Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

13 424 0
Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

123doc.vn

Ngày đăng: 17/11/2012, 11:49

Hình ảnh liên quan

từ đó tạo ra các hình lục giác. - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

t.

ừ đó tạo ra các hình lục giác Xem tại trang 2 của tài liệu.
Mô hình CNTFET đồng trục được trình - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

h.

ình CNTFET đồng trục được trình Xem tại trang 3 của tài liệu.
2.2. Mô hình CNTFET đồng trục @)  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

2.2..

Mô hình CNTFET đồng trục @) Xem tại trang 3 của tài liệu.
xét CNTFET loại này (bảng 2). Bảng  2.  Độ  cao  rào  thế  Schottky  giữa  vật  liệu  (Au,  Pd,  P0  và  CNT  [4]  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

x.

ét CNTFET loại này (bảng 2). Bảng 2. Độ cao rào thế Schottky giữa vật liệu (Au, Pd, P0 và CNT [4] Xem tại trang 4 của tài liệu.
Hình 3. Mô hình NEGF cho Transistor - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Hình 3..

Mô hình NEGF cho Transistor Xem tại trang 4 của tài liệu.
Mô hình thuật toán được trình bày trong - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

h.

ình thuật toán được trình bày trong Xem tại trang 5 của tài liệu.
Hình 5 trình bày ảnh hưởng của vật liệu - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Hình 5.

trình bày ảnh hưởng của vật liệu Xem tại trang 6 của tài liệu.
Từ hình 5, rõ ràng rằng dòng lạ của nguyên - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

h.

ình 5, rõ ràng rằng dòng lạ của nguyên Xem tại trang 7 của tài liệu.
Hình 6. Đặc trưng lạ-V„ với vật liệu công oxit thay đổi AlsO;(K = S5); ZOs(K  =  25);  TiSrO;(K  =175)  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Hình 6..

Đặc trưng lạ-V„ với vật liệu công oxit thay đổi AlsO;(K = S5); ZOs(K = 25); TiSrO;(K =175) Xem tại trang 8 của tài liệu.
Hình 7. Đặc trưng lạ-V„ với nguồn - máng là Au, cổng Oxit Zr0:(K = 25), độ  dày  công  oxit  thay  đổi  lần  lượt  là  t„„=  2  nm,  t„„=  8  nm  và  tạ„=  20  nm  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Hình 7..

Đặc trưng lạ-V„ với nguồn - máng là Au, cổng Oxit Zr0:(K = 25), độ dày công oxit thay đổi lần lượt là t„„= 2 nm, t„„= 8 nm và tạ„= 20 nm Xem tại trang 9 của tài liệu.
Hình 8 trình bày sự phụ thuộc của đặc có đường kinh trong khoảng tử 1 nm đến 3 nm trưng  dòng  thế  CNTFET  vào  loại  đường  kính  dựa  trên  số  liệu  thực  nghiệm  chính  là  CNT  bán  CNT - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Hình 8.

trình bày sự phụ thuộc của đặc có đường kinh trong khoảng tử 1 nm đến 3 nm trưng dòng thế CNTFET vào loại đường kính dựa trên số liệu thực nghiệm chính là CNT bán CNT Xem tại trang 9 của tài liệu.
nm đến 3 nm. Kết quả mô phỏng như hình 8, - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

nm.

đến 3 nm. Kết quả mô phỏng như hình 8, Xem tại trang 10 của tài liệu.
Hình II trình bày sự phụ thuộc của đặc - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

nh.

II trình bày sự phụ thuộc của đặc Xem tại trang 11 của tài liệu.
Hình 11. Họ đường cong lạ-Vạ với Vụ biến thiên từ 0.1 V-0.8 V' - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Hình 11..

Họ đường cong lạ-Vạ với Vụ biến thiên từ 0.1 V-0.8 V' Xem tại trang 11 của tài liệu.

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan