ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN NGỌC TÚ CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU NANO Zn2SnO4 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2014 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - NGUYỄN NGỌC TÚ CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU NANO Zn2SnO4 Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 60440104 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS NGUYỄN DUY PHƯƠNG Hà Nội - 2014 LỜI CAM ĐOAN Những kết thể luận văn kết lao động thân, kết tìm trình làm việc học tập Trung tâm Khoa học Vật liệu trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội từ tháng 07 năm 2013 đến tháng 12 năm 2013 Các kết chưa công bố công trình nghiên cứu người khác Kết luận văn thực theo hướng nghiên cứu đề tài "NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU HUỲNH QUANG PHA ĐẤT HIẾM TRÊN CƠ SỞ LaPO4, Zn2SnO4”, Mã số QGTĐ 13.04 Một số kết luận văn thực thiết bị Dự án Khoa học Công nghệ Nano, Đại học Quốc gia Hà Nội LỜI CẢM ƠN Trước trình bày nội dung luận văn, xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới TS Nguyễn Duy Phương – giảng viên Học viện Kỹ thuật Mật mã PGS.TS Nguyễn Ngọc Long - Trung tâm Khoa học Vật liệu - Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, người tận tình hướng dẫn thực nội dung luận văn Cùng toàn thể thầy cô giáo khoa Vật lý, thầy cô môn Vật lý Chất rắn - Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội dạy bảo tận tình suốt trình học tập trường Tôi xin cảm ơn thầy cô Trung tâm Khoa học Vật liệu – Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, tạo điều kiện thuận lợi cho trình tạo mẫu phân tích mẫu Cảm ơn ThS Nguyễn Duy Thiện – người mà học hỏi nhiều kỹ quan trọng trình làm thí nghiệm Tôi xin chân thành cảm ơn đề tài "NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU HUỲNH QUANG PHA ĐẤT HIẾM TRÊN CƠ SỞ LaPO4, Zn2SnO4”, Mã số QGTĐ 13.04 Nhân dịp xin gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình, bạn bè, đồng nghiệp bên tôi, cổ vũ, động viên, giúp đỡ trong trình làm luận văn Tác giả luận văn Nguyễn Ngọc Tú MỤC LỤC LỜI NÓI ĐẦU CHƯƠNG - TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ZTO .4 1.1 Cấu trúc hình thái vật liệu ZTO 1.1.1 Cấu trúc mạng tinh thể .4 1.1.2 Hình thái .6 1.2 Tính chất quang 1.3 Tính chất quang xúc tác .10 1.4 Ứng dụng 11 1.5 Một số phương pháp thực nghiệm chế tạo ZTO 13 1.6 Các chế hấp thụ phát quang 15 1.6.1 Cơ chế hấp thụ quang .16 1.6.2 Cơ chế phát quang 19 CHƯƠNG - CÁC PHƯƠNG PHÁP VÀ KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM .21 2.1 Phương pháp thủy nhiệt chế tạo ZTO 21 2.2 Các phương pháp phân tích 22 2.2.1 Phân tích cấu trúc phổ nhiễu xạ tia X 22 2.2.2 Phép đo huỳnh quang .26 2.2.3 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 27 2.2.4 Phổ hấp thụ quang học (UV – Vis) 30 2.2.5 Phép đo phổ tán xạ Raman .32 CHƯƠNG - KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 34 3.1 Cấu trúc hình thái ZTO 34 3.1.1 Phổ XRD, phổ tán sắc lượng (EDS) phổ tán xạ Raman .34 3.1.2 Tính số mạng a 38 3.1.3 Tính kích thước hạt tinh thể .40 3.2 Ảnh SEM mẫu ZTO chế tạo .41 3.3 Ảnh hưởng tỷ lệ mol Zn/Sn lên hình thành pha ZTO .41 3.4 Ảnh hưởng nồng độ NaOH lên hình thành pha ZTO .43 3.5 Ảnh hưởng nhiệt độ chế tạo lên hình thành pha tinh thể ZTO .44 3.6 Ảnh hưởng thời gian thủy nhiệt lên hình thành pha ZTO 46 3.7 Tính chất quang ZTO 48 DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1 Phổ XRD mẫu ZTO chế tạo phương pháp thủy nhiệt [4] Hình 1.2 Cấu trúc lập phương tinh thể ZTO [12] .5 Hình 1.3 Phổ tán xạ Raman ZTO [13] Hình 1.4 Ảnh TEM (a, b) ảnh SEM (c) tinh thể nano ZTO chế tạo phương pháp thủy nhiệt [19] Hình 1.5 Ảnh SEM dây nano ZTO [17] Hình 1.6 Ảnh TEM nano ZTO tinh thể nano ZTO [19] Hình 1.7 Đồ thị phụ thuộc (ahυ)2 vào hυ ZTO [19] Hình 1.8 Phổ huỳnh quang ZTO kích thích bước sóng 280 nm [17] Hình 1.9 Phổ huỳnh quang PL ZTO nhiệt độ phòng [9] 10 Hình 1.10 Phổ hấp thụ chất màu MO pha thêm ZTO .11 Hình 1.11 Ứng dụng ZTO sensor phát khí, độ ẩm [19] .12 Hình 1.12 Pin mặt trời với điện cực ZTO 13 Hình 1.13 Một số chuyển dời điện tử hấp thụ quang: 17 Hình 1.14 Bán dẫn vùng cấm thẳng [1] 18 Hình 1.15 Bán dẫn vùng cấm xiên [1] 18 Hình 1.16 Các trình hấp thụ phát quang tinh thể [1] 19 Hình 2.1 Giản đồ phương pháp phân tích tia X 23 Hình 2.2 Cấu tạo máy ghi tín hiệu nhiễu xạ đầu thu xạ .23 Hình 2.3 Nhiễu xạ kế tia X SIEMENS D5005, Bruker, Đức .24 Hình 2.4 Hệ quang học phổ kế huỳnh quang FL3-22 26 Hình 2.5 Máy đo huỳnh quang – Hệ FL3-22 27 Hình 2.6 Sơ đồ nguyên lý tương tác điện tử với vật liệu: 28 Hình 2.7 Sơ đồ nguyên lý kính hiển vi điện tử quét 28 Hình 2.8 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) JSM 5410 30 Hình 2.9 Sơ đồ nguyên lý hoạt động hệ quang học phổ kế UV 2450 PC (WI: Đèn halogen; D2: Đèn dơteri; G: Cách tử; PM: Ống nhân quang điện; S1, S2: Khe vào, ra; W: Cửa sổ thạch anh; F: Kính lọc; M1-M10: Gương; CP: Ngắt tia .31 Hình 2.10 Phổ kế UV-Vis UV 2450 PC, Shimadzu, Nhật Bản 32 Hình 2.11 Thiết bị đo phổ tán xạ Raman Labram HR800 hãng Horiba 33 Hình 3.1 Phổ XRD mẫu ZTO .34 Hình 3.2 Phổ tán sắc lượng .35 Hình 3.3 Phổ Raman mẫu chế tạo với điều kiện công nghệ thời gian tạo mẫu 15 h, 20 h, 25 h 35 Hình 3.4 Phổ Raman mẫu ZTO 36 Hình 3.5 Phổ tán xạ Raman mẫu ZTO mẫu ZnSnO3 37 Hình 3.6 Phổ Raman ZTO ủ nhiệt chưa ủ nhiệt 38 Hình 3.7 Đồ thị phụ thuộc (h2+k2+l2)1/2 theo1/dhkl mẫu ZTO 39 Hình 3.8 Ảnh SEM mẫu ZTO 41 Hình 3.9 Phổ XRD mẫu chế tạo có tỷ lệ mol Zn:Sn khác nhau: 42 Hình 3.10 Phổ XRD mẫu chế tạo với nồng độ NaOH khác 43 Hình 3.11 Phổ XRD mẫu ZTO chế tạo nhiệt độ khác .45 Hình 3.12 Phổ XRD mẫu ZTO có thời gian chế tạo khác nhau: 46 Hình 3.13 Phổ hấp thụ UV – Vis mẫu ZTO .48 Hình 3.14 Phổ huỳnh quang phổ kích thích huỳnh quang ZTO ZnSnO3 49 Hình 3.15 Phổ huỳnh quang kích thích bước sóng 370 nm mẫu chế tạo nhiệt độ 140 oC (a2); 160 oC (a1); 180 oC (a3); 200 oC (a4) 51 Hình 3.16 Phổ huỳnh quang mẫu ZTO sau ủ nhiệt không khí .52 Hình 3.17 Phổ huỳnh quang mẫu ZTO ủ nhiệt độ 700 oC 53 DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng Bảng giá trị d hkl h + k  l 39 o 4000 o 140 C o 160 C o 180 C o 200 C x ZTO 3500 o ZnSnO3 Cuong (d.v.t.y) 3000 o 2500 o 2000 o o 1500 x o o o o oo o 1000 500 x x 10 20 30 x x x 40 50 x 60 70 2theta (do) Hình 3.11 Phổ XRD mẫu ZTO chế tạo nhiệt độ khác Hình 3.11 phổ XRD mẫu ZTO chế tạo với điều kiện công nghệ nhiệt độ khác từ 140 oC đến 200 oC Từ phổ XRD ta thấy mẫu chế tạo với điều kiện tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, thời gian thủy nhiệt 20 h nhiệt độ chế tạo khác phổ XRD có khác biệt rõ rệt, mẫu chế tạo nhiệt độ thủy nhiệt 140 oC 160 oC 180 oC sản phẩm kết tinh ZTO ZnSnO3 phần lớn ZnSnO3 đó, mẫu chế tạo nhiệt độ 200 oC cho kết tinh ZTO Nguyên nhân điều ZTO phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ thủy nhiệt, nhiệt độ cao hình thành ZTO thực qua phản ứng ZnSn(OH)6 + Zn(OH)42- → Zn2SnO4↓ + 4H2O + 2OHVới mẫu chế tạo nhiệt độ thủy nhiệt 140 oC 160 oC 180 oC sản phẩm tạo ZnSn(OH)6, nhiên ZnSn(OH)6 không bền nên tiếp tục phân hủy thành ZnSnO3 theo phương trình sau: ZnSn(OH)6 → ZnSnO3↓ + 3H2O Sau khảo sát quy trình công nghệ khác nhau, nhận thấy với mẫu chế tạo điều kiện nhiệt độ 200 oC, tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M với thời gian thủy nhiệt 20 h cho kết tốt 45 3.6 Ảnh hưởng thời gian thủy nhiệt lên hình thành pha ZTO Sử dụng mẫu ZTO chế tạo với điều kiện tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M, thủy nhiệt nhiệt độ 200 oC với thời gian thủy nhiệt khác để khảo sát ảnh hưởng thời gian thủy nhiệt đến hình thành tinh thể ZTO 2000 1800 1600 Cuong (d.v.t.y) 1400 1200 1000 800 600 (a2) 400 200 (a1) -200 10 20 30 40 50 60 70 CUong (d.v.t.y) 2theta (do) 1700 1600 1500 1400 1300 1200 1100 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 -100 10 (a5) (a3) (a4) 20 30 40 50 60 70 2theta Hình 3.12 Phổ XRD mẫu ZTO có thời gian chế tạo khác nhau: (a1) h, (a2) 10 h, (a3) 15 h, (a4) 20 h, (a5) 25 h 46 Hình 3.12 phổ XRD mẫu ZTO chế tạo với điều kiện tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nhiệt độ thủy nhiệt 200 oC với khoảng thời gian thủy nhiệt khác từ h đến 25 h Các mẫu thủy nhiệt thời gian từ 15 h đến 25 h cho kết tinh ZTO Ta thấy với thời gian chế tạo 25 h mẫu ZTO kết tinh mạnh nhất, cường độ đỉnh nhiễu xạ phông lớn Từ Hình 3.12 ta thấy độ rộng đỉnh nhiễu xạ mẫu chế tạo với khoảng thời gian khác thay đổi không đáng kể Với mẫu thủy nhiệt khoảng thời gian 10 h h sản phẩm tạo chủ yếu ZnSnO3 Ban đầu sản phẩm tạo ZnSn(OH)6, nhiên ZnSn(OH)6 không bền nên tiếp tục phân hủy thành ZnSnO3: Zn2++ Sn4+ +6OH- → ZnSn(OH)6↓ ZnSn(OH)6 → ZnSnO3↓ + 3H2O Nếu tiếp tục tăng thời gian thủy nhiệt lên ZnSn(OH)6 tiếp tục chuỗi phản ứng để tạo thành ZTO: ZnSn(OH)6 + Zn(OH)42- → Zn2SnO4↓ + 4H2O + 2OHNhư với thời gian thủy nhiệt lớn 15 h mẫu thu ZTO Tuy nhiên, với thời gian thủy nhiệt 15 h mẫu thu lẫn nhiều tạp chất Các mẫu ZTO chế tạo với thời gian thủy nhiệt 20 h 25 h kết tinh tốt tạp chất Với thời gian thủy nhiệt dài mẫu kết tinh mạnh, dẫn đến kích thước hạt tinh thể lớn thế, để nhận mẫu kết tinh với kích thước hạt không lớn nên chọn thời gian thủy nhiệt vào khoảng 20 h Vậy để sử dụng phương pháp thủy nhiệt kết tinh tạo mẫu ZTO cần khoảng thời gian dài Sau khảo sát hình thành tinh thể ZTO với thời gian thủy nhiệt khác ta thấy mẫu chế tạo với tỷ lệ ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M, nhiệt độ thủy nhiệt 200 oC thời gian 20 h cho ta kết tốt 47 Sau tìm điều kiện chế tạo tỷ lệ tối ưu cho tiền chất việc chế tạo mẫu ZTO, tiến hành chế tạo mẫu chuẩn chuyển sang giai đoạn nghiên cứu tính chất vật liệu 3.7 Tính chất quang ZTO Phổ hấp thụ lượng UV-Vis Hình 3.13 Phổ hấp thụ UV – Vis mẫu ZTO chế tạo điều kiện nhiệt độ 200 oC, tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M với thời gian 20 h Hình 3.13 phổ hấp thụ UV-Vis mẫu ZTO chế tạo điều kiện nhiệt độ 200 oC, tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M với thời gian thủy nhiệt 20 h Khảo sát phổ hấp thụ ZTO nhận thấy ZTO có bờ hấp thụ bước sóng 341 nm từ đồ thị phụ thuộc (ahν)2 theo hν, xác định độ rộng vùng cấm Eg = 3.62 eV Kết phù hợp so với số kết công bố giới [14,15,17,19] 48 Phổ huỳnh quang kích thích huỳnh quang: 6000000 596 nm 327nm a) Cuong (d.v.t.y) 662 nm cuong (d.v.t.y) b) 4000000 4000000 3000000 2000000 1000000 2000000 450 500 550 600 300 650 350 400 a) Phổ huỳnh quang ZTO chế tạo 20 h 500 b) Phổ kích thích huỳnh quang mẫu ZTO 3500000 374nm 567,5 nm 14000000 450 buoc song (nm) buoc song (nm) 3000000 12000000 2500000 cuong (d.v.t.y) Cuong (d.v.t.y) 10000000 8000000 6000000 4000000 2000000 1500000 1000000 500000 2000000 0 450 500 550 600 650 300 350 400 450 500 buoc song (nm) buoc song (nm) d) Phổ kích thích huỳnh quang c) Phổ huỳnh quang ZnSnO3 ZnSnO3 Hình 3.14 Phổ huỳnh quang phổ kích thích huỳnh quang ZTO ZnSnO3 Hình 3.14a phổ huỳnh quang mẫu ZTO chế tạo điều kiện nhiệt độ 200 oC, tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M với thời gian thủy nhiệt 20 h, bước sóng kích thích 370 nm 49 Hình 3.14b phổ kích thích huỳnh quang mẫu ZTO chế tạo điều kiện nhiệt độ 200 oC, tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M với thời gian 20 h đo bước sóng 540 nm Hình 3.14c phổ huỳnh quang ZnSnO3, phổ huỳnh quang có đỉnh bước sóng 567,5 nm, dựa vào đặc điểm giúp ta phát mẫu chế tạo có lẫn ZnSnO3 hay không Nhận thấy mẫu ZTO thu hoàn toàn không lẫn ZnSnO3 Hình 3.14d phổ kích thích huỳnh quang ZnSnO3 chế tạo nhiệt độ 140 oC Ta thấy phổ huỳnh quang xuất hai đỉnh phát quang bước sóng khoảng 596 nm 662 nm Cơ chế phát quang ZTO chưa rõ ràng, đỉnh huỳnh quang vùng ánh sáng cam (596 nm) có khả có mặt nút khuyết oxy điền kẽ oxy Đỉnh huỳnh quang vùng ánh sáng đỏ (662 nm) mà quan sát nút khuyết cation (VZn, VSn) gây Sự tương tác nút khuyết oxy nút khuyết cation (Zn2+ Sn4+) tạo loạt mức lượng siêu bền vùng cấm, kết gây tín hiệu huỳnh quang ZTO nhiệt độ phòng Do tương tác phức tạp nên khó để làm rõ chế phát quang cách chi tiết Để tìm hiểu nguyên nhân tạo đỉnh huỳnh quang bước sóng 596 nm tiến hành khảo sát phổ huỳnh quang mẫu ủ nhiệt không khí nhiệt độ khác 50 Cuong (d.v.t.y) 14000000 (a1) 12000000 (a2) 10000000 (a3) 8000000 (a4) 596 nm 6000000 4000000 2000000 662 nm 450 500 550 600 650 buoc song (nm) Hình 3.15 Phổ huỳnh quang kích thích bước sóng 370 nm mẫu chế tạo nhiệt độ 140 oC (a2); 160 oC (a1); 180 oC (a3); 200 oC (a4) Hình 3.15 phổ huỳnh quang mẫu chế tạo với điều kiện tỷ lệ mol ZnSO4:SnCl4=10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M nhiệt độ chế tạo mẫu thay đổi, nhiệt độ 140 oC, 160 oC 180 oC a1, a2, a3, 200 oC a4 Từ phổ huỳnh quang ta thấy đỉnh huỳnh quang bước sóng 662 nm không thay đổi qua mẫu tạo nhiệt độ 140 oC, 160 oC 180 oC mà sản phẩm ZnSnO3, ZTO tạo 200 oC Nhưng so sánh đỉnh huỳnh quang bước sóng 596 nm dễ dàng nhận thấy có dịch đỉnh huỳnh quang Qua ta kết luận xuất đỉnh huỳnh quang ZTO bước sóng 596 nm ảnh hưởng nguyên tử oxy điền kẽ Trong nhiều tài liệu công bố chưa khẳng định chắn chế phát quang ZTO vùng ánh sáng cam (596 nm) Vấn đề đặt nguồn gốc dải xạ màu cam có mặt nút khuyết oxy hay nguyên tử oxy điền kẽ? Để nghiên cứu kỹ vấn đề tiến hành ủ nhiệt không khí mẫu ZTO, từ khảo sát phổ huỳnh quang mẫu sau ủ 51 Mẫu chế tạo với điều kiện công nghệ: 10 mmol ZnSO4.7H2O, 6,25 mmol ZnCl4.5H2O, NaOH M nhiệt độ thủy nhiệt 200 oC, thời gian thủy nhiệt 20 h Sau rửa chia làm phần, ủ nhiệt không khí 700 oC, 900 oC, Cuong (d.v.t.y) 1100 oC thời gian ủ h, tốc độ tăng nhiệt 50 oC/phút 900 850 800 750 700 650 600 550 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 o (b1) 700 o (b2) 900 o (b3) 1100 (b3) (b2) (b1) 450 500 550 600 650 Buoc song (nm) Hình 3.16 Phổ huỳnh quang mẫu ZTO sau ủ nhiệt không khí 700 oC (b1), 900 oC (b2), 1100 oC (b3) Phổ huỳnh quang kích thích bước sóng 370 nm mẫu ZTO ủ không khí nhiệt độ khác trình bày hình 3.16 Khi so sánh cường độ phổ huỳnh quang mẫu ủ nhiệt không khí, thấy vị trí đỉnh gần không thay đổi, cường độ huỳnh quang mẫu qua ủ nhiệt tăng lên rõ rệt Đến ta kết luận nguyên nhân tạo đỉnh huỳnh quang màu cam bước sóng 596 nm điền kẽ nguyên tử oxy Thật vậy, ủ nhiệt không khí, nguyên tử oxy khuếch tán từ không khí vào mẫu, làm tăng nồng độ nguyên tử oxy điền kẽ, dẫn đến cường độ đỉnh huỳnh quang tăng lên 52 Phát đặc biệt, theo số tài liệu tham khảo [11,17], phổ huỳnh quang mẫu ZTO qua ủ nhiệt không khí 500 oC, 600 oC, 700 oC cường độ xạ màu xanh - xanh giảm cách nhanh chóng gia tăng nhiệt độ ủ Điều tác giả giải thích khuếch tán nguyên tử oxy từ không khí vào mẫu, mẫu ủ không khí, làm nồng độ nút khuyết oxy giảm mạnh dẫn đến cường độ huỳnh quang giảm Để khẳng định lần giả thiết nguồn gốc dải huỳnh quang màu cam, tiến hành đo phổ huỳnh quang ZTO ủ không khí chân không Nếu PL mẫu ZTO ủ chân cường độ giảm giả thiết hợp lý Thực vậy, so sánh phổ huỳnh quang ZTO ủ không khí ủ chân không: 2500000 (c1) u khong (c2) u chan khong (c1) Cuong (d.v.t.y) 2000000 (c2) 1500000 1000000 500000 450 500 550 600 650 buoc song (nm) Hình 3.17 Phổ huỳnh quang mẫu ZTO ủ nhiệt độ 700 oC (c1) không khí, (c2) chân không, kích thích 370 nm 53 Hình 3.17 cho thấy ủ mẫu không khí, cường độ đỉnh huỳnh quang cao hẳn ủ chân không Đó ủ chân không, nguyên tử oxy khuếch tán từ mẫu chân không, làm giảm nồng độ nguyên tử oxy điền kẽ mẫu Kết cường độ huỳnh quang giảm Hiện tượng lại lần khẳng định nguồn gốc đỉnh huỳnh quang bước sóng 596 nm điền kẽ nguyên tử oxy Khảo sát tính chất quang thấy kết thu lượng vùng cấm, phổ huỳnh quang phổ Raman phù hợp với kết nhóm nghiên cứu giới [9,13,14,19] 54 KẾT LUẬN Trong trình làm luận văn, thời gian có hạn thu số kết sau: Đã chế tạo thành công tinh thể ZTO phương pháp thủy nhiệt: ZTO thu tinh khiết, có cấu trúc lập phương tâm mặt, số mạng a = (8,647  0,008) Å, kích thước hạt tinh thể vào cỡ D = 76,4 nm Tìm tỷ lệ tối ưu cho tiền chất điều kiện nhiệt độ thời gian chế tạo hình thành pha ZTO Các tỷ lệ điều kiện ZnSO4:SnCl4 10:6,25 mmol, nồng độ NaOH M, nhiệt độ thủy nhiệt 200 oC thời gian 20 h Nghiên cứu tính chất quang đặc trưng như: Phổ huỳnh quang mẫu chế tạo phát quang với đỉnh 596 nm 662 nm, đỉnh huỳnh quang bước sóng 596 nm giải thích điền kẽ nguyên tử oxy Phổ hấp thụ quang học UV-Vis cho thấy độ rộng vùng cấm ZTO 3,62 eV Phổ tán xạ Raman có đỉnh tán xạ đặc trưng 666 cm-1 530 cm-1 Đây kết bước đầu việc nghiên tính chất nói chung tính chất quang nói riêng tinh thể ZTO, sở để tiếp tục hướng nghiên cứu ZTO nhằm mục đích tìm nhiều ứng dụng ZTO công nghệ lượng theo hướng phát triển bền vững, thân thiện với môi trường 55 Các kết luận văn báo cáo hội nghị: Nguyễn Duy Thiện, Nguyễn Ngọc Tú, Ngô Như Việt, Nguyễn Duy Phương, Nguyễn Ngọc Long, Lê Văn Vũ, “CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT QUANG CỦA TINH THỂ NANO KẼM STANAT (Zn2SnO4)”, Hội nghị Vật lý chất rắn Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ (SPMS-2013) – Thái Nguyên 4-6/11/2013 56 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt Nguyễn Ngọc Long (2007), Vật lý chất rắn, NXB ĐHQGHN, Hà Nội Nguyễn Thế Khôi, Nguyễn Hữu Mình (1992), Giáo trình Vật lý chất rắn, Nhà xuất giáo dục Lê Văn Vũ (2004), Cấu trúc vật liệu, Giáo trình dành cho sinh viên ngành Khoa học Vật liệu Tiếng Anh Alagapan Annamalai, Daniel Cavalho, K.C Wilson, Man-Jong Lee (2010), “Properties of hydrothermally synthesized Zn2SnO4 nanoparticles using Na2CO3 as a novel mineralizer”, Materials Characterization 61, pp 873 – 881 Bing Tan, Elizabeth Toman, Yanguang Li, Yiying Wu (2007), “Zinc Stannate (Zn2SnO4) Dye-Sensitized Solar Cells”, Communications, Published on Web 03/20/2007 Christina Pang, Bin Yan, Lei Liao, BoLiu, ZheZheng, TomWu, Handong Sun and Ting Yu (2010), “Synthesis, characterization and opto-electrical properties of ternary Zn2SnO4 nanowires”, Nanotechnology 21, 465706 (4 pp.) Elizabeth Toman (2007), ZnO & Zn2SnO4 Dye Sensitized Solar Cells, the Requirements for graduation with research distinction in the undergraduate colleges of The Ohio State University, The Ohio State University G.Sarala Devi and H.Z R Hamoon (2012), “Zn2SnO4: A Suitable Material for Liquid Petroleum Gas (LPG) Detection”, Inorganic Chemistry, pp 772773 Hsiu-Fen Lin, Shi-Chieh Liao, Sung-Wei Hung, Chen-Ti Hua (2009), “Materials Chemistry and Physics”, Materials Chemistry and Physics, pp 913 10 Jian-Wei Zhao, Li-Rong Qin, Li-De Zhang (2007), “Single-crystalline Zn2SnO4 hexangular microprisms: Fabrication, characterization and optical properties”, Solid State Communications 141, pp 663–666 11 J.X Wang, S.S Xie, H.J Yuan, X.Q Yan, D.F Liu, Y Gao, Z.P Zhou, L Song, L.F Liu, X.W Zhao, X.Y Dou, W.Y Zhou, G Wang (2004), “Synthesis, structure, and photoluminescence of Zn2SnO4 single-crystal nanobelts and nanorings”, Solid State Communications 131, pp 435–440 12 J.X Wang, S.S Xie, Y Gao, X.Q Yan, D.F Liu, H.J Yuan, Z.P Zhou, L Song, L.F Liu, W.Y Zhou, G Wang (2004), “Growth and characterization of axially periodic Zn2SnO4 (ZTO) nanostructures”, Journal of Crystal Growth 267, pp 177–183 13 Lisheng Wang, Xiaozhong Zhang, Xing Liao and Weiguo Yang (2005), “A simple method to synthesize single-crystalline Zn2SnO4 (ZTO) nanowires and their photoluminescence properties”, Nanotechnology 16, pp 29282931 14 Mario A Alpuche-Aviles, Yiying Wu (2009), “Photoelectrochemical Study of the Band Structure of Zn2SnO4 Prepared by the Hydrothermal Method”, Journal of the American Chemical Society, J Am Chem Soc 131 (9), pp 3216 – 3224 15 Myung-Jin Kim, Seong-Hun Park, Young-Duk Huh (2011), “Photocatalytic Activities of Hydrothermally Synthesized Zn2SnO4”, Bull Korean Chem Soc 32, No 5, pp 1757-1760 16 M.R.Nishantha and V.P.S.Perera (2010), “Composite Photoelectrode Made from Oxides of Tin and Zinc with Zinc Stannate Buffer Layer for DyeSensitized Solar Cells”, Proceedings of the Technical Sessions 26, pp 61-65 17 Q.R.Hu, P.Jiang, H.Xu, Y.Zhang, S.L.Wang, X.Jia,W.H.Tang (2009), “Synthesis and photoluminescence of Zn2SnO4 nanowires”, Journal of Alloys and Compounds 484, pp 25–27 18 R Deng, X.T Zhang (2008), “Effect of Sn concentration on structural and optical properties of zinc oxide nanobelts”, Journal of Luminescence 128, pp 1442–1446 19 Sunandan Baruah and Joydeep Dutta (2011), “Hydrothermal growth of ZnO Nanostructures”, Sci Technol Adv Mater 12, 013004 (18 pp.) 20 Thomas Lehnen, David Zopes and Sanjay Mathur (2012), “Phase-selective microwave synthesis and inkjet printing applications of Zn2SnO4 (ZTO) quantum dots”, Journal of Materials Chemistry 22, pp 17732–17736 21 Xiangdong Lou, Xiaohua Jia, Jiaqiang Xu, Shuangzhi Liu, Qiaohuan Gao (2006), “Hydrothermal synthesis, characterization and photocatalytic properties of Zn2SnO4 nanocrystal”, Materials Science and Engineering A 432, pp 221-225 22 Xianliang Fu, Xuxu Wang, Jinlin Long, Zhengxin Ding, Tingjiang Yan, Guoying Zhang, Zizhong Zhang, Huaxiang Lin, Xianzhi Fu (2009), “Hydrothermal synthesis, characterization, and photocatalytic properties of Zn2SnO4”, Journal of Solid State Chemistry 182, pp 517-524