Bài tập chương 4 cấu kiện điện tử

130 846 0
  • Loading ...
1/130 trang
Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 21/06/2014, 19:39

M T ữ ê n W - Ổ M Ỉ M J Y : Họ tên M ã s v 1. BJT là một linh kiện có ba chân: a B, c, E b. G, D, s c. A, K, G d. E, Bi, B"> 2. BJT có cấu tạo gồm: a. 1 mối nối P-N. b. 2 mối nói P-N. c. 3 mối nối P-N. d. 4 mối nối P-N. 3. BJT có cấu tạo gồm: a. 1 lớp bán dẫn. b. 2 lớp bán dẫn. c. 3 lóp bán dẫn. d. 4 lớp bán dẫn. 4. Hình 1 là ký hiệu của: a BJT loại NPN. b. BJT loại PNP. c. JFET kênh N. d. JFET kênh p. 5. Hình 2 là ký hiệu của: a. BJT loại NPN. b. BJT loại PNP. c. JFET kênh N. d. JFET kcnh p. 6. BJT là chừ viết tắt của: a. Field Effect Transistor. b. Bipolar Junction Transistor. c. Uni Junction Transistor. d. Silicon Controlled Rectifier. 7. BJT là transistor: a. Hiệu ứng trường. b. Lưỡng nối. c. Đơn nối. d. Quang. 8. BJT là transistor: a. Hiệu ứng trường. b. Lưỡng cực. c. Đơn nối. d. Ọuang. 9. BJT là transistor: a. Hiệu ứng trường. b. Mối nối lưỡng cực. c. Dơn nối. d. Quang. 10. BJT là transistor: a. Hiệu ứng trường. b. Tiếp xúc lưỡng cực. c. Đưn nối. d. Quang. 11. BJT là transistor: a. Hiệu ứng trường. b. Tiếp giáp hai cực. c. Dơn nối. d. Quang. 12. Diều kiện để BJT dẫn điện là mối nối P-N giữa: a. B và E phải được phân cực thuận. b. B và c phải được phân cực thuận. c. B và E phải được phân cực nghịch. d. G và s phải được phân cực thuận. 13. Điều kiện đế BJT dần điện là mối nối P-N giữa: a. B và E phải được phân cực nghịch. b. B và c phái được phân cực thuận. c. B và c phải được phân cực nghịch. d. G và s phải được phân cực thuận. 14. Diều kiện để BJT loại NPN dẫn: a. Vb > V e > Vc b. Vc > V b > V e c. Vc > V E > VB d. VE > VB > Vc 15. Điều kiện để BJT loại PNP dần: a. Vb > Ve > Vc b. Vc > VB > Ve c. Vc > VE > VB d. Ve > Vb > Vẹ 16. Diều kiện để BJT loại NPN dẫn: a. Vb > Ve > Vc b. Vc > VB > VE c. Vb -> v c > Ve d. Vjí > VB > v<~ 17. Điều kiện để BJT loại PNP dẫn: 'à. Vb > Ve > Vc b. V c> V B> Ve c. Vb > Vc > Ve d.vẼ>vB>vệ 18. Điồu kiện để BJT loại NPN dẫn: a. Ve > Vc > Vg b. Vc > VB > Ve c. VB > Vc '> Ve d.V Ệ > V B > V c 19. Điều kiện để BJT loại PNP dẫn: nrr * *r» a. V e > v c > V B b. Vc > VB > VÚ c. VB > v c > VE d.V Ẽ > V B> v ệ 20. Điều kiện để BJT loại NPN dẫn: a. Vbe> 0; Vbc> 0 b. Vbh< 0; VBe< 0 c. Vbe> 0 ;V bc < 0 d. Vbe < 0; VBC> 0 21. Điồu kiện để BJT loại PNP dẫn: 3- Vbe5“ 0; Vbc> 0 b. Vbe< 0; Vbc< 0 c. Vbe> 0; Vbc< 0 d. Vbe< 0; VBC> 0 22. Điều kiện để BJT loại NPN dẫn: a. Vbe> 0; Vbc> 0 b. Vbe< 0; VBC< 0 c. B và c phải được phân cực thuận. d. B và E phải dược phân cực thuận. 23. Điều kiện để BJT loại PNP dẫn: a. Vbe5, 0; Vbc> 0 b. Vbe< 0; Vbc^ 0 c. B và c phải được phân cực nghịch. d. B và E phải được phân cực nghịch. 24. Khi BJT có Vbe = 0,8v thì BJT : a. Ngung dẫn. b. Hoạt động trong vùng khuếch đại tuyến tính. c. Dần bão hoà. d. Có dòng Ic = (3Ib 25. Khi BJT dẫn diện có dòng: a. Ic > 1b > Ie b. Ie > Ic > Ib c. Ic = Ib = Ie d. Ĩb > ỈE > Ic 26. Trong vùng khuếch đại tuyến tính, BJT có: a. IB = pic b. Ic = piE c. Ic = PIb d. Ib = PỈE khuếch đại tuyến tính, BJT có: 28. BJT có hiệu điện thế giữa cực nền và cực phát là: a. Vbf. b. Vbc c. Vce d. Vds 29. BJT cỏ hiệu điện thế giữa cực nền và cực thu là: a. V be b. Vbc c. Vce d. Vds 30. BJT có hiệu điện thế giữa cực thu và cực phát là: a. Vbf. b. Vbc c. Vce d. Vds 31. Các kiểu mắc cơ bản của BJT là: a. B chung, D chung, s chung. b. CB, c c , CE. c. G chung, c chung, E chung. d. CG, CD, c s. 32. Các kiểu mắc cơ bán của BJT là: a. B chung, D chung, s chung. b. Nền chung, thu chung, phát chung. c. G chung, c chung, E chung. d. Cổng chung, thoát chung, nguồn chung. 33. Các kiểu mắc cơ bản của BJT là: a. B chung, D chung, s chung. b. B chung, c chung, E chung. c. G chung, c chung, E chung. d. G chung, D chung, s chung. 34. Các kiểu mắc cơ bản của BJT là: a. CA, CK, CG. b. CB, c c , CE. C.c E,CB,,CB2. d. CG, CD,CS. 35. BJT mắc kiếu cực phát chung được gọi là mắc kiếu: a. CB b. cc c. CE d. cs 36. BJT mắc kiểu cực nền chung được gọi là mắc kiểu: a. CB b. cc c CE d. CG 37. BJT mắc kiểu cực thu chung được gọi là mắc kiểu: a. CB b. cc c.C E d. CD 38. Các kicu mắc cơ bân của BJT là: a. CB, CD, cs. b. CB, c c , CE. c. c G, c c , CE. d. CG, CD, cs. 39. Các kiêu mắc cơ bản của BJT là: a. CB, CD, cs. b. Nen chung, thu chung, phát chung. c. c G, c c , CE. d. Cổng chung, thoát chung, nguồn chung. 40. Các kiểu mắc cơ bản của BJT là: a. CB, CD, cs. b. B chung, c chung, Echung. c c G, CC, CE. d. G chung, D chung, s chung. 41. Các kiểu mắc cơ bản cúa BJT là: a. Nen chung, Ihoát chung, nguồn chung. b. CB, c c , CE. c. Cổng chung, thu chung, phát chung. d. CG, CD, c s . 42. Các kiểu mắc cơ bản của BJT là: a. Nen chung, thoát chung, nguồn chung. b. Nền chung, thu chung, phát chung. c. Cổng chung, thu chung, phát chung. d. Cổng chung, thoát chung, nguồn chung. 43. Các kiểu mắc cơ bản của BJT là: a. Nen chung, thoát chung, nguồn chung. b. B chung, c chung, E chung. c. Cổng chung, thu chung, phát chung. d. G chung, D chung, s chung. 44. Khi BJT mắc kiểu CB thì tín hiệu ngõ ra so với tín hiệu ngõ vào là: a. Đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E. b. Cùng pha, tín hiệu vào cực E, ra cực c. c. Cùng pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E. d. Đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực c. 45. Khi BJT mắc kiểu c c thì tín hiệu ngõ ra so với tín hiệu ngõ vào là: a. Đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E. b. Cùng pha, tín hiộu vào cực E, ra cực c. c. Cùng pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E. d. Dảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực c. 46. Khi BJT mắc kiểu CE thì tín hiệu ngõ ra so với tín hiệu ngõ vào là: a. Đáo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E. b. Cùng pha, tín hiệu vào cực E, ra cực c. c. Cùng pha, tín hiệu vào cực B, ra cực E. d. Đảo pha, tín hiệu vào cực B, ra cực c. 47. Mạch khuếch đại mắc kiểu CB có hệ số khuếch đại: a. Dòng điện gần bằng 1. b. Điện áp gần bằng 1. c. Dòng bằng hộ số khuếch đại áp. d. Dòng bằng hệ số khuếch dại áp gần bằng 1. 48. Mạch khuếch đại mắc kiểu c c có hệ số khuếch đại: a. Dòng điện gần bằng 1. b. Điện áp gần bằng 1. c. Dòng bằng hệ số khuếch đại áp. d. Dòng bằng hệ số khuếch đại áp gần bàng 1. 49. Khi B.ĨT loại NPN dẫn, đa SO electron di chuyển từ: a. c đến E. b. E đến c. c. B đến E. d. E đến B. 50. Khi BJT loại PNP dần, đa số electron di chuyển từ: a. c đến E. b. E đến c. c. B đến E. d. c đến B. 51. BJT có ß được gọi là hệ số khuếch đại: a. Dòng. b. Áp. c. Công suất. d. Pha. 52. Tọa độ điểm phân cực Q của BJT được xác định bởi: a* Ib, Ic> V be b. Vos, Id, Vds c. Ib, Ic, Vce d- Ig, Id, Vos 53. Tọa độ đicm phân cực Q của BJT là: a. Q(Vce; Ic) b. Q(Vbe; Ib) c. Ọ(Vce; Ib) c].Ọ(VBE; Ic) 54. Tọa độ điểm phàn cực của BJT có: a. IB tăng, Ic tăng, VCE tăng. b. IB tăng, Ic tăng, VCE giám. c. IB giám, Ic giảm, VCE giảm. d. Ib giảm, Ic tăng, Vce tăng. 55. Tọa độ đicm phân cực của BJT có: a. IB tăng, Ic tăng, VCE lăng. b. IB tăng, Ic giảm, VCE giảm. c. Ib giảm, Ic giảm, Vce giảm, ci. Ib giảm, Ic giảm, VCE tăng. 56. BJT có điêm làm việc ở trạng Ihái tĩnh Q(6v; 2mA) nghĩa là: a. Ibq = 2mA; Vceq = 6v b. Ibq — 2mA; Vbhq = 6v c. Icq = 2mA; Vbeq = 6v d. Icq = 2mA; Vceq = 6v 57. BJT có điểm làm việc ở trạng thái tĩnh Ọ(8,4v; 4,8mA) nghĩa là: a. Ibq = 4,8mA; VCbQ = M v b. Ibq = 4,8mA; V beq = 8,4v c. Icq = 4,8mA; Vbeq = 8,4v d. Icọ = 4,8mA; Vceq = 8,4v 58. BJT có điêm làm việc ờ trạng thái tĩnh Q(6v; 2mA); p =100, nghĩa là: a. ỈBQ = 2mA; Vbeq = 6v b. Ibq = 0,02niA; Vbeọ = 6v c. Ibq = 2mA; Vceq = 6v d. Ibq = 0,02mA; Vchq = 6v 59. BJT có điểm làm việc ở trạng thái tĩnh Q(8,4v; 4,8mA); p =80, nghĩa là: a. Ibq - 4,8mA; Vbeq = 8,4v b. Ibq — 0,06mA; Vbeq = 8,4v c. Ibq = 4,8mA; Vceq = 8,4v d. Ibq = 0,06mA; VCEQ = 8,4v 60. Hình 3 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguôn với điện trở giảm áp Rb b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rb c. Một nguồn với cầu phân thế. d. Hai nguồn riêng biệt. 61. Hình 4 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguồn với điện trở giảm áp Rq b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R|ị c. Một nguôn với cầu phân thế. d. Hai nguồn riêng biệt. 62. Hình 5 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguồn với điện trở giảm áp Rb b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rii c. Một nguồn với câu phân thế. d. Hai nguồn riêng biệt. 63. Hình 6 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguồn với điện trở giảm áp Ru b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R|ị c. Một nguôn với cầu phân thế. d. Hai nguồn riêng biệt. 64. Hình 7 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguồn với điện trơ giảm áp Rb, cực E nối massc. b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rb, cực E nối masse. c. Một nguồn với cẩu phân thế, cực E nối massc. d. Hai nguồn riêng biệt, cực E nối masse. 65. Hình 8 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguôn với điện trở giảm áp Rb, cực E nối inasse. b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Ru, cực E nối masse. C. Một nguồn với cầu phân thế, cực E nối masse, d. Hai nguồn riêng biệt, cực E nối masse. 66. Hình 9 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguồn với điện trở giảm áp Rb, cực E nối masse. b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rii, cực E nối masse. c. Một nguôn với cẩu phân thố, cực E nối masse. d. Hai nguồn ricng biệt, cực E nối masse. 67. Hình 10 là mạch phân cực BJT dạng dùng: a. Một nguồn với điện trở giảm áp Rb, cực E nối masse. b. Một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rb, cực E nối masse. c. Một nguồn với cầu phân thế, cực E nối masse. d. Hai nguồn riêng biệt, cực E nối masse. 68. Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn riêng biệt có biếu thức xác định điện thế tại các cực của B.ĨT: a. Ve = IbReĩ Vb = Ve + Vbeỉ Vc = Vcc "IcRc b. Ve — IrRr; Vb — Ve + Vbeì Vc — IcRc c. Ve = IeR-eỉ Vb - IbRb; Vc - IcRc d. Ve — IkRh; Vb = IbRbỉ Vc = Vcc - IcR-c 69. Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở giảm áp Rb có biếu thức xác định điện thế tại các cực của BJT: a. Ve = IeReỉ Vb = Ve + Vbeỉ Vc = Vcc -TcRc b. VE = IeRe; Vb = Ve + VBE; v c = IcRc c. Ve = IeRe; Vb = IrRb; Vc = IcRc d. Ve = TeRe; Vb = ĨbRb; Vc = Vcc - ĩcRc 70. Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rb có biểu thức xác định điện thế tại các cực của BJT: a. Ve = IeR-eỉ Vb = Ve + Vbe; Vc = Vcc -IcRc b. V e — IeR eì V b — Ve + V beỉ V c — IcR-c c. Ve = IeReỉ Vb = TbRb; Vc = IcRc d. Ve = IeReỉ Vb = IbRbỉ Vc = Vcc - IcRc 71. Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với cầu phân thế có biểu thức xác định điện thế tại các cực của BJT: a. VE = IeRe; Vb = VE + VBE; Vc = Vẹc -IcRc b. Ve — IeRe; Vb - Ve + Vbe; Vc — Ic^c c. Ve = IeRe; Vb = IbRbỉ Vc = I(;R( d. Ve - IeRe; Vb = IbRb; Vc - Vcc - IcRc 72. Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn riêng biệt có tọa độ điểm phàn cực được xác định: a. V - V «í? ÍỈP V - V DD p p b- = T T ^ T ' ß V frCE= vcc- ‘á Rc+ V - V d. / = _____ — —— Ị =e> ỉ V = v - ỉ (R + R ) B Rb + £(Rc +Re)' c V B' cb cc à c 73. rnạcn pnan cực L>J I uạng uung mọi nguon VƯ1 uiẹn irư giam ap Kr co tọa độ điêm phàn cực đu a' = vf ' - f e V p V v c*= r cc- ' A + Jv b‘ Ỉ£ = R + ßÄ ’ ỈC= ^ ỈB’ vCE= vcc~ 1 C^Rc+R * ;a = T T ^ r ; zc =p V ^ = ^ c c - ¡¿ * C +R¿ V - V d. ỉ = — — / = ß / V = V - ỉ (R + R ) B Ra + K Rc + * j c p B’ CE cc é c 74. iviạcn pnan cực ttj I uạng ũung mọi nguon VO'1 uiẹn irơ noi uep ap Kß có tọa độ điêm phân cụ ' a- '« = vf~. !c = e> ¡R- r rs= r rr.~ ' A + b. /„ = —; /-= p v„= v „ - 1„(R„+R,) c- !B = ~d , a D ’ !c = ß lB' VCE= v cc~ ỈẶ RC+RS^} V - V d. / = ____ — _ — __ /=ß/ 7 -V - l (R + R ) B RB + V(RC + Rsy Œ cc c s) 73. iviạcn pnan cực t>j I uạng uimg mọi nguon VƯ1 cau prian ine co lọa uọ uiem phản cực được xá a - >H = vf . r“ - V P V v c - v rr- »■ 1‘ ~ Vr I I r - ‘c= ệ ‘B- v <2= v <*~ !c(Rc+Re^ - «'Iiniu V - V c. ỉb = ~r 7+&ỉC~’ ỉ<z= ^ Ỉ' CE= ^ c c ~ ỉ c(^R c + R e "> V - V d. ỉ = — —— ỉ =ù ỉ V = V - ỉ (R + R ) B RB + ftRc + R j c p 5 <s cc c{ c e) 7b. iviạcn pnan cực BJI aạng aung nai nguon rieng mẹt co aạng tong quat của phương trình đườna tải tĩnh là: - V V . BE , cc a. ỉ ~ — — + — —— R^+Rc R^+Rs - V V , CE , cc b. A " = - — + c ^ + ^ ¡7 Rr-+Rĩ: - V V J _ cc BE C- 'c R^+ Rn R^+Rs - V V . c c CE d. Ẩc = + r c + r e r c + r e T _ một nguồn với điện trở giảm áp Rb có dạng tổng quát của pl - V V n , BE cc a- ỉ = — + —— - V V b. 1 = I cc - V V ỉ - cc Ị BE c~ p + ĩ> R + fi> - V V l - cc ^ c ~ R„+R„ R„+R, 'C E c E 78. Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở hồi tiếp áp Rb có dạng tổng quát của pl a Ị - vB E v c c c ~ r c+ r e r c+ r £ [...]... Q(8,2v; 2,8mA) d Q(8,4v; 4, 8mA) 263 Hình 3 có Vcc = 12v; VBB = 3v; VBE = 0,6v; p = 0,56kQ Phương trình đường tải tĩnh: p = 100; RB = 64kQ; Rc = 2,34kQ; RE = 100; R b = 64kft; Rc = 2,34kQ; RE = 100; RB = 64kQ; Rc = 2,34kQ; RE = 100; RB = 64kft; Rc = 2,34kQ; RE = a Ic = - 0 ,3 3 V ce + 4 b Ic = -0,33.10 ' 3V ce + 4. 10 ' 3 c Ic = -0,34V ce + 4, 14 d Ic = -0, 34. 10 V ce + 4, 14. 10 '3 2 64 Hình 3 có Vcc = 12v;... Điểm phân cực của BJT: a Ọ(6,2v; 2mA) b Q(6,2v; 2A) c Q(8,4v; 4, 8mA) d Q(8,4v; 4, 8A) 285 Hình 4 có RI =514k; Rc = 2,34k; Re = 0,56k; Vcc = 12v; V be = 0,6v; p = 100 Phương ? trình đường tải tĩnh: a I c = -0,33VcE + 4 b Ic = -0,33.10 ' 3V ce + 4. 10 ' 3 c Ic = -0,34Vce + 4, 14 d Ic = -0, 34. 10 ' 3V ce+ 4, 14. 10 '3 286 Hình 4 có R b -5 1 4k; Rc = 2,34k; R e = 0,56k; Vcc = 12v; VBE = 0,6v; p = 100 Phương trình... = 2,34kO; RE = 0,56kQ Phương trinh đường tải tĩnh: a Ic - -0,33 V ce + 4 b ¿ = -0,33.10 3V ce + 4 1 0 ' 3 c Ic = -0,34V ce + 4, 14 d Ic = -0, 34. 10 ' 3V ce + 4, 14. 10 '3 2 54 Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn riêng Vcc = 12v; V bb = 3v; 100; R b = 64kQ; Rc = 2,34kO; R e = 0,56kQ Phưong trình đường tải tĩnh: a Ic = -0,5V ce + 9 b Ic = -0,5.10 '3V ce + 9.10 '3 c Ĩc = -0,34V ce + 4, 14 d Ic = -0, 34. 10... a Ic = -0,33V ce + 4 b I c = -0 ,3 3 1 0 •3V c e + 4 1 0 ' 3 c Ic = -0 ,3 4 V ce + 4 , 14 d Ic = -0, 34. 10 '3Vce + 4, 14. 10 '3 289 Hình 5 có R1 =280k; Rc = 2,34k; RE = 0,56k Vcc = 12v; VBE = 0,6v; [3 = 100 Phương trình 5 đường tái tĩnh: a Ic = -0 ,5 V ce + 9 b Ic = -0,5.10 '3V ch+ 9.10 ‘3 c Ic = -0,34V ce + 4, 14 d Ic = -0, 34. 10 *3V ce + 4, 14. 10 ‘3 290 Hình 5 có R r =280k; Rc = 2,34k; RE = 0,56k Vcc =... phân d Q(8,4v; 4, 8mA) 282 Hình 5 có R r =280k; Rc = 2,34k; R e = 0,56k; Vcc = 12v; V be = 0,6v; ß = 100 Điểm phân cực của BJT: a Q(6,2v; 0,02mA) b Q(6,2v; 2mA) C Q(8,4v; 0,06mA) d Q(8,4v; 4, 8mA) 283 Hình 4 có Ru =514k; Rc = 2,34k; RE = 0,56k; Vcc = 12v; V be = 0,6v; ß = 100 Điểm phân cực của B JT: a Q(6,2v; 2mA) b Q(6,2v; 2A) c Ọ(8,4v; 4, 8mA) d Ọ(8,4v; 4, 8A) 2 84 Hình 5 có R|ị =280k; Rc = 2,34k; R h =... = -0 ,3 4 V CE + 4 , 14 d Ic = -0, 34. 10 V ce + 4, 14. 10 "3 231 Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở giảm áp R b = 5 14k; Rc = 2,34k; R e = 0,56k; Vcc = 12v; V be = 0,6v; p = 100 Phương trình đường tải tĩnh: a Ic = -0,33.10 ‘3V ce + 4. 10 b Ic = -0,3.10 ‘3V ce + 4. 10 ‘3 c Ic = -0,5.10 ' 3V ce + 9.10 ‘3 d Ic = -0, 34. 10 ' 3V ce + 4, 14. 10 232 Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở... Ic = -0,5.10 '3V ce + 9.10 '3 c = -0,34V ce + 4. 14 d Ic = -0, 34. 10 •3V ce + 4, 14. 10 '3 287 Hình 4 có RB - 5 1 4k; Rc = 2,34k; RK= 0,56k; Vcc = 12v; V be = 0,6v; p = 100 Phương trình đường tải tĩnh: a Ic = -0,33.10 '3V ce + 4. 10 '3 b Ic = -0,3.10 "3V ce + 4. 10 ‘3 c Ic = -0 ,5 1 0 '3V ce + 9 1 0 '3 d Ic = -0, 34. 10 Vc-E + 4, 14. 10 ‘3 288 Hình 5 có R b =280k; Rc = 2,34k; RE = 0,56k Vcc = 12v; V BE = 0,6v;... -0,34V ce + 4, 14 d ¿ = -0, 34. 10 3V ce + 4 ,1 4 1 0 '3 2 34 Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R b =280k; Rc = 2,34k; R e = 0,56k Vcc = 12v; V be = 0,6v; p = 100 Phương trình đường tải tĩnh: a Ic = -0,33.10 '3VCE+ 4 1 0 '3 b Tc = -0,3.10 '3V ce + 4 I 0 '3 c Ic = -0 ,5 1 0 '3V c e + 9 1 0 '3 d Ic = -0, 34. 10 ' 3V ce + 4, 14. 10 '3 235 Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện. .. M ạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở giảm áp R b =514k; Rc = 2,34k; R e = 0,56k: Vcc - 12v; V bf = 0,6v; p = 100 Phương trình đường tải tĩnh: a Ic = -0 ,3 3 V ce + 4 b Ic = -0,33.10 ■ 3VCE+ 4. 10 ' 3 c Ic = -0,34V ce + 4, 14 d Ic = -0, 34. 10 ' 3V ce + 4, 14. 10 '3 230 Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở giảm áp R b = 5 14k; Rc = 2,34k; R e = 0,56k; V cc = 12v; V be = 0,6v; |3... nguồn với điện trở giảm áp Rb =514k; Rc = 2,34k; R b = 0,56k; V cc = 12v; V be - 0,6v; Ị3 = 100 Điểm phàn cực của B JT : a Q(6,2v; 2mA) b Ọ(6,2v; 2A) c Ọ(8,4v; 4, 8mA) d Q(8,4v; 4, 8A) 228 Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở hồi tiếp áp R b =280k; Rc = 2,34k; Re = 0,56k; Vcc = 12v; Vbe = 0,6v; p = 100 Điểm phân cực của BJT: a Q(6,2v; 2niA) b Q(6,2v; 2A) c Q(8,4v; 4, 8mA) d Ọ(8,4v; 4, 8A) 229 . làm việc ở trạng thái tĩnh Ọ(8,4v; 4, 8mA) nghĩa là: a. Ibq = 4, 8mA; VCbQ = M v b. Ibq = 4, 8mA; V beq = 8,4v c. Icq = 4, 8mA; Vbeq = 8,4v d. Icọ = 4, 8mA; Vceq = 8,4v 58. BJT có điêm làm việc ờ trạng. việc ở trạng thái tĩnh Q(8,4v; 4, 8mA); p =80, nghĩa là: a. Ibq - 4, 8mA; Vbeq = 8,4v b. Ibq — 0,06mA; Vbeq = 8,4v c. Ibq = 4, 8mA; Vceq = 8,4v d. Ibq = 0,06mA; VCEQ = 8,4v 60. Hình 3 là mạch phân. Ok. Điểm phân cực của BJT: a. Q(6v; 2mA) b. Q(6v; 2A) c. Q(8,4v; 4, 8mA) d. Q(8,4v; 4, 8A) 97. Mạch phân cực BJT dạng dùng một nguồn với điện trở giảm áp Rb =520k; R( = 2,5k; Re = 0,5k; Vcc - 12v;
- Xem thêm -

Xem thêm: Bài tập chương 4 cấu kiện điện tử, Bài tập chương 4 cấu kiện điện tử, Bài tập chương 4 cấu kiện điện tử

Gợi ý tài liệu liên quan cho bạn

Nhận lời giải ngay chưa đến 10 phút Đăng bài tập ngay