ( 199 9) p .67 m n iíil o f I Ik - K u n a n P h y s ic a l S o c ic t y V o l 19, N o G, D r c e in h e r 20 1H3, PI' -J:J6< ~23 72 Rate of Phonon Excitation arid ... Appl P] Ivs Lett 70, 18(50 (20 00); J Appl [ir>] Phys 90 , ;ii)J ( -21 )01) 7] F PtMiti I’li.V Rev B , Ui 16 (1 094 ) K N F Peng ) J Plivs.: Conrleiis Matt 11 , -10 39 ( 199 9); H [lfi] Totlimil Y M Galperin...
  • 120
  • 872
  • 0
Chế tạo và nghiên cứu tính chất các màng mỏng bán dẫn từ vùng cấm rộng dùng trong linh kiện Spintronic

Chế tạo và nghiên cứu tính chất các màng mỏng bán dẫn từ vùng cấm rộng dùng trong linh kiện Spintronic

Ngày tải lên : 18/03/2015, 15:48
... (°C) t Ann (°C) E 71 tneV 300 mIOl 60 ml 011 60 nun 300 60 0 81 meV 60 nun 300 800 I ISmeV m 10 12 73 mcV m 1 02 60 rnin 27 m 1 021 60 27 60 0 91 meV m l 022 60 111 in 27 800 133meV 741 VIỆN KHOA HỌC ... Tên mẫu T m K, 7] mcV 111)01 60 phút 300 111011 60 phút 300 60 0 81 meV m 10 12 60 phút 300 800 i 18 mcV ml 02 60 phút 27 111 021 phút 27 60 0 91 mcV 1111 022 60 phút 27 800 133 me V Bein'’ ì Giá ... Phys Lett 69 363 ( 199 6) [4] T Dietl H Ohno, F Matsukura, J Cibert, and D Ferrand, Science 28 7 10 19( 20 00) [5] F H asegaw a T Takahashi, K Kubo and Y Nannichi, Jpn Appl Phys 26 24 18 ( 198 7) [6] R Frazier...
  • 71
  • 796
  • 0
Nghiên cứu các tính chất quang của bán dẫn vùng cấm rộng.PDF

Nghiên cứu các tính chất quang của bán dẫn vùng cấm rộng.PDF

Ngày tải lên : 19/03/2015, 09:12
... 0 .23 0 . 26 0.48 0. 52 0. 62 0.88 0 .9 0 .97 1.00 E a(x) E a (eV) 2. 791 2. 8 92 2 .94 9 2 . 96 6 2. 31 69 3 .22 7 3.313 3. 522 3.548 3.710 3. 793 MA°) 44 39. 1 4484 .9 420 4.5 4181.0 391 1.0 3855.0 3741.0 35 19. 0 3 493 .0 ... 35 19. 0 3 493 .0 3341,0 3 26 6. 8 Eg(x) (eV) Hình 6: Sự phụ thuộc vị trí vạch exciton tự Znl x Mn, Se vào nồng độ X Mn 12 2.811 2 .91 3 2 . 96 9 2 .98 6 3. 1 92 3 .2 39 3.3 39 3.550 3.5 76 3.7 39 3. 822 + Để giải thích ... Độ rộng vùng cấm E e (v) Ở 4 .2 K Ở 300 K 2. 817 3.700 3.370 1.850 2. 390 1 .60 6 2. 580 2. 400 1. 520 1. 420 2. 67 0 3 .64 0 3 .20 0 1.740 2. 280 1.500 2. 530 2. 250 1.430 1 .28 0 cách xác định độ rộng vùng...
  • 54
  • 1.2K
  • 1
Nghiên cứu các tính chất quang của hợp chất bán dẫn vùng cấm rộng

Nghiên cứu các tính chất quang của hợp chất bán dẫn vùng cấm rộng

Ngày tải lên : 19/03/2015, 09:21
... quang ciia cac chat ban dSn Nam 198 3 14 M.R Vecchi, W Giriat and L Videla: Appl Phys Lett 38 (2) 198 1 P: 99 -101 15 C Falcon} J Appl Phys: 72 (4) 199 2 P: 1 525 - 1 527 16 Nguyen Tie Binh, Advances in ... chat ban din viing cam rong [10] Cac hop chat ban d^n Do rong vung cam Eg (v) a 4 .2 K o 300 K ZnSe ZnS ZnO CdSe ZnTe CdS GaP GaAs 2. 817 3.700 1 .60 6 1.850 2. 390 2. 580 2. 40 1. 520 2. 67 0 3 .64 0 1.50 ... ( 198 7), 4 29 - 4 39 C.B.FanoHeHKO, B.n rpu5K0BCKMM /\oKAaAhi AKa4eMMM nayK BCCP, 28 ( 198 4)318- 320 r.H.MBaHHOBa,J];.n.HefleorojioTn, 14( 198 0) 31-35 Keizo Morimoto J.Appl physis, 64 ( 198 8) 495 1- 495 5...
  • 60
  • 362
  • 0
Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe, ZnS với cấu trúc lõi, vỏ (Core, Shell)

Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe, ZnS với cấu trúc lõi, vỏ (Core, Shell)

Ngày tải lên : 25/03/2015, 11:55
... : E1s1s  Eg  2 e2  1, 7 86 2 a a (1 .21 ) số hạng tỷ lệ với e2/a quy cho tương tác Coulomb điện tử-lỗ trống hiệu dụng So sánh số hạng với lượng Rydberg exciton Ry* = e 2/ 2a chế độ giam giữ ... 20 8 cm-1 ứng với đường kính QDs nm, tới 20 4 cm-1 ứng với QDs đường kính nm [10] Đỉnh phổ 1LO qui cho phonon số lượng tử ( n p , l p , m p ) = (1, 0, 0) ứng với số sóng 20 7 ,9 cm-1 Đỉnh 2LO ... (Ho + ko2)u o = (Eo+ ko2)u o Với Ho = (p /2mo) + V ko  (1.18) k2 2mo Như vậy, phương trình (1.18) viết dạng: ( H o  ko2  mo k p )u k  E k u k (1. 19) * Ứng dụng cho nanô tinh thể Với nanô...
  • 68
  • 1.2K
  • 0

Xem thêm