...
V
i
e
w
e
r
w
w
w
.
d
o
c
u
-
t
r
a
c
k
.
c
o
m
Giáo trình tổng hợp những hướng dẫn về phân tích và
thiết kế các giải thuật lập trình cho máy tính
Giải thuật Kĩ thuật phân tích giải thuật
1. Tính thời gian thực hiện của C, B2, B11 và ... thông qua việc tính độ
phức tạp.
- Nắm được các giải thuật sắp xếp và phân tíc...
...
V
i
e
w
e
r
w
w
w
.
d
o
c
u
-
t
r
a
c
k
.
c
o
m
.
.
Giải thuật Kĩ thuật phân tích giải thuật
1 >n nêu n C + )
2
n
2T(
1=n nêu C
2
1
Ví dụ 1-13: Giải phương trình T(n) =
Ta có
n2C+)
2
n
2T(=T(n)
2
n2C+)
4
n
4T( =n C+]
2
n
C + )
4
n
2T( ... )
4
n
2T( [ 2= T(n)
22 2
nC3+)
8
n
8T( =n C2+]
4
n
C + )
8
n
2T( [ 4=T(n)
22 2
……….
nC+)
2
n
T (2 =T(n)...
...
V
i
e
w
e
r
w
w
w
.
d
o
c
u
-
t
r
a
c
k
.
c
o
m
.
.
Giải thuật Kĩ thuật thiết kế giải thuật
CHƯƠNG 3: KĨ THUẬT THIẾT KẾ GIẢI THUẬT
3.1 TỔNG QUAN
3.1.1 Mục tiêu
Nắm vững các kĩ thuật thiết kế giải thuật: chia để trị, quy ...
V
i
e
w
e
r
w
w
w
.
d
o
c
u
-
t
r
a
c
k
.
c
o
m
.
.
Giải thuật Sắp xếp
Chỉ số
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ban
đầu
5 6 2 2 10 12 9...
... |V
P
|-0,63V
V
GS
= -1V
V
GS
= -0V
Hình 19
Trang 101 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình tổng hợp những hướng dẫn về tính năng
xoay chiều trong JFET
.
... là tổng trở vào
lớn, nghĩa là dòng điện I
G
ở cực cổng - nguồn trong JFET sẽ làm giảm tổng trở vào, do
đó thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận của nối cổng - nguồn tố
0,2V ...
ồn đ
ng và...
... Kiện Điện Tử
[]
[]
2
4
3
V
A
10.67,5
10.10
I
−
−
=
GS
là:
22
)th(GSGS
D
8,38VV
K
−
=
−
=
Vậy dòng thoát I
D
và V
[]
[
]
2
4
D
I =
2
)th(GSGS
8,3610.67,5VVK −=−
−
⇒ I
= 2, 74 mA
D
... hành
kiểu tăng
28
DE-MOSFET kênh P
Điều hành
kiểu hiếm
-2V
V
GS
= -2V
I
Dmax
Đặc tuyến
truyền
I
D
(mA)
Đặc tuyến
ngõ ra
Hình
Trang 107 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo tr...
... thế đỉnh là 10mV
vào ngõ vào của một mạch khuếch đạ ồn c ùng JFET kênh N
C
1
và C
2
là 2 tụ liên lạc, được chọn sao cho có dung kháng rất nhỏ ở tần số của tín
hiệu và có thể được xem như ... thế tín hiệu ngõ vào.
i là tỉ số đỉnh đối đỉnh của hiệu thế
tín hiệu ngõ ra và trị số đ đỉnh của hiệu thế tín hiệu ngõ vào:
D D
quanh dòng phân cực I
D
tỉnh (được giả sử là 12
D...
... truyền của E-MOSFET ứng với dòng
thoát I
D2
Ta có:
1D1m
KI2g =
và
2D2m
KI2g =
nên:
1D
2D
1m2m
I
I
gg =
−
I
D
(mA)
I
D1
Q
I
Dmax
[
]
2
)
th
(
GSGSD
VVKI −=
dốc tại Q là g
m1
Độ
... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta thấy g
m
tùy thuộc vào dòng điện thoát I
D
, nếu gọi g
m1
là điện dẫn truyền của E-
MOSFET ứng với dòng thoát I
D1
và g
m2
là điện dẫn tru...
... E-
MOSFET kênh N dẫn mạnh vì
- Khi v
i
(t)=
n+
n+
S
2
p-
G
2
D
2
SiO
2
Hình 47
Thân n-
p+
p+
D
1
S
1
G
1
G
S
1
D
1
V
DD
= 15V
1
G
2
D
2
S
2
v
i
(t) v
0
(t)
Q
1
Q
2
v
i
(t) ...
t
1
Hình 48
Trang 121 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Bài tập cuối chương
2.
Trong m iện sau, tính điện thế phân c...