Mai Thị Bảo Trân 1419334, Hoàng Ngọc Trinh 1419337, Phan Huỳnh Bảo Trúc 1419349, Vũ Lã Thanh Vân 1419373, Bùi Thị Thu Thảo 1419274 Thiết kế chế tạo vi dịng chất lỏng vật liệu PDMS có kích thước ngang 20 μm, sâu 30 μm Phương pháp 1: Photo lithography Đế Si c om Khuôn: SU-8 ( cảm quang âm) Bước 1: Xử lí đế nhiều kỹ thuật: Kỹ thuật ướt, kỹ thuật nhiệt, kỹ thuật plasma co Xử lí đế kĩ thuật ướt RCA1 RCA2: ng oxy, kỹ thuật dung siêu âm, kỹ thuật làm siêu tới hạn,… an  RCA1: Pha NH3 (dung dịch 25%) vào nước khử ion theo tỷ lệ 1:5; đun sôi th dung dịch bổ sung H2O2 theo tỷ lệ 1:10 Nhúng phiến vào dung ng dịch khoảng thời gian 10 phút Việc thực quy trình cho du o phép loại bỏ chất bẩn hữu  RCA2: Pha axit HCl vào nước khử ion theo tỷ lệ 1:6; đun sôi dung dịch u bổ sung H2O2 theo tỷ lệ 1:10 Nhúng phiến vào dung dịch khoảng cu thời gian 10 phút Quy trình sử dụng để loại bỏ ion kim loại  Loại bỏ lớp oxit đế Si cách nhúng mẫu vào dung dịch HF 1% khoảng thời gian ngắn  Rửa nước khử ion Si Bước 2: Phủ SU-8 phương pháp phủ quay: CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Vì SU-8 chất hữu nên dùng phương pháp phủ quay mơi trường chân khơng thích hợp Vai trò: chất cảm quang lớp bảo vệ cho bề mặt mẫu tránh bị tác dụng dung dịch hóa học Vận tốc phủ: 1500-8000 vịng/phút để tạo độ đồng lớp cảm quang Nung sơ bộ: nhiệt độ 75-100oC khoảng 10 phút để tăng cường bám dính c om lớp cảm quang với bề mặt đế, đồng thời loại bỏ dung môi, ứng suất dư lớp cảm quang co Bước 3: Chiếu sáng ng Si SU-8 an Dùng đèn xạ ánh sáng cực tím UV (vùng cực tím sâu (150-300nm) -> vùng th cận cực tím (350-500nm) chiếu qua mặt nạ cảm quang tới lớp cảm quang du o ng phủ qua đế Mục đích: Tạo ảnh ẩn lớp cảm quang UV Photo Mask cu u SU-8 Si Bước4: Hiện hình chuyển ảnh ẩn lớp cảm quang  ảnh  Sử dụng kỹ thuật hình ướt: Nhúng mẫu chất hình (chất hịa tan polymer ) phun chất hình lên mẫu  Sấy sau hình mơi trường plasma oxygen: nhằm loại bỏ dung mơi cịn dư, tăng cường bám dính lớp SU-8 với đế SU-8 Si CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Bước 5: Đổ hỗn hợp PDMS vào khuôn: PDMS SU-8 c om Si co ng Bước 6: Ủ nhiệt: T= 75°C, an ng th Si SU-8 PDMS cu u lại du o Bước 7: Tách PDMS khỏi khn, khn khơng bị hư hỏng sử dụng Phương pháp2: LIGA (Chiều cao> chiều ngang) Đế kim loại Cu phủ lớp Ti phương pháp phún xạ Bước 1: Xử lí đế phương pháp đánh bóng hóa học phương pháp thổi chùm vi hạt đơn tinh thể Al2O3 Cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Bước 2: Phủ Ti lên lớp Cu phương pháp phún xạ, oxy hóa lớp Ti dung dịch ( 0,5M NaOH 0,5M H2O2 nhiệt độ 65oC) để tăng cường độ bám dính lên đế lớp vật liệu cảm tia X Ti c om Cu Bước 3: phủ lớp Ni mỏng (cỡ 150 Å ) lên lớp lót Ti phương pháp bốc bay e- Ni Ti th an co ng beam để tạo lớp mầm ng Cu cu u quay du o Bước 4: phủ lớp cảm quang PMMA ( cảm quang dương) phương pháp phủ PMMA Ti Cu Bước 5: Chiếu tia X CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Mask X ray Cu c om Bước 6: Hiện hình, vùng bị chiếu xạ bị khắc tẩy bỏ tia X ng Cu an co Bước 7: phủ vật liệu kim loại Ni phương pháp mạ điện du o ng th Cu cu u Bước 8: remove PMMA dung dịch KOH,TMAH ketone Cu Bước 9: Đổ hỗn hợp PDMS vào khn ( Phủ lớp chống dính khuôn trước) PDMS Cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Bước 10: Ủ nhiệt PDMS Cu c om Bước 11: Tách lớp PDMS dao chuyên dụng ng Phương pháp 3: LIFT-OFF Bước 1: Xử lí đế: tương tự phương pháp Photolithography PR co Bước 2: Phủ lớp PR lên đế Si th Bước 3: Quy trình quang khắc an Si du o ng UV Si cu u Si Bước 4: Phủ Polyimid spin coating Polyimid Si Bước 5: Remove PR => thu khuôn Si-polyimid Si CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Bước 6: Đổ dung dịch PDMS, ủ nhiệt, tách khuôn Phương pháp : Etching Bước : xử lý đế, phủ Ni lên đế PI có lớp đệm Cr để tăng độ bám dính cho đế phương pháp bốc bay E-beam Ni có lớp đệm Cr Bước 2: Phủ lớp PR phương pháp spin coating c om PI PR ng PI an co Bước 3: Quy trình quang khắc ng th UV PI du o PI cu u Bước 4: etching Ni/Cr HNO3 PI Bước 5: remove PR PI Bước 6: đổ PDMS vào khn (xử lí chống dính), ủ nhiệt, tách khn CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Phương pháp 3: Shadow mask tạo khuôn nhanh nhất, độ bám dính khơng tốt Đế: PI Bước 1: Xử lí đế: PI c om Bước 2: Phủ trực tiếp Cr/Ni phương pháp e-beam: dùng metal shadow mask che phần không phủ lại:  Phủ lớp đệm Cr phương pháp ebeam để tăng độ bám dính Metal shadow mask co ng Cr an PI ng th  Phủ lớp Ni trực tiếp phương pháp ebeam du o Ni PI cu u PI Bước 3: Đổ PDMS ( xử lí chống dính trước phủ): phương pháp Bước 4: Ủ nhiệt: phương pháp Bước 5: Tách khuôn phương pháp CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ... https://fb.com/tailieudientucntt Bước 5: Đổ hỗn hợp PDMS vào khuôn: PDMS SU-8 c om Si co ng Bước 6: Ủ nhiệt: T= 75°C, an ng th Si SU-8 PDMS cu u lại du o Bước 7: Tách PDMS khỏi khn, khn khơng bị hư hỏng sử... Bước 7: phủ vật liệu kim loại Ni phương pháp mạ điện du o ng th Cu cu u Bước 8: remove PMMA dung dịch KOH,TMAH ketone Cu Bước 9: Đổ hỗn hợp PDMS vào khuôn ( Phủ lớp chống dính khn trước) PDMS Cu... đích: Tạo ảnh ẩn lớp cảm quang UV Photo Mask cu u SU-8 Si Bước4: Hiện hình chuyển ảnh ẩn lớp cảm quang  ảnh  Sử dụng kỹ thuật hình ướt: Nhúng mẫu chất hình (chất hịa tan polymer ) phun chất