Chương TÍN HIỆU VÀ CÁC HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ 1.1 KHÁI NIỆM CHUNG VỀ TÍN HIỆU Tín hiệu biểu vật lý tin tức Trong kỹ thuật điện tử , tin tức biến đổi thành dao động điện từ điện từ Như nói cách khác tín hiệu dao động điện- từ có chứa tin tức Ví dụ mirco biến đổi tiếng nói thành dòng điện gần liên tục theo thời gian ,gọi tín hiệu âmm tần Tín hiệu điện từ sơ khai vừa nói ta gọi chung tín hiệu sơ cấp Khi nghiên cứu tín hiệu người ta thường biểu diễn hàm biến thời gian biến tần số Tuy nhiên biểu diễn tín hiệu ( điện áp dòng điện ) hàm biến thời gian thuận lợi thông dụng Nếu ta biểu diễn tín hiệu hàm s(t), t biến thời gian tín hiệu tuần hồn khơng tuần hồn s(t) = s( t + nT);n=0,± 1,± (1.1.) Khi s(t) thoả mãn điều kiện (1.1) thời điểm t s(t) tín hiệu tuần hồn với chu kỳ T ( T nhận giá trị nhỏ nhất) Nếu khơng tìm giá trị hữu hạn T thoả mãn (1.1) tức T tiến tới vô ( T→∞) s(t) u(t) tín hiệu khơng tun hon Um t T Hì nh 1.1 Đ iện áp hì nh sin Trong cỏc tớn hiu tun hồn thơng dụng tín hiệu có dạng hình sin (dao động điều hồ ) hình 1.1.Dao động biểu diễn hàm điều hoà: u u a) u t c) u b) u (t) =Um sin(ωt + ϕ) t d) t t H× nh 1.2.Các dạng xung thông dụng (1.2) õy Um , ω ϕ tương ứng biên độ, tần số góc pha ban đầu tín hiệu Với cách biểu diễn tín hiệu hàm thời gian , tín hiệu chia thành dạng dạng liên tục ( hay tương tự - analog) dạng rời rạc ( hay tín hiệu xung -digital) Trong thực tế thường sử dụng dạng xung hình 1.2 : a)xung vng ,b) xung cưa, c) xung nhọn đầu, d)xung hình thang 1.2 MỘT SỐ THƠNG SỐ VÀ ĐẶC TÍNH CỦA TÍN HIỆU 1.2.1 Phổ tín hiệu Một tín hiệu liên tục rời rạc thường gồm nhiều thành phần tần số Ví dụ tiếng nói người dao động phức tạp, gồm tần số âm thành phần hài có biên độ pha khác Tần số tiếng nói nằm khoảng 80 ÷ 1200 Hz giọng nói định Để tìm hiểu tín hiệu, người ta thường biểu diễn phụ thuộc biên độ pha tín hiệu vào tần số đồ thị Đồ thị gọi tương ứng phổ biên độ phổ pha tín hiệu a.Phổ tín hiệu tuần hồn Nếu tín hiệu s(t) tuần hoàn với chu kỳ T thoả mãn điều kiện: +∞ ∫ s(t)dt ( tức t x >t0ch , nhiệt độ đo lớn nhiệt độ chuẩn) sai lệch ∆U khuếch đại tác động vào cấu chấp hành điều chỉnh t 0x theo hướng giảm để đạt ∆U = - Nếu độ sai lệch có giá trị âm, tức ∆U = Ux - Uch < trình diễn ngược lại 18 K (ω) = U mr =− U mV a) SUV gr SU mV = −S/ Y td = −SZtd (4.91) Y td U mV C lr Cr CKS g L gt Ct Ur Ytđ= gtd+ j(ωCtd − Trong đó: ) ≈ g (1 + jξ) td ωL (4.92) Rtđ = gtd - Điện trở khung cộng hưởng tính đến tổn hao ngồi khung cộng hưởng: Rtđ = Qtđ.ρ ; Qtd = Q ρ L ;Q = ;ρ = g + gt r C 1+ r g r - điện trở tổn hao khung cộng hưởng; ξ - độ lệch cộng hưởng tổng quát ξ = Qtd.ν ; ν = ω ω − o - độ lệch cộng hưởng tương đối; ωo ω ω0 - tần số cộng hưởng K (ω) = − Như vậy: S gtd(1 + jξ) (4.93) Tại tần số cộng hưởng ω = ω0, ν = 0, ξ = nên: K o(ω) = Khi lệch cộng hưởng: 130 S = SRtd = K o gtd (4.94) K (ω) = Ko (4.95) + ξ2 Đặc tính biên độ tần số ( 4.95) đặc tính( 4.30 ) xét Dải thơng mạch khuếch đại định hệ số phẩm chất mạch ra: Qtđ; ∆F0,7 = f0 = f d td Q td dtd = ; Có thể tìm thấy hệ số chữ nhật K cn = - Tổn hao mạch Qtd ∆F0,1 ≈ 10 , nghĩa mạch có độ chọn ∆F 0,7 lọc khơng cao Nếu tải Rt ( trở kháng tầng sau) lớn, trở kháng FET Rr = lớn hệ số khuếch đại dải thơng ∆F0,7 xác định gr tham số mạch cộng hưởng g Q, lúc độ chọn lọc cao + R1 Cn1 R2 CL RL T1 c RE b a R'1 Cn2 a T2 Um b Um1 c R'2 Um2 Hì nh 4.39.a)Khuếch đ ại chọn lọc đ ơn mắ c emitơchung b)Các điện áp trªn khung céng h ëng Trong mạch khuếch đại dùng tranzistor lưỡng cực, khung cộng hưởng tầng trước ghép trực tiếp tầng sau hình 4.39 Vì trở kháng tầng sau Rt - tranzistor lưỡng cực nhỏ nhiều so với trở kháng vào FET nên hệ số phẩm chất giảm đáng kể Để giảm ảnh hưởng trở kháng vào nhỏ tầng sau đến độ chọn lọc khung cộng hưởng người ta mắc tải vào phần khung cộng hưởng (không mắc vào điểm a hình 4.39 mà mắc vào điểm b - Một phần cuộn L - cách mắc biến áp tự ngẫu).Vì trở kháng tranzisto nhỏ nên tranzisto mắc vào phần khung cộng hưởng • Gọi m1, m2 hệ số ghép tranzisto mạch ta có: m1 = U m1 Um • , m2 = U m2 Um Sơ đồ tương đương mạch hình 4.39 có dạng hình 4.40a.Từ sơ đồ tương đương hình 4.40 a đưa sơ đồ tương đương hình 4.40b với gr'=m12gr ; Cr'= m12(cr+C lr1) 131 g'r =m22(g1'+g2'+gV); Cv'=m22(cv+Clr2) Sơ đồ hình 4.40b lại đưa sơ đồ tương đương gọn hình 4.40c với Sơ đồ tương tự hình 4.38b Gtđ = g+gr'+gv' ; Ctđ = C+Cr'+Cv' U m r − m1S.U mv = m2 Ytd K= U m r = − S m m = U mv K (ω) = g td (1 + jξ ) S m1 m2 R td gtd + ξ = 2 Ytd S m1m2 Sm m ; (4.96) 1+ ξ2 Tại tần số cộng hưởng ξ=0 nên • Ko=S.m1.m2.Rtd= 132 S m1 m2 g+ m12 gr + m2 gv (4.97) Như hệ số khuếch đại tần số cộng hưởng phụ thuộc vào tham số tranzistor ( hỗ dẫn S), điện dẫn tương đương khung cộng hưởng gtđ hệ số ghép m1, m2 Hệ số đạt cực đại m 12gr + g = m22gv, tức ghép hoà hợp phụ tải Thường tổn hao khung cộng hưởng nhỏ g ≈ , g Kơ đặc tính biên độ tần số bị méo dạng ( dải thông co hẹp lại, đỉnh cực đại dịch phía trái theo trục tần số); K >> Kô mạch khuếch đại biến thành mạch tự dao động, ta nói mạch khuếch đại bị tự kích 133 Là mạch khuếch đại FET có tải hai khung cộng hưởng ghép qua điện dung Cgh.Sử dụng khung cộng hưởng ghép chế độ ghép tới hạn (xem 1.6 ) Để Khuếch tăng Khuếch tính đại chọn cơng đạilọc suấtcơng tảilàcủa khuếch suất mạch đại phảiđại khuếch đảm có phải bảo cấuđảm đưa trúcbảo phức tải đưa công tạpra tải hơn, danh suất công suất danh định khung định với cộng tảivới thường hưởng tải thường có trị ghép, số có nhỏ trị số ( vài nhỏ làchục mạch ( vài ômchục lọc đến tập ôm vài trung, ôm) đến vài mạchThường Thường ôm) lọctrong thạch khuếch anh.Hình khuếch đại 4.41 cơng đại suất cơng biên độ suất biên củađộ dòng củavà dòng áp thường áp xấp xỉ với thường xấp dòng xỉ với áp dòng cho phép ápcủa cho tranzistor, phép tranzistor, tức côngtức suất công gần suất mứcgần công suất mức cho công phép suấtcủa cho phép tranzistor tranzistor ( công( suất cơngtiêu suấttántiêu đốttán nóngnóng đốt tranzistor) tranzistor) và xấp xỉxấp vớixỉ côngcông với suất tiêu suấtthụ tiêunguồn thụ nguồn chiều chiều cho hệ số chữ nhật tốt khung cộng hưởng đơn Biểu thức hệ số khuếch đại ghép tới hạn có dạng: K (ω) = ISI gtd + ξ = K0 + ξ4 (4.100) Nếu so sánh hệ số khuếch đại tần số cộng hưởng mạch khuếch đại dùng khung cộng hưởng ghép với khung cộng hưởng dùng khung đơn trị số khuếch đại dùng khung ghép nhỏ hai lần dải thông lại rộng lần 4.12 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT Các tham số quan trọng đặc trưng cho khuếch đại công suất η%, công suất (đưa tải), hệ số méo phi tuyến tín hiệu ra, méo tuyến tính Cơng suất xoay chiều đưa tải colectơ tính qua biên độ dòng điện điện áp colectơ: P~ = 0,5.UCm ICm (4.101) Cơng suất tính theo cơng thức: P~ = 0,5.Ψ ICo χ Eo (4.102) I Cm Trong ψ - hệ số sử dụng dòng điện, ψ = , I Co - thành phần I Co chiều dòng colectơ ( phân tích dòng colectơ thành chuỗi Furie), χ - hệ số sử dụng điện 4.12 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT Các tham số quan trọng đặc trưng cho khuếch đại công suất η%, công suất (đưa tải), hệ số méo phi tuyến tín hiệu ra, méo tuyến tính Cơng suất xoay chiều đưa tải colectơ tính qua biên độ dòng điện điện áp colectơ: P~ = 0,5.UCm ICm (4.101) 134 Cơng suất tính theo cơng thức: P~ = 0,5.Ψ ICo χ Eo (4.102) I Cm , ICo - thành phần I Co chiều dòng colectơ ( phân tích dòng colectơ thành chuỗi Furie), χ - hệ số U sử dụng điện áp, χ = cm , E0 - điện áp nguồn chiều Như hiệu suất E0 0,5ψI c0 χE η= = 0,5ψχ ; η % = 0,5ψχ.100 I c0 E Từ (4.102)ta thấy hiệu suất tầng khuếch đại phụ thuộc vào hệ số sử dụng dòng điện điện áp Có thể chứng minh tồn giá trị tối ưu điện trở tải Rt opt ứng với giá trị cực đại của tích ψ.χ Trong thực tế trở tải Rt thường khác với tải tối ưu Rt opt nên không thường mắc trực tiếp tải vào colectơ tranzisto mà mắc qua biến áp Lúc hệ số biến áp n biến áp R t pt n = Công suất PC cơng suất đốt nóng colectơ tranzisto, hiệu Rt công suất tiêu thụ nguồn P0 cơng suất xoay chiều P~ Trong ψ - hệ số sử dụng dòng điện, ψ = PC= P0 - P~ , η = P~ P ; PC = P0 - P~ = P0(1 - ~ ) = P0(1 - η) P0 P0 P0 P (1 − η) − 1) = P~ hayP~ = C P~ η 1− η Như công suất gắn liền với hiệu suất η, nâng cao hiệu suất η cơng suất xoay chiều lớn 4.12.1 Tầng khuếch đại công suất đơn dùng biến áp làm việc chế độ A Sơ đồ nguyên lý trình bày hình 4.41 Trong sơ đồ thực tế nguồn U CC đặt tồn lên colectơ tranzisto điện trở r dòng chiều IC nhỏ Điện trở tải Rt phản W1 , Rt ánh sang cuộn sơ cấp biến áp thành R t = , n hệ số biến áp n = W2 n ; W1, W2 - số vòng cuộn sơ cấp cuộn thứ cấp Khi làm việc chế độ A biên độ dòng ImC nhỏ dòng chiều IC0, biên độ điện áp UmC nhỏ UC0 nên ψ , χ nhỏ 1, tức hiệu suất η < 50% ( theo lý thuyết) = P~( 135 Thực tế hiệu suất đạt vài phần trăm tăng hiệu suất méo tăng Hiệu suất thấp nhược điểm chế độ A, tầng cơng suất chế độ sử dụng Méo tần số tầng lý xét khuếch đại điện trở, nguyên nhân biến áp Để tăng tần số giới hạn cần giảm điện cảm tiêu tán biến áp, để mở rộng vùng tần số thấp cần tăng điện cảm cuộn sơ cấp biến áp Méo phi tuyến gây nên lõi sắt từ biến áp làm việc miền bão hoà từ Ta xét quan hệ cụ thể tầng khuếch đại cơng suất đơn có biến áp hình 4.41 theo đồ thị đặc tuyến tương tự khuếch đại điện trở làm việc chế độ A (Hình 4.42) Đồ thị trình bày phương pháp mặt phẳng phân tích khuếch đại Từ đồ thị đặc tuyên ta thấy đường tải chiều qua điểm điểm U0 dốc, thẳng đứng tải chiều điện trở cuộn sơ cấp biến áp nhỏ Phía trái đồ thị dòng colectơ biến thiên hình sin ,phía đồ thị điện áp coletơ biến thiên hình sin Tải xoay chiều quay cuộn sơ cấp biến áp là: rt~ = r1 + n2( Rt + rr ) ≈ n2Rt (4.103) Trong r1, r2 - điện trở ( dây cuốn) cuộn sơ cuộn thứ biến áp, n= W1 , hệ số biến áp, W1, W2 - số vòng dây cuộn sơ cuộn thứ biến W2 áp Để chọn toạ độ tĩnh IC0, UC0 phải xác định UCm, ICm Các tham số xác định sau: công suất xoay chiều P~ cuộn sơ cấp biến áp ( mạch colectơ tranzistor) là: P~ = Pt η ba ( 4.104) ηba = 0,8 ÷ 0,95 - hiệu suất biến áp 136 Q Icm Tín hiệu coi hình sin Icm thì: I cm cm = U C = R t~ 2 U Cm U Cm = (4.105) 2R n R t~ t Từ đó: P = ~ U o H Uc0 Ucm η= Ucmax Ucm U Cm UIc2cm.η ba = P~R t Pt R t (4.106) Chọn UCm theo trị số điện áp dư UCE cho UCE0 ≈ UCC, từ xác định: ICm = UCm / ( n2Rt) Sau tìm điểm cơng tác tĩnh U CE0 ≈ UC, ICm ≈ IC dựng đường tải động với góc nghiêng : R t~ = ∆U CE ∆I C Chọn tranzistor phải ý đến đIều kiện sau: IC cho phép > IC + ICm UCE cho phép > UCE0 + UCm ≈ 2UCC PC cho phép > PC = UC IC Theo hình (4.42) : P~ = ( 4.107) ( 4.108) ( 4.109) U CmI Cm diện tích tam giác OQH Theo IC tìm IB0 tính R1, R2 mục 4.5 Hiệu suất tầng khuếch đại η = ηc.ηba ;ηc - hiệu suất mạch colectơ Ở chế độ A khơng có tín hiệu P~ = PC = P0 nên cần chọn chế độ nhiệt tranzistor theo P0 để bảo đảm tranzistor không bị hư 4.12.2 Khuếch đại công suất đẩy kéo có biến áp Để tăng hiệu suất tầng để tranzistor làm việc chế độ A mà làm việc chế độ B chế độ AB Khi làm việc chế độ B tín hiệu đầu vào khơng dòng colectơ không, nên lúc công suất P O tiêu hao nguồn không, hiệu suất tăng Tuy nhiên làm việc chế độ B AB tín hiệu tồn phần chu kỳ nên méo phi tuyến lớn Để giảm méo dùng hai tranzistor mắc đẩy kéo.Xét sơ đồ nguyên lý hình 4.43a 137 Ở biến áp BA1 biến áp đảo pha ,tạo hia điẹn áp có biên độ ngược pha để kích vào bazơ hai tranzistor BA biến áp Hai tranzisto T T2 mắc đẩy kéo Mạch colectơ mạch tranzisto mắc với nửa cuộn sơ cấp biến áp Tỷ số biến áp n = w1/w2 = w1'/ w2 ( w1 = w1') Nếu tầng làm việc chế độ AB Rb1, Rb2 đảm bảo thiên áp cho chế độ này.Nếu tầng làm việc chế độ B không cần định thiên ; R b1, Rb2 lúc có tác dụng để bảo đảm công tác cho mạch vào tranzisto chế độ gần với chế độ nguồn dòng Xét sơ đồ làm việc chế độ B Khi khơng có tín hiệu vào điện áp bazơ hai tranzisto so với emitơ không Nếu ta bỏ qua dòng ngược colectơ coi dòng điện tầng không, điện áp tải khơng Trên colectơ tranzistor có điện áp xấp xỉ E0 Khi có tín hiệu vào, giả sử nửa chu kỳ đầu dương T thơng khuếch đại, T2 tiếp tục đóng Trên cuộn w1 tạo nên đIện áp Uw1 = iC1 Rt~ = iC1.n22.Rt = β.iB1.n22.Rt Trên tải Rt có điện áp U r = Uw1/n2 Khi tín hiệu chuyển sang nửa chu kỳ âm T đóng lại, T2 thông khuếch đại, iC2 = βiB2 Điện áp w1' trị số với Uw1 hai tranzisto hệt nhau, ngược pha nên tạo nên tải điện áp bán chu kỳ âm Hình 4.43b mơ tả nửa chu kỳ tranzisto Đường tải xoay chiều với Rt~ = n22.Rt dựng điểm UCE0 = E0 IC = I0 ≈ Từ ta có: P~ = 1/2UCm.ICm η U I (4.112) Pt = ηba P~ = ba mc mc Trị số trung bình dòng tiêu thụ nguồn IO xác định theo thành phần chiều chuỗi Furie nửa chu kỳ: 1π I IC TB = I = ∫ I sin θ dθ = (4.113) π0 π Công suất nguồn tiêu thụ P0 là: 2I E Po = I E = mc (4.114) π Cm Cm Hiệu suất mạch colectơ : ηc = P~ U cm.I cm I cmE o π U cm = /2 = Po π E0 (4.115) Hiệu suất tầng khuếch đại là: π U η = η c η ba2 = η ba2 cm Eo 138 (4.116) Nếu chọn điện áp dư ∆UCE nhỏ hiệu suất lớn Nếu coi π ηba2 ≈ , UC ≈ EO η = = 0,785 Thực tế η đạt 0,6 – 0,7, lớn gấp 1,5 lần so với tầng khuếch đại đơn Công suất tiêu tán colectơ tranzistor I E 1 E0 Pc = Po − P~ = Cm o − I CmU Cm = [ U cm − U 2cm] π R t~ π (1.117) Theo (4.117) cơng suất tiêu tán phụ thuộc vào U Cm Lấy đạo hàm (4.117) theo UCm tìm cực ta có PCmax đạt UCm= UCm* = 2EO/π = 0,64EO và: Pc max E o2 = 2 π η2 R t (4.118) 139 a) Ib T1 ib(t) Cần ý chọn tranzisto theo công suất mà phải chọn theo điện áp Biên độ điện áp cuộn sơ cấp UCm ≈ EO nên điện áp ngược đặt lên tranzisto khoá EO + UCm ≈ 2EO Ở chế độ B ,theo lý thuyết, không UBE áp cực B, tức UBE = cần đặt thiên T2 Tuy nhiên đoạn đầu đặc tuyến vào tranzistor đoạn khơng tuyến tính ( dòng bazơ nhỏ) nên méo phi tuyến tăng, gọi méo gốc ( hình 4.44a) Ib T1 Ở đặc ibtuyến vào (t) b) hai tranzistor vẽ chung đồ thị Từ hình UBE 4.44a ta thấy uV T2 hình sin iB khơng phải hình sin iB gần gốc toạ độ, dòng i C H× nh4.44 Đặ c tuyế n cng s khỏc dng hỡnh sin ch khuế ch đ ại đ ẩy kÐ độ A tượng khơng ocó a) chÕ ® é Bbỏ đoạn dòng iB tĩnh đủ lớn để loại b) chÕ ® é AB gốc toạ độ Muốn giảm méo gốc phải 4.11.3.Khuếch đại công suất chuyển sang làm việc chế độ AB đẩy kéo không biến áp cặp điện trở định thiên R1R2 Đặc tuyến vào hai tranzistor có định thiên UBO vẽ chung đồ thị hình4.44b Ở chọn UBO, IBO ICO nhỏ nên công thức chế độ B cho chế chế độ AB Trong sơ đồ khuếch đại công suất xét dùng biến áp để phố hợp trở kháng tải với tranzisto để có công suất lớn , hiệu xuất cao Nếu tranzisto có hỗ dẫn S lớn mắc tải trực tiếp vào colecto tranzisto(trở kháng tải nhỏ tới mức vài ôm),nghĩa không cần biến áp.Mạch khuếch đại không biến áp đơn thường mắc theo sơ đồ lặp emitơ để dễ phối hợp trở kháng.Trở kháng mạch lặp emitơ cỡ 1/S ;khi S đủ lớn mắc tải nhỏ.Tuy nhiên công suất cỡ vài chục đến vài trăm mW trở lên khơng nên mắc lặp emitơ mạch có hiệu xuất nhỏ.Các mạch khuếch đại khơng biến áp thường mắc theo sơ đồ đẩy kéo,làm việc chế độ B AB.Mạch dùng tranzisto khác loại loại 140 Để tránh phiền phức lựa chọn thay Tranzitor khác loại lại đồng tham số, sử dụng hai Tranzitor loại hình 4.45a Ở có tầng khuếch đại đảo pha T tạo điện áp biên độ ngược pha để kích thích cho T T2 mắc đẩy kéo Ở khuếch đại đẩy kéo, Tranzitor T1 mắc colectơ chung, tranzitor T2 mắc Emitơ chung Từ ta thấy dòng Emitơ T1 coi xấp xỉ bằn dòng Colectơ T 2thì dòng chiều qua điện trở tải Rt coi khơng,tức qua tải có dòng xoay chiều tần số tín hiệu Vì mắc nối tiếp với tải mộ tụ C t ,và luc dùng ngùơn mắc nh sơ đồ hình 4.45b.Trong hai sơ đồ phải có tần khuếch đại đảo pha T3 141 Mạch điện hình 4.45c tương tự mạch hình 4.45b tầng khuếch đại đảo pha không dùng biến áp mà dùng khuếch đại điện trở lấy hai điện áp cực C cực E ta gọi tương ứng U C UE(so với điểm mát).Với cách lấy tầng T3 gọi tầng đảo pha phân tải.Thật ta chọn RC≈ RE điện áp tín hiệu RC có biên độ UCm =ICm.RC,điện áp RE có biên độ UEm=IEmRE.Vì IEm≈ Icm nên UCm≈ UEm ;mặt khác điện áp ngược pha (vì điện áp cực C ngược pha với điện áp vào,điện áp cực E đồng pha với điện áp ).Như tầng dẩo pha phân tải tạo điện áp biên độ ngược pha tầng đảo pha có biến áp Tuy nhiên tầng khơng khuếch đại điện áp UEm≈ UVm= UBm.Hai điện áp từ cực C E đưa tới cực B tranzisto tương ứng qua hai tụ nối tầng C n1và Cn2.Hai tranzisto T1 T2 định thiên riêng tương ứng R b1-Rb2 R’b1-R’b2 Mạch T1 T2 mắc mạch hình 4.45b Mạch điện hình 4.45d mạch đẩy kéo dùng hai loại bóng khác tính với T tranzisto ngược,T2-thuận,dùng nguồn đối xứng(hai nguồn riêng biệt).Do hai tranzisto khác loại nên chúng cùngđược kích thích điện áp lấy từ cực C tầng T3(bazơ T1 T2 với nối với đầu tầng T 3).Mạch sơ đồ dùng hai nguồn hình 4.45a,tuy nhiên dùng nguồnMạch hình 4,45e.Cần lưu ý mắc hai tranzisto phải có tham số đặc tuyến giống Khi làm việc chế độ B khơng có tín hiệu vào, hai tranzisto đóng,điện áp colectơ E 0/2 (so với mát),dòng qua tải không,sụt áp tải không Khi đưa vào tín hiệu hình sin hai tranzisto xen kẽ đóng mở , dòng colectơ dòng hình sin với độ rộng nửa chu kỳ(góc cắt θ=900) ;dòng điện tranzisto có chiều ngược nhau,dòng qua tải tổng nên có dạng hình sin Trong mạch khuếch đại cơng suất khơng biến áp ổn định nhiệt mạch bù mạch hồi tiếp âm mạch khuếch đại xét Người ta dùng điot, tranzitor điện trở nhiệt để bù T1 E 01 nhiệt Ví dụ hình 4.46 khuếch đại đẩy kéo với đầu vào T1 T2 đấu với hai điot D1 D Rt D2 vừa định thiên tạo chế độ AB, vừa bù D nhiệt Hai diot phân cực thuận ,sụt áp chúng đặt điểm công tác cho hai T2 E 02 tranzisto.Điện áp phân cực cho T1 T2 để tạo UB0 điện áp thuận sụt D D2, UB1,B2 = Hì nh 4.46 (1,1ữ 1,2)V v cú h s nhiệt âm(-1mA/ 0C) để bù lại tăng dòng IC theo nhiệt độ Ngồi 142 tạo hồi tiếp âm ổn định nhiệt cho T T2.Sự làm việc sơ đồ tương tự hình 4.45d Cuối cần nhấn mạnh rằng,trong mạch khuếch đại cơng suất lớn,để tăng khả chịu dòng tranzisto,các tranzisto cơng suất mắc song song Ngồi lắp cánh toả nhiêt để tăng độ bền tranzisto 143 144 ... biên độ tín hiệu tu n hồn trên.Chúng gồm vạch phổ biên độ theo trục tung nên người ta gọi phổ vạch phổ tuyến tính.Từ ta thấy với sóng hài bậc cao biên độ giảm b.Phổ tín hiệu khơng tu n hồn Khi tín... hiệu vơ tuyến điện(tín hiệu VTĐ) Tín hiệu khuếch đại cho đủ lớn để phát vào môi trường truyền tin Môi trường không gian thơng tin vơ tuyến điện, mơi trường đường dây - thông tin hữu tuyến điện... nơi nhận tin lập thành kênh thơng tin.Kênh thơng tin chiêù hai chiều,có thể hưũ tuyến vơ tuyến kết hợp vô-hữu tuyến 16 Hệ hthống thông tin quảng bá xây dựng theo sơ đồ khối hình1.5 có đặc điểm