đồ án thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu 1 pha

71 70 0
  • Loading ...
1/71 trang

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 13/04/2018, 21:12

đồ án thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu 1 pha. GIỚI THIỆU CHUNG VỀ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP . TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ BOARD MẠCH. GIỚI THIỆU CHUNG VỀ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT VÀ CÁC VAN BÁN DẪN 1.1Lịch sử phát triển và ứng dụng của điện tử công suất..................................................5 1.2.Các phần tử bán dẫn công suất và việc điều khiển chúng ……………………………6 1.2.1.Chất bán dẫn ………………………………………………………………...6 1.2.2.Diode công suất …………………………………………………………..8 1.2.3. Tranzitor công suất (Bipolar Junction Transistor) (BJT) ………………13 1.2.4. TRANSITOR TRƯỜNG – FIELD EFFECT TRANSISTOR …………..19 1.2.4.1. Khái niệm ……………………………………………………………………..19 1.2.4.2. Transitor JFET (Junction FET)………………………………………………211.2.4.3. Transitor MOSFET (Transitor trường cực cổng cách li) ……………………..25 1.2.5. Thyristor …………………………………………………………………..27 1.2.5.1.Cấu tạo và kí hiệu ………………………………………………..27 1.2.5.2.Đặc tính vôn – ampe ……………………………………………..28 1.2.5.3.Mở và khóa thyristor …………………………………………….29 1.2.5.4.Các thông số cơ bản của Thyristor ………………………………29 1.2.5.5 Đặc tính điều khiển ……………………………………………..32 1.2.6. Triac (Triode Alternative Current) ……………………………………….33 1.2.7. Diac ………………………………………………………………………34 1.2.8. Diode đệm ………………………………………………………………..36 1.2.9. MOSFET ((Insulated Gate Bipolar Transitor) ……………………………37 1.2.10. GTO (GATE TURNOFF Thyristor ) Mục Lục Lời nói đầu .3 PHẦN I GIỚI THIỆU CHUNG VỀ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT CÁC VAN BÁN DẪN 1.1 Lịch sử phát triển ứng dụng điện tử công suất 1.2.Các phần tử bán dẫn công suất việc điều khiển chúng ……………………………6 1.2.1.Chất bán dẫn ……………………………………………………………… 1.2.2.Diode công suất ………………………………………………………… 1.2.3 Tranzitor công suất - (Bipolar Junction Transistor)- (BJT) ………………13 1.2.4 TRANSITOR TRƯỜNG – FIELD EFFECT TRANSISTOR ………… 19 1.2.4.1 Khái niệm …………………………………………………………………… 19 1.2.4.2 Transitor JFET (Junction FET) ………………………………………………21 1.2.4.3 Transitor MOSFET (Transitor trường cực cổng cách li) …………………… 25 1.2.5 Thyristor ………………………………………………………………… 27 1.2.5.1.Cấu tạo kí hiệu ……………………………………………… 27 1.2.5.2.Đặc tính vơn – ampe …………………………………………… 28 1.2.5.3.Mở khóa thyristor …………………………………………….29 1.2.5.4.Các thông số Thyristor ………………………………29 1.2.5.5 Đặc tính điều khiển …………………………………………… 32 1.2.6 Triac (Triode Alternative Current) ……………………………………….33 1.2.7 Diac ………………………………………………………………………34 1.2.8 Diode đệm ……………………………………………………………… 36 1.2.9 MOSFET ((Insulated Gate Bipolar Transitor) ……………………………37 1.2.10 GTO (GATE TURN-OFF Thyristor ) ………………………………… 38 PHẦN II GIỚI THIỆU CHUNG VỀ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP 2.1 Nghịch lưu độc lập …………………………………………………………………41 2.1.1 Các khái niệm …………………………………………………… 41 2.1.2 Nghịch lưu dòng pha ……………………………………………… 42 2.1.3 Nghịch lưu dòng ba pha ………………………………………………… 47 2.1.4 Nghịch lưu áp pha ……………………………………………………51 2.1.5 Nghịch lưu áp ba pha …………………………………………………… 53 PHẦN III TÍNH TỐN THIẾT KẾ BOARD MẠCH 3.1 Tính tốn máy biến áp …………………………………………………………… 58 3.2 Lựa chọn phần tử làm khóa chuyển mạch ……………………………………… 59 3.2.1 Lựa chọn phần tử làm khóa chuyển mạch MOSFET …………………….59 3.3.Thiết kế mạch điều khiển ……………………………………………………………62 3.2.1 Nhiệm vụ chức mạch điều khiển ……………………………62 3.3.2 Thiết kế mạch điều khiển …………………………………………………63 KẾT LUẬN ………………………………………………………… …………… …71 LỜI NĨI ĐẦU Ngày với phát triển nhanh chóng kỹ thuật bán dẫn công suất lớn, thiết bị biến đổi điện dùng linh kiện bán dẫn công suất sử dụng nhiều công nghiệp đời sống nhằm đáp ứng nhu cầu ngày cao xã hội Trong thực tế sử dụng điện ta cần thay đổi tần số nguồn cung cấp, biến tần sử dụng rộng rãi truyền động điện, thiết bị đốt nóng cảm ứng, thiết bị chiếu sáng Bộ nghịch lưu biến tần gián tiếp biến đổi chiều thành xoay chiều có ứng dụng lớn thực tế hệ truyền động máy bay, tầu thuỷ, xe lửa Trong thời gian học tập nghiên cứu, học tập nghiên cứu trường ĐH Công Nghiệp Quảng Ninh chuyên ngành điện tử ứng dụng lĩnh vực hệ thống sản xuất đại Vì để nắm vững phần lý thuyết áp dụng kiến thức vào thực tế, chúng em nhận đồ án tốt nghiệp với đề tài: “Thiết kế va chế tạo mạch nghịch lưu pha” Với đề tài giao em vận dụng kiến thức để tìm hiểu nghiên cứu lý thuyết, đặc biệt em tìm hiểu sâu vào tính tốn thiết kế phục vụ cho việc hoàn thiện sản phẩm Dưới hướng dẫn bảo nhiệt tình Vũ Thị Hằng em hoàn thành xong đồ án Tuy nhiên thời gian kiến thức hạn chế nên khơng tránh khỏi thiếu sót thực đồ án Vì em mong nhận nhiều ý kiến đánh giá, góp ý thầy giáo để đề tài hồn thiện Em xin chân thành cảm ơn! TÊN ĐỀ TÀI Thiết kế va chế tạo mạch nghịch lưu pha * Sớ liệu cho trước - Các giáo trình tài liệu chuyên môn - Các trang thiết bị đo *Nội dung cần hoan thanh: - Lập kế hoạch thực - Giới thiệu số ứng dụng đặc điểm mạch nghịch lưu pha - Phân tích nguyên lý làm việc thông số mạch nghịch lưu ba pha - Thiết kế, chế tạo mạch nghịch lưu pha đảm bảo yêu cầu: + Điện áp đầu vào chiều U = 12V + Điện áp đầu xoay chiều U = 220V - f = 50HZ + Bảo vệ điện áp đầu 10% + Bảo vệ dòng điện, q nhiệt độ cho phần tử cơng suất + Thí nghiệm, kiểm tra sản phẩm - Sản phẩm phải đảm bảo yêu cầu kỹ thuật, mỹ thuật File mô tả đầy đủ nội dung đề tài PHẦN I GIỚI THIỆU CHUNG VỀ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT CÁC VAN BÁN DẪN Điện tử công suất chuyên ngành kỹ thuật điện - điện tử, nghiên cứu ứng dụng phần tử bán dẫn công suất Nhằm khống chế nguồn lượng điện với tham số không thay đổi thành nguồn lượng điện với tham số thay đổi để cung cấp cho phụ tải Như biến đổi bán dẫn công suất đối tượng nghiên cứu điện tử công suất Trong biến đổi phần tử bán dẫn công suất sử dụng khố bán dẫn, gọi van bán dẫn, mở dẫn dòng nối tải vào nguồn, khố khơng cho dòng điện chạy qua van Khác với phần tử có tiếp điểm, van bán dẫn thực đóng cắt dòng điện mà khơng gây tia lửa điện, khơng bị mài mòn theo thời gian, khơng gây tiếng ồn có khả đóng cắt với tần số lớn Khơng van bán dẫn đóng cắt dòng điện lớn với điện áp cao phần tử điều khiển chúng lại tạo mạch điện tử công suất nhỏ, nên công suất tiêu thụ nhỏ Quy luật nối tải vào nguồn biến đổi công suất phụ thuộc vào sơ đồ biến đổi phụ thuộc vào cách thức điều khiển van biến đổi Quá trình biến đổi lượng sử dụng van công suất thực với hiệu suất cao tổn thất biến đổi tổn thất khoá điện tử, khơng đáng kể so với cơng suất điện cần biến đổi Các biến đổi công suất đạt hiệu suất cao mà có khả cung cấp cho phụ tải nguồn lượng với đặc tính theo yêu cầu, đáp ứng trình điều chỉnh, điều khiển thời gian ngắn nhất, với chất lượng phù hợp hệ thống tự động tự động hoá Đây đặc tính biến đổi bán dẫn cơng suất mà biến đổi có tiếp điểm kiểu điện tử khơng thể có 1.1 Lịch sử phát triển va ứng dụng điện tử công suất: Trong thời gian dài ứng dụng kỹ thuật điện tử chủ yếu sử dụng lĩnh vực biến đổi tần số cao dân dụng Sự phát triển truyền động điện thúc đẩy đời điện tử công nghiệp từ năm 1950 Tuy nhiên, ứng dụng chúng bị hạn chế thiếu linh kiện điện tử cơng suất có hiệu suất cao, kích thước nhỏ đặc biệt có độ tin cậy cao Các đèn điện tử chân khơng có khí, đèn thủy ngân không đáp ứng yêu cầu khắt khe điều khiển công nghiệp Sự phát minh tranzitor vào năm 1948 Bardeen, Brattain Schockly phòng thí nghiệm Bell Telephone_Giải thưởng Nobel năm 1956_nó đánh dấu bước phát triển cách mạng kỹ thuật điện tử Đến năm 1960 hoàn thiện kỹ thuật bán dẫn, loạt linh kiện bán dẫn công suất diode, tiristor, tranzitor công suất đời Đến năm 1970 kỹ thuật vi mạch tin học ngày phát triển tạo nên thiết bị điện tử cơng suất có điều khiển với tính ngày phong phú làm thay đổi tận gốc ngành kỹ thuật điện Kể từ đây, kỹ thuật điện điện tử hội nhập thúc đẩy phát triển Điện tử công suất với đặc điểm chủ yếu chuyển mạch (đóng – cắt) với dòng điện lớn, điện áp cao thay đổi với tốc độ lớn Cho đến ngày điện tử công suất hầu hết ứng dụng nhiều ngành cơng nghiệp đại Có thể kể nghành kỹ thuật mà có ứng dụng tiêu biểu biến đổi bán dẫn công suất truyền động điện tự động, giao thông đường sắt, nấu luyện thép, gia nhiệt cảm ứng, điện phân nhơm từ quặng mỏ, q trình điện phân cơng nghiệp hóa chất nhiều thiết bị công nghiệp dân dụng khác Trong năm gần công nghệ chế tạo phần tử bán dẫn cơng suất có tiến vượt bậc ngày trở nên hoàn thiện, dẫn đến việc chế tạo biến đổi ngày gọn nhẹ, nhiều tính sử dụng ngày dễ dàng Trong thực tế biến đổi chế tạo đa dạng để hiểu phân tích nguyên lý biến đổi, trước hết ta phải tìm hiểu phần tử bán dẫn công suất 1.2.Các phần tử bán dẫn công suất va việc điều khiển chúng 1.2.1 Chất bán dẫn Về phương diện dẫn điện, chất chia thành hai loại: chất dẫn điện (có điện trở suất nhỏ) chất khơng dẫn điện (có điện trở suất lớn) Chất khơng dẫn điện gọi chất cách điện chất điện môi Giữa hai loại chất có chất trung gian mà điện trở suất thay đổi giới hạn rộng giảm mạnh nhiệt độ tăng (theo quy luật hàm mũ) Nói cách khác, chất dẫn điện tốt nhiệt độ cao dẫn điện không dẫn điện nhiệt độ thấp Đó chất bán dẫn (hay chất nửa dẫn điện) Trong bảng tuần hoàn (Mendeleep) ngun tố bán dẫn chiếm vị trí trung gian (Hình 1.2.1) kim loại kim Điển hình Ge, Si… Vì phÂn nhóm IV, lớp ngồi Ge, Si có điện tử (electron) chúng liên kết đồng hoá trị với tạo thành mạng bền vững (Hình 1.2.1-2-a) Hình 1.2.1-1 Các nguyên tố bán dẫn Khi có tâm khơng khiết (nguyên tử lạ, nguyên tử thừa không liên kết bán dẫn, dẫn đến khuyết tật mạng tinh thể: nút chân không, nguyên tử hay ion nút mạng, phá vỡ tinh thể, rạn vỡ…) trường điện tuần hoàn tinh thể bị biến đổi chuyển động điện tử bị ảnh hưởng, tính dẫn điện bán dẫn thay đổi Nếu trộn vào Ge đơn chất thuộc phân nhóm III chẳng hạn In, lớp điện tử ngồi In có ba điện tử nên thiếu điện tử để tạo cặp điện tử đồng hố trị Ngun tử In lấy diện tử nguyên tử Ge lân cận làm xuất lỗ trống (hole) dương (Hình 1.2.1-b) Ion Ge lỗ trống lại lấy điện tử nguyên tử Ge khác để trung hoà biến nguyên tử Ge sau thành lỗ trống Quá trình tiếp diễn bán dẫn Ge gọi bán dẫn lỗ trống hay bán dẫn dương (bán dẫn loại P – Positive) Tương tự, trộn vào Ge đơn chất thuộc phân nhóm V, chẳng hạn As, lớp điện tử ngồi As có điện tử nên sau tạo cặp điện tử đồng hoá trị với nguyên tử Ge xung quanh, As thừa điện tử Điện tử dễ dàng rời khỏi nguyên tử As trở thành điện tử tự Bán dẫn Ge trở thành bán dẫn điện tử hay bán dẫn Âm (bán dẫn loại N – Negative) Khi nhiệt độ chất bán dẫn tăng hay bị ánh sáng chiếu vào nhiều chuyển động phần tử mang điện mạnh lên nên chất bán dẫn dẫn điện tốt Hình 1.2.1-2 Sự tạo bán dẫn P(b) N(c) Các chất bán dẫn đơn chất B, C, Si, Ge, S, Se…các hợp chất ZnS, CdSb, AlSb…các ôxyt Al2O3, Cu2O, ZnO, SiO2…các sulfua ZnS, CdS… Hiện nay, chất bán dẫn dùng nhiều lĩnh vực khoa học, kỹ thuật đời sống 1.2.2.Diode công suất a) Cấu tạo đặc điểm va phân loại: -Diode cơng suất phần tử bán dẫn có tiếp giáp PN Diện tích bề mặt tiếp giáp chế tạo lớn so với diode thơng thường, đạt tới hàng trục mm2 Mật độ dòng điện cho phép tiếp giáp cỡ 10A/mm.2 Do dòng điện định mức số loại diode đạt tới hàng trăm ampe, PK200, chí hàng nghìn ampe BB21250 Cấu tạo ký hiệu diode cơng suất mơ tả hình 1.2.2-1 Hình 1.2.2-1: Cấu trúc ký hiệu diode công suất -Điode có loại thường dùng mạch chỉnh lưu công suất lớn: *Diode chỉnh lưu Gecmani (Ge): Tiếp giáp diode Ge phần lớn chế tạo phương pháp làm nóng chảy IN (indi) với nhiệt độ thích hợp, bán dẫn Ge loại N Miếng bán dẫn Ge hàn với thép Tinh thể Ge đặt vỏ bọc hợp kim cova để bảo vệ liên kết với phận tản nhiệt -Đặc điểm Diode Ge điện áp chịu đựng khoảng 400V, sụt áp Diode nhỏ nên sử dụng chỉnh lưu điện áp thấp Diode Ge thường bị đánh thủng nhiệt độ Nhiệt độ cho phép Diode Ge 75 0C, nên làm việc nhiệt độ cao dòng điện ngược tăng lên đáng kể dẫn đến chất lượng chỉnh lưu thấp, ta coi nhiệt độ cho phép nhiệt độ tới hạn Diode Ge *Diode chỉnh lưu silic (Si): -Diode chỉnh lưu Si chế tạo cách làm nóng chảy nhơm tinh thể Si loại N, làm nóng chảy hợp kim thiếc phốt pho, hay vàng antimoan tinh thể silic loại P Ngồi người ta chế tạo phương pháp khuếch tán Phốt vào tinh thể Si loại N Công nghệ chế tạo kiểu khuếch tán thường áp dụng cho loại diode công suất lớn -Tinh thể Si tiếp giáp PN bọc vỏ kim loại, tinh thể bán dẫn hàn hợp kim bạc- antimoan hay vàng- antimoan - Diode Si có điện áp ngược cho phép cỡ 2500V, độ xụt diện áp Diode Si cao Diode Ge Nhiệt độ cho phép Diode Si cao tmax = 1250C, tượng đánh thủng chủ yếu nhiệt độ b)Nguyên lý lam việc va đặc tính vơn – ampe: -Khi tiếp giáp PN diode đặt đưới tác dụng điện áp bên ngoài, điện trường chiều với điện trường E vùng nghèo điện tích xẽ mở rộng ra, nên điện trở tương đương diode lớn dòng điện xẽ khơng thể chạy qua Lúc toàn điện áp xẽ đặt lênvùng nghèo điện tích, ta nói diode bị phân cực ngược Hình 1.2.2-2 -Khi điện trường ngồi ngược chiều với điện trường E vùng nghèo điện tích xẽ bị thu hẹp lại Nếu điện áp bên lớn 0,65V vùng nghèo điện tích xẽ thu hẹp lại đến khơng, điện tích di chuyển tự qua cấu trúc diode Dòng điện qua diode lúc bị hạn chế điện trở tải mạch ngồi Khi ta nói diode phân cực thuận Hình 1.2.2-3 E + + n E ng + + p + E ng - + - p + + - n + - + + - vùng nghèo điện tích Hướng di chuyển các điện tích Hình 1.2.2-2 Hình 1.2.2-3 *Đặc tính vơn – ampe: Hình 2.12 Sơ đồ thay a, b, c Giá trị hiệu dụng điện áp pha là: Suy ra: UA(t) = UB(t) = UB(t) = PHẦN III TÍNH TỐN THIẾT KẾ BOARD MẠCH 3.1 Tính tốn máy biến áp Lựa chọn máy biến áp điểm so sánh mặt kinh tế mặt kĩ thuật phương án lựa chọn tối ưu i2 k2 n11 - u i1 = + n2 u2 zt n12 k1 Máy biến áp có thơng số: U11 = 12V, U2 = 220V, f = 50HZ, P = 30VA Do máy biến áp điểm nên điện áp U1 = 2.U11 = 2.12 = 24( V ) Công suất máy biến áp ta giả định chọn: P = U2.I2 = 30(W) Trong đó: P cơng suất máy biến áp U2 điện áp cuộn thứ cấp máy biến áp I2 dòng điện cuộn thứ cấp máy biến áp hiệu suất máy biến áp Chọn = 0,85 ta tính dòng điện thứ cấp máy biến áp I2 = = 0.16 ( A ) Áp dụng tỉ số máy biến áp I1 = Do máy biến áp điểm nên điện áp sơ cấp tính U1 = 24( V ) I1 = = 1.5( A ) Công suất máy biến áp cần chọn: P1 = U1 I1 = 24 1.5 = 36 (VA) Vậy ta chọn máy biến áp có cơng suất P = 50VA với I = 2A 3.2 Lựa chọn phần tử lam khóa chuyển mạch Ta lựa chọn MOSFET có ưu điểm sau: + Tốc độ chuyển mạch cao tổn hao chuyển mạch thấp + Làm việc với điện áp cao + Mạch biến đổi sử dụng MOSFET điều khiển đơn giản 3.2.1 Lựa chọn phần tử lam khóa chuyển mạch MOSFET - Dòng làm việc qua van dòng làm việc qua cuụon dây sơ cấp máy biến áp: I = 1.5 A (Ta chọn phương thức làm mát cánh tản nhiệt) Chọn MOSFET có dòng làm việc là: Điện áp ngược đặt lên van: Ungmax = Kdc.12 = (1.6-2)*12 = 24 (V) Vậy chọn van có điện áp làm việc > 24V Từ điều kiện tính tốn ta chọn van: IRF 540 với tham số sau: * Tính tốn tản nhiệt - Theo datasheet hãng chế tạo IRF540 ta biết nhiệt độ TJmax = 1750C RJV = 0.57 (0C/W) Với giả thiết nhiệt độ môi trường làm việc tối đa 400C Như nhiệt độ cánh tản nhiệt xác định Tr = Tj – RJV P Trong Theo datasheet hãng chế tạo IRF540 ta biết tổn hao cực đại 85W Tr = Tj – RJV P = 175 – 0.57*85 = 126,5 (0C) Độ chênh lệch nhiệt độ so với mơi trường : Diện tích bề mặt tản nhiệt : Trong đó: Km hệ số toả nhiệt đối lưu xạ Chọn Km = w/m2 0C Diện tích cánh tản nhiệt : Stảnnhiệt = * Tính chọn cầu chì - Mạch điện tính tốn với dòng làm việc tối đa bên mạch sơ cấp MBA 2A Để tránh tượng làm việc tải hay ngắn mạch gây cố phá hỏng thiết bị ta nên chọn thiết bị bảo vệ cầu chì cắt nhanh, với dòng điện làm việc xác định ICC = K.I = 1,5* = (A) Vậy chọn cầu chì có dòng điện làm việc 2A ; điện áp 250V loại cắt nhanh * Mạch bảo vệ áp sử dụng rơle KĐTT 741 thiết kếđồ nguyên lý 3.3.Thiết kế mạch điều khiển 3.3.1 Nhiệm vụ va chức mạch điều khiển : * Nhiệm vụ Như biết MOSFET van điều khiển hoàn toàn tức điều khiển mở xung khố xung nên mạch điều khiển phải có chức sau : - Điều chỉnh độ rộng xung nửa chu kì dương điện áp đặt lên colector emitor van - Tạo xung âm có biên độ cần thiết để khố van chu kì - Xung điều khiển phải có đủ biên độ lượng để mở khoá van - Tạo đươc tần số theo yêu cầu - Dễ dàng lắp ráp, thay cần thiết, vận hành tin cậy, ổn định - Cách ly với mạch động lực lại chắn * Yêu cầu chung mạch điều khiển : Mạch điều khiển khâu quan trọng hệ thống, phận định chủ yếu đến chất lượng độ tin cậy biến đổi nên cần có yêu cầu sau : * Về độ lớn dòng điện điện áp điều khiển: Các giá trị lớn không vượt giá trị cho phép Giá trị nhỏ phải đảm bảo đủ cung cấp cho van mở khố an tồn Tổn thất cơng suất trung bình cực điều khiển nhỏ giá trị cho phép * Yêu cầu tính chất xung điều khiển : Giữa xung mở cặp van phải có thời gian chết, thời gian chết phải lớn thời gian khơi phục tính chất điều khiển van * Yêu cầu độ tin cậy mạch điều khiển : Phải làm việc tin cậy môI trường trường hợp nhiệt độ thay đổi , có từ truờng * Yêu cầu lắp ráp vân hành : Sử dụng dễ dàng , dễ thay , lắp ráp 3.3.2 Thiết kế mạch điều khiển Để tạo khối phát xung ta sử dụng vi mạch CD4047B có thơng số sau : Sơ đồ chân vi mạch sau: Cấu trúc vi mạch sau: Hoạt động IC sau: - Hoạt động chân astable phép đạt đầu vào chân mức cao mức thấp chân chân Độ rộng xung vuông Q hàm đầu vào phụ thuộc vào RC Chân astable cho phép mạch làm tạo dao động đa hài qua cổng Độ rộng xung chân 13 1/2 đầu Q chế độ astable Tuy nhiên điều 50% Trong chế độ ổn định đơn có sườn dương đầu vào +trigger(8) chân trigger(6) mức thấp xung đầu vào thuộc thời điểm tương ứng với xung đầu Chân 12 cho phép kích mở trở lại xung dương Đặc điểm vi mạch sau: - Công suất tiêu thụ thấp - Hoạt động trạng thái đơn chế độ không ổn định - Các đầu ổn định mức thể bù bổ xung u cầu tín hiệu nhât ngồi R C đầu vào có điệm kiểm tra tĩnh điện áp 20Vđược chuẩn hố đặc tính , đặc tính đầu chuẩn đối xứng Ta tính tốn để có xung 50Hz sau: Thay số: V = 12 V V= 50% V Với f = 50 (hz) T = 0.02 (s) 4.4 RC = 0.02RC = 4.55*10 Chọn tụ Có C = 0.1 R = 45 K Chọn biến trở có R = 50 K để điều chỉnh Điện áp U Q = 0.05 V U Q = 11 V Dạng sóng đầu ra: * Sơ đồ nguyên lý: * Sơ đồ bớ trí thiết bị: * Sơ đồ mạch: KẾT LUẬN Sau trình thực đồ án em thu số kết sau: + Giới thiệu số ứng dụng đặc điểm mạch nghịch lưu pha + Phân tích nguyên lý làm việc thông số mạch nghịch lưu ba pha + Giới thiệu số ứng dụng đặc điểm mạch nghịch lưu pha + Đặc biệt chúng em hoàn thiện sản phẩm theo yêu cầu đặt cụ thể: * Điện áp URMS = 220 V tải định mức * Bảo vệ nhiệt độ tản nhiệt quạt gió * Bảo vệ dòng cầu chì * Bảo vệ q điện áp đặt giá trị 250VAC Tuy nhiên đồ án chúng em có nhược điểm chưa ổn định điện áp tải lớn Với hướng dẫn tận tình bảo Vũ Thị Hằng em hồn thành đồ án theo thời gian Một lần em xin gửi lời cảm ơn tới thầy cô khoa Điện - Điện Tử, đặc biệt thầy Vũ Thị Hằng trực tiếp hướng dẫn chúng em việc hoàn thành đồ án.Em mong nhận ý kiến nhận xét, góp ý thầy bạn để đồ án em hoàn thiện Em xin chân thành cảm ơn! ...2 .1. 2 Nghịch lưu dòng pha ……………………………………………… 42 2 .1. 3 Nghịch lưu dòng ba pha ………………………………………………… 47 2 .1. 4 Nghịch lưu áp pha …………………………………………………… 51 2 .1. 5 Nghịch lưu áp ba pha ……………………………………………………... trang thiết bị đo *Nội dung cần hoan thanh: - Lập kế hoạch thực - Giới thiệu số ứng dụng đặc điểm mạch nghịch lưu pha - Phân tích nguyên lý làm việc thông số mạch nghịch lưu ba pha - Thiết kế, chế. .. khỏi thiếu sót thực đồ án Vì em mong nhận nhiều ý kiến đánh giá, góp ý thầy giáo để đề tài hồn thiện Em xin chân thành cảm ơn! TÊN ĐỀ TÀI Thiết kế va chế tạo mạch nghịch lưu pha * Sớ liệu cho
- Xem thêm -

Xem thêm: đồ án thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu 1 pha, đồ án thiết kế và chế tạo mạch nghịch lưu 1 pha

Từ khóa liên quan

Gợi ý tài liệu liên quan cho bạn

Nhận lời giải ngay chưa đến 10 phút Đăng bài tập ngay