I. Giới thiệu chung - Transistor trường – FET (Field Effect transistor) hay transistor đơn cực hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng trường , điều khiển độ dẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của một điện trường ngoài - Dòng điện trong FET chỉ do một loại hạt dẫn tạo nên ( hạt cơ bản : điện tử tự do đối với nhóm kênh N , lỗ trống đối với nhóm kênh P) chạy qua kênh dẫn , kênh này được điều khiển bằng điện trường Các vấn đề về transistor trường  1.1 Cấu tạo chung  - Transistor trường có 3 chân cực : cực nguồn , cực cổng , cực máng  Cực nguồn S ( Source) : nơi mà các hạt dẫn cơ bản đi vào kênh tạo ra dòng điện nguồn IS  Cực máng D ( Drain) : nơi các hạt dẫn đa số đi ra khỏi kênh  Cực cổng G ( Gate) : là cửa điều khiển dòng điện hạy qua kênh  1.2 Phân loại  - Transistor trường FET gồm 2 loại chính  Transistor trường loại JFET (Junction Field Effect Transistor) là loại transistor điều khiển hạt tải diện qua kênh dẫn bằng lớp tiếp xúc p-n (gọi là FET mối nối đơn)  Transistor trường loại MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) là loại transistor trường điều khiển hạt tải điện qua kênh dẫn bằng cực cửa cách điện  MOSFET gồm 2 loại :  ▪Mosfet kênh đặt sẵn (kênh liên tục)  ▪Mosfet kenh gián đoạn (kênh cảm ứng)  - Mỗi loại FET lại được chia làm 2 loại : kênh N và kênh P  1.3 Ưu điểm , nhượcđiểm  -Ưu điểm :  Dòng điện qua FET chỉ do một loại hạt dẫn đa số tạo nên do vậy FET là linh kiện một loại hạt dẫn , FET có trở kháng rát cao , tiếng ồn trong FET ít hơn nhiều so với transistor lưỡng cực BJT (do 2 loại hạt điện hoat động)  Nó không bù điện áp tại vùng ID = 0 → là phần tử ngắt điện  FET có độ ổn định nhiệt độ cao và tần số làm việc cao  - Nhược điểm :  Hệ số khuếch đại thấp hơn so vớ BJT  П. Transistor trường loại JFET  Gồm :  JFET kênh N  JFET kênh P  1. JFET kênh N  1.1 - Cấu tạo và ký hiệu [...]... lấp→chiều dài kênh ngắn lại, khi UDS quá cao dẫn đến hiện tượng đánh thủng tiếp xúc P-N →ID tăng vọt  Tất cả các đặc tuyến đều đi qua gốc toạ độ  Giải thích : Khi UDS = 0 →không có điện trường do UDS sinh ra, mặc dù có điện trường do UGS sỉnha nhưng không phù hợp với chiều dịch chuyển của các hạt dẫn điện tử tạo thành dòng điện →ID = 0 đặc tuyến qua gố toạ độ   Khi UGS = 0→ Đặc tuyến cao nhất UGS càng... giá trị nào đó thì không tăng nữa mặc dù UDS tiếp tục tăng Nhưng khi UDS tăng đến 1 giá trị nào đó thì ID tăng vọt  Giải thích  - Các hạt dẫn điện tử từ cực nguồn S đến cực máng D phụ thuộc vào điện trường do UDS sinh ra hữu hạn → Ban đầu khi UDS tăng, số hạt dịch chuyển qua kênh tăng → ID tăng  - Khi UDS tăng tới giá trị nào đó thì toàn bộ hạt dẫn đã dịch chuyển tạo thành dòng ID nên UDS tăng thì...  - Vùng đánh thủng 2.4 Đặc tuyến truyền đạt  ID phụ thuộc f(UDS) khi UDS = const (UDS ≤ 0) ID  - UDS = 0 →ID đạt giá trị IDSS ( bão hoà)  - UGS > 0 → ID giảm  - UDS = UP → ID = 0 III- Transistor trường loại MOSFET   - Gồm : + MOSFET kênh gián đoạn ( kênh cảm ứng) + MOSFET kênh liên tục (kênh đặt sẵn) 1 MOSFET kênh liên tục 1.1 MOSFET liên tục kênh N  1.1.1  Cấu tạo và kí hiệu Cấu tạo - Hai . Transistor trường – FET (Field Effect transistor) hay transistor đơn cực hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng trường , điều khiển độ dẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của một điện trường. P) chạy qua kênh dẫn , kênh này được điều khiển bằng điện trường Các vấn đề về transistor trường  1.1 Cấu tạo chung  - Transistor trường có 3 chân cực : cực nguồn , cực cổng , cực máng  Cực. Gate) : là cửa điều khiển dòng điện hạy qua kênh  1.2 Phân loại  - Transistor trường FET gồm 2 loại chính  Transistor trường loại JFET (Junction Field Effect Transistor) là loại transistor điều