KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCH PROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR  Giảng Viên: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm  Nhóm Sinh Viên Thực Hiện: o Phạm Tuấn Duy (09520037) o Bùi Thanh Hùng (09520119) o Phạm Xuân Sơn (09520252) o Đào Xuân Dạng (09520401) o Lê Công Bằng (09520740) Thành Phố Hồ Chí Minh – Năm 2013 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ THÔNG TIN KHOA KỸ THUẬT MÁY TÍNH [...]...Quy trình chế tạo Transistor CMOS Tia UV Doping nguyên tố nhóm III Photoresit Oxit N+ N+ P+ P+ Giếng loại N Chất nền loại P Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho PMOS Quy trình chế tạo Transistor CMOS Tia UV Photoresit Oxit N+ N+ P+ P+ Giếng loại N Chất nền loại P Giai đoạn tạo Contact cho NMOS và PMOS Quy trình chế tạo Transistor CMOS Tia UV Photoresit Metal Oxit... Chất nền loại P Giai đoạn tạo các đường Metal cho NMOS và PMOS BJT Processing 1 Implantation of the buried n+ layer 2 Growth of the epitaxial layer 3 p+ isolation diffusion 4 Emitter n+ diffusion 5 Base p-type diffusion 6 lặp lại quá trình bước 4 7 Contact etching 8 Metal deposition and etching 1 Implantation of the buried n+ layer p-substrate 2 Growth of the epitaxial layer - Tạo ra khu vực collector... of the epitaxial layer - Tạo ra khu vực collector trong BJT 3 p+ isolation diffusion - Mục đích của bước này là chúng ta cô lập BJT npn bằng cách khuếch tán p++ 4 Emitter n+ diffusion - Bước này nó sẽ tạo nên Emitter của BJT npn 5 Base p-type diffusion - Cung cấp cho chúng ta cái nền loại p trong BJT npn 6 Lặp lại quá trình ở bước 4 7 Contact etching 8.Metal deposition and etching - Trong bước này . KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCH PROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR  Giảng Vi n: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm  Nhóm Sinh Vi n Thực Hiện: o Phạm Tuấn Duy (09520037) o Bùi. PMOS Quy trình chế tạo Transistor CMOS Giai đoạn tạo vùng cho NMOS và PMOS Oxit Tia UV Chất nền loại P Giếng loại N Polysilicon Photoresit Quy trình chế tạo Transistor CMOS Giai đoạn tạo cực Gate. V N+ N+ Quy trình chế tạo Transistor CMOS Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho NMOS Oxit Photoresit Tia UV Chất nền loại P Giếng loại N Doping nguyên tố nhóm III N+ N+ P+ P+ Quy trình chế tạo Transistor