1 ĐẠI HỌC TÔN ĐỨC THẮNG ĐIỆN TỬ 1 ThS. Nguyễn Thy Linh Nội dung: Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng 5.1. Transistor ghép cascading; 5.2. Mạch khuếch đại vi sai; 5.3. Cách ghép darlington; 5.4. Mạch khuếch đại ghép cascode. 2 11 1 1 1 1 BB BE CQ b E VV I R R     1 1 1 1 () CEQ CC CQ E C V V I R R   22 2 2 2 2 BB BE CQ b E VV I R R     2 2 2 2 () CEQ CC CQ E C V V I R R   5.1. Transistor ghép cascading Phân tích DC 3 Transistor ghép cascading  Phân tích AC 4                               1 ' 1 ' 1 2 ' 2 ' 21 2 22 1 1 2 2 ieb b ieb bfe LC Cfe i b b b b L i L i hR R hR Rh RR Rh i i i i i i i i A 5.2. Mạch khuếch đại vi sai Giả sử 2 TST giống nhau V E1 = V E2 = (I E1 + I E2 )R e – V EE = 2I E1 R e – V EE = 2I E2 R e – V EE 5 12 0.7 2/ EE EQ EQ e b fe V II R R h    Mạch khuếch đại vi sai  Phân tích tín hiệu nhỏ i 0 = (i 1 + i 2 )/2 và i = i 2 – i 1  i 1 = i 0 – (i/2) và i 2 = i 0 + (i/2) Dùng phương pháp chồng chập  Mode chung: i 1 = i 2 = i 0  Mode vi sai: i 2 = - i 1 = i/2 6  Mode chung: Do tính đối xứng: i e1c = i e2c  i Re = 2i e1c = 2i e2c v e = (2R e )i e2c 7 0 2 2/ b ec e ib b fe Ri i R h R h    Mode vi sai: i e1d = - i e2d  i Re = 0  v e = 0 Ngắn mạch R e 8 2 2( / ) b ed ib b fe Ri i h R h    - Chồng chập: 9 2 2 2 0 2 / 2( / ) bb e e c e d e ib b fe ib b fe RR i i i i i R h R h h R h         2 c L ie c o d d cL R i i A i A i RR      2/ cb c c L e ib b fe RR A R R R h R h      2( / ) cb d c L ib b fe RR A R R h R h     Tỷ số triệt tín hiệu đồng pha (Common Mode Rejection Ratio – CMRR) Mạch khuếch đại vi sai lý tưởng: A c = 0: i L = A d i Mạch thực tế: 10 2/ 2( / ) / e ib b fe de c ib b fe ib b fe R h R h AR CMRR A h R h h R h      [...]... I CQ1 I CQ1 h fe1 ( Rb / h fe1 ) h fe 2 RC h fe1Rb iL h fe 2 Rc Ai    ii Rc  RL ( Rb / h fe1 )  hib1  hie 2 Rc  RL Rb  2h fe1hib1 Rc Rb Ai  (h fe1h fe 2 ) Rc  RL Rb  2hie1 13 5.4 Mạch khuếch đại ghép cascode R1 VB1  Vcc R1  R2  R3 VE1  VB1  VBE1  VB1  0.7 VB1  0.7 I C1   IC 2 Re VB 2 R1  R2  Vcc R1  R2  R3 VE 2  VB 2  VBE 2  VB 2  0.7 VCE1  VC1  VE1  (VE 2  RC I C1...5.3 Cách ghép darlington 11 VBB  VCC I CQ 2 R1 ; Rb  R1 / / R2 R1  R2 VBB  1.4  Re  Rb / (h fe1h fe 2 ) VCC  VCE 2  RC ( I C1  I C 2 )  RE I E 2 I C1  I E1  I B 2  I C 2 / h fe 2  I C 2 12 VT VT . Linh Nội dung: Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng 5.1. Transistor ghép cascading; 5.2. Mạch khuếch đại vi sai; 5.3. Cách ghép darlington; 5.4. Mạch khuếch đại ghép cascode. 2 11 1 1 1 1 BB. BE CQ b E VV I R R     2 2 2 2 () CEQ CC CQ E C V V I R R   5.1. Transistor ghép cascading Phân tích DC 3 Transistor ghép cascading  Phân tích AC 4                               1 ' 1 ' 1 2 ' 2 ' 21 2 22 1 1 2 2 ieb b ieb bfe LC Cfe i b b b b L i L i hR R hR Rh RR Rh i i i i i i i i A 5.2 Ratio – CMRR) Mạch khuếch đại vi sai lý tưởng: A c = 0: i L = A d i Mạch thực tế: 10 2/ 2( / ) / e ib b fe de c ib b fe ib b fe R h R h AR CMRR A h R h h R h      5.3. Cách ghép darlington 11 12 1 12 12 2 12 2