THCN giáo trình linh kiện điện tử và ứng dụng ts nguyễn viết nguyên, 250 trang

Giáo trình linh kiện điện tử cơ bản

... 3-6 Điểm làm việc Q Toạ độ Q cửa hình 3-6b là: Dòng điện ICQ t-ơng ứng IBQ cửa vào bỏ qua dòng điện ng-ợc ICB0: iC (Q) I CQ F I BQ (3.18) Điện áp UCEQ theo (3.16) là: uCE (Q) U CEQ U CC ... phn in cm mch), nhiờn kớch thc v trng lng ln nờn ngy cng ớt c s dng Page 24 GIO TRèNH LINH KIN IN T CHNG II CC LINH KIN TCH CC I Cht bỏn dn (Semiconductor) 1.1.1 Cu trỳc vựng nng lng ca cht rn tinh ... Page 34 GIO TRèNH LINH KIN IN T UAK ...

• 86
• 2,161
• 5

giao trinh linh kien dien tu CHUONG 1 CƠ SỞ ĐIỆN HỌC

... Chương 1: Cơ sở điện học điện hai điểm có điện khác Ở mạch điện - điện lượng A có điện, gọi tắt điện A B có điện tương ứng với vò trí B mạch A B   + Nguồn điện Hình 1. 3 Để dòch chuyển điện lượng ... thái DC 1. 2 .1 Định nghĩa Chương 1: Cơ sở điện học Dòng điện chiều dòng điện có chiều giá trị cường độ dòng điện khơng đổi theo thời gian 1. 2.2 Cường độ dòng điện Cường độ dòng điện đo lượng điện ... dụ: Một điện tử thoát ly khỏi nguyên tử điện tử ion âm nguyên tử lại ion dương Chương 1: Cơ sở điện học 1. 1.3 Điện trường Năng lượng phân bố liên kết với điện tích cho hình ảnh điện trường Điện...

• 6
• 617
• 2

giao trinh linh kien dien tu CHUONG 2 LINH KIỆN THỤ ĐỘNG

... = 22 0µF,WV = 25 v C = 10µF,WV = 63v Hình 2. 10 Hình dạng tụ hố 2. 2.6 Cách mắc tụ điện a Mắc nối tiếp C1 C2 + C td + + + + U U Hình 2. 11 Các tụ điện mắc nối tiếp 19 Chương 2: Linh kiện thụ động ... việc, đơn vò volt 22 Chương 2: Linh kiện thụ động Trường hợp ghi 123 K số đầu số có nghóa, số thứ ba số nhân, chữ viết sai số (J = 5%, K = 10%, M = 20 %) 123 K = 120 00pF  10% 2. 2.9 Hiện tượng nạp ... thiên (s) 2. 5.4 Các công thức biến Tỉ lệ điện V2 N2 = V1 N1 Tỉ lệ dòng điện: I2 N1 = I1 N2 Tỉ lệ công suất: P1 = V1 I1 ; Lí tưởng ta có: P1 = P2 V1.I1 = V2 I2 Thực tế: P2 = V2I2 P2 < P P2 100%...

• 24
• 752
• 10

giao trinh linh kien dien tu CHUONG 3 CHẤT BÁN DẪN - DIODE

... điện bán dẫn Như vậy, dòng điện bán dẫn dòng chuyển dời có hướng điện tử tự lỗ trống tác dụng điện trường 3. 3 Bán dẫn tạp chất Bán dẫn tạp chất bán dẫn có pha thêm chất khác vào Tùy vào chất ... tạo – ký hiệu diode A: Anode: cực dương 34 Chương 3: Chất bán dẫn - diode K: Cathode: cực âm 3. 2.2 Nguyên lý hoạt động a Phân cực thuận o o o -+ -+ -+ o o o       - + VDC Hình 3. 6 Mạch thí ... độ dẫn điện bán dẫn Si tăng lên 10 lần Nếu pha chất P nhiều độ dẫn điện bán dẫn Si tăng lên Pha thêm lượng photpho vào chất bán dẫn Si theo tỉ lệ Si Si      P   Si   Si 32 Chương 3: Chất...

• 14
• 1,570
• 27

giao trinh linh kien dien tu CHUONG 4 TRANSISTOR MỐI NỐI LƯỠNG CỰC (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR = BJT)

... Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực 4. 2 Nguyên lý hoạt động IE IC e RE Rc IB e - e + - - + VEE Vcc Hình 4. 3 Mối nối P-N cực cực phát phân cực thuận nguồn VEE Mối nối P-N thu phân cực nghòch ... 4, 8 Q 52 IB = 60A IB = 30A IB= µA Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Giả sử BJT có đặc tính ngõ hình vẽ Điểm đặc tuyến ngõ Q có toạ độ IB = 60A; IC = 4, 8mA; VCE = 8,4V điểm phân cực Đường ... hợp Xác đònh điện cực BJT: VE = 0V VB = VE +VBE = 0,6 V VC = VCC – ICRC = 18 – 4, 8 2k = 18 –9,6 = 8 ,4 (V) Trường hợp có thêm điện trở RE: 53 Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực IC RC RB C B...

• 20
• 1,081
• 18

giao trinh linh kien dien tu TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG (FIELD EFFECT TRANSISTOR = FET)

... Đặc tuyến truyền dẫn ID(VGS) ID (mA) VGS = 5V VGS = 4V VGS = 3V VGS = 2V VGS = 1V VDS (v) Hình 5.16 Đặc tuyến ngõ ID(VGS) +V cc b Phân cực RG2 RD ID D G S 73 RG1 R ID Chương 5: Transistor hiệu ứng ... dòng thoát ID ID VGS = 0V IDSS VGS = -1V VGS = -2V VGS = -3V VGS = -4V VPO VDS (v) Hình 5.5 67 Chương 5: Transistor hiệu ứng trường Khi VGG =0 V tức VGS=0V, mối nối P-N G S không phân cực, mối nối ... IDsat Trường hợp ID lớn dễ làm hư MOSFET nên ID(mA) dùng IDsat 70 -V Chương 5: Transistor hiệu ứng trường Hình 5.10 Đặc tuyến chuyển ID(VGS) MOSFET kênh liên tục loại N: ID VGS = 2V IDSS VGS = 1V...

• 11
• 2,034
• 34