tiểu luận môn học CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ VÀ THIẾT KẾ VLSI, đề tài: thiết kế layout mạch fulladder

... tập môn học Công Nghệ Vi Điện Tử Thiết Kế VLSI Hình 4: Sơ đồ layout tự động Microwind 3.1 Giãn đồ thời gian mô dạng sóng vào/ mạch full-adder auto, kết minh họa hình 5: Hình 5: Dạng sóng mô Layout ... Trinh_K32 Trang Bài tập môn học Công Nghệ Vi Điện Tử Thiết Kế VLSI + Khi đầu vào A=1, B= 1, Cin= 1; đầu Carry_out = ( led1 sáng xanh), Sum_out = (led sáng tím) PHẦN III LAYOUT VÀ KẾT QUẢ MÔ PHỎNG SỬ ... Nguyễn Thị Tuyết Trinh_K32 Trang Bài tập môn học Công Nghệ Vi Điện Tử Thiết Kế VLSI Thiết kế layout tự động Microwind 3.1: Khởi tạo file Verilog để thực layout tự động phần mềm Microwind 3.1 SVTH:...

9
1,141
52

TIỂU LUẬN MÔN HỌC CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ

... Ứng dụng quang khắc • Chế tạo vi mạch điện tử miếng Si • Chế tạo linh kiện vi điện tử (MEMS) (Microelectromechical System) • Chế tạo chi tiết nhỏ ngành khoa học công nghệ vật liệu Ưu nhược điểm ... cỡ micromet với độ xác cao • Nhược điểm: Không thể chế tạo linh kiện với kích thước nano Trong công nghệ quang khắc ảnh hưởng yếu tố bên độ ẩm, nhiệt độ phòng, độ phòng thông số trình quang khắc ... aligner) Quá trình ăn mòn • Có hai phương pháp ăn mòn : ăn mòn ướt ăn mòn khô • Ăn mòn ướt Ngay từ công đoạn phiến vừa cưa khỏi thỏi silicon từ nhà máy sản xuất phiến, hóa chất sử dụng để mài nghiền...

BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHỆ VI ĐIÊN TỬ

... måïi ULSI Hiãûn cäng nghãû CMOS våïi minimum device dimension ( khong cạch gate to gate) đạt tới cåỵ vi chủc nm (0.65, 0.45) Khuynh hỉåïng ch âảo vi ûc gim nh kêch thỉåïc linh kiãûn cäng nghãû ... CHƯƠNG CƠ SỞ CƠNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP §1.1 Cạc mảch têch håüp Cạc mảch têch håüp (IC) l cạc mảch âiãûn tỉí âỉåüc chãú tảo båíi vi ûc tảo mäüt cạch âäưng thåìi cạc pháưn ... dung lớp cách điện đơn vị diện tích, động bề mặt điện tử 18 µ n độ linh §1.6 Vê dủ thiãút kãú BJT Pháưn ny s xem xẹt mäüt thiãút kãú cho vi ûc chãú tảo mäüt BJT våïi mäüt låïp ngáưm â nọi tåïi...

146
1,015
7

Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 1 pps

... (1. 4) v (1. 5): nn ≈ ND - NA (1. 6) pp ≈ NA - ND (1. 7) Näưng âäü hảt ti khäng cå bn (thiãøu säú) cọ thãø âỉåüc xáúp xè tỉì (1. 6) , (1. 7) v (1. 3): ni pn ≈ ND − NA (1. 8) ni np ≈ NA − ND (1. 9) âọ pn ... dáùn cọ dảng âån giạn: N = Nc f(Ec) (1. 12) Trong âọ Nc âỉåüc cho båíi: N c ∗ ⎛ π m n kT = 2⎜ h2 ⎝ ⎞ ⎟ ⎠ / (1. 13) ⎧ × 10 19 (T / 300 ) / cm − for Si =⎨ × 10 17 (T / 300 ) / cm − for GaAs ⎩ âọ ... cho båíi hm xạc sút Fermi-Dirac: f (E ) = 1+ e ( E − E F ) / kT (1. 10) våïi T l nhiãût âäü tuût âäúi, k l hàòng säú Boltzmann (8.62 x 10 -5 eV/K = 1. 38 x 10 -23 J/K) v EF âỉåüc gi l mỉïc Fermi Mỉïc...

Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 2 ppt

... träúng Våïi Si, åí nhiãût âäü 20 oC, µn = 1900 cm2/(V.s) v µp = 425 cm2/(V.s) Quan hãû (1 .20 ) âụng våïi cỉåìng âäü âiãûn trỉåìng khäng quạ låïn (thỉåìng nh hån 0.2V/cm) Våïi âiãûn trỉåìng låïn ... J =Jn + Jp (1 .21 ) Tỉì (1.19) dãù tháúy ràòng âäü dáùn âiãûn: σ = q(nµn + pµp) (1 .22 ) Hãû säú khúch tạn (1.19) quan hãû våïi âäü linh âäüng theo hãû thỉïc Einstein D = kT q µ (1 .23 ) 10 §1.4 Cạc ... låïn hån nhiãưu Mäüt BJT cạch ly âiãøn hçnh dng cho cạc mảch têch håüp âỉåüc mä t åí hçnh (1 .2) Hçnh 1 .2 Mäüt âån vë npn-BJT cå bn dng cho IC Vç c ba cỉûc âãưu phi åí trãn bãư màût ca chip, nãn...

Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 3 pdf

... L: chiều dài kênh, Ci : điện dung lớp cách điện đơn vị diện tích, động bề mặt điện tử 18 µ n độ linh §1.6 Vê dủ thiãút kãú BJT Pháưn ny s xem xẹt mäüt thiãút kãú cho vi ûc chãú tảo mäüt BJT våïi ... base), cáưn xạc âënh kêch thỉåïc v cạch thỉïc pha tảp cho vi ûc chãú tảo BJT hçnh (1.6.1) Bi toạn v låìi gii âỉåüc tọm tàõt bng sau 22 23 Lỉu âäư thût toạn cho bi toạn 24 ...

Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 4 doc

... cọ thãø X2 = 2 .44 µm Giạ trë âỉåüc ca x2 låïn hån giạ trë thỉí (2µm) Âiãưu ny chỉïng t låïp ngáưm quạ gáưn chuøn tiãúp B-C v âọ bỉåïc âỉåüc làûp lải Cạc giạ trë måïi l: Wepi = 6 .4 µm Xepi = 3.1 ... xCB - Wb -0.1 = 1 .45 - 0.19 - 0 .49 - 0.1 = 0.67 µm Cúi cng, näưng âäü tảp täøng cäüng tải xjE phi bàòng Âiãưu ny ngủ ràòng: NE(xjE) = NB(xjE) - NC(xjE) Hay NE = Nbo exp(-xjE2/4D2Bt2B) -NC = 1.55 ... 1.81 - 0 .49 = 1.32 µm Dng 1.66 cho kãút qu: Qbo/q = 5.3 x 1012 cm-2, Giạ trë ny nh hån giạ trë 1.67 x 1013 â nháûn âỉåüc tỉì bỉåïc Do âọ làûp lải cạc bỉåïc v cho cạc giạ trë: xjC = 1 .45 µm D2Bt2B...

Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 5 pptx

... nhiãût âäü ca cạc quạ trçnh xỉí l Quạ trçnh âọng kiãûn mảch IC bao gäưm vi ûc gàõn chip (die) vo mäüt váût liãûu gạ nháút âënh, vi ûc näúi dáy giỉỵa cạc âỉåìng dáùnlinh kiãûn våïi gạ v tảo hçnh cho ... âỉïng âỉåüc lm nọng cha củc bäü tỉì dỉåïi lãn sỉí dủng l củc bäü quẹt tỉì dỉåïi lãn (chàóng hản l vi sọng) Vng nọng chy âỉåüc tinh thãø họa nhåì cạc tinh thãø máưm Phỉång phạp thỉï ba l phỉång phạp ... tinh thãø bạn dáùn loải n hồûc p Cạc thi bạn dáùn s âỉåüc càõt thnh cạc phiãún mng, âỉåìng kênh 0 .5 mm (wafer) Màûc d chè mäüt pháưn ráút mng ca âéa bạn dáùn âỉåüc dng âãø têch håüp linh kiãûn,...