Nghiên cứu mô phỏng và khảo sát cảm biến áp suất kiểu áp trở chế tạo trên cơ sở công nghệ vi cơ điện tử (MEMS)

110 838 3
  • Loading ...
1/110 trang
Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 25/03/2015, 11:56

1 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ***** ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP. HỒ CHÍ MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO ***** NGUYỄN HỮU KHÁNH NHÂN NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG VÀ KHẢO SÁT CẢM BIẾN ÁP SUẤT KIỂU ÁP TRỞ CHẾ TẠO TRÊN CƠ SỞ CÔNG NGHỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ (MEMS) Chuyên ngành : Vật Liệu và Linh Kiện Nanô (Chuyên ngành đào tạo thí điểm) LUẬN VĂN THẠC SĨ Người hướng dẫn khoa học : PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng Thành phố Hồ Chí Minh - Năm 2008 10 MỤC LỤC Trang Trang phụ bìa Lời cam đoan Lời cảm ơn Danh mục các kí hiệu, các chữ viết tắt Danh mục các hình vẽ, đồ thị Danh mục các bảng Mục lục Giới thiệu 1 Chương 1: TỔNG QUAN VỀ HỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ VÀ HIỆU ỨNG ÁP ĐIỆN TRỞ TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN SILIC 1.1. Hệ vi cơ điện và các ứng dụng 3 1.1.1. Giới thiệu 3 1.1.2. Công nghệ MEMS 4 1.1.3. Vật liệu trong MEMS 12 1.2. Hiệu ứng áp trở trong vật liệu silic 14 1.2.1. Mô tả toán học hiệu ứng áp trở 14 1.2.2. Ảnh hưởng của nhiệt độ và mức độ pha tạp đến hệ số áp điện trở 20 1.3. Phân loại MEMS cảm biến áp suất 22 1.3.1. Màng silicon vi cơ 22 1.3.2. Cảm biến áp suất áp trở 23 1.3.3. Cảm biến áp suất kiểu tụ điện 28 1.3.4. Cảm biến áp suất cộng hưởng 31 1.3.5. Các kỹ thuật MEMS cảm biến áp suất khác 33 Chương 2: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG CẢM BIẾN ÁP SUẤT KIỂU ÁP TRỞ 2.1. Giới thiệu 35 2.1.1. Qui trình thiết kế 35 2.1.2. Thủ tục thiết kế 36 2.2. Thiết kế cảm biến áp suất áp điện trở 39 2.2.1. Mạch cầu Wheatstone 39 2.2.2. Phân tích ứng suất bằng phương pháp giải tích 41 2.2.3. Phân tích áp điện trở bằng phương pháp giải tích 43 2.3. Mô phỏng dùng phần mềm ANSYS 45 2.3.1. Giới thiệu phần mềm 45 11 2.3.2. Chỉ tiêu thực hiện bài toán mô phỏng 47 2.3.3. Phân tích độ nhạy cảm biến dùng phương pháp phần tử hữu hạn 55 2.4. Thiết kế mặt nạ (mask) 58 Chương 3: XÂY DỰNG HỆ ĐO CẢM BIẾN ÁP SUẤT 3.1. Trang thiết bị hệ đo 62 3.2. Giao tiếp nối tiếp RS-232 64 3.2.1. Tổng quát 64 3.2.2. Kết nối sử dụng DB25 và DB9 66 3.3. Xây dựng hệ đo dùng chuẩn giao tiếp RS-232 69 3.4. Thiết lập hệ đo sử dụng chương trình LabView 70 3.4.1. Khởi động chương trình 72 3.4.2. Xây dựng chương trình kiểu 1 73 3.4.3. Thiết lập các tham số cho cổng nối tiếp 73 3.4.4. Viết dữ liệu cho cổng nối tiếp 74 3.4.5. Đọc và hiển thị dữ liệu 75 3.4.6. Kết thúc ứng dụng 76 3.4.7. Xây dựng chương trình kiều 2 77 Chương 4: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 4.1. Chế tạo cảm biến áp suất áp trở 78 4.2. Đặc tính cảm biến áp suất áp trở 82 4.2.1. Đặc tính đáp ứng 82 4.2.2. Sự phụ thuộc nhiệt độ vào đặc tính 84 4.2.3. Cảm biến đối với nguồn cung cấp 86 Chương 5: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 1. Kết luận 89 2. Kiến nghị 90 TÀI LIỆU THAM KHẢO 91 PHỤ LỤC A 93 PHỤ LỤC B 95 4 DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT Thứ tự Chữ viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt 1 CAD Computer Aid Design Thiết kế với sự hỗ trợ máy tính 2 CVD Chemical Vapor Deposition Lắng đọng bốc bay hoá học 3 DAQ Data Acquisition Thu nhận dữ liệu 4 DCE Data Communications Equipment Thiết bị thông tin dữ liệu 5 DOF Degree Of Freedom Bậc tự do 6 DRC Design Rule Check Kiễm tra luật thiết kế 7 D - RIE Deep Reactive Ion Etching Ăn mòm phản ứng ion sâu 8 DTE Data Terminal Equipment Thiết bị đầu cuối dữ liệu 9 FEM Finite Element Method Phương pháp phần tử hữu hạn 10 IC Intergrated Circuit Mạch tích hợp 11 ICP - RIE Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching Ăn mòn phản ứng ion ghép plasma 12 KEYOPT Key Option Khóa tùy chọn 13 LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition Lắng đọng bốc bay hoá học áp suất thấp 14 MEMS Micro Electro Mechanical System Hệ vi cơ điện tử 15 RF Radio Frequency Tần số vô tuyến 16 RIE Reactive Ion Etching Ăn mòn phản ứng ion 17 SEM Scanning Electron Microscope Kính hiển vi quét tia điện tử 18 SOI Silicon On Insulator Silic trên chất cách li 19 VI Virtual Instrument Dụng cụ ảo 5 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Thứ tự Mô tả Trang 1 Hình 1.1. Vi cơ khối silicon. (a) ăn mòn đẳng hướng, (b) ăn mòn bất đẳng hướng, (c) ăn mòn bất đẳng hướng với lớp dừng ăn mòn ẩn phía dưới, (d) màng điện môi ăn mòn khối mặt sau. 17 2 Hình 1.2. Các bước cụ thể xử lí vi cơ bề mặt 19 3 Hình 1.3. Kỹ thuật hàn tĩnh điện 20 4 Hình 1.4. Xử lí LIGA 22 5 Hình 1.5. Mô tả về các thành phần ứng suất thẳng góc và ứng suất trượt. 25 6 Hình 1.6. Sơ đồ biểu diễn các hệ số áp trở song song và vuông góc. 27 7 Hình 1.7. Các góc Euler trong phép biến đổi các trục toạ độ Đề-các 27 8 Hình 1.8. Hệ số áp trở đối với nồng độ pha tạp lớp khuyếch tán bề mặt 30 9 Hình 1.9. Sự phụ thuộc của các hệ số áp trở song song và vuông góc vào định hướng tinh thể trong mặt phẳng (100): (a) – silic loại p; (b) – silic loại n 31 10 Hình 1.10. Hệ số áp điện trở P(N,T) phụ thuộc vào mức độ pha tạp và nhiệt độ đối với Si loại p 32 11 Hình 1.11. Hệ số áp điện trở P(N,T) phụ thuộc vào mức độ pha tạp và nhiệt độ đối với Si loại n 32 12 Hình 1.12. Màng silicon bị ăn mòn bất đẳng 33 13 Hình 1.13. Mặt cắt ngang và cách bố trí của sensor áp suất cụ thể được vi cơ khối 35 14 Hình 1.14. Vị trí điện trở trên màng Boss 36 15 Hình 1.15. Cảm biến áp suất áp trở được liên kết hợp nhất 38 6 16 Hình 1.16. Cảm biến áp suất vi cơ bề mặt với a) màng Nitride; b) màng polisilicon 39 17 Hình 1.17. Điều kiện cạnh màng a) màng dát mỏng; b) màng có bậc 39 18 Hình 1.18. Cảm biến áp suất tụ điện thạch anh bù gia tốc 40 19 Hình 1.19. Cảm biến áp suất cộng hưởng vi phân Yokogawa 43 20 Hình 2.1. Quy trình thiết kế linh kiện vi cơ điện tử 46 21 Hình 2.2. a) Cấu trúc cảm biến áp suất áp điện trở b) Cầu Wheatstone 46 22 Hình 2.3. Quá trình mô phỏng MEMS cảm biến cụ thể 48 23 Hình 2.4. Trình bày layout linh kiện cảm biến áp suất áp điện trở dùng công cụ thiết kế của CADENCE 49 24 Hình 2.5. Tự động kiểm tra luật thiết kế 50 25 Hình 2.6. Cảm biến áp suất được kết nối dùng 4 điện trở cầu Wheatstone 50 26 Hình 2.7. Cấu trúc cảm biến áp suất 59 27 Hình 2.8. Mô hình phần tử hữu hạn cuả cảm biến áp suất áp điện trở 60 28 Hình 2.9. Điều kiện biên và đặt tải của cảm biến áp suất áp điện trở 61 29 Hình 2.10. Kết quả tính toán phần tử hữu hạn của cảm biến áp suất với L = 500 µm, H = 10 µm, và P = 100 KPa 62 30 Hình 2.11. Kết quả tính toán phần tử hữu hạn của cảm biến áp suất với L = 500 µm, H = 10 µm, và P = 100 KPa.Ứng suất lớn nhất σ x và σ y theo mặt trên của màng cảm biến. 63 31 Hình 2.12. Kết quả tính toán phần tử hữu hạn của cảm biến áp suất với L = 500 µm, H = 10 µm, và P = 100 KPa.Ứng suất tương đương theo Von Mises 64 32 Hình 2.13. Kết quả tính toán phần tử hữu hạn của cảm biến 64 7 áp suất với L = 500 µm, H = 10 µm, và P = 100 KPa. Sự thay đổi ứng suất xoắn σ s theo bề mặt màng cảm biến. Chú ý áp điện trở được đặt tại vị trí có σ s = 0 . 33 Hình 2.14. Vị trí các áp điện trở ở trên màng, tại đó ứng suất được phân bố lớn nhất. 65 34 Hình 2.15. Mối quan hệ giữa điện áp ngỏ ra và áp suất với mật độ chia lưới khác nhau 66 35 Hình 2.16. Mối quan hệ giữa điện áp ngỏ ra và áp suất với độ dày áp điện trở khác nhau 67 36 Hình 2.17. Độ nhạy điện áp ngỏ ra thay đổi bởi độ dày của màng cảm biến 68 37 Hình 2.18. Độ nhạy điện áp ngỏ ra thay đổi bởi kích thước của màng cảm biến 68 38 Hình 2.19. Mối quan hệ giữa áp suất và điện áp ngỏ ra của cảm biến với nguồn cung cấp khác nhau 69 39 Hình 2.20. Sơ đồ mặt nạ của cảm biến áp suất có kích thước 2 mm x 2 mm 71 40 Hình 3.1. (a) Sắp xếp các áp điện trở và dây kết nối bên trong của cảm biến áp suất, (b) mạch nữa cầu, (c) cầu Wheatstone, và (d) mạch chỉnh offset zero cho cầu Wheatstone. 74 41 Hình 3.2 Toàn bộ hệ thống đo lường: 1) bộ chuẩn áp suất pneumatic MC100, 2) Nguồn cung cấp, 3) đồng hồ đo Keithley 2000, 3) máy tính. 75 42 Hình 3.3. Chức năng thông tin EIA232, và lọai đầu nối cho máy tính cá nhân và modem. 76 43 Hình 3.4. Đầu nối thiết bị DB25 và DB9 76 44 Hình 3.5. Sơ đồ kết nối giữa DTE (máy tính) và DCE (modem hay thiết bị nối tiếp khác) 77 8 45 Hình 3.6. Sơ đồ kết nối giữa DTE (máy tính) 25 chân và DCE (modem) 9 chân 78 46 Hình 3.7. Sơ đồ kết nối giữa DTE (máy tính) 9 chân và DCE (modem) 25 chân 78 47 Hình 3.8. Sơ đồ kết nối giữa DTE (máy tính) 25 chân và DCE (modem) 25 chân 79 48 Hình 3.9. Bộ chuyển đổi USB sang RS232 80 49 Hình 3.10. Hệ đo modem rỗng (null modem) với giao tiếp nối tiếp RS-232 cho truyền dẫn đồng bộ ký tự giữa máy tính và thiết bị MC100 và Keithley. 81 50 Hình 3.11. Lưu đồ thuật toán 82 51 Hình 3.12. Bảng hiển thị kết quả trong chương trình LABVIEW 83 52 Hình 3.13. Màn hình làm việc ban đầu của LabView 83 53 Hình 3.14. Cửa sổ làm việc cho lập trình 84 54 Hình 3.15. Thiết lập các thông số cho cổng nối tiếp 85 55 Hình 3.16. Viết dữ liệu tới cổng nối tiếp 86 56 Hình 3.17. Đọc và định dạng dữ liệu 86 57 Hình 3.18. Quá trình kết thúc ứng dụng 87 58 Hình 3.19. Hiển thị kết quả cuối cùng kiểu 1 87 59 Hình 3.20. Thiết lập mã cho bộ lọc 88 60 Hình 4.1. Áp điện trở: (a) sau khi quang khắc; (b) sau khi được khuyếch tán; (c) hình thành tiếp xúc 89 61 Hình 4.2. Mặt trước và sau của cảm biến sau khi ăn mòn khô 20 phút 90 62 Hình 4.3. Độ sâu mặt nghiên của màng bị ăn mòn được đo bằng thiết bị bước anpha: (a) kích thước cảm biến 1x1 µm 2 và (b) 2x2 µm 2 90 63 Hình 4.4. Kích thước cảm biến được chế tạo tương ứng với 91 9 1x1 và 2x2 mm 2 64 Hình 4.5. Ảnh SEM 3D của linh kiện cảm biến được chế tạo 91 65 Hình 4.6. Đặc tính của tiếp xúc (contact) giữa đường kim loại nhôm (Al) và bán dẫn (áp điện trở loại p) trước khi thêu kết 92 66 Hình 4.7. Đặc tính của tiếp xúc (contact) giữa đường kim loại nhôm (Al) và bán dẫn (áp điện trở loại p) sau khi thêu kết ở 450 0 C trong Nitơ (N 2 ) 92 67 Hình 4.8. (a) nối dây cho linh kiện; (b) đóng gói 93 68 Hình 4.9. Mối quan hệ giữa điện áp ngõ ra vi sai của cảm biến và áp suất với nguồn cung cấp 2 mA. 94 69 Hình 4.10. Sự phụ thuộc của điện áp ngõ ra vi sai vào áp suất sau cầu cân bằng 95 70 Hình 4.11. Mối quan hệ giữa điện áp ngõ ra và tải áp suất phụ thuộc vào nhiệt độ. 96 71 Hình 4.12. Mối quan hệ giữa điện áp ngõ ra và tải áp suất ở nhiệt độ 55 0 C 97 72 Hình 4.13. Mối quan hệ giữa điện áp offset và nhiệt độ 98 73 Hình 4.14. Sự thay đổi tỉ số điện áp ngõ ra đối với nhiệt độ 98 74 Hình 4.15. Mối quan hệ giữa áp suất và điện áp ngỏ ra của cảm biến với nguồn cung cấp khác nhau 99 75 Hình 4.16. Sự phụ thuộc tỉ số điện áp ngỏ ra và tải áp suất với điện áp nguồn cung cấp cảm biến khác nhau 99 DANH MỤC CÁC BẢNG Thứ tự Mô tả Trang 1 Bảng 1.1. Các hệ số áp trở song song và vuông góc theo các hướng khác nhau 29 2 Bảng 1.2. Hệ số áp điện trở cụ thể cho vật liệu silic 30 12 GIỚI THIỆU Công nghệ vi chế tạo, cũng đƣợc biết đến là công nghệ MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) là một trong các công nghệ tiến tiến cho phép chế tạo các linh kiện vi hệ thống cơ điện tử. Bao gồm các dạng vi cấu trúc cơ, các bộ cảm nhận tín hiệu (sensor), các bộ chấp hành (actuator). Sản phẩm của công nghệ MEMS đƣợc ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp ô tô, y sinh học, điều khiển tự động, đo lƣờng, thông tin viễn thông …v…v… Trong các ngành công nghiệp, cảm biến áp suất đƣợc ứng dụng nhiều nhất trong lĩnh vực công nghiệp năng lƣợng, cũng nhƣ đóng vai trò quan trọng trong lĩnh vực y sinh học để đo nhịp tim, huyết áp. Ngoài ra cũng có thể thay thế xúc giác con ngƣời (nhƣ da nhân tạo) khi cần xác định hình dạng hay lực cầm nắm các vật. Trên thực tế, để đáp ứng các nhu cầu đa dạng thì đòi hỏi các cảm biến áp suất phải đáp ứng một cách tốt nhất cho từng trƣờng hợp cụ thể. Chính vì vậy cảm biến áp suất kiểu áp trở, nó đáp ứng phần nào về độ nhạy và khả năng đo áp suất trong phạm vi khá rộng. Cảm biến áp suất cụ thể đầu tiên đƣợc chế tạo vào năm 1960, sau đó nhiều nhà nghiên cứu trên thế giới đã tập trung nghiên cứu trong lĩnh vực này. Đặc biệt khi có sự xuất hiện công nghệ vi cơ, mở ra khả năng mới trong việc chế tạo linh kiện có kích thƣớc thu nhỏ. Ngày nay, cảm biến áp suất silic đã đƣợc thƣơng mại hóa, mức độ sử dụng trên toàn thế giới đã đạt hàng trăm triệu linh kiện hàng năm với những ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Trong những ứng dụng, nhu cầu về kích thƣớc thu nhỏ cũng là tiêu chí đặt lên hàng đầu và công nghệ MEMS đã thật sự đáp ứng. Do đó, trong luận văn này tập trung vào các đặc tính của vật liệu silic đơn tinh thể, đây là vật liệu đƣợc sử dụng phổ biến nhất trong linh kiện MEMS và đặc biệt là đặc tính áp điện trở. [...]... sinh và các bộ vi chấp hành với công suất ngõ ra cao hơn Công nghệ vi cơ trở thành công nghệ cơ bản cho chế tạo linh kiện vi cơ điện tử và đặc biệt là bộ cảm biến và bộ chấp hành thu nhỏ Silic là thuận lợi 15 nhất cho công nghệ vi cơ, và nó cho phép chế tạo MEMS có kích thƣớc dƣới milimét Sử dụng những vật liệu nhƣ tinh thể silic, silic đa tinh thể, silic nitride,… để chế tạo các vi cấu trúc cơ nhƣ... tạo nên các cảm biến khác nhau 1.1.2 Công nghệ MEMS Công nghệ vi cơ silic là yếu tố chính cho sự tiến bộ vƣợt bậc của MEMS Điều này đƣợc xem nhƣ bộ phận cơ học đƣợc chế tạo bên ngoài đế silic hay trên đế silic Công nghệ MEMS dựa trên 2 công nghệ sau: vi cơ khối là cấu trúc bị ăn mòn vào đế silic và vi cơ bề mặt là các lớp vi cơ đƣợc hình thành từ lớp hay màng đƣợc lắng đọng trên bề mặt Vi cơ khối và. .. gauge, và vi cơ bề mặt sẽ làm giãm kích thƣớc và cải thiện đƣợc tính chính xác của cảm biến áp suất áp điện trở Mặt cắt ngang và cách bố trí của cảm biến áp suất áp điện trở silic cụ thể dùng ăn mòn dị hƣớng đƣợc trình bày (hình 1.13) Màng bị ăn mòn đƣợc mô tả nhƣ trên và điện trở đƣợc đặt dọc theo cạnh của màng, mỗi một điện trở thì ở một cạnh Tất cả các điện trở đƣợc đặt cùng hƣớng, và do đó có hai điện. .. ứng áp điện trở trong vật liệu bán dẫn silic cho phép tìm ra qui tắc thiết kế các mô hình cảm biến, cũng nhƣ cho phép tối ƣu hóa các thiết kế đó Trên phƣơng diện toán học nhằm đƣa ra các biểu thức định lƣợng cần thiết Cuối cùng tìm hiểu các loại cảm biến áp suất khác nhau sử dụng công nghệ MEMS Chƣơng 2: Thiết kế và mô phỏng cảm biến áp suất áp điện trở Trên cơ sở dùng phƣơng pháp giải tích Mô phỏng. .. 13 Vi c nghiên cứu MEMS cảm biến áp suất áp điện trở đƣợc thực hiện bằng thiết kế và mô phỏng dùng phần mềm ANSYS, sau đó khảo sát các tham số kỹ thuật của linh kiện sau khi đƣợc chế tạo Cấu trúc của luận văn đƣợc tóm lƣợt nhƣ sau: Chƣơng 1: Tổng quan về hệ vi cơ điện tử MEMS và hiệu ứng áp điện trở trong vật liệu bán dẫn silic Tìm hiểu sơ lƣợt về công nghệ chế tạo, cũng nhƣ các vật... hiển thị, quang học …[16] Một vài hƣớng nghiên cứu mới xuất hiện nhƣ hệ thống vi cơ điện tử - quang (MOEMS), µTAS,… đã hấp dẫn các nhà nghiên cứu quan tâm tới thị trƣờng ứng dụng tiềm năng này Đến cuối năm 1990, hầu nhƣ các thiết bị MEMS với hệ vi cơ cảm biến và vi chấp hành đƣợc chế tạo trên công nghệ vi cơ khối, vi cơ bề mặt, kỹ thuật quang khắc, và LIGA Quá trình vi chế tạo 3D, nó kết hợp nhiều vật... vi c thiết kế linh kiện Bằng cách tăng mức độ pha tạp, sự ảnh hƣởng của nhiệt độ sẽ bị giảm, tuy nhiên giá trị của độ nhạy sẽ giảm Hình 1.11 Hệ số áp điện trở P(N,T) phụ thuộc vào mức độ pha tạp và nhiệt độ đối với Si loại n [18] 33 1.3 PHÂN LOẠI CẢM BIẾN ÁP SUẤT Cảm biến áp suất bắt đầu đƣợc nghiên cứu từ năm 1960 trở lại đây Sự phát triển cả hai công nghệ vi cơ và cảm biến làm cho MEMS cảm biến. .. và vi cơ bề mặt là hai công nghệ quan trọng cùng với kỹ thuật hàn phiến (bonding wafer) thƣờng cần thiết trong MEMS Công nghệ LIGA 16 cũng đƣợc dùng để chế tạo vi cấu trúc 3D với tỉ số cạnh cao cho cấu trúc của MEMS 1.1.2.1 Công nghệ vi cơ khối silic Vi cơ khối silic là một trong những công nghệ chế tạo vi cơ silic phổ biến nhất Nó xuất hiện đầu năm 1960 và đƣợc sử dụng cho đến nay trong chế tạo. .. hỗ trợ phần mềm LabView cho chúng ta truy xuất đƣợc các đại lƣợng cần đo và kết quả đo Chƣơng 4: Kết quả và thảo luận Có đƣợc từ thực nghiệm và tiến hành đánh giá kết quả này với kết quả từ thiết kế và mô phỏng 14 Chƣơng 1: TỔNG QUAN VỀ HỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ VÀ HIỆU ỨNG ÁP ĐIỆN TRỞ TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN SILIC 1.1 HỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ VÀ CÁC ỨNG DỤNG 1.1.1 Giới thiệu Hệ thống vi cơ điện tử MEMS (Microelectromechanical... cặp điện trở đối diện thì bằng nhau Hai cặp điện trở tạo thành mạch cầu đầy đủ do đó giá trị điện trở lớn nhất của cảm biến tƣơng ứng với áp suất đặt lên màng gia tăng Ứng suất có thể đƣợc tính từ (1.16) và đối với mạch cầu thì sự xắp sếp các điện trở nhƣ vậy là phổ biến và ngõ ra của nó đƣợc tính bởi:  R / R l   R / R t V  V 2   R / R l   R / R t (1.19) Cảm biến áp suất áp trở đƣợc mô . HỌC CÔNG NGHỆ ***** ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP. HỒ CHÍ MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO ***** NGUYỄN HỮU KHÁNH NHÂN NGHIÊN CỨU MÔ PHỎNG VÀ KHẢO SÁT CẢM BIẾN ÁP SUẤT KIỂU ÁP TRỞ CHẾ TẠO TRÊN CƠ. 1.3.2. Cảm biến áp suất áp trở 23 1.3.3. Cảm biến áp suất kiểu tụ điện 28 1.3.4. Cảm biến áp suất cộng hưởng 31 1.3.5. Các kỹ thuật MEMS cảm biến áp suất khác 33 Chương 2: THIẾT KẾ VÀ MÔ. bị MEMS y sinh và các bộ vi chấp hành với công suất ngõ ra cao hơn. Công nghệ vi cơ trở thành công nghệ cơ bản cho chế tạo linh kiện vi cơ điện tử và đặc biệt là bộ cảm biến và bộ chấp hành
- Xem thêm -

Xem thêm: Nghiên cứu mô phỏng và khảo sát cảm biến áp suất kiểu áp trở chế tạo trên cơ sở công nghệ vi cơ điện tử (MEMS), Nghiên cứu mô phỏng và khảo sát cảm biến áp suất kiểu áp trở chế tạo trên cơ sở công nghệ vi cơ điện tử (MEMS), Nghiên cứu mô phỏng và khảo sát cảm biến áp suất kiểu áp trở chế tạo trên cơ sở công nghệ vi cơ điện tử (MEMS), Chương 1: TỔNG QUAN VỀ HỆ VI CƠ ĐIỆN TỬ VÀ HIỆU ỨNG ÁP ĐIỆN TRỞ TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN SILIC, Chương 2: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG CẢM BIẾN ÁP SUẤT ÁP ĐIỆN TRỞ, Chƣơng 3: XÂY DỰNG HỆ ĐO CẢM BIẾN ÁP SUẤT, Chƣơng 4: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN, TÀI LIỆU THAM KHẢO

Từ khóa liên quan

Mục lục

Xem thêm

Gợi ý tài liệu liên quan cho bạn