Đang tải... (xem toàn văn)
Tài Liệu dùng để bảo vệ Đồ án môn Kỹ thuật mạch điện tử dùng cho sinh viên. Tài liệu trình bày những vấn đề cơ bản vàn nâng cao để sinh viên có thể tiếp thu nhanh và rõ ràng. Chương 1: Diode bán dẫn Chương 2: Transistor lưỡng cực BJT Chương 3: Hồi tiếp Chương 4: Khuếch đại tín hiệu nhỏ Chương 5: Khuếch đại công suất OTL. Chương 6: Một số vấn đề liên quan.
Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 1 PHẦN 1 LÝ THUYẾT Chương 1: Diode bán dẫn Chương 2: Transistor lưỡng cực BJT Chương 3: Hồi tiếp Chương 4: Khuếch đại tín hiệu nhỏ Chương 5: Khuếch đại công suất Chương 6: Một số vấn đề liên quan Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chương 1: DIODE BÁN DẪN 1.1. Cấu tạo của diode bán dẫn A K Gồm một miền tiếp xúc giữa hai bán dẫn khác loại: bán dẫn loại P và bán dẫn loại N, có tính chất chỉ dẫn điện theo một chiều nhất định, thường được gọi là chuyển tiếp P-N. Chuyển tiếp P-N với hai điện cực nối ra phía miền P gọi là anôt, phía miền N gọi là Katôt. P N Anôt Katôt Diode thường và ký hiệu Vật liệu chế tạo diode chủ yếu là Germanium (Ge) và Silic (Si) Tuỳ theo phạm vi ứng dụng mà ta có các loại diode khác nhau như: diode chỉnh lưu, diode Zener, diode biến dung 1.2. Nguyên lý làm việc của diode Vì diode có cấu tạo cơ bản dựa trên chuyển tiếp P – N, nên nguyên lý làm việc của diode dựa trên hiện tượng xảy ra trong chuuyển tiếp P - N 1.2.1. Khi chuyển tiếp P-N chưa có sự phân cực: E txuùc P P n P P n n n + - I troâi N I khueách taùn P Do có sự chênh lệch về nồng độ P p >> P n cho nên điện tử n p << n n khuếch tán từ bán dẫn N sang bán dẫn P (sự khuếch tán của hạt đa sô) tạo nên dòng khuếch tán có chiều từ P sang N. Trên đường khuếch tán điện tử và lỗ trống sẽ tái hợp với nhau làm cho vùng ở mặt tiếp xúc có ít hạt dẫn. Ở bề mặt tiếp xúc bên bán dẫn P có các ion âm, bên bán dẫn N có ion dương, hình thành miền trung gian ở lớp tiếp xúc sinh ra điện trường tiếp xúc có chiều từ N → P. Điện trường này gây ra I trôi của các hạt tối thiểu số (điện tử ở bán dẫn P, lỗ trống ở bán dẫn N) và làm cản chuyển động của dòng I kt. Quá trình này cứ tiếp tục cho đến một lúc nào đó I trôi = I kt . Ta nói tiếp xúc P - N ở trạng thái cân bằng. Vậy dòng qua tiếp giáp P - N bằng 0 1.2.2. Khi tiếp xúc P - N phân cực thuận: Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 2 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Khi đặt một hiệu điện thế (như hình vẽ) vào tiếp xúc P- N thì xuất hiện một điện trường ngồi có chiều từ P - N. Nên E tiếp xúc giảm, do đó dòng khuếch tán I kt tăng và I trơi giảm. Dòng chảy qua tiếp xúc P - N chủ yếu là dòng I kt có chiều từ P → N. Biểu thức biểu dẫn mối quan hệ giữa dòng và điện áp. I = I s (e qV/kT - 1) I s : dòng ngược bão hồ, có giá trị rất nhỏ. q: điện tích của hạt q = 1,6.10 -19 Cu k: hằng số Boltman k = 1,38.10 -23 J/ 0 K T: nhiệt độ (K) V: điện áp đặt lên hai đầu tiếp xúc P - N Vậy dòng điện chảy trong tiếp xúc P-N trong trường hợp này phân cực thuận: là dòng I kt có chiều từ P → N. đây là đặc trưng chỉnh lưu của tiếp xúc P - N 1.2.3. Khi tiếp xúc P - N phân cực nghịch: P I khuếch tán N I trôi - + E txúc E ng V Khi tiếp xúc P - N được phân cực nghịch thì điện áp gây ra một điện trường E ng có chiều từ N → P. Điện trường này cùng chiều với E tx nên tổng điện trường tại vùng tiếp xúc làm giảm dòng khuếch tán và tăng dòng trơi. Nhưng nồng độ hạt thiểu số rất bé nên dòng trơi có giá trị rất nhỏ. I = I s (e KT qV− -1) ≈ -I s 1.3. Đặc tuyến Volt - Ampe V γ V BR V(v) I(mA) Phân cực thuận Phân cực nghòch * Đặc tuyến V - A của diode V BR : điện trở đánh thủng Vγ: điện áp ngưỡng của diode Vγ của điện áp Ge (nhiệt độ phòng) = 0,35 V Đồ án mơn học Kỹ thuật mạch Điện tử 3 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Vγ của điện áp Si (nhiệt độ phòng) = 0,7 V Khi V > Vγ: diode dẫn (có dòng chạy qua) BR VV ≥ : dòng do hạt thiểu số tạo ra tăng mạnh. 1.4. Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp P - N Khi chuyển tiếp P - N bị phân cực nghịch thì dòng ngược I s nhỏ. Khi tăng điện áp phân cực nghịch đến một giá trị nào đó thì dòng I s tăng mạnh làm cho chuyển tiếo P - N dẫn điện được theo chiều ngược. Chuyển tiếp P - N bị đánh thủng. * Đánh thủng về điện (có hai loại: đánh thủng thác lũ, đường hầm ) * Đánh thủng về nhiệt * Đánh thủng về nhiệt điện. Đánh thủng thác lũ xảy ra ở chuyển tiếp P - N có nồng độ pha tạp thấp (vùng điện tích không gian lớn) Đánh thủng đường hầm xảy ra ở chuyển tiếp P - N có nồng độ pha tạp cao (vùng điện tích không gian hẹp). Khi V pc nghịch lớn: điện trường nội lớn → gia tốc cho các hạt dẫn thiểu số (n là lỗ trống và p là điện tử). Các hạt này chuyển động mạnh va chạm vào các điện tử khác làm phát sinh hạt dẫn điện mới. Quá trình cứ tiếp diễn → I s tăng mạnh. Ta nói chuyển tiếp P -N bị đánh thủng. Đối với chất bán dẫn Si có V z = 5,6V (đánh thủng đường hầm) 1.5. Các thông số cơ bản của diode 1.5.1. Điện trở một chiều: (điện trở thuận, điện trở nghịch) R dc = I V V: điện áp giữa hai đầu diode. I: dòng chạy qua diode. 1.5.2. Điện trở xoay chiều: (điện trở thuận, điện trở nghịch) r AC = I V Δ Δ ΔV: khoảng biến thiên điện áp. ΔI: khoảng biến thiên dòng điện. 1.5.3. Dòng điện thuần I F : Là dòng điện tối đa chảy qua diode khi diode được phân cực thuận. 1.5.4. Điện áp ngưỡng (Vγ): Là điện áp tối thiểu để diode dẫn. 1.5.5. Điện áp ngưỡng cực đại: (Vng/max) - PIV Là điện áp tối đa đặt lên diode mà diode không bị đáng thủng. Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 4 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chương 2: GIỚI THIỆU VỀ TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT 2.1. Cấu tạo BJT được tạo thành bởi hai chuyển tiếp P-N nằm rất gần nhau, có ba lớp bán dẫn và tuỳ theo trình tự sắp xếp P-N mà ta có hai loại BJT PNP và NPN Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 5 Lớp bán dẫn thứ nhất gọi là lớp Emitter (miền Emitter), cực được lấy ra từ miền Emitter gọi là cực Emitter (cực E). Lớp bán dẫn thứ hai gọi là miền Base (gốc), cực được lấy ra từ miền này là cực Base (cực B). Lớp bán dẫn th ứ ba gọi là miền Collector (thu), cực được lấy ra từ miền này là cực Collector (cực C). Nồng độ pha tạp của các miền là hoàn toàn khác nhau: - Miền Emitter có nồng độ pha tạp lớn nhất 10 19 ÷ 10 21 nguyên tử. - Miền Base có nồng độ pha tạp thấp nhất. Nồng độ pha tạp miền Base càng thấp càng lợi về hệ số truyền đạt. - Miền Collector có nồng độ pha tạp trung bình 10 13 ÷ 10 15 nguyên tử. Do có sự phân bố như vậy sẽ hình thành các lớp chuyển tiếp P-N gần nhau. - Chuyển tiếp Emitter (J E ) giữa miền E-B. - Chuyển tiếp Collector (J C ) giữa miền C-B. 2.2. Nguyên lý hoạt động & khả năng khuếch đại của BJT Xét BJT loại N-P-N làm ví dụ: Ta có sơ đồ mạch điện như hình vẽ: Nguồn E 1 (có sức điện động một vài vôn) làm cho chuyển tiếp J E phân cực thuận. Nguồn E 2 (thường cỡ 5 – 20 vôn) làm cho chuyển tiếp collector J C phân cực nghịch. E 1 , E 2 được gọi là các nguồn điện áp phân cực. R E , R C là các điện trở phân cực. Khi chưa cấp nguồn tại các tiếp giáp P-N, do có sự chênh lệch về nồng độ pha tạp giữa các miền nên sinh ra các hiện tượng khuếch tán (sự khuếch tán của các hạt điện tích (điện tử và lỗ trống) nên bên trong nó hình thành hai tiếp giáp J E và J C cân bằng động. Khi có nguồn E 2 , chuyển tiếp J C bị phân cực nghịch thì có dòng I CBo chạy từ N sang P (chiều của lỗ trống). Dòng I CBo nhỏ cỡ 0,01 đến 0,1µA. N P N P N P C E E C B B B E B E C E E 1 2 E J E I C J C B R E I CBo I E N P N C I B Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Khi có nguồn E 1 thì J E được phân cực thuận nên các điện tử ở miền N dễ dàng khuếch tán qua miền P. Đồng thời lỗ trống ở miền P khuếch tán qua miền N. Trên đường khuếch tán chúng tái hợp lại với nhau. Do nồng độ lỗ trống của miền P rất ít nên chỉ có một số điện tử được tái hợp, số còn lại di chuyển đến J C . Do J C được phân cực nghịch nên các điện tử từ miền P dễ dàng di chuyển qua J C đến miền C tạo nên dòng I C có chiều từ N đến P. Lượng điện tích từ dương nguồn E 1 đến miền B để bù lại số lỗ trống bị tái hợp tạo nên dòng I B . B Ta có quan hệ:I B + IB C + I CBo = I E I E tỷ lệ với số điện tử ở miền E phát xạ (đi vào) miền B. I B tỷ lệ với số điện tử tái hợp trong miền B. I C tỷ lệ với số điện tử từ miền E đến miền C. Gọi α = số điện tử đến được cực C/số điện tử từ miền E đi vào miền B = I C /I E < 1. α gọi là hệ số truyền dòng điện (0,9 đến 0,99). Gọi β = I C /I B >> 1 là hệ số khuyếch đại dòng điện. B Thông thường I CBo rất nhỏ nên I E = I B + I C Mối quan hệ giữa α & β : 1+ = α α β Chế độ làm việc như trên của BJT (J E phân cực thuận, J C phân cực nghịch) gọi là chế độ khuếch đại. Ngoài ra, BJT còn làm việc ở chế độ khoá. Ở chế độ đó, hoặc cả hai chuyển tiếp J E , J C đều phân cực nghịch, hoặc cả hai đều phân cực thuận. - Khi J E , J C đều phân cực nghịch (trạng thái khoá). - Khi J E , J C đều phân cực thuận (trạng thái dẫn bảo hoà, còn gọi là trạng thái mở), BJT liên tục giao hoán giữa hai trạng thái này. 2.2.1 Chế độ ngưng dẫn: Tiếp giáp J C và J E phân cực ngược. Ở chế độ này BJT được dùng như một khoá điện tử. Do tiếp giáp J C và J E phân cực ngược nên chỉ có dòng phân cực ngược (dòng rò) rất nhỏ. Nên xem như không có dòng chạy qua các tiếp giáp. Ở chế độ này BJT tắt. Điều kiện để BJT tắt là J E phân cực ngược, tương ứng V BE ≤ 0. +V CC B E C 2.2.2 Chế độ dẫn khuếch đại: Ở chế độ này J C phân cực ngược và J E phân cực thuận. Tiếp giáp J E phân cực thuận nên hàng rào thế đối với các hạt dẫn đa số giảm, electron chuyển từ E sang B và lỗ trông dời từ B sang E. Do bề dày miền B rất nhỏ nên phần lớn điện tử từ miền E sang đều tập trung tại tiếp giap J C tạo ra dòng I E rất lớn. Một phần điện tử từ miền E sang miền B được tai hợp taọ thanh dòng I B .Tiếp giáp J C được phân cực ngược nên kéo các hạt dẫn tiểu số ở vùng B là điện tử (do B là loại p) sang vùng C tạo nên dòng I C . Như vậy dòng I E gồm hai thành phần là dòng I B và I C . Do nồng độ pha tạp của miền B rất nhỏ so với miền E, nên dòng I E rất lớn so với I B cho nên có thể xem I C ≈ I E . Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 6 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chế độ này sử dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật mạch tương tự. Như vậy BJT làm việc ở chế độ khuếch đại từ tiếp giáp J E phân cực thuận còn tiếp giáp J C phân cực ngược. Hệ thức liên hệ giữa các dòng điện: I E =I C + I B Hệ thức truyền đạt dòng điện: E C I I = α Hệ số khuếch đại dòng điện: B C I I = β 2.2.3 Chế độ dẫn bão hòa: Ở chế độ này J E và J C đều phân cực thuận. Điều kiện BJT dẫn bảo hoà là: i b ≥ min β c i 2.3. Ba sơ đồ của BJT Như đã biết, BJT có 3 điện cực: Emitter, Base, Collector. Tuỳ theo việc chọn điện cực nào làm nhánh chung cho mạch vào và mạch ra mà có 3 sơ đồ cơ bản sau: 2.3.1. Mạch Base chung (BC): Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 7 * Transistor NPN mắc kiểu BC V CB I E I B I C V BE Trong mạch này, tín hiệu cần khuếch đại đưa vào giữa cực E và cực B, tín hiệu sau khi khuếch đại lấy ra giữa cực C và B. Rõ ràng cực B là nhánh chung của mạch vào và mạch ra. 2.3.2. Mạch Emitter chung (EC): * Transistor NPN mắc kiểu EC V CE I B I I E C V BE Trong mạch này, cực E là cực chung giữa mạch vào và mach ra. Dòng điện vào là I B , dòng điện ra I C , điện áp vào V BE , điện áp ra V CE . 2.3.3. Mạch Collector chung (CC): * Transistor NPN mắc kiểu CC I B I C I E V CE V BC Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Trong mạch này, tín hiệu cần khuếch đại đưa vào giữa cực B và C. Tín hiệu sau khi khuếch đại lấy ra giữa cực E và C. Nên C là nhánh chung của mạch vào và mạch ra, do đó gọi là mạch collector chung. 2.4. Đặc tuyến Vôn – Ampe của BJT Đặc tuyến Vôn – Ampe là đồ thị diễn tả các mối tương quan giữa dòng điện và điện áp trên BJT. BJT có ba họ đặc tuyến cơ bản: - Đặc tuyến vào: Nêu quan hệ giữa dòng và áp ở ngõ vào. - Đặc tuyến ra: Nêu quan hệ giưũa dòng và áp ở ngõ ra. - Đặc tuyến truyền đạt dòng điện: Quan hệ giữa dòng điện ra và dòng điện vào (khi áp ngõ ra = const). 2.4.1. Mạch Base chung (BC): 2.4.1.1. Đặc tuyến vào: Mô tả quan hệ giữa dòng vào I E với điện áp đầu vào V BE ứng với các giá trị điện áp khác nhau của áp ra V CB . Ta có họ đặc tuyến vào của mạch BC: I E = f(V BE ) V CB = const V CB2 V CB1 I E (mA) (V CB1 > V CB2 ) v BE (V) Họ đặc tuyến vào tĩnh của BJT mắc BC 2.4.1.2. Họ đặc tuyến ra: Ta có họ đặc tuyến ra của BC: I C = f(V CB ) I E = const Vùng khuếch đại Vùng dẫn bão hoà I C (mA) I E = 3 mA V CB (V) I E = 2 mA I E = 0 mA I E = 1 mA 3 2 1 Vùng đánh thủng chuyển tiếp J C I CBo Họ đặc tuyến ra tĩnh của BJT mắc BC. Họ đặc tuyến này có những đặc điểm sau: Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 8 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn - Đặc tuyến gần như song song với trục hoành, cắt trục tung ở các tung độ khác nhau. - Đường thấp nhất trên hình vẽ chỉ cách trục hoành một khoảng rất hẹp. Tung độ này chính là giá trị dòng ngược Collector (I CBo ). - Trị số I E càng tăng, đặc tuyến càng dịch lên phía trên, nghĩa là I C càng tăng theo. - Có thể chia họ đặc tuyến ra thành 3 vùng: Vùng khuếch đại, vùng bảo hoà và vùng đánh thủng. 2.4.1.3. Đặc tuyến truyền đạt dòng điện: I E (mA) V CB2 V CB1 I C (mA) ( V CB1 > V CB2 ) Họ đặc tuyến truyền đạt dòng điện của BJT mắc BC 2.4.2. Mạch Emitter chung (EC): Tương tự như mạch BC, mạch này cũng có 3 họ đặc tuyến cơ bản 2.4.2.1. Đặc tuyến vào: Phản ánh quan hệ giữa dòng và áp của chuyển tiế p J E ở ngõ vào. Ta có họ đặc tuyến vào mắc kiểu EC: I B = f(V BE ) V CE = const 2.4.2.2. Đặc tuyến ra: So với đặc tuyến ra của mạch BC, họ đặc tuyến này của mạch EC có vài điểm khác: - Đường thấp nhất phản ánh giá trị dòng điện ngược Collector (I CEo ) và I CEo > I CBo . Vùng khuếch đại Vùng dẫn Bão hoà I b=100μA I C (mA) I b=80μA I b=60μA V CE (V) I b=40μA I b=20μA I b=0μA 6 4 5 3 2 1 Vùng đánh thủng Họ đặc tuyến ra tĩnh của BJT mắc kiểu EC 2.4.2.3. Đặc tuyến truyền đạt dòng điện: Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 9 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn I C = f(I B ) V CE = const. 2.4.3. Mạch Collector chung (CC): Họ đặc tuyến vào có tính chất lý thuyết của mạch CC, trên thực tế ít dùng: I B = f(V BC ) V CE = const Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 10 Họ đặc tuyến ra: I E = f(V EC ) I B = const Đặc tuyến truyền đạt dòng điện thì gần giống đặc tuyến tương ứng của mạch EC bởi vì I E ≈ I C . I E = f(I B ) V CE = const 2.5. Phân cực và ổn định điểm làm việc cho BJT 2.5.1. Yêu cầu điểm làm việc tĩnh và tiêu chuẩn đánh giá: Xét mạch phân cực cho BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi phân cực cho transistor thì tuỳ theo giá trị của các điện áp phân cực, ở trạng thái tĩnh mỗi dòng và áp trên BJT có một giá trị xác định. Những tổ hợp giá trị đó xác định trên các đặc tuyến một điểm hoạt động nhất định gọi là điểm làm việc tĩnh. Nhưng do ảnh hưởng của sự biến động điện áp nguồn, của nhiệt độ môi truờng và các nhân tố khác, điểm làm việc tính bị xê dịch. Trong đó ảnh hưởng của nhiệt độ là đáng quan tâm nhất. Cụ thể, dòng ngược collector của BJT tăng nhanh theo nhiệt độ dẫn đến hệ số khuếch đại β cũng tăng theo nhiệt độ, điện áp trên chuyển tiếp emitter V BE ứng với một dòng điện I S = const giảm khi nhiệt dộ tăng. Trong ba ảnh hưởng trên, thì ảnh hưởng theo nhiệt độ của I CBo là lớn nhất Do đó, để đánh giá độ ổn định người ta đưa ra hệ số S gọi là hệ số ổn định nhiệt. S = ∆I C /∆I CBo Trường hợp lý tưởng, S = 1 mạch ổn định nhất. Nếu S càng lớn mạch càng kém ổn định. Ta có: I C = βI B + (1+β)I CBo ∆I C = β∆I B + (1+β)∆I CBo Chia cả hai vế cho ∆I C ta có: 1 = β. ∆I B /∆I C + (1+β). ∆I CBo /∆I C Suy ra: S = ∆I C /∆I CBo = (1+β)/(1-β.∆I B /∆IB C ) 2.5.2. Phân cực cho BJT: Về nguyên tắc, việc phân cực cho BJT làm việc trong chế độ khuếch đại phải đảm bảo các yêu cầu sau: - Tiếp giáp J E phân cực thuận, tiếp giáp J c phân cực ngược. - Dòng I C phải lớn hơn rất nhiều so với dòng ngược I CO . - Phải đảm bảo yêu cầu về công suất, nhiệt độ. Mạch phân cực là mạch chia điện áp các cực E, B, C để BJT làm việc được đảm bảo tiếp giáp BE phân cực thuận,tiếp giáp BC phân cực ngược. Việc dùng cả E B và EB C trong một sơ đồ là không thuận tiện ta có thể bỏ E B B thay vào đó là các mạch điện trở cung cấp điện áp sao cho V BE =E B , gọi là mạch phân cực. Mạch phân cực có các dạng như sau: [...]... yêu cầu chất lượng của mạch Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 14 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chương 3: HỒI TIẾP 3.1 Khái niệm Mạch hồi tiếp là mạch lấy một phần năng lượng ở ngõ ra đưa về đầu vào để làm tăng độ ổn định của mạch và cải thiện chất lượng của mạch 3.2 Phân loại Để phân loại hồi tiếp người ta dựa vào ba cơ sở 3.2.1 Theo dạng tín hiệu hồi tiếp: Mạch hồi tiếp điện áp là mạch lấy điện áp ra... thuật mạch Điện tử 20 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn ku = ki Rt RC Rt R =α v Rn + Rv RC + Rt Rn + Rv rbe Nhận xét: - Mạch khuếch đại BC thường có hệ số khuếch đại áp lớn, khuếch đại dòng bé Do đó, khuếch đại công suất Kp = ku ki không lớn Vì vậy, không sử dụng mạch BC làm mạch khuếch đại công suất - Mạch BC thường được dùng làm việc ở tần số cao - Tín hiệu vào và tín hiệu ra ở mạch BC đồng pha 4.3 Mạch. .. chạy từ +UC2→Q2→mass→RL→-UC2 Nhận xét: - Mạch khuếch đại OTL cho hiệu suất cao, chỉ sử dụng 01 nguồn cung cấp nên đơn giản, gọn nhẹ, dễ chế tạo, chế độ làm việc ổn định Và mạch khuếch đại công suất kiểu OTL khắc phục nhược điểm của mạch ghép biến áp Tuy nhiên mạch OTL cũng có những nhược điểm: + Phải chọn hai transistor PNP và NPN có tính đối xứng tốt + Trong mạch vẫn có hiện tượng méo tại giao điểm... Chương 6: MỘT SỐ VẤN ĐỀ LIÊN QUAN 6.1 Mạch Darlington Trong các mạch khuếch đại cần có độ khuếch đại dòng điện thật lớn hay các mạch cần có tổng trở vào lớn nguời ta có thể dùng hai hay nhiều transistor ráp tổ hợp theo sơ đồ mạch Darlington để đạt được yêu cầu nêu trên 6.1.1 Mạch Darlington cơ bản: Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 32 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Sơ đồ mạch +V CC I B1 Q1 I E1 = I Q2 B2... (1+β) E ≈1 rv ( Rv + Rn ) Nhận xét: - So với mạch EC, BC thì mạch CC có Rv lớn hơn nhiều Do đó, thường được dùng làm tầng đầu tiên của các thiết bị có nội trở lớn - Mạch CC chỉ khuếch đại dòng mà không khuếch đại áp Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 22 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chương 5: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT 5.1 Khái niệm Mạch khuếch đại công suất là mạch khuếch đại ở tầng cuối cùng của bộ khuêch... (IB = 0, IC = 0) - Trasistor chỉ khuếch đại được một phần của bán kỳ nên tín hiệu ra bị biến dạng rất lớn - Mạch khuếch đại hạng C dùng trong mạch cắt bỏ phần dưới của các tín hiệu mạch cắt góc hay trong mạch dao động, nhân tần số B B B Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 24 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn 5.2.4 Khuếch đại hạng AB: Trên đặc tuyến ngõ vào điểm làm việc tĩnh Q ở giữa hạng A và B Khi transistor... ) Rn + Rv RC + Rt Rn + Rv rbe Nếu chọn (R1//R2) >> rbe thì ku = RC Rt β RC + Rt Rn + rbe Nhận xét: Mạch khuếch đại EC vừa khuếch đại dòng vừa khuếch đại áp và có điện áp ra ngược pha với điện áp vào Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 19 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn 4.2 Mạch khuếch đại BC 4.2.1 Sơ đồ mạch: iE iC RC RE Rt Rn R1 R2 Un +Vcc 4.2.2 Nguyên lý hoạt động: Ở bản kỳ (+) tín hiệu vào làm ie↓ →ic↓... tạo ra khuếch đại công suất hạng AB, nghĩa là BJT được phân cực trước sao cho khi tín hiệu vào thì BJT dẫn ngay Với mạch trên ta dùng 2 điện trở R1 và R2 như sau: η A < η AB < η B Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử B T1 29 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn 5.7 Mạch khuếch đại công suất kiểu OTL Vcc +Vcc/2 Uin Q1 CL C Q2 -Vcc/2 Vcc RL Vcc/2 VF: điện áp trên tụ Khi đóng nguồn ( chưa có tín hiệu vào VF = VCC... Xv Xh Xht K Xr Kht K’ Xn: là đại lượng đầu vào của mạch Kn: là hàm truyền của mạch vào Xv: là đại lượng ra của Xn cũng chính là đại lượng vào của mạch có hồi tiếp Xh: là đại lượng trực tiếp vào bộ khuếch đại K: là hệ số khuếch đại của mạch khi không có hồi tiếp Xr: là đại lượng ra Kht: là hệ số khuếch đại của mạch hồi tiếp Xht: là đại lượng ra của mạch hồi tiếp Khi không có hồi tiếp thì Ktp = Kn.K... đầu đặc tuyến vào cũng giảm đi g lần Khi đại lượng đặt trực tiếp vào bộ khuếch đại giảm g lần thì dải rộng tăng lên g lần Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 17 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chương 4: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ 4.1 Mạch khuếch đại EC 4.1.1 Sơ đồ mạch: VCC RC CP2 R1 CP1 IB Vo VCE VBE Rn Un IC R2 RE IE RE Rt 4.1.2 Các linh kiện: VCC : nguồn cung cấp 1 chiều R1, R2: cầu phân áp RC: điện trở . Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 1 PHẦN 1 LÝ THUYẾT. công suất Chương 6: Một số vấn đề liên quan Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Chương 1: DIODE BÁN DẪN 1.1. Cấu tạo của diode bán dẫn A K Gồm một miền. 1.2.2. Khi tiếp xúc P - N phân cực thuận: Đồ án môn học Kỹ thuật mạch Điện tử 2 Khuếch đại OTL ngõ vào đơn Khi đặt một hiệu điện thế (như hình vẽ) vào tiếp xúc P- N thì xuất hiện một