ỨNG DỤNG TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỂ LOẠI TRỪ NHIỄU VÔ TUYẾN VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG XUẤT HIỆN TỨC THỜI

40 439 0
  • Loading ...
1/40 trang

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 09/08/2014, 15:09

Từ năm 1996, sự quan tâm đến việc loại trừ điện từ đã được tăng lên với các quy định về tương thích điện từ (EMC) của Liên minh châu Âu đối với các sản phẩm thương mại bao gồm cả hai yếu tố bức xạ và khả năng miễn nhiễm. Trong khi đó, mạch kỹ thuật số là góp phần chính tạo ra sóng bức xạ, mạch tương tự mức thấp là mối quan tâm chính liên quan đến tính nhạy cảm tần số vô tuyến (RF). MỤC LỤC ỨNG DỤNG TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) ĐỂ LOẠI TRỪ NHIỄU TẦN SỐ VÔ TUYẾN VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG XUẤT HIỆN NHẤT THỜI Từ năm 1996, sự quan tâm đến việc loại trừ điện từ đã được tăng lên với các quy định về tương thích điện từ (EMC) của Liên minh châu Âu đối với các sản phẩm thương mại bao gồm cả hai yếu tố bức xạ và khả năng miễn nhiễm. Trong khi đó, mạch kỹ thuật số là góp phần chính tạo ra sóng bức xạ, mạch tương tự mức thấp là mối quan tâm chính liên quan đến tính nhạy cảm tần số vô tuyến (RF). Tuy nhiên, mạch kỹ thuật số dễ dàng bị ảnh hưởng bởi hiện tượng điện áp cao nhất thời chẳng hạn như sự phóng tĩnh điện (ESD) hơn là bị ảnh hưởng bởi tần số vô tuyến. Khả năng miễn nhiễm được định nghĩa là khả năng của một sản phẩm hoạt động mà không bị ảnh hưởng trong sự hiện diện của một rối loạn điện từ. Ngược với khả năng miễn nhiễm là tính nhạy cảm, đó là xu hướng của một thiết bị trục trặc hoặc biểu hiện sự suy giảm hiệu năng trong sự hiện diện của một nhiễu loạn điện từ. Phần này bao gồm các thiết kế của hệ thống điện tử có khả năng miễn nhiễm. Khả năng miễn nhiễm tần số vô tuyến, miễn nhiễm các hiện tượng xuất Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 1 hiện nhất thời, và miễn nhiễm đối với rối loạn dòng điện đều được trình bày. Rõ ràng rằng không phải tất cả các thiết bị cần phải được thiết kế cho cùng một mức độ miễn nhiễm. Trong việc lựa chọn một mức độ miễn nhiễm thích hợp, ta nên xem xét đến việc sử dụng của sản phẩm, những hậu quả tiềm tàng của một sự cố, sự mong đợi của người sử dụng, môi trường điện từ mà sản phẩm sẽ được sử dụng, cũng như bất kỳ yêu cầu quy định có khả năng áp dụng. Ngay cả khi sản phẩm không yêu cầu đáp ứng các yêu cầu miễn nhiễm (ví dụ, một sản phẩm thương mại chỉ được bán trên thị trường ở Hoa Kỳ), thì vẫn sẽ là khôn ngoan để thiết kế và thử nghiệm nó cho khả năng miễn nhiễm để tránh thất bại và để giữ cho người sử dụng hài lòng. Do đó, tất cả các sản phẩm nên được thiết kế và thử nghiệm đối với các mức độ bức xạ, các hiện tượng xuất hiện nhất thời và khả năng miễn nhiễm đường điện nhỏ nhất. Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 2 CHƯƠNG 1: CÁC TIÊU CHUẨN VỀ CHẤT LƯỢNG Một trong những vấn đề phát sinh liên quan đến yêu cầu miễn nhiễm và kiểm tra (có nghĩa là không phải là một vấn đề đối với sự phát xạ) là những gì tạo nên sự hỏng hóc. Tất cả chúng ta đều có thể đồng ý rằng nếu trong quá trình thử nghiệm miễn nhiễm sản phẩm bị hư hỏng hoặc trở nên không an toàn, thì đó là một sản phẩm thất bại. Tuy nhiên, sự thiếu hụt thiệt hại thực tế hoặc sản phẩm trở nên không an toàn, có rất nhiều nguyên nhân khác nhau cho sự thất bại đó. Ví dụ, nếu trong thời gian thử nghiệm miễn nhiễm của một bộ phát truyền hình, màn hình hiển thị phá vỡ tổ chức theo chiều dọc và màn hình hiển thị màn hình cuộn theo chiều dọc một lần hoặc hai lần, là một sản phẩm thất bại? Những người khác nhau có thể có câu trả lời khác nhau cho câu hỏi đó. Tiêu chuẩn miễn nhiễm của Liên minh châu Âu xác định ba tiêu chí thất bại. Mỗi cuộc kiểm tra miễn nhiễm sau đó xác định một trong ba tiêu chí được áp dụng để mà kiểm tra. Ba tiêu chí như sau (EN 61000-6-1, 2007): Tiêu chuẩn A: Thiết bị sẽ tiếp tục hoạt động như dự định trong và sau khi kiểm tra. Không có sự xuống cấp về hiệu suất hoặc mất chức năng được cho phép. Tiêu chuẩn B: Các thiết bị sẽ tiếp tục hoạt động như dự định sau khi thử nghiệm. Sau khi kiểm tra không có sự xuống cấp về hiệu suất hoặc mất chức Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 3 năng được cho phép. Trong thời gian thử nghiệm, sự xuống cấp về hiệu suất được cho phép. Tuy nhiên, không có sự thay đổi trạng thái hoạt động hoặc thay đổi dữ liệu được lưu trữ. Tiêu chuẩn C: tạm thời mất chức năng cho phép, cung cấp chức năng tự phục hồi hoặc có thể được phục hồi bằng các hoạt động điều khiển. Tiêu chuẩn A là áp dụng đối với miễn nhiễm tần số vô tuyến, tiêu chuẩn B được áp dụng để miễn nhiễm hiện tượng nhất thời cũng như trong trường hợp của một số rối loạn đường dây điện, và Tiêu chuẩn C được áp dụng trong trường hợp bị sụt áp và bị gián đoạn nghiêm trọng. CHƯƠNG 2: LOẠI TRỪ NHIỀU TẦN SỐ VÔ TUYẾN Nhiễu tần số vô tuyến (RFI) có thể là một vấn đề nghiêm trọng cho tất cả các hệ thống điện tử, bao gồm cả thiết bị giải trí gia đình, máy tính, xe ô tô, thiết bị quân sự, các thiết bị y tế, và thiết bị điều khiển quá trình công nghiệp lớn. Tồn tại tiêu chuẩn miễn nhiễm tần số vô tuyến để kiểm soát hoặc hạn chế tính nhạy cảm của một sản phẩm với trường điện từ. Ở tần số cao, điển hình là 50 MHz hoặc cao hơn, năng lượng điện từ dễ dàng ghép trực tiếp vào thiết bị và (hoặc) cáp của nó. Ở tần số thấp hơn, thường 50 MHz hoặc ít hơn, hầu hết các sản phẩm không đủ lớn để là bộ phận thu hiệu quả năng lượng điện từ. Kết quả là, sự ghép điện từ hầu như luôn luôn xảy ra với các dây cáp tại các tần số này. Dây cáp sẽ là các ăng-ten thu hiệu quả khi chúng bằng một phần tư hoặc một nửa độ dài bước sóng. Tại tần số 50 MHz, một nữa bước sóng một là bằng 3m. Để lộ 3m cáp đến một trường điện từ đồng nhất là một thử nghiệm khó khăn để thực hiện, nó đòi hỏi một phòng thử nghiệm lớn và thiết bị đắt tiền. Do đó, việc kiểm tra được thực hiện bằng cách đưa một điện áp vào dây dẫn của cáp để mô phỏng thiết bị thu trường điện từ. Đây được gọi là "thử nghiệm miễn nhiễm truyền tải điện", và thực sự chỉ là thử nghiệm miễn nhiễm bức xạ. Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 4 Các tiêu chuẩn miễn nhiễm tần số vô tuyến rf cho các sản phẩm thương mại thường yêu cầu sản phẩm hoạt động đúng mà không bị xuống cấp (tiêu chuẩn hiệu suất A) khi tiếp xúc với một điện áp tần số vô tuyến 3V (đối với các sản phẩm thương mại / khu dân cư) hoặc 10V (đối với thiết bị công nghiệp) (EN 61000-6-1, 2007). Kiểm tra cũng phải được áp dụng cho các loại cáp tín hiệu, cáp dòng điện một chiều và dây dẫn trên mặt đất nếu chúng hơn 3m chiều dài. Điện áp được áp dụng như một điện áp mode chung đến các dây dẫn cáp. Đối với cáp không được bao bọc, điện áp là được ghép thành dây dẫn thông qua một trở kháng mode chung 150 Ω (trở kháng nguồn 50 Ω của máy phát điện cộng với một điện trở 100n Ω đến mỗi dây dẫn, trong đó n là số lượng dây dẫn trong cáp). Đối với đường dây được bao bọc, điện áp là ghép trực tiếp đến lớp bảo vệ thông qua một điện trở 150 Ω (50 Ω trở kháng nguồn của máy phát điện cộng với một điện trở 100 Ω ). Tiêu chuẩn miễn nhiễm tần số vô tuyến bức xạ cho các sản phẩm thương mại thường yêu cầu sản phẩm hoạt động đúng mà không xuống cấp (tiêu chuẩn hiệu suất A) khi tiếp xúc với một điện trường 3V/m (đối với các sản phẩm thương mại / khu dân cư) hoặc 10 V/m (đối với thiết bị công nghiệp). Cường độ trường cao hơn (lên đến 200 V/m) được áp dụng cho các sản phẩm ô tô và quân sự. 2.1. Môi trường tần số vô tuyến Cường độ điện trường tại một điểm có khoảng cách d từ máy phát có thể dễ dàng được tính toán. Giả sử một bức xạ đẳng hướng nhỏ (bức xạ như nhau trong mọi hướng), mật độ công suất P ở khoảng cách d bất kỳ từ nguồn là bằng công suất bức xạ hiệu dụng (ERP) chia cho diện tích bề mặt của một hình cầu có bán kính bằng với khoảng cách d, hay 2 ER ER 4 sphere P P P A d π = = × × (1) Mật độ công suất P(đơn vị watt trên mỗi mét vuông) là bằng kết quả của điện trường E nhân từ trường H. Trong trường hợp của trường xa, E/H bằng 120 π (377 Ω ). Thay vào (1) và tính E cho Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 5 30 ERP E d × = (2) Với ERP là công suất phát nhân với độ khuếch đại anten. Đối với máy phát cầm tay nhỏ độ khuếch đại ăng-ten thường có thể được giả định là duy nhất. Đối với một ăng-ten lưỡng cực, độ khuếch đại bằng 2,14 dB hoặc một hệ số của 1,28 với một bức xạ đẳng hướng. Biểu thức (2) được áp dụng cho hệ số truyền FM. Với thiết bị phát AM, thì nhân biểu thức (2) với hệ số 1,6 để tính toán cho các đỉnh điều chế (giả sử điều chế 80%). Ví dụ, một trạm FM 50.000W sẽ tạo ra một cường độ điện trường 0,77 V/m tại một khoảng cách là 1,6 km (khoảng 1 dặm). Tuy nhiên, một điện thoại di động 600 mW tạo ra một cường độ điện trường 4,24 V/m ở khoảng cách 1 m. Như vậy có thể kết luận từ ví dụ này, các máy phát công suất thấp gần đó thường gây ra một mối đe dọa thiết bị điện tử hơn so với các máy phát công suất cao ở xa. Ở khu công nghiệp Canada, sau khi khảo sát môi trường vô tuyến ở Canada, đã kết luận rằng cường độ điện trường tối đa dự kiến trong khu vực đô thị và ngoại ô dao động từ 1 đến 20 V / m trong dải tần số từ 10 kHz đến 10.000 MHz (Công nghiệp Canada, 1990). Mạch kỹ thuật số thường không dễ bị nhạy cảm với năng lượng bức xạ tần số vô tuyến rf trừ khi cường độ trường là trên 10 V/m. Tuy nhiên, mạch kỹ thuật tương tự mức thấp bao gồm cả điều chỉnh điện áp thường rất dễ bị nhạy cảm với bức xạ tần số vô tuyến rf ở mức 1 đến 10V/m. 2.2. Hiệu chỉnh âm thanh (Audio Rectification) Tính nhạy cảm tần số vô tuyến thường liên quan đến việc hiệu chỉnh âm thanh. Hiệu chỉnh âm thanh là sự phát hiện vô tình (sự hiệu chỉnh) năng lượng tần số vô tuyến rf ở tần số cao bởi một yếu tố phi tuyến tính, trong một mạch có tần số thấp. Khi một tín hiệu tần số vô tuyến rf đã được điều chế gặp một thiết bị phi tuyến (như tiếp giáp base và emitter của một transistor lưỡng cực), tín hiệu được chỉnh lưu và sự điều chế xuất hiện trong mạch. Trong trường hợp của một tín hiệu tần số vô tuyến rf không được điều chế, một điện áp dc bù đắp Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 6 sẽ được tạo ra. Trong trường hợp của một tín hiệu tần số vô tuyến rf đã được điều chế, một điện áp ac tương đương với tần số điều chế sẽ xuất hiện trong mạch. Điện áp dc bù đắp, hoặc tần số điều chế, thường là với dải thông của mạch kỹ thuật tương tự tần số thấp và do đó có thể gây nhiễu. Các ví dụ điển hình của việc này là đài phát thanh dãi thành phố 27 MHz gây giao thoa với hệ thống gia đình có tính trung thực cao hoặc các hệ thống âm thanh stereo. Hiệu chỉnh âm thanh có thể xảy ra trong các mạch audio/video, chẳng hạn như hệ thống âm thanh nổi, điện thoại, micro, bộ khuếch đại, truyền hình, và cũng như trong hệ thống kiểm soát thông tin phản hồi tần số thấp như điều chỉnh điện áp, cung cấp điện, hệ thống điều khiển quá trình công nghiệp, cảm biến nhiệt độ và áp suất và trong một số trường hợp hiếm hoi ngay cả trong các mạch kỹ thuật số. Trong các trường hợp trước đây, tín hiệu tần số vô tuyến rf giải điều chế thường nghe hoặc nhìn thấy, trong các trường hợp sau tín hiệu tần số vô tuyến rf giải điều chế tạo ra điện áp bù dc hoặc tần số thấp trong các hệ thống điều khiển mà rối loạn chức năng điều khiển. Đối với hiệu chỉnh âm thanh là một vấn đề mà có hai điều sau đây phải xảy ra: • Thứ nhất, năng lượng tần số vô tuyến rf sẽ được thu. • Thứ hai, nó phải được chỉnh lưu. Loại bỏ một trong hai điều trên thì hiệu chỉnh âm thanh sẽ không xảy ra. Năng lượng tần số vô tuyến rf là thường được thu bởi các loại cáp và trong một số trường hợp tần số rất cao, thì được thu bởi các mạch chính nó. Trong hầu hết trường hợp, sự phát hiện xảy ra trong các tiếp giáp pn đầu tiên mà năng lượng tần số vô tuyến rf bắt gặp. Trong trường hợp hiếm hoi, phát hiện có thể do các đặc tính chỉnh lưu của một mối hàn xấu hoặc một kết nối mặt đất kém. Các mạch quan trọng nhất thường là mạch kỹ thuật tương tự mức thấp như các bộ khuếch đại và mạch điều chỉnh điện áp tuyến tính. 2.3. Kỹ thuật giảm nhẹ nhiễu tần số vô tuyến Cả hai bức xạ tần số vô tuyến rf và thực hiện loại trừ tần số vô tuyến rf được xử lý bằng cách sử dụng các kỹ thuật tương tự, bởi vì chúng là cả hai hình Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 7 thức của ghép bức xạ điện từ. Hình 1 cho thấy một ví dụ về một mạch điển hình cần được bảo vệ khỏi nhiễu tần số vô tuyến RFI. Nó bao gồm một bộ cảm biến, dây cáp không được bao bọc, và bo mạch in (PCB). Cáp thường thu năng lượng tần số vô tuyến rf, ở cả hai mode chung và mode riêng. Mạch cảm biến và các mạch PCB, sau đó hiệu chỉnh lại tín hiệu. Hình 1: Ví dụ về loại trừ tần số vô tuyến Các dây cáp này có thể được bảo vệ tránh khỏi việc thu năng lượng tần số vô tuyến rf bằng cách sử dụng cặp xoắn (mode riêng), cũng như cuộn cảm kháng mode chung (mode chung), hoặc bằng cách che chắn (cả hai mode). Đối với nhiều sản phẩm tần số nhạy cảm nhất là những tần số mà tại đó các dây cáp bị cộng hưởng. Bộ lọc thích hợp tại cảm biến hoặc bo mạch in ở cuối của dây cáp, hoặc tại các thiết bị tạo ra hiệu chỉnh có thể bỏ qua năng lượng tần số vô tuyến rf và do đó loại bỏ được vấn đề. Kỹ thuật giảm thiểu nhiễu tần số vô tuyến RFI có thể và nên được áp dụng: • Ở cấp thiết bị. • Ở dây cáp. • Ở lớp vỏ thiết bị. 2.3.1. Bảo vệ ở cấp thiết bị Khử nhiễu RFI nên bắt đầu ở cấp thiết bị và sau đó có thể được bổ sung với việc bảo vệ ở cấp vỏ thiết bị và dây cáp. Các mạch quan trọng nhất là Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 8 những mạch hoạt động ở các mức tín hiệu thấp nhất, và những vị trí gần nhất với các đầu vào/ ra (IO) của cáp. Giữ tất cả vùng lập tín hiệu quan trọng càng nhỏ càng tốt, đặc biệt là các mạch đầu vào và mạch hồi tiếp của các bộ khuếch đại mức thấp. IC nhạy cảm cần được bảo vệ với bộ lọc tần số vô tuyến rf trực tiếp tại đầu vào của chúng. Bộ lọc thông thấp R-C bao gồm một trở kháng mắc nối tiếp (ferrite bead, điện trở, cuộn cảm) và một tụ điện mắc song song nên được sử dụng ở đầu vào cho các thiết bị nhạy cảm, như trong hình 2, để chuyển hướng dòng tần số vô tuyến rf tránh xa thiết bị và ngăn chặn hiệu chỉnh âm thanh. Hình 2: Bộ lọc RFI ở đầu vào thiết bị nhạy cảm Một bộ lọc RFI hiệu quả có thể được thực hiện bằng cách sử dụng một thành phần nối tiếp với một trở kháng từ 50 đến 100 Ohm và một thành phần mắc song song (thường là một tụ điện) với một trở kháng một vài ohms hoặc ít hơn, cả hai được xác định ở tần số quan tâm. Điện trở có thể được sử dụng cho các phần tử nối tiếp nơi sụt áp điện áp dc là chấp nhận được. Tại tần số trên 30 MHz, hạt ferrite làm việc tốt và không có bất kỳ sụt áp dc nào. Dưới khoảng 10 MHz, cuộn cảm có thể được sử dụng bởi vì thành phần mắc nối tiếp nên có một trở kháng 5-10Ohm. Chúng ta hãy xem xét trường hợp trở kháng mắc nối tiếp là 62,8 Ohm. Độ lớn của các điện kháng cảm ứng có thể được viết như sau 2 62.8 L X fL π = = (3) Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 9 Hoặc 10fL = (4) Do đó, chọn một cuộn cảm là kết quả của tần số và điện kháng tương đương với 10, ví dụ cho 10mH tại tần số 1Mhz hoặc 1mH tại 10Mhz. Bảng 1: Trở kháng của tụ điện lý tưởng Trong một số trường hợp, chỉ cần một tụ điện mắc song song là hiệu quả, với các thành phần mắc nối tiếp là điện cảm của các đường đi cáp hoặc boa mạch in. Bảng 1 liệt kê các giá trị trở kháng của tụ điện lý tưởng (không có điện cảm mắc nối tiếp hoặc điện trở) ở tần số khác nhau. Trong dải tần số từ 80 đến 1000 MHz (phạm vi tần số mà Liên minh châu Âu (EU) yêu cầu kiểm tra tính miễn nhiễm bức xạ được thực hiện), 1000 pF là một giá trị có hiệu quả cho một tụ điện lọc tần số vô tuyến rf, với trở kháng khác nhau, từ 0,16 đến 1,99 Ohm. Đối với các tần số thấp hơn dẫn tới các vấn đề miễn nhiễm, tụ điện giá trị lớn hơn có thể được yêu cầu sử dụng. Bởi vì các thành phần mắc song song của bộ lọc nên có một trở kháng khoảng một vài ohms hoặc ít hơn, chúng ta hãy xem xét trường hợp trở kháng là 1,6Ohm. Độ lớn của trở kháng điện dung sau đó sẽ được tính 1 1.6 2 C X fC π = = (5) Hoặc 0.1fC = (6) Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 10 [...]... thời gian tăng nhanh, các xung điện áp cao xuất hiện thoáng qua Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 18 CHƯƠNG 3: TRÁNH NHIỄU KHỎI CÁC TÍN HIỆU ĐIỆN ÁP CAO XUẤT HIỆN TỨC THỜI Liên minh châu Âu (EU) yêu cầu rằng các sản phẩm cũng phải được kiểm tra cho loại trừ xuất hiện điện áp cao nhất thời Về cơ bản có ba loại điện áp cao xuất hiện nhất thời mà nhà thiết kế thiết bị điện tử cần được quan tâm... ESD, được áp dụng cho các loại cáp; ESD là áp dụng đến vỏ thiết bị Bảng 4 tóm tắt các mức điện áp EFT và đột biến điện cho sản phẩm nhà ở/ thương mại và quy định cụ thể cách điện áp kiểm tra được áp dụng (EN 61000-6-1, năm 2007) 3.4 Hệ thống loại trừ các hiện tượng nhất thời Một số đặc tính mong muốn của hệ thống bảo vệ hiện tượng nhất thời bao gồm như sau: • Hạn chế điện áp • Hạn chế dòng điện • Chuyển... • Thứ nhất, chuyển hướng dòng điện nhất thời • Thứ hai, bảo vệ các thiết bị nhạy cảm khỏi bị hư hỏng hoặc rối loạn nhất thời • Thứ ba, viết phần mềm để thực hiện bảo vệ nhất thời Nhiều kỹ thuật được sử dụng để loại trừ hiện tượng nhất thời là tương tự như những thảo luận trước đây cho loại trừ nhiễu RFI Bởi vì hầu hết các rối loạn nhất thời điện áp cao được áp dụng cho các dây cáp, bảo vệ dây cáp trở... châu Âu trong việc loại trừ các hiện tượng xuất hiện nhất thời đối với các sản phẩm thương mại là yêu cầu các sản phẩm tiếp tục hoạt động như dự định, mà không làm giảm hoặc mất chức năng sau khi các kiểm tra loại trừ các hiện tượng xuất hiện nhất thời xảy ra Trong thời gian thử nghiệm, sự xuống cấp về hiệu suất được cho phép Tuy nhiên, không có thay đổi tình trạng hoạt động hoặc các dữ liệu được lưu... một số ứng dụng quan trọng (chẳng hạn như một số loại thiết bị y tế), rối loạn nhất thời có thể thậm chí không được phép xuất hiện trong trường hợp ESD (EN 60601-1-2, 2007) Bảng 3: Các đặc tính của điện áp cao xuất hiện nhất thời Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 19 Bảng 3 tóm tắt các đặc điểm của ba loại điện áp cao xuất hiện nhất thời Hai tham số quan trọng nhất là thời gian lên và năng... vệ điện áp cao nhất thời Để tránh ảnh hưởng đến tín hiệu mong muốn, điện dung trên nhiều đường giao Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 27 diện này phải được giữ ít hơn một vài pF Hầu hết diode TVS và các thiết bị loại trừ hiện tượng nhất thời khác, ngoại trừ các đèn khí (gas tube), có điện dung quá nhiều Tuy nhiên, đèn khí là có đáp ứng chậm để được sử dụng cho bảo vệ ESD hoặc EFT Hầu hết các. .. tuyến tính cho hiện tượng nhất thời thường được sử dụng cho hiện tượng nhất thời năng lượng cao Chúng là: • Diode TVS • Đèn phóng điện khí • Biến trở oxit kim loại (MOVs) Các diode làm nhiệm vụ loại trừ điện áp nhất thời và biến trở MOVs là các thiết bị ghim điện áp Chúng hoạt động bằng cách hạn chế điện áp đến một mức độ cố định Một khi chúng mở, chúng phải tiêu tán năng lượng xung nhất thời Tuy nhiên,... chúng phù hợp với điện áp ghim thấp hơn Dòng đột biến điện thường phải được giới hạn dưới mức 100A để sử dụng các diode TVS Thời gian đáp ứng của chúng là trong khoảng vài ps và có thể được sử dụng để bảo vệ ESD, EFT, và đột biến điện Chúng là ba thiết bị bảo vệ chống hiện tượng nhất thời tốt nhất được liệt kê ở trên Đèn phóng điện khí được sử dụng chủ yếu trên các mạch viễn thông Chúng là các thiết bị... diode Schottky được sử dụng vì sụt áp chuyển tiếp thấp Các diode phải có một điện áp duy trì ngược vượt quá điện áp đánh thủng của MOV Bảng 5 tóm tắt các đặc điểm của các thiết bị loại trừ hiện tượng nhất thời chung Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 35 Bảng 5: Các đặc tính điển hình của các thiết bị loại trừ hiện tượng nhất thời 3.8 Hệ thống bảo vệ hỗn hợp Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp... khi hạn chế tổng số các dây dẫn.Tần số cao của các tín hiệu trong cáp, dây dẫn mass nhiều hơn nên được sử dụng Cáp nội bộ cũng có thể đóng góp vào các vấn đề nhạy cảm Việc sử dụng các cuộn cảm mode chung ferrite và định tuyến cáp gần với khung vỏ thiết bị, nhưng các chỗ hàn và khe hở, sẽ cải thiện khả năng loại trừ nhiễu RF Nếu cáp che chắn được sử dụng cho các loại cáp nội bộ, thì cách tiếp cận tốt . mức 1 đến 10V/m. 2.2. Hiệu chỉnh âm thanh (Audio Rectification) Tính nhạy cảm tần số vô tuyến thường liên quan đến việc hiệu chỉnh âm thanh. Hiệu chỉnh âm thanh là sự phát hiện vô tình (sự hiệu. điển hình của việc này là đài phát thanh dãi thành phố 27 MHz gây giao thoa với hệ thống gia đình có tính trung thực cao hoặc các hệ thống âm thanh stereo. Hiệu chỉnh âm thanh có thể xảy ra trong các. ngăn chặn hiệu chỉnh âm thanh. Hình 6 cho thấy bộ lọc RFI áp dụng cho một bộ mã Người thực hiện: Lê Anh Khoa – Lớp KTĐT K25 12 hóa quang học bao gồm một dicode phát sáng (LED) và phototransistor.
- Xem thêm -

Xem thêm: ỨNG DỤNG TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỂ LOẠI TRỪ NHIỄU VÔ TUYẾN VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG XUẤT HIỆN TỨC THỜI, ỨNG DỤNG TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỂ LOẠI TRỪ NHIỄU VÔ TUYẾN VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG XUẤT HIỆN TỨC THỜI, ỨNG DỤNG TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ĐỂ LOẠI TRỪ NHIỄU VÔ TUYẾN VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG XUẤT HIỆN TỨC THỜI

Từ khóa liên quan

Gợi ý tài liệu liên quan cho bạn

Nhận lời giải ngay chưa đến 10 phút Đăng bài tập ngay