bai giang linh kien dien tu 2

56 66 0
  • Loading ...
1/56 trang

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 13/07/2018, 09:27

Linh kiện điện tử là kiến thức bước đầu và căn bản của ngành điện tử. Giáo trình được biên soạn từ các bài giảng của tác giả trong nhiều năm qua tại Khoa Công Nghệ và Công Nghệ Thông Tin, Trường Đại học Cần Thơ và các Trung Tâm Giáo dục thường xuyên ở đồng bằng sông Cửu Long sau quá trình sửa chữa và cập nhật. Giáo trình chủ yếu dùng cho sinh viên chuyên ngành Điện Tử Viễn Thông và Tự Động Hóa. Các sinh viên khối Kỹ thuật và những ai ham thích điện tử cũng tìm thấy ở đây nhiều điều bổ ích. Giáo trình bao gồm 9 chương: Từ chương 1 đến chương 3: Nhắc lại một số kiến thức căn bản về vật lý vi mô, các mức năng lượng và dải năng lượng trong cấu trúc của kim loại và chất bán dẫn điện và dùng nó Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Chương TRANSISTOR MỐI NỐI LƯỢNG CỰC (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR = BJT) 4.1 Cấu tạo – ký hiệu C C P N B C B B PNP P E E E Hình 4.1.Cấu tạo ký hiệu BJT loại PNP C C C N B B P N B E E E Hình 4.1.Cấu tạo ký hiệu BJT loại NPN Transistor mối nối lưỡng cực linh kiện bán dẫn tạo thành từ hai mối nối P-N, có vùng chung gọi vùng Tùy theo xếp vùng bán dẫn mà ta có hai loại BJT: NPN, PNP Ba vùng bán dẫn tiếp xúc kim loại nối dây thành ba cực:  Cực nền: B (Base)  Cực thu: C (Collector)  Cực phát: E (Emitter) Trong thực tế, vùng hẹp so với hai vùng Vùng thu C vùng phát E có chất bán dẫn khác kích thước nồng độ tạp chất nên hoán đổi vò trí cho 45 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực 4.2 Nguyên lý hoạt động IE IC e RE Rc IB e - e + - - + VEE Vcc Hình 4.3 Mối nối P-N cực cực phát phân cực thuận nguồn VEE Mối nối P-N thu phân cực nghòch nguồn VCC Điện tử từ cực âm nguồn VEE di chuyển vào vùng phát qua vùng nền, trở cực dương nguồn VEE vì: + Vùng hẹp so với hai vùng +Nguồn VCC>> VEE đa số điện tử bò hấp dẫn Do đó, số lượng điện tử từ vùng vào vùng thu tới cực dương nguồn Vcc nhiều so với số lượng điện tử từ vùng tới cực dương nguồn V EE Sự dòch chuyển điện tử tạo thành dòng điện: Dòng vào cực B gọi dòng IB Dòng vào cực C gọi dòng IC Dòng từ cực E gọi dòng IE 4.3 Hệ thức liên quan dòng điện R R C E IC VEE IB IE VEE 46 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Hình 4.4 Sự dòch chuyển điện tử cho thấy: IE = IB+IC (1) IC = IE (2) Hệ số  gần Thế (2) vào (1) ta IC = IB + IC α  IC(   IC  1) = IB 1 α = IB α  IC =  IB 1 Đặt  =  1 (3) Vậy  thường vài chục đến vài trăm IC = .IB (4)  gọi hệ số khuếch đại dòng Kết hợp (1) (4) ta hệ thức thường duøng : IE = IB + IC  IC = .IB (5) mối nối P-N - thu phân cực nghòch có dòng rỉ (như diode phân cực nghòch) gọi ICB0 nhỏ (cỡ A) Dòng thu toàn thể là: IC = IE + ICB0 (6) Trong lúc hệ thức (1) (3) áp dụng: Thế (6) vào (1) : I C  I CB0  IB  IC α I CB0 1  α   IC    IB  α  α  IC = I α I B  CB0 1 α 1 α 47 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực  IC = IB + I CB0 (7) 1 α Khi bỏ qua dòng điện rỉ ICB0 phương trình (7) trở thành phương trình (4) 4.4 Các cách mắc 4.4.1 Mạch cực phát chung Common Emitter  CE Rc mas s AC Vo Vi + V cc + V bb Hình 4.5 4.4.2 Mạch cực chung Common Base  C B Vi Vo Rc + V bb + V cc mas s AC Hình 4.6 4.4.3 Mạch cực thu chung Common Collector  CC 48 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Vi Vo + + V bb V cc Re Hình 4.7 CE: tín hiệu vào B so với E, tín hiệu C so với E Pha tín hiệu vào : đảo pha CB : tín hiệu vào E so với B, tín hiệu C so với B Pha tín hiệu vào : pha CC: tín hiệu vào B so với C , tín hiệu E so với C Pha tín hiệu vào ra: pha 4.5 Đặc tuyến BJT Xét mạch sau: Ic Rb Rc C B Ib + E + V cc V bb Hình 4.8 Mạch khảo sát đặc tuyến BJT 4.5.1 Đặc tuyến ngõ vào IB (VBE) 49 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Đặc tuyến IB (VBE) có dạng giống đặc tuyến diode, sau điện VBE tăng đến trò số điện ngưỡng V bắt đầu có dòng IB dòng IB tăng theo hàm số mũ dòng ID diode IB VBE V Hình 4.9 Đặc tuyến ngõ vào BJT 4.5.2 Đặc tuyến truyền dẫn IC (VBE) Đặc tuyến truyền dẫn IC(VBE) có dạng giống đặc tuyến IB (VBE) dòng IC có trò số lớn IB nhiều lần IC =IB 4.5.3 Đặc tuyến ngõ IC(VCE) Nguồn VBB phân cực thuận nối - phát để tạo dòng IB Khi điện phân cực VBE < V có dòng IB = IC = Nguồn VCC lớn làm cho cực thu dương so với phát để cấp dòng IC Thay đổi VBB để IB có trò số đó, dùng máy đo, giả sử đo IB=15A Lúc giữ cố đònh IB cách không đổi VBB, thay đổi VCC  VCE thay đổi, đo dòng IC tương ứng với VCE thay đổi Ban đầu IC tăng nhanh theo VCE, đến giá trò cỡ IC=IB IC gần không tăng hiệu VCE tăng nhiều Muốn IC tăng cao phải tăng VBB để có IB tăng cao hơn, tiếp tục thay đổi VCC để đo IC tương ứng, ta thấy lúc đầu IC tăng nhanh đến giá trò bão hoà IC = IB, IC gần không tăng VCE tăng sau: Khảo sát tương tự IC(VCE) giá trò IB khác ta có họ đặc tuyến Ic (mA) IB = 60A IB = 45A IB = 30A IB = 15A 50 IB= A VCE (v) Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Hình 4.10 Họ đặc tuyến ngõ BJT 4.6 Hình dạng C 828 H 1061 Hình 4.11 Hình dạng loại transistor 4.7 Phân cực BJT BJT có nhiều ứng dụng thiết bò điện tử, tuỳ theo ứng dụng cụ thể mà BJT cần phải cung cấp điện dòng điện cho chân cách thích hợp Phân cực (đònh thiên) BJT chọn nguồn điện điện trở cho IB, IC, VCE có trò số thích hợp theo yêu cầu 4.7.1 Phân cực dùng nguồn riêng Điều kiện dẫn điện BJT: Mối nối P-N B E phân cực thuận, VBE = V Mối nối P-N B C phân cực nghòch NPN: VBE = 0,6 V(Si) VBE = 0,2V (Ge) 1  VCE   VCC  VCC  3  PNP: VEB = 0,6V (Si) VEB = 0,2 V (Ge) 1  VEC   VCC  VCC  3  Xét mạch hình vẽ: VCC = 18V 51 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực VBB = 3,6V VBE = 0,6V RC IC RB = 50K RB RC = 2K  = 80 B IB C E + + VCC IE VBB Hình 4.12 Mạch phân cực dùng hai nguồn riêng cực E nối masse Với mạch hình trên, dùng BJT loại Si, NPN mắc theo kiểu cực phát chung (CE), nguồn VBB phân cực thuận mối nối P-N B –E Nguồn Vcc tạo điện VC > VE để có dòng IC, VCC kết hợp với VBB phân cực nghòch mối nối P-N B C Mạch thiết kế sẵn, tính thông số IB, IC, VCE để xác đònh vùng làm việc BJT theo thiết kế Ta có: IB = IB = VBB  VBE RB 3,6  0,6  60(μA) 50K IC= 80 60 =4800(A) = 4,8(mA) VCE = VCC - IC.RC VCE = 18 –4,8 2k = 18 – 9,6 = 8,4 (V) Điểm phân cực Q Ba thông số IB, IC, VCE xác đònh điểm phân cực Q đặc tuyến ngõ ra, hay điểm phân cực Q có toạ độ IB, IC, VCE Điểm phân cực Q gọi điểm hoạt động tónh (quiesent operating point ) hay điểm làm việc trạng thái tĩnh IC (mA) IB = 90A 9,0 IB = 75A 4,8 Q52 IB = 60A IB = 30A IB= µA Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Giả sử BJT có đặc tính ngõ hình vẽ Điểm đặc tuyến ngõ Q có toạ độ IB = 60A; IC = 4,8mA; VCE = 8,4V điểm phân cực Đường tải tónh (static load line) Đối với RC không đổi IC thay đổi theo hiệu điện VCE biểu thức: IC = VCC  VCE RC Để phù hợp với phương trình toán học với IC hàm số, VCE biến số ta viết lại biểu thức sau: IC = - VCE VCC  RC RC : Phương trình đường tải tónh Theo phương trình đường tải tónh, ta thấy có dạng đường thẳng (phương trình bậc y = ax+b) Muốn vẽ đường thẳng, ta phải tìm hai điểm đặc biệt  Điểm nằm trục biến số VCE có giá trò haøm IC = IC =  VCE = VCC = 18(V)  Điểm nằm trục hàm số IC có giá trò biến số VCE = VCE =  IC = VCC 18 = = 9(mA) 2k RC Vậy đường tải tónh đường thẳng qua điểm VCE = 18V trục biến số, điểm IC = 9mA trục hàm số dó nhiên qua điểm hoạt động tónh Q Ýù nghóa: Đường tải tónh q tích điểm phân cực Q Khi phân cực mạnh điểm Q chạy lên phía Khi phân cực yếu điểm Q chạy xuống phía  Khi BJT làm nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu biên độ nhỏ phân cực cho điểm Q nằm khoảng đường tải tónh thích hợp Xác đònh điện cực BJT: VE = 0V VB = VE +VBE = 0,6 V VC = VCC – ICRC = 18 – 4,8 2k = 18 –9,6 = 8,4 (V) Trường hợp có thêm ñieän trở RE: 53 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực IC RC RB C B + IB E + RE VBB VCC IE Hìmh 4.14.Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn Tọa độ điểm phân cực Q IB = VBB  VBE R B  βR E IC = IB VCE = VCC – IC(RC+RE) Phương trình đường tải tónh: IC =  VCE VCC  RC  RE RC  RE Vẽ đường tải tónh IC =  VCE =VCC VCE =  IC = VCC RC  RE Đường tải tónh đường thẳng ñi qua ñieåm: A( 0, VCC ) ; B (Vcc, 0) RC  RE 54 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Khi dòng AC có bán kỳ âm diode D SCR bò phân cực nghòch nên diode ngưng dẫn SCR chuyển sang trạng thái ngưng dẫn VA + + - t - IG t VM + + t Hình 6.11 6.4 DIAC (Diode Alternative Current) 6.4.1 Cấu tạo A1 A1 A N1 N1 P1 P1 P1 N2 N2 N2 P2 P2 P2 T4 N3 N3 T1 T3 T2 A A2 A2 Hình 6.12 DIAC có cấu tạo gồm lớp PNPN, hai cực A1 A2, cho dòng chảy qua theo hai chiều tác động điện áp đặt hai cực A1 A2 Ký hiệu: A1 A2 6.4.2 Đặc tuyến R A1 R + A1 V cc V cc A2 86 + A2 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Hình 6.13 ID VD -VBO VBO Hình 6.14 Khi A1 có điện dương J1 J3 phân cực thuận J2 phân cực ngược VCC có giá trò nhỏ DIAC trạng thái ngưng dẫn (khóa) Nếu tăng V CC đủ lớn để VD = VBO DIAC chuyển sang trạng thái mở, dòng qua DIAC tăng nhanh, có đặc tuyến hình vẽ Khi A1 có điện âm tượng tương tự VBO (Beak over) : điện ngập, dòng điện qua DIAC điểm VBO dòng điện ngập IBO Điện áp VBO có trò số khoảng từ 20V đến 40V Dòng tương ứng IBO có trò khoảng từ vài chục microampe đến vài trăm microampe Người ta thường dùng DIAC để kích cổng TRIAC 6.5 TRIAC (Triode Alternative Current) 6.5 Cấu tạo TRIAC linh kiện bán dẫn có ba cực, bốn lớp, làm việc SCR mắc song song ngược chiều, dẫn điện theo hai chiều B1 B2 G N1 P1 P1 N2 N2 P2 P2 N3 G B1 87 B2 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Hình 6.15.Cấu tạo TRIAC Có bốn tổ hợp điện mở TRIAC cho dòng chảy qua: B2 G + Xung + + Xung - Xung - Xung + dòng điện chạy từ B2 sang B1 dòng điện chạy từ B1 sang B2 6.5.2 Đặc tuyến TRIAC có đặc tuyến Volt - Ampe gồm hai phần đối xứng qua gốc O, phần tương tự đặc tuyến thuận SCR IB IG2 IG1 IG = -VBo VBo Hình 6.16.Đặc tuyến TRIAC 88 VB1B2 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm 6.5.3 Ứng dụng TAI R T RIAC V = 220v C R Hình 6.17 Đây mạch điều khiển dòng điện qua tải dùng TRIAC, DIAC kết hợp với quang trở Cds để tác động theo ánh sáng Khi Cds chiếu sáng có trò số điện trở nhỏ làm điện nạp tụ C thấp DIAC không dẫn điện, TRIAC không kích nên dòng qua tải Khi Cds bò che tối có trò số điện trở lớn làm điện tụ C tăng đến mức đủ để DIAC dẫn điện TRIAC kích dẫn điện cho dòng điện qua tải Tải loại đèn chiếu sáng lối hay chiếu sáng bảo vệ, trời tối đèn tự động sáng 89 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm 90 Chương 7:Linh kiện quang điện tử Chương LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ 7.1 Khái niệm Linh kiện quang điện tử linh kiện cảm biến có đặc tính đổi lượng ánh sáng thành dòng điện ngược lại đổi dòng điện thành ánh sáng Những linh kiện có đặc tính đổi ánh sáng thành dòng điện điện trở quang, diode quang, transistor quang Ngược lại linh kiện có đặc tính đổi dòng điện thành ánh sáng diode phát quang (LED), hiển thò tinh thể lỏng (LCD) 7.2 Diode phát quang 7.2.1 Cấu tạo Diode phát quang có cấu tạo gồm lớp tiếp xúc P-N, Diode phát quang làm từ chất Ga – As, Ga – P, Ga As – P, Si – C A K Ký hiệu Hình 7.1.Ký hiệu LED 7.2.2 Phân loại a Theo vật liệu: -Diode Ga – As cho ánh sáng hồng ngoại mà mắt nhìn không thấy -Diode Ga As -P cho ánh sáng khả kiến, thay đổi hàm lượng photpho cho ánh sáng khác đỏ, cam, vàng -Diode Ga - P pha thêm tạp chất xạ cho ánh sáng Tùy loại tạp chất mà diode cho màu từ đỏ, cam, vàng, xanh -Diode SiC pha thêm tạp chất cho ánh sáng màu xanh da trời LED màu xanh da trời chưa phổ biến giá thành cao Do khác vật liệu chế tạo nên điện áp ngưỡng loại LED khác LED đỏ có V = 1,6  2V LED cam có V = 2,2V  3V LED xanh coù V = 2,7 V  3,2V 90 Chương 7:Linh kiện quang điện tử LED vàng có V = 2,4V  3,2V LED xanh da trời có V = 3V  5V LED hồng ngoại có V = 1,8V 5V a LED hai màu LED hai màu loại LED đôi gồm hai LED nằm song song ngược chiều nhau, có LED đỏ LED xanh hay LED vàng LED xanh Loại LED hai màu thường để cực tính nguồn hay chiều quay động LE D1 A1 A2 LE D2 Ký hiệu Hình 7.2 Ký hiệu LED đôi loại hai màu Nếu chân A1 có điện áp dương LED1 sáng ngược lại chân A2 có điện áp dương LED sáng b LED ba màu LED ba màu loại LED đôi không ghép song song mà hai LED có chung chân catod, LED đỏ chân ngắn, LED màu xanh chân dài, chân catod chung Ký hiệu: A1 LED d o A2 LED xa nh Hình 7.3 Nếu chân A1 có điện áp dương LED đỏ sáng, chân A2 có điện áp dương LED xanh sáng, chân A1 A2 có điện áp dương LED sáng cho ánh sáng màu vàng 7.2.3 Ứng dụng a Mạch báo nguồn DC 91 Chương 7:Linh kiện quang điện tử D1 Vdc VAC D2 LED C Rt R Hình 7.4 Khi sử dụng LED điều quan trọng phải tính điện trở nối tiếp với LED có trò số thích hợp để tránh dòng điện qua lED lớn làm hư LED Điện trở mạch báo nguồn DC tính theo công thức: R= VDC  VLED I LED b Mạch báo nguồn AC R V AC D LE D Hình 7.5 Trong mạch báo nguồn AC, LED sáng phân cực thuận bán kỳ thích hợp , LED bò phân cực nghòch diode D phân cực thuận nên dẫn điện để giữ cho mức điện áp ngược LED VD = 0,7V tránh hư LED Điện trở mạch báo nguồn AC đựơc tính theo công thức: R= VAC  VLED I LED 7.2.4 LED bảy đọan LED bảy đoạn có loại anode chung loại cathode chung Hiện LED bảy đoạn dùng nhiều thiết bò thò số 92 Chương 7:Linh kiện quang điện tử Hình 7.6 + Vcc A B C D E F LED Cathode chung G A B + Vcc C D E F LED anode chung G a b f g e c P d Hình 7.7 LED bảy đoạn tập hợp bảy LED chế tạo dạng dài xếp hình vẽ ký hiệu bảy chữ a, b, c, d, e, f, g Phần phụ LED bảy đoạn chấm sáng (p) để dấu phẩy thập phân Dấu chấm LED p tương ứng phát sáng Khi cho sáng với số lượng vò trí thích hợp ta có chữ số từ đến chữ từ A đến F 7.3 Điện trở quang (Photoresistor) Điện trở quang gọi điện trở tùy thụôc ánh sáng LDR (Light dependent resistor) có trò số điện trở thay đổi theo độ sáng chiếu vào điện trở quang Khi bò che tối điện trở quang có trò số điện trở lớn, chiếu sáng điện trở giảm nhỏ CdS LDR Hình 7.8 Hình dạng và ký hiệu điện trở quang 93 Chương 7:Linh kiện quang điện tử Điện trở quang có trò số điện trở thay đổi không tuyến tính theo độ sáng chiếu vào Khi bóng tối điện trở quang có trò số khoảng vài mega Ohm, chiếu sáng điện trở quang có trò số nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ohm 7.4 Diode quang (diode cảm quang – Photodiode) Diode quang có cấu tạo bán dẫn giống diode thường đặt vỏ cách điện có mặt nhựa hay thuỷ tinh suốt để nhận ánh sáng bên chiếu vào mối nối P-N diode, có loại dùng thấu kính hội tụ để tập trung ánh sáng Ký hiệu: A K PHOTODIODE Hình 7.9 Ký hiệu diode quang Đối với diode phân cực thuận dòng điện thuận qua diode lớn dòng hạt tải đa số di chuyển, phân cực nghòch dòng điện qua diode nhỏ dòng hạt tải thiểu số di chuyển Qua thí nghiệm cho thấy photodiode phân cực thuận hai trường hợp mối nối P-N chiếu sáng hay che tối dòng điện thuận qua diode không đổi Ngược lại diode bò phân cực nghòch, mối nối P - N chiếu sáng dòng điện nghòch tăng lên lớn nhiều lần so với bò che tối Do nguyên lý nên diode quang sử dụng trạng thái phân cực ngược mạch điều khiển ánh sáng Photodiode có đặc tính: - Rất tuyến tính - Ít nhiễu - Dãy tần số rộng - Nhẹ có sức bền học cao - Có đời sống dài 7.4 Transistor quang (Phototransistor) 7.4.1 Cấu tạo Cấu tạo bán dẫn transistor quang coi gồm có diode quang transistor quang 7.4.2 Nguyên lý hoạt động Trong transistor quang có diode quang làm nhiệm vụ cảm biến quang điện transistor làm nhiệm vụ khuếch đại Diode quang sử dụng mối nối P94 Chương 7:Linh kiện quang điện tử N cực B C, transistor phân cực cho chân diode BE phân cực thuận diode BC phân cực nghòch Khi diode BC phân cực nghòch chiếu sáng dòng điện rỉ ICB tăng cao bình thường nhiều lần Dòng điện rỉ ICB trở thành dòng IB transistor khuếch đại Độ khuếch đại quang transistor từ 100 đến 1000 độ khuếch đại không tuyến tính theo cường độ ánh sáng chiếu vào mối nối Transistor quang có tốc độ làm việc chậm tụ điện ký sinh CCB (tụ ký sinh cực C B ) gây hiệu ứng Miller Transistor quang có tần số làm việc cao vài trăm Kz tần số làm việc cực đại diode quang đến vài chục Mz 7.4.3 ký hiệu Hình 7.10 Transistor quang (Phototransistor) Darlington phototransistor Trường hợp bỏ hở cực B mạch làm việc theo nguyên lý transistor quang Trường hợp bỏ hở cực E mạch làm việc theo nguyên lý diode quang +V cc +V cc Rc Rc Hình 7.11 95 Chương 7:Linh kiện quang điện tử 7.4.4 Ứng dụng Mạch hình vẽ dùng transistor quang ráp Darlington với transistor công suất để điều khiển rơle RY Khi chiếu sáng quang transistor dẫn làm transistor công suất dẫn cấp điện cho rele RY +V cc D1 Ry Q Hình 7.12 Mạch hình vẽ sau lấy điện áp Vc transistor quang để phân cực cho cực B transistor công suất Khi transistor quang chiếu sáng dẫn điện làm điện áp Vc giảm, cực B transistor công suất không phân cực nên ngưng dẫn rơ le không cấp điện +Vcc Ry R D1 Q Hình 7.13 Mạch điện hình vẽ sau dùng transistor công suất loại PNP nên có nguyên lý: transistor quang chiếu sáng dẫn điện tạo sụt áp điện trở để 96 Chương 7:Linh kiện quang điện tử phân cực cho cực B transistor công suất loại PNP làm transistor công suất dẫn cấp điện cho rơ le +V cc R D1 Ry Hình 7.14 7.5 Các ghép quang: (opto – couplers) 7.5.1 Cấu tạo Bộ ghép quang gồm có hai phần gọi sơ cấp thứ cấp Phần sơ cấp diode loại GaAs phát tia hồng ngoại, phần thứ cấp transistor quang loại silic Ký hiệu: If Ic Hình 7.15 Ký hiệu ghép quang 7.5.2 Nguyên lý hoạt động Khi phân cực thuận, didoe phát xạ hồng ngoại chiếu lên mặt transistor quang Như vậy, tín hiệu điện sơ cấp LED hồng ngoại (còn gọi phần phát) đổi thành tín hiệu ánh sáng Tín hiệu ánh sáng phần thứ cấp transistor quang (còn gọi phần nhận đổi lại thành tín hiệu điện.) 7.5.3 Đặc trưng kỹ thuật -Bộ ghép quang dùng để cách điện hai mạch điệnđiện áp cách biệt lớn Điện áp cách điện sơ cấp thứ cấp thường từ vài trăm volt đến hàng ngàn volt 97 Chương 7:Linh kiện quang điện tử -Bộ ghép quang làm việc với dòng điện chiều hay tín hiệu điện xoay chiều có tần số cao -Điện trở cách điện sơ cấp thứ cấp có trò số lớn thường khoảng vài chục đến vài trăm M dòng điện chiều -Hệ số truyền đạt dòng điện tỉ số phần trăm dòng điện thứ cấp I C với dòng điện vào sơ cấp IF Đây thông số quan trọng ghép quang thường có trò số từ vài chục phần trăm đến trăm phần trăm tùy lọai ghép quang 7.5.4.Các ghép quang a Bộ ghép quang transistor (Opto –transistor) 4 Hình 7.16 Thứ cấp ghép quang phototransistor loại Silic Đối với ghép quang transistor có bốn chân transistor cực B Trường hợp ghép quang có sáu chân cực B nối hình vẽ Bộ ghép quang cực B có lợi điểm hệ số truyền đạt lớn, nhiên loại có nhược điểm độ ổn đònh nhiệt Nếu nối cực B E điện trở ghép quang transistor ghép quang làm việc ổn đònh với nhiệt độ hệ số truyền đạt lại bò giảm b.Bộ ghép quang Darlington –Transistor Bộ ghép quang Darlington –transistor có nguyên lý ghép transistor quang với hệ số truyền đạt lớn vài trăm lần nhờ tính chất khuếch đại mạch Darlington Bộ ghép quang loại có nhược điểm bò ảnh hưởng nhiệt độ lớn nên thường chế tạo có điện trở chân B E transistor để ổn đònh nhiệt Hình 7.17 98 Chương 7:Linh kiện quang điện tử c Bộ ghép quang với quang thyristor: Một quang thyristor thay photodiode transistor Khi có ánh sáng hồng ngoại LED sơ cấp chiếu vào quang diode có dòng điện IB cấp cho transistor NPN transistor NPN dẫn điều khiển transistor PNP dẫn điện Như quang thyristor dẫn điện trì trạng thái dẫn mà không cần kích liên tục sơ cấp 7.5.5 Ứng dụng Các loại opto – couplers có dòng điện sơ cấp cho LED hồng ngoại khoảng 10mA Đối với opto – transistor thay đổi trò số dòng điện qua LED hồng ngoại sơ cấp làm thay đổi dòng điện IC phototransistor thứ cấp Opto-coupler dùng thay đổi cho rơ le hay biến áp xung để giao tiếp với tải thường có điện áp cao dòng điện lớn Mạch điện hình vẽ sau ứng dụng opto – transistor để điều khiển đóng ngắt rơle Transistor quang ghép quang ghép Darlington với transistor công suất bên ngoài, LED hồng ngoại sơ cấp cấp nguồn 5V transistor quang dẫn điều khiển transistor công suất dẫn để cấp điện cho rờ le RY Điện trở 390 hạn dòng cho led khoảng 10mA 99 ... sơ đồ diode phân cực thuận: VCC R1 R2 D R1 < R2 a) V CC = 12 v 10 K 22 K D 4K 15 K b) Nêu cách chỉnh Q1 chạy mạnh, yếu trường hợp sau: +Vcc a) RC RB1 B C E RB2 RE 59 Chương 4: Transistor mối nối... điều kiện: 1 VCC) 10 VE(  +VCC 12 Veõ mạch tương đượng mạch sau: RB1 RC C2 VO C1 Vi Hình 12 RB2 RE 13 Vẽ mạch tương đương mạch sau: +VCC RB1 RC C2 C1 RS RB2 RE VS 63 Hình 13 Chương 4: Transistor... lại VGS nhỏ dòng ID tăng lên 5 .2. 4 Đặc tuyến Khảo sát thay đổi dòng thoát ID theo điện VGS VDS, từ người ta đưa hai đặc tuyến JFET RD VCC VDC RS Hình 5.3 5 .2. 4.1 Đặc tuyến chuyển ID(VGS) VDS=const
- Xem thêm -

Xem thêm: bai giang linh kien dien tu 2, bai giang linh kien dien tu 2

Gợi ý tài liệu liên quan cho bạn

Nhận lời giải ngay chưa đến 10 phút Đăng bài tập ngay