TỔNG TRÙNG PHÙNG THỰC

36 157 0
TỔNG TRÙNG PHÙNG THỰC

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Trong chương 7, dù không đi quá chi tiết, nhưng tôi đã nhắc tới các vấn đề gây ra bởi hiện tượng tổng trùng phùng thực khi tiến hành xác định đường chuẩn hiệu suất của đầu dò với các phép đo có cấu hình nguồn đặt gần đầu dò. Đây không phải là một vấn đề mới (mặc dù kích thước đầu dò càng lớn, ảnh hưởng của hiệu ứng này càng mạnh) nhưng có vẻ như thường được “lờ đi” trong thực tế. Vấn đề này đủ quan trọng để chúng ta dành riêng một chương để nói về nó. Các nguyên nhân gây ra tổng trùng phùng thực (True coincidence summing TCS) có thể được chỉ ra từ đường cong hiệu suất của đầu dò HPGe 45% được đưa ra trong Hình 8.1. Nguồn được sử dụng là nguồn 152Eu có dạng gần như nguồn điểm và có hoạt độ trung bình sao cho tốc độ đếm trong mỗi trường hợp là vào khoảng 7700 cps. Đường cong phía dưới được đo với nguồn đặt cách đầu dò 115 mm, trơn, nhất quán và có vẻ như là hợp lý. Đường cong phía trên, được đo với cấu hình nguồn đặt trên mặt đầu dò, không hoàn toàn hợp lý. Các điểm không liên kết với nhau thành một đường cong trơn, và rất khó để có thể xác định đường cong thích hợp đi qua các điểm này. Lý do cho hiện tượng này là TCS.

CHƯƠNG TỔNG TRÙNG PHÙNG THỰC 8.1 GIỚI THIỆU Trong chương 7, dù không chi tiết, nhắc tới vấn đề gây tượng tổng trùng phùng thực tiến hành xác định đường chuẩn hiệu suất đầu dò với phép đo có cấu hình nguồn đặt gần đầu dò Đây khơng phải vấn đề (mặc dù kích thước đầu dò lớn, ảnh hưởng hiệu ứng mạnh) thường “lờ đi” thực tế Vấn đề đủ quan trọng để dành riêng chương để nói Các nguyên nhân gây tổng trùng phùng thực (True coincidence summing - TCS) từ đường cong hiệu suất đầu dò HPGe 45% đưa Hình 8.1 Nguồn sử dụng nguồn 152Eu có dạng gần nguồn điểm có hoạt độ trung bình cho tốc độ đếm trường hợp vào khoảng 7700 cps Đường cong phía đo với nguồn đặt cách đầu dò 115 mm, trơn, qn hợp lý Đường cong phía trên, đo với cấu hình nguồn đặt mặt đầu dò, khơng hồn tồn hợp lý Các điểm khơng liên kết với thành đường cong trơn, khó để xác định đường cong thích hợp qua điểm Lý cho tượng TCS Hình 8.1 Đường cong hiệu suất với cầu hình nguồn đặt mặt đầu dò nguồn đặt cách đầu dò 11.5 cm Nguồn 152Eu 8.2 NGUỒN GỐC CỦA TỔNG TRÙNG PHÙNG THỰC Hình 8.2 sơ đồ phân rã 152Eu Các hạt nhân 152Eu phân rã theo hai cách khác Hoặc phân rã để trở thành 152Gd (27.92%) bắt electron để trở thành 152Sm Dù phân rã theo cách hạt nhân tạo thành sau giải kích thích cách phát số tia gamma Chúng ta cần phải ý tất phân rã bắt electron biến đổi 152Sm kèm theo phát tia X Sm Thời gian sống mức hạt nhân đơn lẻ ngắn, ngắn so với thời gian phân giải hệ phổ kế gamma Như vậy, phân rã nguyên tử 152Eu nguồn phát số tia gamma, tia X, cách đồng thời có xác suất mà nhiều tia vào đầu dò gần đồng thời, ghi nhận đầu dò Nếu điều xảy ra, xung mà xạ tạo tương tác với đầu dò có biên độ tỷ lệ với tổng lượng hai photon đầu dò hấp thụ Hiện tượng gọi tổng trùng phùng thực; hay đơi gọi trùng phùng nối tầng (cascade summing) Nó tổng hai tia gamma, tia gamma tia X, phát trùng phùng Tương tự tổng ngẫu nhiên (random summing), tượng xảy gây số đếm đỉnh hấp thụ toàn phần phổ, hiệu suất Tuy nhiên, khơng giống tổng ngẫu nhiên mà tơi nói tới Phần 4.8, xung mà xạ tạo ghi nhận hai kiện trùng phùng thực không bị biến dạng loại bỏ cách sử dụng mạch loại bỏ xung chồng chập Hình 8.2 Sơ đồ phân rã nguồn (cơ bản) 152 Eu 8.3 SỰ TỔNG TRÙNG PHÙNG THỰC VÀ GÓC KHỐI Mức độ trùng phùng thực (TCS) tùy thuộc vào xác suất hai tia gamma phát đồng thời ghi nhận đồng thời Giá trị xác suất phụ thuộc vào cấu hình hình học, góc khối mà nguồn nhìn đầu dò Hình 8.3 minh hoạt cho cấu hình hình học sử dụng để xây dựng đường cong hiệu suất Hình 8.1 với nguồn đặt mặt đầu dò, tia gamma phát từ nguồn có xác suất vào đầu dò 42%, xác suất hai gamma phát đồng thời vào đầu dò 17% Nguồn đặt xa đầu dò xác suất hai gamma ghi nhận đồng thời giảm xuống (với cấu hình nguồn đặt cách đầu dò 11.5 cm Hình 8.3, góc khối hay xác suất tia gamma phát vào đầu dò 1.5% xác suất xảy tổng trùng phùng thực 0.02%) Cần ý rằng, TCS hay nhiều tùy theo cấu hình nguồn đầu dò (khoảng cách nguồn đầu dò) ln ln xảy (Hình 8.4) Tuy nhiên, khoảng cách đó, tùy theo kích thước đầu dò, xác suất xảy TCS trở nên đủ nhỏ để bỏ qua trình thực nghiệm Hình 8.3 Cấu hình hình học sử dụng để thu thập liệu Hình 8.1 Để đánh giá nhanh khả xảy tổng trùng phùng thực hai photon, người ta sử dụng đại lượng P, định nghĩa sau: R bán kính mặt cầu mà nguồn phát xạ , với khoảng cách nguồn đầu dò (khoảng cách từ nguồn đến vỏ đầu dò) khoảng cách mặt đầu dò (mặt tinh thể) vỏ đầu dò Xác suất photon qua đầu dò tỷ số góc khối tạo nguồn đầu dò, , với tổng diện tích mặt cầu, Xác suất hai photon phát thời điểm vào đầu dò bình phương xác suất biến cố xạ vào đầu dò (đại lượng P) Hình 8.4 Xác xuất theo tính tốn tổng trùng phùng thực khoảng nguồn đầu dò khác nhau; bán kính đầu dò Ta cần lưu ý rằng, với cấu hình hình học cố định (góc khối khơng đổi), số kiện tổng trùng phùng thực giây (chứ tỷ số số đếm bị mất/tổng số đếm) tỷ lệ trực tiếp với hoạt độ mẫu Mặt khác, số đếm tổng trùng phùng ngẫu nhiên lại tỷ lệ với bình phương hoạt độ mẫu Trong trường hợp hình 8.1, kết luận cách chắn vấn đề xảy với số đếm trường hợp nguồn đặt mặt đầu dò có ngun từ tổng trùng phùng thực, tổng ngẫu nhiên, phép đo thực hầu hết có tốc độ đếm tương đương 8.4 SỰ TÁC ĐỘNG LÊN PHỔ CỦA TỔNG TRÙNG PHÙNG THỰC Trong q trình giải kích thích 152Sm, với tia gamma phát ra, tia X kèm ln tạo ra, tia X đóng vài trò quan trọng tổng trùng phùng thực Hình 8.5 phần phổ mà ta dùng để xác định liệu xây dựng đường cong hiệu suất Hình 8.1 So sánh hai phổ hình ta nhận thấy phổ trường hợp nguồn đặt sát mặt đầu dò xuất thêm hai đỉnh nằm cách đỉnh 121.8 keV (đỉnh xuất hai phổ) 39 keV 45.3 keV phía bên phải Các đỉnh đỉnh tổng trùng phùng thực Điều làm rõ phân tích riêng phần vùng lượng thấp phổ với cấu hình nguồn đặt gần đầu dò (Bảng 8.1) Bảng 8.1 Phân tích phần phổ 152Eu đo hình học nguồn đặt gần đầu dò Thuộc tính (năng Năng lượng (keV)a Diện tích (cps) RSD (%) lượng theo keV) 39.60 45.23 121.83 386.00 109.60 469.20 0.46 1.00 0.30 Sm X-rays Sm X-rays — Sum 161.62 19.40 3.20 121.78+39.91 167.16 6.00 8.64 Sum 121.78+45.4 244.83 63.80 0.98 — Sum 284.70 2.60 15.01 244.70+39.91 290.17 1.40 26.54 Sum 244.70+45.4 296.09 3.00 10.34 — 344.44 225.10 0.41 — Sum 367.33 10.20 4.85 121.78+244.70 411.28 13.20 2.70 — 444.12 14.40 2.52 — 488.79 1.80 3.51 — Sum 564.29 2.60 3.32 121.78+443.97 a Năng lượng đưa chương trình phân tích Trong danh sách lượng đưa Bảng 8.1, lượng có cột thuộc tính tương ứng bỏ trống (—) đỉnh lượng toàn phần thông thường 152 Eu Các đỉnh xuất thêm so tổng trùng phùng thực gamma với tia X nhận biết dễ dàng, xuất sau kiện phát gamma có nguồn gốc từ q trình phân rã bắt electron Thêm vào đó, ghi nhận kiện trùng phùng gamma phát 152Sm với độ phổ biến cao Sự độc lập hai nhánh phân rã nguồn 152Eu thể việc phổ không xuất đỉnh 466.06 keV, lượng tương ứng với lượng tổng hai gamma 121.78 keV 344.28 (hai gamma thuộc hai nhánh phân rã khác nhau) Đỉnh tổng tạo tia X phát từ nhánh phân rã Sm với gamma phát từ nhánh phân rã Gd khơng xuất Trong đỉnh tổng (344.28 + 778.90) lại xuất phổ, hai gamma hai gamma nối tầng nhánh phân rã Gd nguồn 152Eu Mỗi đỉnh tổng đại diện cho phần số đếm bị đỉnh – một phần có khả hai gamma nối tầng vào đầu dò đồng thời khơng bị hấp thụ tồn lượng, kiện khơng góp số đếm vào đỉnh tổng Thực tế, có phần nhỏ tia gamma hấp thụ toàn lượng, xác suất kiện đầu dò ghi gamma nối tầng khơng hấp thụ toàn lượng thường xảy Như ta thấy phần sau, kiện trùng phùng mà lượng bị hấp thụ phần bên đầu dò cần phải tính tới tiến hành tính tồn hiệu chỉnh TCS Hình 8.5 Các đỉnh tổng nằm phía đỉnh 121.78 keV 152Eu Ta cần chý ý phông liên tục phía lượng cao đỉnh tăng lên Hình 8.5 đặc trưng tổng trùng phùng thực xuất sử dụng đầu dò bán dẫn loại p Phổ cấu hình đo chịu ảnh hưởng mạnh TCS có phơng liên tục phía lượng cao đỉnh lớn so với phơng liên tục phía lượng thấp, đỉnh phổ có dễ nhận biết Nền phông xuất phổ đưa Hình 8.5 ngược lại với phơng thơng thường mà xem xét Chương 9, Hình 9.6 (trong phổ thơng thường, phơng liên tục sườn lượng thấp đỉnh cao sườn lượng cao) Hiện tượng Arnold Sima (2004) phát Tia X sinh phân rã bắt electron tạo thành tín hiệu cục bộ, trùng phùng với tia gamma, bên lớp chết đầu dò Theo cơng bố, lớp tiếp xúc n+ bên khuếch tán theo vài đường vào Ge siêu tinh khiết, tạo thành vùng chuyển tiếp Vùng cho phép ghi nhận tia X khả thu thập điện tích lại Các tín hiệu cục sau có khả trùng phùng với tia gamma tạo thành xung có lượng tổng lượng tiêu hao bên đầu dò, tạo thành phần sườn lượng cao đỉnh Hiệu ứng khơng xảy với đầu dò loại n, lớp tiếp xúc đầu dò loại n mỏng, đỉnh gamma phát phân rã phổ không xuất không xảy trùng phùng gamma với tia X Ví dụ, phổ (mà phần đưa Hình 8.5) ta thấy đỉnh 778.9 keV 152Eu phát từ nhánh phân rã biến đổi 152Gd khơng có Một khả khác mà tơi cần phải nhắc tới trường hợp phân rã bêta, hạt bêta tia gamma phát trình giải kích thích hạt nhân con, phát gần thời điểm, tia gamma có khả bị trùng phùng với xạ hãm phát hạt bêta bị làm chậm 8.5 TÍNH HỢP THỨC CỦA ĐƯỜNG CHUẨN HIỆU SUẤT VỚI CẦU HÌNH NGUỒN ĐẶT GẦN ĐẦU DỊ Quay trở lại với liệu dùng để xây dựng đường chuẩn hiệu suất Hình 8.1, tơi nói rằng, điểm liệu thu thập đo với cấu hình nguồn đặt gần đầu dò hồn tồn không phù hợp để xây dựng đường chuẩn hiệu suất Tuy nhiên điều khơng có nghĩa liệu khơng có ý nghĩa Các điểm đại diện cho điểm chuẩn hiệu suất ghi 152Eu loại đầu dò xác định với cấu hình hình học xác định Các điểm chuẩn có ý nghĩa đo nguồn 152Eu khơng có ý nghĩa đo nguồn phóng xạ khác Ví dụ, điểm chuẩn hiệu suất tương ứng với lượng 121.8 keV đường chuẩn hiệu suất Hình 8.1 sử dụng để đánh giá hoạt độ nguồn 57Co thơng qua diện tích đỉnh gamma 122 keV Chính thân 57Co gặp vấn đề với TCS Trong đường chuẩn hiệu suất phía (trong Hình 8.1), đo với cấu hình nguồn cách mặt đầu dò 11.5 cm, cho kết hợp lý, ta khơng thể nói khơng bị ảnh hưởng TCS Tất ta khẳng định TCS trường hợp nhỏ đến mức bỏ qua (trong thực tế, Hình 8.5 cho thấy phổ ghi cấu hình nguồn cách đầu dò 11.5 cm, đỉnh tổng trùng phùng thực xuất với lượng nhỏ khó nhận biết.) Với loại nguồn cấu hình đo trên, đầu dò có kích thước lớn hơn, hiệu ứng TCS trở nên đáng kể bỏ qua 8.5.1 Chuẩn hiệu suất sử dụng nguồn chuẩn hỗn hợp QCYK Ở Hoa Kỳ, nguồn chuẩn QCY QCYK cung cấp Isotrak, công ty nhánh AEA Technology QSA, thường sử dụng để xây dựng đường chuẩn hiệu suất cho hệ phổ kế gamma Một số nguồn chuẩn khác sử dụng, thường chúng khác chút thành phần đồng vị bên Bộ nguồn chuẩn hỗn hợp QCYK bao gồm 12 đồng vị phát tia gamma có lượng từ 59.54 keV ( 241Am) tới 1836.05 keV (88Y) Tuy nhiên, nguồn chuẩn lại chứa số đồng vị phát gamma nối tầng như, 57Co, 60Co, 88Y, 139Ce, đồng vị gây TCS phép đo tiến hành với cầu hình nguồn đặt gần đầu dò, qua tác động đến đường chuẩn hiệu suất (Hình 8.6) Trong Hình 8.6, đường đứt nét đại diện cho đường chuẩn hiệu suất thực dựng lên từ điểm thực nghiệm thu từ nguồn không phát gamma nối tầng (tức không bị ảnh hưởng TCS) Bảng 8.2 liệt kê đồng vị nguồn QCYK bình luận đặc điểm riêng xuất phổ đồng vị đo với cấu hình nguồn đặt gần đầu dò Các đặc điểm bao gồm: • 60 Co 88Y phát hai gamma Ta dự đoán phổ xuất đỉnh tổng tương ứng với tổng lượng hai gamma nối tầng Điều làm giảm diện tích đỉnh đỉnh hấp thụ tồn phần • • • • hai đồng vị Các kiện khỏi đỉnh hấp thụ toàn phần đỉnh đơn đóng góp vào đỉnh tổng Trong Hình 8.6, ta dễ thấy điểm thực nghiệm tương ứng với gamma phát hai nguồn nằm phía đường cong hiệu suất hiệu chỉnh Bảy số mười hai đồng vị nằm nguồn phát gamma thơng qua q trình bắt electron, ta biết Phần 1.2.3, tất phân rã kéo theo phát tia X đặc trưng hạt nhân Điều có nghĩa ta dự đốn xuất đỉnh phổ có lượng tương ứng với tổng lượng tia gamma tia X Như Bảng 8.2 ra, đỉnh tổng đồng vị 57Co, 139Ce 88Y rõ ràng (Xem Hình 8.7(b) hình 8.7(c)) Mặc dù đỉnh tổng tương tự 241Am 65Zn ghi nhận, nhiên đỉnh không rõ ràng, ta cần quan tâm đến phải tiến hành phân tích phổ cách chi tiết 57 Co trường hợp đặc biệt, đỉnh tổng tạo gamma 122.06 keV trùng phùng với tia X phát xảy bắt electron với gamma 14.41 keV, trùng với đỉnh 136.47 keV phổ Như vậy, dù TCS có xảy phổ khơng xuất thêm đỉnh tổng Hiệu ứng TCS thể rõ ta xem xét liệu hiệu suất ghi Thực tế hiệu suất ghi thực nghiệm 122.06 keV nằm phía đường chuẩn hiệu suất ghi thực nghiệm 136.47 lại nằm phía Một số đỉnh nhỏ quan sát thấy phổ đỉnh tổng gamma với tia X sinh trình bắt electron nguyên tử Ge đầu dò Các đỉnh Ge gamma 59.54 keV ( 241Am) ghi nhận phổ (Xem Chương 2, Phần 2.2.1) Các đỉnh thoát đơn thoát đơi gamma có lượng lớn 1022 keV nhận định xuất phổ Tuy nhiên khơng phải tồn đỉnh quan sát thấy phổ Chúng ta dự đoán xuất đỉnh tổng (gamma tia X) 109Cd 109 Cd nhân phát phóng xạ qua q trình bắt electron tia X cường độ cao hạt nhân 109Ag đóng góp mạnh vào vùng lượng thấp phổ Như vậy, ta dự đoán đỉnh tổng phải có lượng tổng 88.03 + 22 keV – nhiên khơng có đỉnh có lượng xuất phổ Hình 8.11 Diện tích đỉnh tương đối nguồn phân bố trụ cát trụ nước so với diện tích đỉnh nguồn điểm (*) nguồn điểm, (#) nguồn phân bố nước, (+) nguồn phân bố cát Ảnh hưởng TCS thể Chương Hình 6.9 cho ta thấy mối liên hệ tốc độ đếm với khoảng cách từ nguồn đến đầu dò Các liệu cho thấy quy luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách áp dụng hệ phổ kế gamma, tình định nghĩa rõ Tiếp nữa, ta nhận thấy mối quan hệ tốc độ đếm với khoảng cách từ nguồn tới đầu dò trở nên phi tuyến khoảng cách nguồn đầu dò nhỏ dần Lý vấn đề dĩ nhiên ảnh hưởng trùng phùng tổng tăng lên khoảng cách nguồn đầu dò giảm Kết luận rút là, ảnh hưởng TCS đo với nguồn chuần đo với mẫu khác nhau, trừ mẫu nguồn chuẩn có hình dạng mật độ đồng nhất, đặt công-te-nơ giống hệt đo khoảng cách Nếu điều kiện khơng thỏa mãn, ta khơng có cách để bổ ảnh hưởng TCS đường chuẩn hiệu suất 8.10 THỰC HIỆN CÁC PHÉP ĐO “KHƠNG CĨ TRÙNG PHÙNG TỔNG” Trong trường hợp mà ta phải đo mẫu với cấu hình hình học mẫu đặt sát đầu dò, kết thu hiển nhiên có sai số TCS Ta cần phải ý ảnh hưởng TCS khác đồng vị khác nhau, ta đo nhiều tia gamma phát từ hạt nhân ảnh hưởng TCS khác với gamma khác Liệu có cách để hiệu chỉnh phần ảnh hưởng TCS kết thu mà không cần phải áp dụng giải pháp tốn học mơ tả Phần 8.11? 8.10.1 Sử dụng “khớp nội suy” để hiệu chỉnh TCS Phần lớn phần mềm phân tích phổ gamma cung cấp cho ta tùy chọn chuẩn hiệu suất có tên gọi “Khớp nội suy (interpolative Fit)” Với vạch gamma không nằm danh sách vạch gamma sử dụng để chuẩn hóa, tùy chọn tiến hành nội suy hai điểm hiệu suất nằm kế bên phải bên trái vạch gamma để xác định giá trị hiệu suất lượng Với phần lớn tia gamma cần đo, giá trị trả lại bị sai Tuy nhiên, với hạt nhân nằm danh sách hạt nhân sử dụng chuẩn, giá trị hiệu suất đưa giá trị đúng, giá trị tính tới đóng góp TCS Như vậy, ta thấy đường chuẩn hiệu suất tạo từ việc khớp nội suy phù hợp sử dụng để đo hạt nhân nằm danh sách hạt nhân dùng để xây dựng đường chuẩn hiệu suất, giá trị hiệu suất điểm tương ứng tự động hiệu chỉnh TCS Ví dụ, ta tiến hành phép đo với nguồn NORM (Chương 16) Phần lớn hạt nhân đo, chuỗi phân rã 238U 232Th, có sơ đồ phân rã phức tạp chịu ảnh hưởng TCS, số trường hợpảnh hưởng TCS lớn Nếu vật liệu tham chiếu có chứa hạt nhân thích hợp (IAEA RGU-1 RGTh-1) sử dụng để làm chuẩn chuẩn hóa, ta thu số liệu để chuẩn hiệu suất Dạng đường chuẩn hiệu suất cách khớp thông thường không đẹp, nhiên sử dụng chế độ khớp nội suy giá trị hiệu suất sử dụng phân tích phổ mẫu giá trị xác, bao gồm đóng góp TCS Phương pháp sử dụng để đánh giá hạt nhân nằm danh sách hạt nhân dùng để xây dựng liệu hiệu suất 8.10.2 Các phép đo hoạt độ tương đối Quan sát liệu so sánh chéo Hình 8.8, ta nhận thấy vài điểm liệu nằm khoảng bất định dự báo NPL Điều khơng có đáng ý Ít hai số trường hợp đó, lý độ bất định kết nhỏ phép đo thực theo kiểu tương đối Mẫu so sánh trực tiếp với nguồn 134Cs chuẩn hóa đo điều kiện hình học (hình học nguồn khoảng cách nguồn – đầu dò) Theo cách này, sai số TCS giống mẫu mẫu chuẩn loại bỏ Ta không cần phải sử dụng đường chuẩn hiệu suất Đây nói cách trực tiếp để tránh sai số trình chuẩn hóa TCS và, trừ có lý riêng đó, tơi khuyến cáo sử dụng cách so sánh trực tiếp với nguồn chuẩn đo cấu hình học nguồn đặt gần đầu dò 8.10.3 Sử dụng hệ số hiệu chỉnh rút từ đường chuẩn hiệu suất Phân tích so sánh thực chuẩn bị điều kiện cần thiết Trước hết chương trình phân tích phổ cần phải tính kết cách tham chiếu với đường chuẩn hiệu suất Lựa chọn để làm điều tiến hành đo nguồn tham chiếu, sau rút nhóm hệ số hiệu chỉnh tia gamma đo áp dụng vào đầu chương trình (Thực tế, trường hợp này, kết ban đầu biết sai không tương xứng đường cong hiệu suất, chúng thường khơng đo Mọi liệu hiệu suất sử dụng miễn hệ số hiệu chỉnh phù hợp với nó.) Lấy liệu Hình 8.10 làm ví dụ, ta thấy thủ tục cần làm là: • Xây dựng đường chuẩn hiệu suất thơ • Đo nguồn chuẩn tương ứng với loại hạt nhân cần xác định, cấu hình hình học đo chuẩn, mật độ nguồn chuẩn với mật độ mẫu cần đo • Sử dụng chương trình máy tính để tính hoạt độ nguồn dựa đường chuẩn hiệu suất thô Tỷ số giá trị đo giá trị hoạt độ biết hệ số hiệu chỉnh áp vào đo mẫu Ta cần ý rằng, kết cuối dựa số liệu nhiều tia gamma, ta cần phải xây dựng hiệu chỉnh gamma đơn lẻ trước tổng hợp lại để đạt kết hiệu chỉnh cuối Nếu ta cần đo loại phóng xạ đó, mà chất phóng xạ lại khơng có sẵn danh sách nguồn chuẩn có, việc đo trực tiếp hệ số hiệu chỉnh thực Trong trường hợp đó, ta cần phải thực phép đo với cầu hình hình học nguồn đặt xa đầu dò sử dụng đường chuẩn hiệu suất “khơng TCS” tương thích so sánh với phép đo có hình học nguồn gần đầu dò 8.10.4 Hiệu chỉnh kết sử dụng liệu hạt nhân chỉnh sửa (“bodge”) Để xác định hệ số hiệu chỉnh mô tả ta cần phải hiệu chỉnh cường độ gamma cho TCS, tổng hợp kết thu với nhiều tia gamma khác loại đồng vị, để đạt phép đo vừa ý Điều dễ dàng lý thuyết, thực tế làm việc phòng thí nghiệm, bất tiện Sẽ thích hợp hệ thống “chỉnh” để cho kết từ chương trình xác Điều đạt phương pháp mơ tả Tính hoạt độ cách chia tốc độ đếm đỉnh cho xác suất phát gamma cho hiệu suất Nếu xác suất phát gamma thư viện hạt nhân điều chỉnh cách nhân chúng với hệ số hiệu chỉnh TCS (tức hệ số mà ta nhân kết đo với ta thu kết xác) sau đó, dù hiệu suất khơng xác kết tính xác Chú ý thư viện hiệu chỉnh sử dụng với mẫu dùng để xây dựng đường chuẩn Ta phải có thư viện có sửa riêng đầu dò dạng hình học khác để tránh nhầm lẫn Tuy nhiên, cách đơn giản để đưa hiệu chỉnh TCS vào trình phân tích thơng dụng phòng thí nghiệm hoạt độ cần tính cách tham chiếu với đường chuẩn hiệu suất 8.11 CÁC HIỆU CHỈNH TRÙNG PHÙNG TỔNG BẰNG TỐN HỌC Về ngun lý, ta hiệu chỉnh sai số TCS phương pháp toán học Xem xét sơ đồ phân rã đơn giản gây TCS Hình 8.12 Sau phân rã beta, hạt nhân nằm hai trạng thái kích thích, sau chuyển trạng thái ba cách phát gamma hình Để đơn giản cho việc minh họa, ta giải thiết hệ số biến đổi nội tia gamma không Nếu hoạt độ nguồn A Becquerel, khơng có TCS, tốc độ đếm đỉnh lượng toàn phần là: Hình 8.12 Giản đồ phân rã đơn giản minh họa cho trình trùng phùng tổng Với xác suất phát gamma hiệu suất ghi đỉnh lượng toàn phần Các phương trình tương tự, với tương ứng, sử dụng để tính tốc độ đếm đỉnh Bây giờ, trùng phùng tổng với số đếm đỉnh bị Chúng ta không xét tới giải kích thích từ lớp lớp phát hoặc phát đồng thời hai Sơ đồ phân rã đơn giản sơ đồ phân rã Hình 8.12(b) Số số đếm bị (mỗi giây) trùng phùng tổng dược tính cách lấy tích sau: Số nguyên tử phân rã (A) xác suất giải kích thích tạo ( xác suất ghi nhận xuất đỉnh hấp thụ toàn phần ( xác suất ghi ( Khi xét tới lượng số đếm bị trùng phùng tổng cần phải xét tới kiện trùng phùng tổng, kiện trùng phùng tổng có đóng góp vào đỉnh tổng, ta sử dụng hiệu suất ghi tồn phần , Do diện tích đỉnh thực là: Tỷ số sử dụng để hiệu chỉnh số số đếm bị TCS đỉnh Với , trình khác chút tất gamma phát từ mức trung gian hệ q trình giải kích thích từ mức cao Một vài số hạt nhân mẹ phân rã bêta trực tiếp thẳng trạng thái đó, khơng đóng đóng góp vào trùng phùng tổng (xem Hình 8.11(c)) Số kiện trùng phùng tích của: Số kiện đóng góp vào đỉnh (A xác suất ghi bị hấp thụ toàn phần xác suất ghi Do đó, diện tích đỉnh là: Các kiện trùng phùng mà hai gamma bị hấp thụ toàn lượng đóng góp vào số đếm vào đỉnh tương ứng với lượng tổng hai gamma, tức đỉnh tương ứng bị tăng số đếm Theo cách tương tự trên, ta có tốc độ đếm thực đỉnh là: Thông thường xác suất phát nhỏ so với xác suất phát hai gamma nối tầng Nếu không hiệu chỉnh, việc sử dụng diện tích đỉnh gây sai số lớn Ta cần phải nhấn mạnh vừa trình bày đơn giản hóa Trong thực tế, ta khơng thể coi hệ số biến hoán nội nhỏ, sơ đồ phân rã thực tế phức tạp nhiều Ví dụ với sơ đồ phân rã 152Eu (một sơ đồ phân rã điển hình), việc hiệu chỉnh TCS bắt đầu trở nên phức tạp Điều phải xét tới tất trường hợp trùng phùng gặp, nữa, chuyển dời nối tầng 152Sm trùng phùng với tai X đặc trưng Sm Sự phức tạp tăng thêm nguồn phát positron Lượng tử hủy 511 keV trùng phùng với gamma phát từ giải kích thích hạt nhân Một giải pháp phân tích thêm vào sơ đồ phân rã mức lượng ảo nằm mức kích thích hạt nhân 511 keV (hạt nhân mẹ phát beta, chuyển thành hạt nhân trạng thái kích thích) Tiếp đó, ta cần phải đưa vào hệ số biến đổi – 0.5 cho mức ảo lượng tử gamma hủy phát dạng cặp Cuối cùng, phức tạp lại tăng thêm tính tới trùng phùng ba gamma tia gamma cường độ mạnh kiện trùng phùng xạ hãm Biểu diễn toán học trở nên phức tạp ta xét với mẫu thực, có kích thước có thành phần gây tự hấp thụ mạnh mẫu Chúng ta biết tia X bắt electron đóng vai trò quan trọng trình trùng phùng tổng Sự tự hấp thụ có nghĩa tia X tia gamma lượng thấp bị hấp thụ nhiều tia gamma lượng cao hệ số hiểu chỉnh gamma lượng khác khác Để hiệu chỉnh trùng phùng xác, cần phải tách biệt thông tin hiệu suất với dạng hình học mẫu với thành phần, biểu thức tốn học cần phải tính tới tự hấp thụ Bảng 8.5 Năng lượng (keV) 152 Eu 39.91 121.78 244.7 344.28 411.12 443.97 778.9 964.07 1085.84b 1112.08 1408.01 Hệ số hiệu chỉnh TCS thu phương pháp tốn học với cấu hình đầu dò/nguồn khác (dữ liệu lấy từ Debertin and Schotzig (1990))a A2 1.349 1.262 1.434 1.146 1.424 1.378 1.249 1.249 0.94 1.182 1.208 Hệ số hiệu chỉnh (nhân) B2 A4 1.559 1.648 2.086 1.145 1.432 2.373 1.256 1.438 1.177 1.709 1.79 1.079 1.058 1.088 1.037 1.075 1.096 1.045 1.035 0.992 1.035 1.038 C — 1.13 1.18 1.07 — 1.16 1.13 1.1 0.97 1.07 1.08 134 Cs 604.72 1.252 1.249 1.063 1.13 795.83 1.265 1.258 1.055 1.13 1365.19b 0.839 0.761 0.975 0.85 a Hình học nguồn – đầu dò: A, 12.5% Ge(Li); A2, nguồn điểm đặt sát mặt đầu dò; A4, đĩa Marinelli L: B, 25% HPGe loại n; B2, nguồn điểm đặt sát mặt đầu dò; C, 30% Ge(Li), đường kính 24 mm, nguồn đặt cao 24 mm b Crossover transitions (chuyển dời thằng từ mức đầu mức cuối có lượng tổng lượng hai chuyển dời nối tầng) Dĩ nhiên, để thực tất tính tốn cần phải có đường hiệu suất ghi lượng tồn phần khơng có đóng góp TCS (free of TCS errors đường hiệu suất tổng (hiệu suất ghi toàn phổ) Về nguyên lý, có sơ đồ phân rã chi tiết, liệu hiệu suất ghi đỉnh lượng tồn phần xác, liệu hiệu suất ghi tồn phổ xác, liệu hệ số chuyển đổi đầy đủ hiểu biết chi tiết hình dạng thành phần mẫu, ta tiến hành hiệu chỉnh tốn học Bảng 8.5 liệt kê hệ số hiệu chỉnh TCS cho số lớn tia gamma phát từ 152Eu 134 Cs, tính Debertin Schotzig (1990) sử dụng nguyên lý mô tả Một số điểm rút là: • Độ lớn hệ số phù hợp với phân tán đường cong hiệu suất xác định với cấu hình nguồn đặt sát đầu dò (Hình 8.1) với nhiều sai số xuất Hình 8.8 8.9 • Các hệ số 152Eu lớn đo với đầu dò loại n (B2) gây trùng phùng tổng bổ sung khả hấp thụ tia X loại đầu dò thấp • Các đỉnh tương ứng với crossover transitions (1085.84 keV 152Eu 1365.19 keV 134Cs) có hệ số hiệu chỉnh nhỏ • Hệ số hiệu chỉnh nguồn điểm (A2, B2) lớn so với nguồn phân bố (A4, C) cấu hình hình học, nguồn điểm nằm sát đầu dò sovới nguồn phân bố Cơng bố cung cấp liệu bảng 8.5 công bố khác tương tự Sinkko Abalone (1985) chứa nhiều thơng tin hữu ích hệ số hiệu chỉnh TCS Các tài liệu cung cấp cho người dùng cẩm nang mức độ ảnh hưởng TCS với phần lớn đồng vị thường gặp Tuy nhiên, cần phải nhấn mạnh rằng, hệ số hiệu chỉnh nói khơng thể sử dụng để hiệu chỉnh cho liệu người dùng hệ số hiệu chỉnh áp dụng cho loại đầu dò cấu hình hình học đo cụ thể Các hệ số hiệu chỉnh cho liệu người dùng xác định cách đo cách thực lại bước tính tốn mơ tả cơng bố với liệu thích hợp cho hệ phổ kế dùng Trong thực tế, mà có nhiều chương trình máy tính để tính tốn hệ số hiệu chỉnh TCS (xem phần Tài Liệu nên đọc cuối chương), việc liên kết chúng với chương trình phân tích phổ lại khơng phải việc dễ thực Một khó khăn phải đối mặt tập hợp thông tin cần thiết để tiến hành xác định hiệu chỉnh trùng phùng tổng đáng tin cậy tính tin cậy liệu hạt nhân tài liệu Dĩ nhiên, chất lượng liệu tệ với hạt nhân mà trùng phùng tổng vấn đề đặc biệt Bạn đọc tham khảo liệu cung cấp phần Phụ Lục B Trong Chương 6, lưu ý bước để thực việc xây dựng đường chuẩn hiệu suất cho đầu dò dựa kích thước thơng số vật lý đầu dò lớp vỏ đầu dò Sau bước thực hiện, ta tiến hành bước thêm vào hệ số hiệu chỉnh trùng phùng tổng Trong tương lai, đến ngày người dùng mua đầu dò mới, người dùng nhận kèm thoe CD-ROM chứa đường hiệu suất lý thuyết liệu hạt nhân đồng vị phổ cập Các liệu phần mềm phân tích phổ sử dụng để tự động hiệu chỉnh trùng phùng tổng 8.12 CÁC PHẦN MỀM HIỆU CHỈNH TCS Trong phần trên, chứng minh nguyên lý q trình tính tốn hiệu chỉnh TCS, nhiên thực tế vấn đề phức tạp nhiều Các hệ số hiệu chỉnh TCS phụ thuộc vào khoảng cách mẫu so với đầu dò, hình dạng mẫu thành phần mẫu (hiệu ứng tự hấp thụ) Một phương pháp áp dụng phổ biến để tính tốn hiệu chỉnh TCS phương pháp Monte Carlo Phương pháp cho phép mô tả phát tia gamma tất vị trí bên mẫu vị trí tia gamma tương tác với đầu dò, đánh giá ảnh hưởng tự hấp thụ nguồn đầu dò Chương trình xây dựng đường chuẩn hiệu suất hiệu dụng (hay nói cách khác đường chuẩn hiệu suất bao gồm hiệu chỉnh TCS cho loại mẫu cần đo) đơn giản tính hệ số hiệu chỉnh dùng để hiệu chỉnh kết đo Cả hai phương pháp có ưu điểm Phương pháp Monte Carlo đòi hỏi người sử dụng cần phải biết chi tiết cấu tạo hình học thành phần vật liệu đầu dò Các thơng tin khơng phải ln ln có sẵn, thường thơng tin cung cấp nhà sản xuất giá trị ước lượng Do vậy, để sử dụng phương pháp Monte Carlo người dùng cẩn phải áp dụng kỹ thuật gọi tên “fine tuning”, kỹ thuật người dùng cần phải thay đổi tham số bề dày lớp chết, hay chí đường kính đầu dò để tạo mơ hình khớp với liệu xác định từ thực nghiệm Trong số trường hợp, người ta phải sử dụng đến phương pháp chụp ảnh tia X để xác định kích thước thực đầu dò điều kiện làm việc 8.12.1 GESPECOR GESPECOR (Germanium Spectrometry Correction Software) chương trình thương mại xây dựng dựa Monte Carlo Chương trình khởi tạo khoảng năm 1996-1997 tiếp tục phát triển Càng ngày chương trình mơ tả chi tiết q trình ghi đo xạ, bao gồm tượng lớp chết riêng phần đầu dò loại n nhắc tới Phần 8.4 Chương trình sử dụng với tất loại đầu dò, bao gồm đầu dò giếng, tất loại hình học mẫu – trụ, marinelli waste drums 220L Chương trình làm việc tốt chưa tích hợp vào q trình ghi phổ, điều có nghĩa ta cần phải có vài hiệu chỉnh tiền phân tích với kết thu từ phổ Người dùng GESPECOR chương trình tương tự cho biết độ xác thông tin đưa vào quan trọng, chẳng hạn sai lệch nhỏ kích thước thành phần mẫu đưa vào tạo kết sai Cần nhớ phòng thí nghiệm, ta thường khơng biết thành phần mẫu khó để cung cấp thơng tin tốt cho chương trình Đây nhược điểm chương trình Thơng thường ta khơng sử dụng đỉnh tổng để xây dựng đường khớp hiệu suất Tuy nhiên, Arnold Sima (2004) cách sử dụng GESPECOR để hiệu chỉnh cường độ đỉnh tổng 88Y 60Co để mở rộng dải hiệu suất theo lượng tới 2.7 MeV 8.12.2 Chuẩn hiệu suất sử dụng hạt nhân có trùng phùng tổng Tô nhấn mạnh phần trước việc chuẩn hiệu suất với cấu hình hình học nguồn đặt gần đầu dò thực trực tiếp cách sử dụng đồng vị khơng có trùng phùng tổng Điều với quy trình chuẩn hiệu suất truyền thống, Menno Blaauw (1993) cho thấy ta sử dụng phổ đồng vị có trùng phùng tổng để xây dựng đường chuẩn hiệu suất hiệu chỉnh TCS Nguyên lý sau Ta xét giản đồ phân rã có ba trạng thái kích thích, số tia gamma có Với tia gamma ta có phương trình xác suất ghi nhận tương tự phương trình (8.2) đến (8.5) Phần lớn phương trình bao gồm hiệu suất đỉnh lượng toàn phần hiệu suất ghi tồn phổ Các phương trình đỉnh tổng có hai hiệu suất đỉnh lượng tồn phần Chúng ta có phương trình có nhiều giá trị hiệu suất chưa biết Tuy nhiên, ta tính tới việc thang log – log, tỷ số hiệu suất đỉnh so với tồn phổ ln ln tuyến tính, ta giảm số tham số cần biết để xác định đỉnh lượng toàn phần xuống hai Hơn nữa, thực tế ta thường gặp trường hợp crossover transitions (năng lượng với lượng đỉnh tổng) có xác suất phát nhỏ bỏ qua Điều giúp làm đơn giản hóa phương trình, dẫn tới việc số biến cần xác định nhỏ số phương trình Và số trường hợp, ta xác định hiệu suất ghid dỉnh lượng tồn phần mà xác định tham số mối quan hệ đỉnh với toàn phổ hoạt độ đồng vị nguồn Thậm chí khơng cần tới nguồn chuẩn! Nghiệm phương trình khơng phải nghiệm bình thường mà rút từ trình khớp sử dụng vòng lặp Phương pháp Blauuw áp dụng với nguồn 82Br thu số thành tựu Phương pháp mở rộng để áp dụng cho hình học mẫu dạng đĩa Marinelli đầu dò giếng Sự phát triển phương pháp đưa thêm dạng đường hiệu suất thứ ba, gọi đường “linear to square”, bên cạnh đường hiệu suất ghi lượng toàn phần đường hiệu suất ghi toàn phổ Đường hiệu suất thể thăng giáng hiệu suất theo thể tích nguồn tự hấp thụ tán xạ mẫu Phiên đưa vào chương trình Gamma Vision ORTEC, giả thiết nguồn chuẩn hiệu suật có 134Cs Tuy nhiên, ta nên xây dựng đường chuẩn hiệu suất riêng cho loại hình học thành phần mẫu khác 8.12.3 Hiệu chỉnh TCS chương trình phân tích phổ Tải thời điểm viết sách lần đầu tiên, chưa có chương trình phân tích phổ thị trường cung cấp tính hiệu chỉnh TCS phương pháp tốn học Nhưng nhiều chương trình phân tích phổ tích hợp tính kết chúng cung cấp có đạt u cầu hay khơng dấu hỏi Mặc dù Gamma Vision Genie 2000 có tính hiệu chỉnh TCS, tài liệu hướng dẫn sử dụng hai phần mềm lại cung cấp thơng tin để người dùng khơng có kinh nghiệm cấu hình chương trình Van Slujs et al (2000) đánh giá hiệu hiệu chỉnh TCS ba chương trình phân tích phổ sử dụng phòng thí nghiệm phân tích kích hoạt Châu Âu Kết luận rút mâu thuẫn chương trình cần phải nghiên cứu Arnold et al (2004) sử dụng phổ so sánh chéo IAEA 2002 (xem Chương 15, Phần 15.5.3) để đánh giá bảy chương trình phân tích phổ thương mại Trong số đó, có GammaVision Genie 2000 xử lý hiệu chỉnh TCS Họ sử chương trình hiệu chỉnh bên ngồi, GESPECOR, để tính hệ số hiệu chỉnh So sánh kết thu từ ba chương trình ta thấy hệ số hiệu chỉnh mà chương trình đưa hoàn toàn phù hợp với Tuy nhiên, kết GammaVision Genie 2000 không tốt nhiều so với chương trình khác, đặc biệt với phổ uranium thorium trạng thái cân với hạt nhân Như vậy, ta thấy khơng có chương trình cung cấp hiệu chỉnh TCS cách đáng tin cậy Nên nhớ , tùy theo hạt nhân tùy theo cấu hình hình học nguồn đầu dò khác nhau, mà sai số TCS nằm khoảng 5% Nếu chương trình hiệu chỉnh cung cấp kết với độ bất định 10%, tốt hết tắt chúng Ngay với mộ chương trình thích hợp, thủ tục hiệu chỉnh TCS cần vài phổ chuẩn bổ sung để rút hiệu suất toàn phổ theo lượng hệ thống Genie 2000 cần số nguồn phóng xạ, nguồn phát tia gamma đơn để bao trùm dải lượng cần chuẩn hiệu suất Thủ tục chuẩn hóa Gamma Vision đòi hỏi cần phải có hỗn hợp nguồn đơn nguồn 134Cs nhắc tới Từ phổ ghi nguồn đơn, GammVision xác định hiệu suất ghi toàn phổ Mặc dù cách dễ thực kinh phí để có nguồn chuẩn đơn không rẻ Tuy nhiên, công bố Vidmar et al (2005; 2006) đề xuất giải pháp Trong cơng bố, họ trình bày thủ tục để tính tốn hiệu suất ghi tồn phổ đường cong LS (Linear to Square) cho mẫu dạng hình học trụ, qua giúp giải vấn đề nhiều phép đo thực nghiệm Ở thời điểm viết sách nnày, công cụ hiệu chỉnh TCS dần xuất kết ta thấy Hình 8.8 8.9 cho thấy, cơng cụ chưa sử dụng thường xuyên phòng thí nghiệm Tại thời điểm nay, ta hi vọng tương lai gần thứ tốt hơn, chương trình thân thiện với người dùng hơn, tài liệu hướng dẫn xác TỔNG HỢP CHƯƠNG Trùng phùng tổng: • Thể qua việc diện tích đỉnh thấp so với giá trị thực nó; riêng với • • • • • crossover transitions diện tích đỉnh lớn diện tích thực (các kiện trùng phùng tổng đóng góp số đếm vào diện tích đỉnh crossover transitions) ảnh hưởng mạnh nguồn đặt sát đầu dò hơn; Ảnh hưởng mạnh kích thước đầu dò tăng tệ sử dụng đầu dò giếng; Có thể tệ đầu dò sử dụng cửa sổ mỏng xác suất tia X vào vùng chủ động đầu dò gây trùng phùng tổng tăng lên Có thể dự báo trước xảy đo hạt nhân có sơ đồ phân rã phức tạp; Khơng phụ thuộc vào tốc độ đếm Đường hiệu suất xác xác định với cấu hình nguồn đặt gần đầu dò đạt sử dụng nguồn chuẩn đơn hiệu chỉnh TCS Khi có thể, ta cần tránh sử dụng đường hiệu suất trường hợp nguồn đặt gần đầu dò, thay vào ta sử dụng cách so sánh trực tiếp với chuẩn tham chiếu Còn ta khơng có đủ điều kiện cần thiết bắt buộc phải sử dụng đường hiệu suất ta cần xác định hệ số hiệu chỉnh tia gamma cần đo sau điều chỉnh kết đo cho phù hợp Cần lưu ý mẫu, chuẩn tham chiếu nguồn chuẩn phải có dạng hình học thành phần Trong vài năm trở lại đây, người ta tìm cách để giúp chương trình hiệu chỉnh TCS trở nên xác thân thiện hơn, để sử dụng rộng rãi dễ dàng TÀI LIỆU THAM KHẢO CHƯƠNGTổng quan sai số trùng phùng tổng: Debertin, K and Helmer, R.G (1988).Gamma- and X-ray Spectrometry with Semiconductor Detectors, North Holland, Amsterdam, The Netherlands McFarland, R.C (1993) Coincidence-summing considerations in the calibration of extended-range germanium detectors for filter-paper counting,Radioact Radiochem., 4, 4–7 • Nghiên cứu chi tiết hơn: Sinkko, K and Aaltonen, H (1985).Calculation of the true coincidence summing correction for different sample geometries in gamma-ray spectrometry, Report STUKB-VALO 40, Finnish Centre for Radiation and Nuclear Safety, Helsinki, Finland Debertin, K and Schotig, U (1990) Bedeutung von Summationskrrektionen bei der Gammastrahlen-Spektrometne mit Germaniumdetektoren, Report F Ra-24, PhysikalischTechnische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany Debertin, K and Schotzig, U (1979) Coincidence summing corrections in Ge(Li)spectrometry at low source-to-detector distances,Nucl Instr Meth Phys Res., 158, 471–477 • Xây dựng đường chuẩn hiệu suất có sử dụng đồng vị có trùng phùng tổng: Blaauw, M (1993) The use of sources emitting coincident X-rays for determination of absolute efficiency curves of highly efficient Ge detectors, Nucl Instr Meth Phys Res., A, 332, 493–500 Blaauw, M (1998) Calibration of the well-type germanium gamma-ray detector employing two gamma-ray spectra,Nucl Instr Meth Phys Res., A, 419, 146–153 Gelsema, S.J (2001).Advanced X-ray spectrometry dealingwith coincidences and attenuation effects, phD Thesis, Interfaculty Reactor Institute, Delft University of Technology, The Netherlands Blaauw, M and Gelsema, S.J (2003) Cascade summing in gamma-ray spectrometry in Marinelli-beaker geometries: the third efficiency curve, Nucl Instr Meth Phys Res., A, 505, 311–315 • Đánh giá chương trình phân tích phổ: van Sluijs, R., Bossus, D., Blaauw, M., Kennedy, G., De Wispelaere, A., van Lierde, S and De Corte, F (2000) Evaluation of three software programs for calculating truecoincidence summing correction factors,J Radioanal Nucl.Chem., 244, 675–680 Arnold, D., Blaauw, M., Fazinic, S and Kolotov, V.P (2005) The 2002 IAEA intercomparison of software for low-level X-ray spectrometry, Nucl Instr Meth Phys Res., A, 536, 196–210 • Một số so sánh chéo NPL báo cáo: Jerome, S (1990) Environmental radioactivity measurement intercomparison exercise, Report RSA (EXT) 5, National Physical Laboratory, Teddington, UK Woods, D.H., Arinc, A., Dean, J.C.J., Pearce, A.K., Collins, S.M., Harms, A.V and Stroak, A.J (2003).Environmental Radioactivity Comparison Exercise 2002, NPL Report CAIR 1, National Physical Laboratory, HMSO, London, UK Arinc, A., Woods, D.H., Jerome, S.M., Collins, S.M., Pearce, A.K., Gillogan, C.R.D., Chari, K.V., Baker, M., Petrie, N.E., Stroak, A.J., Phillips, H.C and Harms, A.V (2004) Environmental Radioactivity Comparison Exercise 2003, NPL Report DQLRN 001, National Physical Laboratory, HMSO, London, UK • Các ứng dụng dùng GESPECOR: Sima, O and Arnold, D (2000) Accurate computation of coincidence summing corrections in low level gamma-ray spectrometry, Appl Radiat Isotopes, 53, 51–56 Arnold, D and Sima, O (2004) Application of GESPECOR software for the calculation of coincidence summing effects in special cases, Appl Radiat Isotopes, 60, 167–172 Arnold, D and Sima, O (2004) Extension of the efficiency calibration of germanium detectors using the GESPECOR software,Appl Radiat Isotopes, 61, 117–121 Sima, O., Cazan, I.L., Dinescu, L and Arnold, D (2004) Efficiency calibration of high volume samples using the GESPECOR software, Appl Radiat Isotopes, 61, 123–127 Information about the availability if GESPECOR can be found on the Internet athttp://www.matec-online.de • Hướng dẫn tính tốn đường chuẩn hiệu suất: Vidmar, T and Likar, A (2005) Calculation of total efficiencies of extended samples for HPGe detectors,Nucl Instr Meth Phys Res., A, 555, 215–254 Vidmar, T and Korun, M (2006) Calculation of LScurves for coincidence summing corrections in gammaray spectrometry, Nucl Instr Meth Phys Res., A, 556, 543–546 • Phổ kiểm tra cho phép kiểm tra hiệu chỉnh TCS: Arnold, D., Blauuw, M., Fazinic, S and Kolotov, V.P (2005) The 2002 IAEA test spectra for low-level g-ray spectrometry software, Nucl Instr Meth Phys Res., A, 536, 189–196 ... 1 085 .84 1112. 08 14 08. 01 386 .0 109.6 469.3 63.7 255.1 13.2 14.4 46.6 9.67 35.6 24 .8 30.4 38. 0 243.1 75.0 325.6 46.4 151 .8 9.51 11.0 32.7 7.26 26.4 16.9 22 .8 27.4 174.5 58. 1 301.0 44 .8 139.0 8. 62... 1.3 78 1.249 1.249 0.94 1. 182 1.2 08 Hệ số hiệu chỉnh (nhân) B2 A4 1.559 1.6 48 2. 086 1.145 1.432 2.373 1.256 1.4 38 1.177 1.709 1.79 1.079 1.0 58 1. 088 1.037 1.075 1.096 1.045 1.035 0.992 1.035 1.0 38. .. thức tốn học cần phải tính tới tự hấp thụ Bảng 8. 5 Năng lượng (keV) 152 Eu 39.91 121. 78 244.7 344. 28 411.12 443.97 7 78. 9 964.07 1 085 .84 b 1112. 08 14 08. 01 Hệ số hiệu chỉnh TCS thu phương pháp tốn

Ngày đăng: 20/03/2018, 02:59

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan