Chương 2: Đại cương về transistor • Transistor tiếp giáp lưỡng cực - BJT [ Bipolar Junction Transistor ] • Transistor hiệu ứng trường – FET [ Field – Effect – Transistor ] 2.1 KHUYẾCH ĐẠI VÀ CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR [...]... ICQ  22 mA; I BQ = 150  A Mạch khuyếch đại bằng BJT Ví dụ 2.5 Mạch khuyếch đại tín hiệu nhỏ bằng BJT Hình 2.17, là mạch khuyếch đại bằng BJT có đặc tuyến collector như ở hình 2.13, RB = 10 k; RC = 375 ; VBB = 2,1 V; VCC = 15 V; V = 0,6 V; Hãy xác định: (1) điểm làm việc DC của BJT; (2) hệ số khuyếch đại dòng danh định, b, tại điểm làm việc; (3) hệ số khuyếch đại điện áp AC, AV = Vo/VB VBB  RB... CỦA BJT Ví dụ 2.7 Mạch điều khiển LED Hãy thiết kế mạch khuyếch đại bằng transistor để cung cấp nguồn cho LED LED yêu cầu chuyển sang sáng (dẫn) [ON] và tắt (ngưng dẫn) [OFF] tuân theo tín hiệu on-off từ cổng ra số của máy tính Mạch như ở hình 2.24 Các đại lượng đã cho gồm máy tính: điện trở ra = RB = 1 k; Von = 5 V; Voff = 0 V; I = 5 mA Transistor: VCC = 5 V; V = 0,7 V; b = 95 LED: VLED = 1,4 V;... collector, RC, để cho transistor hoạt động ở vùng bảo hòa khi mức điện áp ra từ máy tính là 5 V; mức công suất tiêu tán bởi LED Mạch khuyếch đại tín hiệu-lớn dùng trong nhiệt kế điện tử diode Mạch như ở hình 2.26 VCC = 12 V; b = 188,5; VBE = 0,75 V; RS = 0,5 k; RB = 10 k; đáp ứng điện áp của diode theo nhiệt độ (hình 2.27), cần phải tính điện trở collector và điện áp ra của transistor theo nhiệt... làm việc cho BJT I B  I BB (2.3) VCE  VCC  IC RC (2.4) VCC VCE IC   RC RC (2.5) Ví dụ 2.4: Xác định điểm làm việc DC cho mạch khuyếch đại bằng BJT bằng đồ thị (tức bằng đặc tuyến collector) Xác định điểm làm việc DC, tức là IBQ và ICQ, VCEQ của mạch khuyếch đại hình 2.14, khi biết RB = 62,7 k; RC = 375 ; điện áp các nguồn cung cấp VBB = 10 V; VCC = 15 V; họ đặc tuyến collector như ở hình 2.13;... phải tính điện trở collector và điện áp ra của transistor theo nhiệt độ Sử dụng diode 1N914 và transistor 2N3904 vD  I BQ RB  VBEQ  0 I BQ  vD  VBEQ RB 1,1 V - 0, 75 V  = 35 μA 10 kΩ ICQ  b I BQ  188,5×35 μA = 6,6 mA VCC  ICQ RC  VCEQ  0 RC  VCC  VCEQ I CQ 12 V - 6 V  = 0,909 kΩ 6, 6 mA 2.4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG Bảng 2.1 Các vùng làm việc và phương trình của MOSFET tăng cường kênh-n...  I C  RC  RE   VCE b   (2.9) VCC VBB  VBE IB  (2.10); RB  ( b  1) RE VCE  b 1   VCC  I C  RC  RE  (2.11) b   Ví dụ 2.6 Mạch phân cực BJT thực tế Hãy xác định điểm phân cực DC của transistor cho mạch ở hình 2.20, tức là tính các dòng (tĩnh) DC, IBQ và ICQ, VCEQ, khi các điện trở, R1 = 100 k; R2 = 50 k; RC = 5 k; RE = 3 k; VCC = 15 V; V = 0,7 V VBB  R1 100 kΩ VCC = ×15 V = . Chương 2: Đại cương về transistor • Transistor tiếp giáp lưỡng cực - BJT [ Bipolar Junction Transistor ] • Transistor hiệu ứng trường. – Effect – Transistor ] 2.1 KHUYẾCH ĐẠI VÀ CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR