Đang tải... (xem toàn văn)
Đơn vị đo điện trở của một vật liệu là: A. M1.B. K2.C. 3.D. Tất cả các đáp án trên4.Chất bán dẫn là chất…………..5.A. Dẫn điện.6.B. Vừa có khả năng dẫn điện vừa có khả năng cách điện.7.C. Ở điều kiện thường là chất cách điện còn khi có tác động bên ngoài thì trở thành chất dẫn điện.8.D. Tất cả các trường hợp trên.9.Chất bán dẫn loại N là hợp chất của các nguyên tố thuộc:10.A. Nhóm 2 và nhóm 411.B. Nhóm 3 và nhóm 512.C. Nhóm 3 và nhóm 413.D. Nhóm 4 và nhóm 514.Chất bán dẫn loại P là hợp chất của các nguyên tố thuộc:15.A. Nhóm 2 và nhóm 416.B. Nhóm 3 và nhóm 517.C. Nhóm 3 và nhóm 418.D. Nhóm 4 và nhóm 519.Chất bán dẫn loại N là chất bán dẫn có khả năng........20.A. Cho electron21.B. Nhận electron22.C. Cho lỗ trống23.D. Nhận lỗ trống24.Chất bán dẫn loại P là chất bán dẫn có khả năng........25.A. Cho electron26.B. Nhận electron27.C. Cho lỗ trống28.D. Nhận lỗ trống29.Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc PN là:30.A. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và phân cực ngược.31.B. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực ngược.32.C. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận.33.D. Không có trường hợp nào34.Khi tiếp xúc PN phân cực thuận thì:35.A. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng.36.B. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm.37.C. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm.38.D. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng.39.Nguyên lý hoạt động của Điốt bán dẫn dựa trên tính dẫn điện ...... của tiếp xúc PN.40.A. Một chiều41.B. Hai chiều42.C. Cả một chiều và hai chiều43.D. Cả ba đáp án trên.44.Trên thực tế Điốt được phân cực thuận khi điện áp đặt lên điốt phải:45.A. UAK = UD46.B. UAK UD47.C. UAK UD48.D. UAK > 0V49.Một Điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA. Hỏi công suất của nó là bao nhiêu?50.A. 3,5W51.B. 50mW52.C. 35mW53.D. 35W54.Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở là bao nhiêu để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10mA?55. 56.A. 430K57.B. 1K58.C. 43059.D. 500Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ từ ………..A. Bán dẫn P sang NB. Bán dẫn N sang PC. Cực E sang cực B D. Cực E sang cực BCó bao nhiêu lớp bán dẫn PN trong BJT?A. 1B. 2C. 3D. 4Vùng base của transistor NPN được cấu tạo bởi chất bán dẫn loại nào?A. Loại PN.B. Loại NC. Loại base. D. Loại P.So sánh độ dày 3 vùng collector, emitter và base của BJT?A. Emitor > Base > Collector B. Vùng Base mỏng nhấtC. (Emitor = Collector) >> Base.D. Cả ba đáp án trênTrong một BJT, dòng Ib là . . . . .A. Dòng bão hòaB. Dòng cực gốc. C. Dòng đầu vào.D. Cả 3 đáp án trên.Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter.A. Ra khỏi transistor thông qua cực collectorB. Ra khỏi transistor thông qua cực baseC. Rẽ được hấp thụ bởi transistorD. Không phải các trường hợp trên.Tỷ số của dòng emitor và dòng collector được gọi là . . . A. alpha.B. pi C. omega D. betaTransistor BJT có ....... cách mắc.A. 2B. 3C. 4D. 560.Hệ số khuêch đại dòng của BJT khi mắc Emitor chung được định nghĩa:61.A. 62.B. 63.C. 64.D. Không có trường hợp nào đúng.65.Một Transistor lưỡng cực có dòng điện phát là 10mA, dòng điện góp là 9,95mA. Hỏi dòng điện gốc là bao nhiêu?66.A. 1mA67.B. 0,5mA68.C. 19,95mA69.D. 0,05mA70.Một Transistor lưỡng cực có dòng điện góp là 5mA, dòng điện gốc là 0.02mA. Hỏi là bao nhiêu?71.A. 25072.B. 10073.C. 5074.D. 25Điôt bán dẫn Silic có:A. Hai lớp tiếp xúc PNB. Một lớp tiếp xúc PNC. Ba lớp tiếp xúc PND. Bốn lớp tiếp xúc PNXác định phương trình đường tải tĩnh của mạch khuếch đại sau: A. B. C. D. Cả ba đáp án trên Transistor BJT làm việc ở miền khuêch đại khi:A. JE phân cực thuận và JC phân cực ngượcB. JE phân cực thuận và JC phân cực thuậnC. JE phân cực ngược và JC phân cực ngượcD. JE phân cực ngược và JC phân cực thuậnMột BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mỏng và ...A. được pha tạp đậm.B. được pha tạp như vùng collector.C. được pha tạp loãng.D. được pha tạp như vùng emitter.Ký hiệu mạch của transistor NPN là: A. hình AB. hình A và hình DC. hình C và hình BD. hình DCác BJT được phân loại thành . . . .A. Các thiết bị SGD và SND.B. Các linh kiện NPN và PNP.C. Các dụng cụ NNP và PPND. Cả 3 đáp án trênTính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:A. Các ion âm quyết định.B. Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định.C. Hạt dẫn lỗ trống quyết định. D. Hạt dẫn điện tử quyết đinh.Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:A. Các ion âm quyết định.B. Hạt dẫn điện tử quyết địnhC. Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết địnhD. Hạt dẫn lỗ trống quyết địnhKhi tiếp xúc PN phân cực thuận thìA. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăngB. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảmC. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảmD. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăngTrong tranzito lưỡng cực loại NPN, hạt dẫn đa số trong phần gốc là:A. Cả hai loại hạt dẫn trên. B. Các lỗ trốngC. Các điện tử tự doD. Không phải hai loại hạt dẫn trênKhi tranzito ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc E B: A. Không dẫn điệnB. Phân cực thuận.C. Phân cực ngược.D. Hoạt động ở vùng đánh thủngPhần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và….A. Có độ pha tạp thấpB. Là kim loại.C. Có độ pha tạp cao.D. Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị 5Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành:A. Một điện tử tự do khácB. Một điện tử trong vùng dẫn C. Một điện tử hóa trị.D. Một hạt dẫn đa sốKhi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:A. Tiếp xúc EB phân cực ngược và tiếp xúc CB được phân cực thuậnB. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực thuận.C. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực ngược.D. Tiếp xúc EB phân cực thuận và tiếp xúc CB được phân cực ngượcKhi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thìA. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực ngược.B. Tiếp xúc EB phân cực thuận và tiếp xúc CB được phân cực ngược.C. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực thuậnD. Tiếp xúc EB phân cực ngược và tiếp xúc CB được phân cực thuận.
NGÂN HÀNG CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM Ngành đào tạo: Công nghệ thông tin Mã học phần: 010108114301 Hệ đào tạo: Đại học STT Mã I.1 I.2 I.3 I.4 I.5 I.6 I.7 Chuyên ngành: Tin học ứng dụng Tên học phần: Kỹ thuật điện tử Loại hình đào tạo: Chính quy Nội dung câu hỏi ĐA Đơn vị đo điện trở vật liệu là: A MΩ B KΩ C Ω D Tất đáp án Chất bán dẫn chất………… A Dẫn điện B Vừa có khả dẫn điện vừa có khả cách điện C Ở điều kiện thường chất cách điện có tác động bên trở thành chất dẫn điện D Tất trường hợp Chất bán dẫn loại N hợp chất nguyên tố thuộc: 10 A Nhóm nhóm 11 B Nhóm nhóm 12 C Nhóm nhóm 13 D Nhóm nhóm 14 Chất bán dẫn loại P hợp chất nguyên tố thuộc: 15 A Nhóm nhóm 16 B Nhóm nhóm 17 C Nhóm nhóm 18 D Nhóm nhóm 19 Chất bán dẫn loại N chất bán dẫn có khả 20 A Cho electron 21 B Nhận electron 22 C Cho lỗ trống 23 D Nhận lỗ trống 24 Chất bán dẫn loại P chất bán dẫn có khả 25 A Cho electron 26 B Nhận electron 27 C Cho lỗ trống 28 D Nhận lỗ trống 29 Tính chất vật lý lớp tiếp xúc P-N là: 30 A Khả dẫn điện tốt phân cực thuận phân cực ngược 31 B Khả dẫn điện tốt phân cực ngược 32 C Khả dẫn điện tốt phân cực thuận 33 D Không có trường hợp C C D C A B C Ghi I.8 I.9 10 I.10 11 I.11 12 I.12 34 Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì: 35 A Hàng rào giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng 36 B Hàng rào tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm 37 C Hàng rào giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm 38 D Hàng rào tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng 39 Nguyên lý hoạt động Điốt bán dẫn dựa tính dẫn điện tiếp xúc P-N 40 A Một chiều 41 B Hai chiều 42 C Cả chiều hai chiều 43 D Cả ba đáp án 44 Trên thực tế Điốt phân cực thuận điện áp đặt lên điốt phải: 45 A UAK = UD 46 B UAK ≥ UD 47 C UAK ≤ UD 48 D UAK > 0V 49 Một Điốt có điện áp 0,7V dòng điện chạy qua 50mA Hỏi công suất bao nhiêu? 50 A 3,5W 51 B 50mW 52 C 35mW 53 D 35W 54 Cho mạch điện hình vẽ Hãy cho biết giá trị điện trở để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10mA? C A B C D 55 56 A 430KΩ 57 B 1KΩ 58 C 430Ω 59 D 500Ω 13 I.13 14 I.14 Mũi tên ký hiệu mạch BJT luôn từ ……… A Bán dẫn P sang N B Bán dẫn N sang P C Cực E sang cực B D Cực E sang cực B Có lớp bán dẫn PN BJT? A C 15 I.15 16 I.16 17 I.17 18 I.18 19 I.19 20 I.20 21 I.21 A B C D Vùng base transistor NPN cấu tạo chất bán dẫn loại nào? A Loại PN B Loại N C Loại base D Loại P So sánh độ dày vùng collector, emitter base BJT? A Emitor > Base > Collector B Vùng Base mỏng C (Emitor = Collector) >> Base D Cả ba đáp án Trong BJT, dòng Ib A Dòng bão hòa B Dòng cực gốc C Dòng đầu vào D Cả đáp án Trong hoạt động thông thường transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter A Ra khỏi transistor thông qua cực collector B Ra khỏi transistor thông qua cực base C Rẽ hấp thụ transistor D Không phải trường hợp Tỷ số dòng emitor dòng collector gọi A alpha B pi C omega D beta Transistor BJT có cách mắc A B C D 60 Hệ số khuêch đại dòng BJT mắc Emitor chung định nghĩa: I e 61 A β = I c I c 62 B β = I e Ib 63 C β = I c D B B D A B D 22 I.22 23 I.23 24 I.24 25 64 D Không có trường hợp 65 Một Transistor lưỡng cực có dòng điện phát 10mA, dòng điện góp 9,95mA Hỏi dòng điện gốc bao nhiêu? 66 A ≈ 1mA 67 B 0,5mA 68 C 19,95mA 69 D 0,05mA 70 Một Transistor lưỡng cực có dòng điện góp 5mA, dòng điện gốc 0.02mA Hỏi β bao nhiêu? 71 A 250 72 B 100 73 C 50 74 D 25 Điôt bán dẫn Silic có: A Hai lớp tiếp xúc P-N B Một lớp tiếp xúc P-N C Ba lớp tiếp xúc P-N D Bốn lớp tiếp xúc P-N Xác định phương trình đường tải tĩnh mạch khuếch đại sau: D A A C I.25 Ecc R2 R1 + R2 B I c0 = β I b0 Ecc − U CE C I c = Rc A U BE = 26 I.26 27 I.27 D Cả ba đáp án Transistor BJT làm việc miền khuêch đại khi: A JE phân cực thuận JC phân cực ngược B JE phân cực thuận JC phân cực thuận C JE phân cực ngược JC phân cực ngược D JE phân cực ngược JC phân cực thuận Một BJT có cấu tạo để vùng base mỏng A pha tạp đậm B pha tạp vùng collector C pha tạp loãng A C D pha tạp vùng emitter Ký hiệu mạch transistor NPN là: 28 D I.28 29 I.29 30 I.30 31 I.31 32 I.32 33 I.33 34 I.34 A hình A B hình A hình D C hình C hình B D hình D Các BJT phân loại thành A Các thiết bị SGD SND B Các linh kiện NPN PNP C Các dụng cụ NNP PPN D Cả đáp án Tính dẫn điện chất bán dẫn tạp loại N do: A Các i-on âm định B Hạt dẫn điện tử hạt dẫn lỗ trống định C Hạt dẫn lỗ trống định D Hạt dẫn điện tử đinh Tính dẫn điện chất bán dẫn tạp loại P do: A Các i-on âm định B Hạt dẫn điện tử định C Hạt dẫn điện tử hạt dẫn lỗ trống định D Hạt dẫn lỗ trống định Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận A Hàng rào giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng B Hàng rào tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm C Hàng rào giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm D Hàng rào tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số phần gốc là: A Cả hai loại hạt dẫn B Các lỗ trống C Các điện tử tự D Không phải hai loại hạt dẫn Khi tranzito chế độ tích cực, lớp tiếp xúc E - B: A Không dẫn điện B Phân cực thuận C Phân cực ngược B D D C B B 35 I.35 36 I.36 37 I.37 38 I.38 39 I.39 40 I.40 D Hoạt động vùng đánh thủng Phần gốc tranzito lưỡng cực mỏng và… A Có độ pha tạp thấp B Là kim loại C Có độ pha tạp cao D Pha tạp chất nguyên tố có hóa trị Khi điện tử tự tái hợp với lỗ trống phần gốc tranzito điện tử tự trở thành: A Một điện tử tự khác B Một điện tử vùng dẫn C Một điện tử hóa trị D Một hạt dẫn đa số Khi tranzito lưỡng cực hoạt động chế độ ngắt thì: A Tiếp xúc E-B phân cực ngược tiếp xúc C-B phân cực thuận B Tiếp xúc E-B tiếp xúc C-B phân cực thuận C Tiếp xúc E-B tiếp xúc C-B phân cực ngược D Tiếp xúc E-B phân cực thuận tiếp xúc C-B phân cực ngược Khi tranzito lưỡng cực hoạt động chế độ bão hòa A Tiếp xúc E-B tiếp xúc C-B phân cực ngược B Tiếp xúc E-B phân cực thuận tiếp xúc C-B phân cực ngược C Tiếp xúc E-B tiếp xúc C-B phân cực thuận D Tiếp xúc E-B phân cực ngược tiếp xúc C-B phân cực thuận Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 dòng điện cực góp 100mA dòng điện cực gốc A mA B A C 20A D 0,5 mA Cho sơ đồ mạch hình vẽ Hãy xác đinh điện áp UB ? A 10 V B V A C C C D C C 7,5 V D V Cho mạch khuếch đại CE hình vẽ Biết VCC = 10V; IC = 5mA; UCE = 5V; transistor Si có β =100, thiên áp UBE = 0,6V Tính điện trở Rb, RC 41 B I.41 A Rb= 188k; RC= 1k B Rb= 18,8k; RC= 1k C Rb= 1,88k; RC= 1k D Rb= 188k; RC= 10k Cho mạch khuếch đại CE hình vẽ Biết VCC=20V; transistor Si có β =100, Rb = 193 k; RC = 1k Tính giá trị điện áp VCE 42 A I.42 43 I.43 44 I.44 A VCE= 10 V B VCE= 20 V C VCE= V D VCE= 0,2 V Ba điện cực BJT ? A phát [emitter], gốc [base], góp [collector] B T1, T2, T3 C nguồn [source], cổng [gate], máng [drain] D emitter, gate, collector Mũi tên ký hiệu mạch BJT luôn vào loại vật liệu nào? A Loại P B Loại N C Loại base D Loại PN A B 45 I.45 46 I.46 47 I.47 48 I.48 49 I.49 50 I.50 51 I.51 52 I.52 Các BJT có cách mắc: A B C D Ký hiệu mạch transistor PNP A B C D A Hình A B Hình B C Hình C D Hình D Có tiếp giáp PN BJT? A B C D Loại vật liệu vùng base transistor PNP? A Loại P B Loại N C Loại base D Loại PN So với vùng collector emitter, vùng base BJT là: A dày B mỏng C mềm D cứng Trong BJT, dòng base so với hai dòng collector emitter: A nhỏ B lớn C nhanh D chậm Một BJT có cấu tạo để vùng base mỏng … A Được pha tạp đậm B Được pha tạp vùng collector C Được pha tạp loãng D Được pha tạp vùng emitter Dòng collector BJT luôn A Nhỏ nhiều so với dòng emitter BJT B Nhỏ so với dòng base C A C B B A C D 53 I.53 54 I.54 55 I.55 56 I.56 57 I.57 58 I.58 59 I.59 60 I.60 C Bằng dòng emitter D Bằng dòng emitter trừ dòng base Trong hoạt động thông thường transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter A Ra khỏi transistor thông qua cực collector B Ra khỏi transistor thông qua cực base C Sẽ hấp thụ transistor D Không phải trường hợp Phương trình biểu diễn quan hệ dòng base, emitter, collector ? A IE = IB +β B IC = IB + IE C IE = IB + IC D IB = IE + IC Tỷ số dòng collector dòng base gọi A alpha B pi C omega D beta Nếu dòng base 30 µA dòng collector 4mA, giá trị dòng emitter bao nhiêu? A 0.43 mA B 0.37 mA C 0.43µA D 0.37 µA Nếu dòng base 20 µA dòng collector 4mA, giá trị β bao nhiêu? A 100 B 200 C 220 D 250 Bộ khuếch đại thuật toán có: A Hai ngõ vào ngõ B Một ngõ vào cửa thuận ngõ vào cửa đảo C Một ngõ vào P ngõ vào N D Tất Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có tính chất là: A Hệ số khuếch đại điện áp lớn vô B Trở kháng vào C Trở kháng ∞ D Tất tính chất Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có: A UP = UN B Zv = A C D A B D D B 61 I.61 62 I.62 63 I.63 64 I.64 65 I.65 66 I.66 67 I.67 68 I.68 C Zr = ∞ D Cả ba đáp án Bộ khuếch đại thuật toán khuếch đại hiệu điện áp hai lối vào thuận (không đảo) đảo Ud = UP – UN với hệ số khuếch đại K0 A Sai B Chưa xác mà Ud = UP – UN C Đúng D Không xác định Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có hệ số khuếch đại K0 = ∞: A Chưa xác định tùy thuộc vào mạch B Sai C Đúng D Không xác định Một khuếch đại thuật toán lý tưởng có ZV = ∞ A Sai B Đúng C Chưa xác định tùy thuộc vào mạch D Không xác định Một khuếch đại thuật toán lý tưởng có Zr = A Không xác định mà nhỏ B Chưa xác định tùy thuộc vào mạch C Đúng D Sai Mạch cộng đảo mạch mà tín hiệu cần cộng đưa vào cửa đảo: A Chưa xác định tùy thuộc điện áp B Đúng C Sai D Không xác định tùy theo cách mắc mạch Mạch cộng thuận mạch mà tín hiệu cần cộng đưa vào cửa thuận A Chưa xác định tùy thuộc số điện áp vào B Sai C Không xác định tùy theo điện trở hồi tiếp D Đúng Đầu vào ký hiệu (+) khuếch đại thuật toán gọi là: A Đầu vào không đảo B Đầu vào dao động C Đầu vào đảo D Đầu vào không Đầu vào ký hiệu (-) khuếch đại thuật toán gọi là: A Đầu vào không đảo B Đầu vào dao động C Đầu vào đảo D Đầu vào không C C B C B D A C 69 Với điện áp mạch điện hình vẽ -2V mà giá trị mạch điện hình vẽ điện áp vào mạch là: D I.69 A -0,4V B 20V C 0,2V D -0,2V Với thông tin mạch điện hình vẽ Rht bằng: 70 I.70 A 5kΩ B 50Ω C 500Ω D 50kΩ D [...]...69 Với điện áp ra của mạch điện ở hình vẽ dưới là -2V mà các giá trị của mạch điện như hình vẽ thì điện áp vào của mạch là: D I.69 A -0,4V B 20V C 0,2V D -0,2V Với các thông tin trong mạch điện như hình vẽ thì Rht bằng: 70 I.70 A 5kΩ B 50Ω C 500Ω D 50kΩ D