LỜI CẢM ƠN Trong suốt quá trình học tập và hoàn thành luận văn tốt nghiệp chương trình cao học tại Bộ môn Vật lý Hạt nhân, Khoa Vật lý – VLKT, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên thành phố Hồ Chí Minh, tôi đã nhận được sự giúp đỡ tậm tình, những lời động viên kịp thời của quý thầy cô, gia đình và bạn bè. Với tình cảm chân thành, tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến: Thầy Trần Thiện Thanh đã luôn tận tình hướng dẫn, động viên, tạo mọi điều kiện thuận lợi giúp em hoàn thành luận văn. Em xin gửi lời cảm ơn đến các Thầy, Cô, Anh, Chị và các bạn tại Phòng Thí nghiệm, Bộ môn Vật lý Hạt nhân, Khoa Vật lý - VLKT, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên TP.HCM, đã giúp đỡ em trong suốt quá trình học tập và thực hiện luận văn tại bộ môn. Em cũng xin gửi lời cảm ơn đến quý Thầy Cô trong hội đồng khoa học đã dành thời gian đọc và đóng góp ý kiến giúp luận văn được hoàn thiện hơn. Con xin gửi lời cảm ơn đến Bố, Mẹ. Em xin gửi lời cảm ơn đến Anh, Chị, Em trong gia đình. Những người luôn luôn động viên và hỗ trợ con (em) cả về vật chất lẫn tinh thần trong suốt hai năm học vừa qua. Xin gửi lời cảm ơn đến các bạn trong lớp cao học K22 – những người luôn sát cánh cùng mình trong hai năm học, tuy ngắn ngủi nhưng đáng nhớ. TP.HCM, tháng 9 năm 2014 Học viên Vũ Tuấn Minh MỤC LỤC 2 DANH MỤC KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT Chữ viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt CERN European Organization for Nuclear Research Trung tâm nghiên cứu hạt nhân châu Âu FWHM Full Width at Half Maximum Bề rộng một nửa của đỉnh toàn phần Geant4 Geometry And Tracking Cấu trúc hình học và vết HPGe Hyper Pure Germanium Đầu dò Germanium siêu tinh khiết MCA Multi Channel Analyzer Máy phân tích đa kênh HVPS High-Voltage Power Supply Nguồn cao áp Kí hiệu Z Bậc số nguyên tử A Nguyên tử khối E γ Năng lượng của lượng tử gamma tới (keV) E lk Năng lượng liên kết của electron trong nguyên tử (keV) T e Động năng của electron quang điện E γ ’ Năng lượng của lượng tử gamma tán xạ Compton E e Động năng của electron giật lùi trong tán xạ Compton θ Góc tán xạ h Hằng số Planck 6,626.10 -34 J.s c Vận tốc ánh sáng trong chân không 3.10 8 m/s m e Khối lượng nghỉ của electron 9,1.10 -31 kg T A Năng lượng giật lùi của hạt nhân trong hiệu ứng tạo cặp I 0 Cường độ ban đầu của chùm lượng tử gamma hẹp đơn năng I Cường độ của chùm lượng tử gamma khi đi qua lớp vật chất có bề dày d N A Số Avogadro bằng 6,023.10 23 hạt/mol ρ Khối lượng riêng của vật chất (g/cm 3 ) 3 DANH MỤC CÁC BẢNG T T Bảng Diễn giải Trang 1 2.1 Kích thước và vật chất cấu tạo đầu dò 29 2 2.2 Giá trị FWHM theo năng lượng được xác định bằng thực nghiệm 41 3 3.1 Tốc độ đếm khi che chắn với các cấu hình khác nhau 44 4 3.2 Tỉ lệ suy giảm (%) của phông phóng xạ khi che chắn với các cấu hình khác nhau 44 5 3.3 Thông tin chi tiết các mẫu chuẩn 45 6 3.4 Diện tích mô phỏng với các cấu hình che chắn khác nhau 52 7 3.5 Tỉ lệ suy giảm (%) của phông phóng xạ khi mô phỏng với các cấu hình che chắn khác nhau 53 8 3.6 Độ sai biệt (%) của tỉ lệ suy giảm giữa mô phỏng và thực nghiệm 53 9 3.7 Diện tích phổ mô phỏng khi che chắn lớp vật liệu chì hình trụ và hình hộp chữ nhật 56 10 3.8 Tỉ lệ suy giảm (%) của phông phóng xạ khi mô phỏng với cấu hình che chắn hình trụ và hình hộp chữ nhật 56 11 3.9 Diện tích phổ mô phỏng khi che chắn lớp vật liệu chì hình trụ với bề dày khác nhau 58 12 3.10 Tỉ lệ suy giảm (%) của phông phóng xạ khi che chắn lớp chì hình trụ với bề dày khác nhau 58 13 3.11 Tỉ lệ suy giảm (%) tại vùng năng lượng gamma tán xạ ngược khi tăng khoảng cách giữa đầu dò và lớp vật liệu che chắn 60 4 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ T T Hình Diễn giải Trang 1 1.1 Chuỗi phóng xạ Thorium 16 2 1.2 Chuỗi phóng xạ Uranium 17 3 1.3 Hiệu ứng quang điện 19 4 1.4 Tán xạ Compton 21 5 1.5 Hiệu ứng tạo cặp 23 6 2.1 Đầu dò NaI(Tl) 802-7,62cm x7,62cm 28 7 2.2 Osprey 29 8 2.3 Mô hình giảm phông thụ động gồm: đầu dò và lớp vật liệu che chắn 30 9 2.4 Giao diện chương trình Genie 2000 31 10 2.5 Cấu hình che chắn sử dụng trong thực nghiệm 32 11 2.6 Bố trí thí nghiệm 32 12 2.7 Sơ đồ cấu tạo một chương trình Geant4 35 13 3.1 So sánh phổ phông thực nghiêm khi không che chắn và có che chắn 42 14 3.2 So sánh phổ phông thực nghiệm khi che chắn với các cấu hình khác nhau 43 15 3.3 So sánh phổ phông thực nghiệm khi che chắn với các cấu hình khác nhau tại vùng năng lượng dưới 400keV 43 16 3.4 So sánh phổ của mẫu chuẩn IAEA-375 khi không và có che chắn 46 17 3.5 So sánh phổ của mẫu chuẩn RGK khi không và có che chắn 46 18 3.6 So sánh phổ của mẫu chuẩn RGTh khi không và có che chắn 47 19 3.7 So sánh phổ mô phỏng và phổ thực nghiệm của mẫu chuẩn IAEA-375 48 20 3.8 So sánh phổ mô phỏng và phổ thực nghiệm của mẫu chuẩn RGK 49 21 3.9 So sánh phổ phông thực nghiệm và mô phỏng khi không che chắn 50 22 3.10 So sánh phổ phông thực nghiệm và mô phỏng khi che 51 5 chắn lớp Pb 3cm 23 3.11 So sánh phổ phông thực nghiệm và mô phỏng khi che chắn lớp Pb 3cm và lớp lót bằng Cu 1mm 51 24 3.12 So sánh phổ phông thực nghiệm và mô phỏng khi che chắn lớp Pb 3cm và lớp lót bằng Cu 2mm 52 25 3.13 So sánh phổ mô phỏng và phổ thực nghiệm của mẫu chuẩn IAEA-375 khi có che chắn 3 cm Pb và 2mm Cu 54 26 3.14 So sánh phổ mô phỏng và phổ thực nghiệm của mẫu chuẩn RGK khi có che chắn 3 cm Pb và 2mm Cu 54 27 3.15 Bản vẽ chi tiết của lớp vật liệu che chắn hình trụ và hình hộp chữ nhật 55 28 3.16 So sánh phổ mô phỏng phông phóng xạ khi sử dụng lớp Pb che chắn dày 3cm với hình dạng khác nhau 56 29 3.17 So sánh phổ phông mô phỏng khi sử dụng lớp Pb che chắn hình trụ với các bề dày khác nhau 57 30 3.18 So sánh phổ mô phỏng của mẫu chuẩn RGK khi mở rộng không gian bên trong lớp vật liệu che chắn 59 31 3.19 So sánh phổ mô phỏng của mẫu chuẩn RGK khi mở rộng không gian bên trong lớp vật liệu che chắn (100 – 500keV) 59 32 3.20 So sánh phổ mô phỏng của mẫu chuẩn RGK khi có và không có lớp vật liệu lót bằng Cu dày 2mm (0 – 500keV) 60 33 3.21 Cấu hình giảm phông thụ động đề xuất 61 6 MỞ ĐẦU Trong vật lý hạt nhân thực nghiệm, thiết bị ghi nhận bức xạ đóng vai trò rất quan trọng và phát triển không ngừng kể từ khi con người phát hiện ra hiện tượng phóng xạ. Đầu dò ghi nhận bức xạ là thành phần quan trọng nhất trong các thiết bị ghi nhận bức xạ. Trong lịch sử phát triển của vật lý hạt nhân, nhiều loại đầu dò đã được phát minh và sử dụng như: buồng bọt, buồng ion hóa, ống đếm tỷ lệ, ống đếm Geiger – Muller, đầu dò nhấp nháy, đầu dò bán dẫn… Sự ra đời của các đầu dò Germanium siêu tinh khiết (HPGe) và Silicon (Si) với độ phân giải năng lượng cao (thập kỉ 1960) đã phát triển hệ phổ kế gamma lên tầm cao hơn. Tuy nhiên, các đầu dò khác cũng có những ưu điểm riêng và những ứng dụng phù hợp với tính chất của nó. Đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) tuy không có độ phân giải năng lượng cao nhưng lại có ưu thế về hiệu suất ghi, khả năng chế tạo ra các hình học đa dạng với kích thước khác nhau và có thể hoạt động trong thời gian dài mà không cần hệ thống làm lạnh. Do có hiệu suất ghi nhận cao nên đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) phù hợp trong các phép đo mẫu môi trường có hoạt độ thấp với yêu cầu về độ phân giải năng lượng không quá cao. Tuy nhiên trong quá trình phân tích mẫu môi trường, bức xạ của môi trường xung quanh hệ đo ảnh hưởng rất nhiều đến phổ ghi nhận của mẫu phân tích. Để các phép đo mẫu môi trường có hoạt độ thấp đạt hiệu quả thì việc giảm phông cho hệ phổ kế gamma là rất cần thiết. Trên cơ sở đầu dò NaI(Tl) có tại Bộ môn Vật lý Hạt nhân, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên thành phố Hồ Chí Minh, chúng tôi tiến hành mô phỏng tương tác của bức xạ với vật chất bằng chương trình Geant4 (Geometry And Tracking). Geant4 là chương trình mô phỏng về tương tác của hạt với vật chất, có mã nguồn mở, độ tin cậy cao được nghiên cứu và phát triển bởi các nhà nghiên cứu tại CERN (European Organization for Nuclear Research). Mục tiêu của đề tài là xây dựng cấu hình giảm phông thụ động cho đầu dò NaI(Tl) bằng chương trình Geant4, tiến hành khảo sát trên các cấu hình che chắn khác nhau theo các tiêu chí: hình dạng, bề dày và kích thước; Từ đó đưa ra cấu hình che chắn tối ưu đối với đầu dò NaI(Tl). 7 Đối tượng nghiên cứu là đầu dò NaI(Tl) có tại bộ môn Vật lý Hạt nhân. Phương pháp nghiên cứu trong đề tài là thực nghiệm kết hợp với phương pháp mô phỏng Monte Carlo sử dụng chương trình Geant4. Nội dung đề tài bao gồm: Phần mở đầu: Giới thiệu chung về nhiệm vụ của đề tài. Chương 1: Tổng quan về tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước và ứng dụng hệ phổ kế gamma sử dụng đầu dò NaI(Tl); Các nguồn bức xạ và tương tác của bức xạ với vật chất; Mô hình hệ giảm phông thụ động. Chương 2: Giới thiệu về thiết bị nghiên cứu: đầu dò nhấp nháy NaI(Tl), hệ thống điện tử, cấu hình các lớp che chắn; Trình bày về phương pháp Monte Carlo, giới thiệu về chương trình Geant4. Chương 3: Kết quả và thảo luận Phần kết luận và kiến nghị. Ý nghĩa khoa học của đề tài là dựa trên các kết quả nghiên cứu kết hợp giữa mô phỏng và thực nghiệm. Từ đó, đánh giá được sự ảnh hưởng của các thành phần phông phóng xạ đến hệ phổ kế gamma và khắc phục những ảnh hưởng này. Ý nghĩa thực tiễn của đề tài là góp phần xây dựng hệ thống phân tích mẫu môi trường của phòng thí nghiệm Vật lý Hạt nhân của trường Đại học Khoa học Tự nhiên phục vụ cho quá trình đào tạo và nghiên cứu. 8 Chương 1 TỔNG QUAN 1.1. Tình hình nghiên cứu và ứng dụng của đầu dò NaI(Tl) Đầu dò bán dẫn Germanium siêu tinh khiết (HPGe) ra đời đã giải quyết được vấn đề về độ phân giải năng lượng trong nghiên cứu hạt nhân. Đầu dò bán dẫn trở thành thiết bị ghi nhận bức xạ hoàn hảo nhất trong các phòng thí nghiệm hạt nhân cũng như các phòng phân tích dịch vụ. Các đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) có hiệu suất ghi nhận cao, giá thành thấp hơn so với đầu dò bán dẫn HPGe nên chúng vẫn còn được sử dụng nhiều. Các đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) với độ nhạy cao có thể hoạt động liên tục ngoài môi trường do đó nó được sử dụng ở các trạm quan sát và cảnh báo phóng xạ hay trong các lò phản ứng, nhà máy điện… Trong nghiên cứu, đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) do có độ nhạy cao nên được sử dụng trong các hệ đo trùng phùng, trong nghiên cứu bề dày vật liệu, trong các phép đo mẫu hoạt độ thấp mà thành phần không quá phức tạp. Ngoài ra đầu dò NaI(Tl) còn được ứng dụng chụp hình phóng xạ trong y tế (như gamma camera hay gamma plate). Dưới đây, luận văn sẽ khái quát một số công trình nghiên cứu trên thế giới cũng như tại Việt Nam liên quan đến khả năng ứng dụng của đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) và hướng phát triển của đề tài. 1.1.1. Tình hình nghiên cứu trên thế giới Năm 1992, J. Verplancke [13] đã chỉ ra rằng phông phóng xạ đo được trên hệ phổ kế gamma có thể do: phóng xạ môi trường xung quanh như 40 K, các hạt nhân phóng xạ trong hai chuỗi 238 U và 232 Th, 222 Ra có trong không khí (trong phòng thí nghiệm còn có sự ảnh hưởng của các nguồn phóng xạ như 137 Cs, 60 Co) và bức xạ vũ trụ đặc biệt là bức xạ thứ cấp do các hạt muon năng lượng cao gây ra. Để đo được những mẫu có hoạt độ thấp cần phải giảm phông phóng xạ. Khi đặt đầu dò trong lớp chì che chắn dày 10cm, phông phóng xạ giảm đi 1000 lần và có thể đo được nguồn yếu hơn 30 lần với độ chính xác thống kê như nhau. Các lớp che chắn thụ động này chỉ khắc phục được phông phóng xạ do môi trường xung quanh hệ đo gây ra mà không khắc phục được ảnh hưởng của bức xạ vũ trụ. Để khắc phục triệt để 9 ảnh hưởng của bức xạ vũ trụ phải xây dựng hệ đo theo sơ đồ đối trùng với các bản tinh thể nhấp nháy đặt xung quanh ghi nhận các bức xạ vũ trụ và tạo tín hiệu phủ định các bức xạ vũ trụ ghi nhận bởi đầu dò bên trong lớp che chắn hoặc đặt hệ đo sâu trong lòng đất. P. Vojtyla và P. P. Povinec [15] đã sử dụng chương trình Geant4 để mô phỏng và đánh giá sự ảnh hưởng của bức xạ vũ trụ năng lượng cao lên phông phóng xạ được đo bởi hệ phổ kế gamma sử dụng đầu dò bán dẫn HPGe (dạng đồng trục và dạng giếng). Phổ phông mô phỏng bằng chương trình Geant4 là phù hợp với phổ thực nghiệm ngoại trừ vùng năng lượng nhỏ hơn 100 keV, phổ mô phỏng thấp hơn phổ thực nghiệm 10-20%, điều này được lý giải do trong chương trình Geant4 không mô phỏng thành phần neutron vũ trụ. Các tác giả tiến hành khảo sát phông với nhiều cấu hình che chắn khác nhau và nhận thấy: Hình dạng của lớp che chắn không ảnh hưởng đến hiệu suất che chắn; Khi tăng kích thước hoặc tăng bề dày lớp che chắn hoặc cộng thêm lớp lót bằng vật liệu có bậc số nguyên tử Z thấp hơn càng làm gia tăng tương tác của muon vũ trụ với vật liệu che chắn làm cho phổ phông do thành phần vũ trụ gây ra cao hơn, lớp chì che chắn dày 15cm là tối ưu nhất; Phông mà hệ ghi nhận được ở độ sâu tương đương 20m nước giảm ba lần so với tại mặt nước biển. H. X. Shi và cộng sự [12] đã xây dựng một chương trình mô phỏng Monte Carlo riêng mang tên PETRANS 1.0 dựa trên nền tảng của EGS4 để tính toán đáp ứng cho riêng đầu dò NaI(Tl) với hai hiệu chỉnh giúp cải tiến độ chính xác của việc khảo sát: (a) hiệu suất nhấp nháy: là lượng ánh sáng trên một đơn vị năng lượng để lại. Giá trị này là một hàm theo năng lượng electron; (b) dịch chuyển đỉnh thoát đơn: theo nhóm tác giả đỉnh thoát đơn dịch chuyển do độ cao xung thật của đỉnh thoát đơn hơi nhỏ hơn mong đợi. Kết quả so sánh phổ các nguồn 137 Cs, 60 Co, 24 Na, 16 N được mô phỏng bằng chương trình PETRANS 1.0 với các chương trình mô phỏng tổng quát như MCNP, EGS4, hay chương trình mô phỏng chuyên dụng MARTHA cho thấy đáp ứng từ PETRANS 1.0 phù hợp tốt hơn với phổ thực nghiệm, đặc biệt ở vùng năng lượng thấp và cạnh Compton. 10 [...]... chủ yếu vào các vấn đề sau: nghiên cứu về độ phân giải năng lượng của đầu dò NaI( Tl) ; xây dựng hàm đáp ứng của đầu dò NaI( Tl) ; nghiên cứu và áp dụng đầu dò NaI( Tl) trong ghi nhận bức xạ môi trường Vấn đề nghiên cứu giảm phông chủ yếu được thực hiện với các đầu dò bán dẫn Ở Việt Nam, đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) được sử dụng nhiều trong các phòng thí nghiệm hạt nhân nhưng cũng chưa nghiên cứu giảm phông Đây... chọn là chì, thiếc và đồng 27 Chương 2 GIỚI THIỆU VỀ THIẾT BỊ THÍ NGHIỆM VÀ CHƯƠNG TRÌNH GEANT4 2.1 Hệ phổ kế gamma sử dụng đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) Hệ phổ kế gamma được xây dựng trong luận văn là hệ ghi nhận bức xạ sử dụng đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) bao gồm các thành phần sau: đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) , Osprey, các lớp vật liệu che chắn (Pb, Cu) và máy tính có cài đặt phần mềm thu nhận và xử lý phổ hạt... trong lớp che chắn 6 Không được giảm độ tin cậy của hệ đo 1.4 Nhận xét chương 1 Trong chương này, luận văn đã trình bày tổng quan tình hình nghiên cứu và ứng dụng đầu dò NaI( Tl) trong và ngoài nước Luận văn cũng trình bày các nguồn phóng xạ ảnh hưởng đến hệ phổ kế gamma và đưa ra hướng nghiên cứu sơ bộ trong xây dựng hệ giảm phông thụ động cho đầu dò NaI( Tl) Để giảm phông phóng xạ tự nhiên thì các... hưởng đến phông phóng xạ của hệ đo Có hai phương pháp để giảm phông cho hệ đo là: phương pháp giảm phông thụ động bằng cách xây dựng các khối che chắn cho hệ đo bằng vật liệu có Z lớn (như chì, bê tông) để hấp thụ hoàn toàn bức xạ môi trường ngoài hoặc có thể giảm phông chủ động bằng cách thiết lập sơ đồ đối trùng (dựa vào tín hiệu của bản tinh thể nhấp nháy hoặc ống đếm tỷ lệ đặt xung quanh hệ đo để... cần hệ thống 12 làm lạnh nên đầu dò NaI( Tl) rất thích hợp trong khảo sát phóng xạ ngoài hiện trường và lắp đặt trong các trạm quan trắc, lò phản ứng, các trung tâm ứng dụng công nghệ hạt nhân với mục đích cảnh báo Ngoài ra, đầu dò NaI( Tl) còn được áp dụng trong nhiều mô hình nghiên cứu Năm 2005, tác giả Trần Văn Luyến và cộng sự [3] đã thiết kế buồng chì giảm phông cho hệ phổ kế gamma sử dụng đầu dò. .. hiệu mà hệ ghi nhận được) Phương pháp giảm phông chủ động được thực hiện khi chúng ta muốn loại bỏ ảnh hưởng của bức xạ vũ trụ có năng lượng cao và các hiệu 25 ứng thứ cấp của chúng Chúng ta hoàn toàn có thể giảm phông hệ đo bằng cách kết hợp hai phương pháp giảm phông trên Phông phóng xạ của hệ đo cũng có thể được loại bỏ hoàn toàn khi đặt hệ đo sâu dưới lòng đất Trong phương pháp giảm phông thụ động, ... hóa đầu dò NaI( Tl) bằng chương trình MCNP-X Trong quá trình mô phỏng có thực hiện hiệu chỉnh về hiệu suất và độ phân giải năng lượng của đầu dò Kết quả so sánh phổ của hai nguồn 241 Am và 137 Cs cho thấy: Phổ 137 Cs, ở vùng năng lượng cao có sự phù hợp tốt giữa phổ mô phỏng và phổ thực nghiệm; ở vùng năng lượng nhỏ hơn 400 keV, phổ mô phỏng thấp hơn phổ thực nghiệm, điều này do trong phổ thực nghiệm. .. được thể hiện như trong hình 2.1 Hình 2.1: Đầu dò NaI( Tl) 802-7,62cm x7,62cm 28 Đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) cho kết quả tốt và ổn định đối với các mẫu có dạng hình trụ Các thành phần và vật chất của các thành phần cấu tạo nên đầu dò được thể hiện trong bảng 2.1 Bảng 2.1: Kích thước và vật chất cấu tạo của đầu dò Thành phần Vật chất Kích thước Mật độ Tinh thể NaI( Tl) 7,62cm x 7,62cm 3,67 g/cm3 Cửa sổ Nhôm... hệ gamma phông thấp [13]: 1 Vật liệu che chắn và hệ thống làm lạnh gần đầu dò phải có hoạt độ phóng xạ thấp 2 Hệ giảm phông chủ động, hệ thống làm lạnh, hệ điện tử… phải nằm ngoài lớp vật liệu che chắn 3 Lớp che chắn phải chắn được bức xạ môi trường 26 4 Bức xạ đi vào trong lớp che chắn qua các khe hở không được tán xạ lên thành vật liệu che chắn đi vào đầu dò 5 Hạn chế không khí bên ngoài đi vào bên... tiết diện hấp thụ quang điện σ phot, tiết diện tán xạ Compton σComp và tiết diện tạo cặp σpair (1.18) Từ (1.18) ta có hệ số suy giảm tuyến tính (tiết diện vĩ mô) (1.19) 1.3 Mô hình hệ giảm phông thụ động Phóng xạ tự nhiên gồm có bức xạ vũ trụ và phóng xạ môi trường xung quanh hệ đo luôn luôn hiện hữu và ảnh hưởng đến phông phóng xạ của hệ đo Ngoài ra các nguồn phóng xạ nhân tạo và các thiết bị bức xạ . với hệ phổ kế gamma sử dụng đầu dò NaI( Tl) tập trung chủ yếu vào các vấn đề sau: nghiên cứu về độ phân giải năng lượng của đầu dò NaI( Tl) ; xây dựng hàm đáp ứng của đầu dò NaI( Tl) ; nghiên cứu và. phòng thí nghiệm hạt nhân nhưng cũng chưa nghiên cứu giảm phông. Đây chính là lý do, luận văn tiến hành nghiên cứu, khảo sát và thiết kế hệ giảm phông thụ động cho đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) nhằm. sử dụng đầu dò NaI( Tl) ; Các nguồn bức xạ và tương tác của bức xạ với vật chất; Mô hình hệ giảm phông thụ động. Chương 2: Giới thiệu về thiết bị nghiên cứu: đầu dò nhấp nháy NaI( Tl) , hệ thống điện