... DE -MOSFET gi
nhỏ hơn nhiều so với
M FET LOẠI TĂNG (ENH
Về mặt cấu tạo cũng giống như DE -MOSFET, chỉ khác là bìng thường không có
thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát D và vùng ng
Mô hình cấu ... trở vào lớn hơn
và dòng rỉ I
GSS
JFET.
VI. OS ANCEMENT MOSFET:
E -MOSFET)
MOSFET loại tăng cũng có hai loại: E -MOSFET kênh N và E -MOSFET kênh P.
uồn S.
ình vẽ sau đây:
I
DS...
... cổng nên vùng
này dễ bị hư hỏng. Khả năng chịu đựng của di/dt tùy thuộc vào mỗi SCR.
4. SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều
Khi SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều tần số thấp (thí dụ 50Hz hoặc ... BỐN LỚ
NHỮNG LINH KIỆN KHÁC
CR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED
RECTIFIER).
1. Cấu tạo và đặc tính:
SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta t...
... Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
II. T
Thường đượ coi n t SCR lưỡng hướng vì có thể dẫn đ theo hai chiều. Hình
sau đây cho thấy cấu tạo ình tương đương và cấu tạo của Triac.
... Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Cách (1) và cách (3) nhạy nhất, kế đến là cách (2) và cách (4). Do tính chất dẫn điện
cả hai chiều, Triac dùng trong mạng điện...
... transistor được gọi là
MOS ET.
a phân biệt hai loại MOSFET: MOSFET loại hiếm và MOSFET loại tăng.
ình sau đây mô tả cấu tạo căn bản MOSFET loại hiếm (DE - MOSFET) kênh N và kênh
.
n nhưng ... nối với
nguồn
Ký
DE -MOSFET kênh N
Hình 23
hiệu
Thân n-
Kênh p-
p+ p+
Nguồn
S
Cổng
G
Thoát
D
Tiếp xúc
kim loại
SiO
2
G
D
Thâ
S
n U
G
Thân nối với
nguồn
Hình 24...
... của hiệu thế
tín hiệu ngõ ra và trị số đ đỉnh của hiệu thế tín hiệu ngõ vào:
D D
quanh dòng phân cực I
D
tỉnh (được giả sử là 12
D
Sự thay đổi dòng điện thoát i
D
(t) sẽ là
ố
c
ự thay
so với ... v
DS
(t) ngược chiều với sự thay đổi của
dòng i
D
(t) tức ngược chiều với s đổi của hiệu thế ngõ vào v
GS
(t), người ta bảo điện
thế ngõ ra ngược pha - lệch pha 180
o...
... điện dẫn truyền của E -MOSFET cho tín hiệu n
K: là hằng số với đơn vị Amp/volt
2
c thoát D
hỏ
I
D
: Dòng diện phân cực cự
Trang 118 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ... DE -MOSFET vớ ỏ
g
mo
: là g
m
khi V
GS
= 0V
V
GS
: Điện thế phân cực cổng - nguồn
V
GS(off)
: Điện thế phân cực cổng - nguồn làm JFET hay DE -MOSFET ngưng.
ừ công thức:
: l...
...
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Cấu trúc CMOS được dùng rất nhiều trong IC tuyến tính và IC số
+ Bây giờ ta x hư trên, đáp ứng c tín hiệu
vào có dạng xung vuông như hình vẽ. Mạch ợc ứng dụng ... pha nhau (lệnh pha
III. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS.
Các transistor trường ứng (JFET và MOSFET) mà ta đã khảo sát ở trên chỉ thích
ợp cho các mạch có biên độ tín h...
...
Anod 2
Cấu tạo
Anod 1
Anod 2
Ký hiệu
Anod 1
Anod 2
Tư đương ơng
Anod 1
Anod 2
Hình 16
Trang 136 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Tuy có ký hiệu khác với SCR và ... vai trò quan trọng trong các mạc
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:
Hình sau đây mô tả cấu tạo đơn giản hoá và ký hiệu của UJT
Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n
-
với hai lớp...
...
P
G
Cổng
G
Cổng
Anod
A
K
Catod
Cấu tạo Ký hiệu Phân cực
R
B2
GK
R
A
V
I
AK
V
A
AA
R
K
V
B1
Hình 31
Trang 145 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Khi nhiệt độ ... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
- Khi chưa áp V
EE
vào cực phát E (cực phát E để hở) thỏi bán dẫn là một điện trở
với nguồn điện thế V
BB
, được ký hiệu R
BB
và gọi là điện ... v...
... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Chú ý là giới hạn trên chỉ có tính cách tương đối. Sự khác nhau về tần số lại dẫn đến
một sự khác biệt quan trọng nữa đó là năng lượng bức xạ. Năng lượng ... điện tử tự
do, tứ
ề phương diện năng lượng, ta nói ánh sáng đã cung cấp một năng lượng E=h.f để
các điện tử nhảy từ dãi hóa trị lên dãi dẫn điện. Như v
ậy năng lượng cần thiết h.f phải lớn...