... NOW!
P
D
F
-
X
C
h
a
n
g
e
V
i
e
w
e
r
w
w
w
.
d
o
c
u
-
t
r
a
c
k
.
c
o
m
Giáo trình hướng dẫn lý thuyết cơ bản của năng
lượng vật chất
.
.
...
Hình 10
T1T1
+12 V
T2
C
T2
.1 .1R
RelayRelay
R
+12 V
Hình 11
C
, Relais hoạt động. Ngược lại trong mạch tắt relais, ở trạng thái thường trực q
1
thái đóng. Khi được chiếu sáng, quang transistor dẫn ...
V
i
e...
...
KT
EE
F
e1
1
)E(n
)E(
)E(f
−
+
=
ρ
=
Trong đó, K =1, 3 81. 10
-23
J/
0
K (hằng số Boltzman)
K)(V/ 10 .62,8
e
10 .3 81, 1
K
05
23
−
−
==
E
F
năng lượng Fermi, tùy thuộc vào bản chất kim loại.
Mức năng ... có:
10 .23 ,11 0.2 .10 .203,6.
18 4
8 ,18
n
29623
≈=
điện tử/m
3
()
3
2
2 919
F
10 .23 ,1. 10.64,3E
−
=⇒
eV95,8E
F
≈⇒
IV. CÔNG RA (HÀM CÔNG):
Ta thấy rằn...
... có chất bán dẫn hỗn hợp loại N.
Nếu N
D
< N
A
=> n<p, ta có chất bán dẫn hỗn hợp loại P.
III. DẪN SUẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN:
Dưới tác dụng của điện truờng, những điện tử có năng lượng ... và những nguyên tử nhận để
có chất bán dẫn hỗn hợp. Hình sau là sơ đồ năng lượng của chất bán dẫn hỗn hợp.
Trang 26 Biên soạn: Trương Văn Tám
Dải dẫn...
... một hiệu điện thế 1 volt là:
Q
W
V =
19 -
10 . 602 ,1
W
V1 =⇒
Joule10.602,1W
19 −
=⇒
Năng lượng này được gọi là 1eV (1eV =1, 602 .10
-19
J)
Ta đã khảo sát trường hợp đặc biệt của tinh thể Cacbon. ... nhưng chỉ có 1
điện tử chiếm phụ tầng 3s.
Cách biểu diễn:
Theo mẫu của Bohr Theo mức năng lượng
NATRI Na
11
1s
2
2s
2
2p
6
3s
1...
... trường hợp chất bán dẫn điện.
Thí dụ: Germanium có E
G
=0,75eV
Silicium có E
G
=1, 12eV
Galium Arsenic có E
G
=1, 4eV
Dải hóa trị và dải dẫn điện chồng lên nhau, đây là trường hợp của chất dẫn điện. ...
E (Năng lượng)
Dải dẫn điện
E
G
>5eV Dải cấm Dải dẫn điện
E
G
<5eV
Dải hoá trị Dải hoá trị
(a) (b) (c)
Chất cách điện Chất bán...
... dẫn loại N, chất bán dẫn loại P và chất bán dẫn tổng hợp. Khảo sát ảnh
hưởng của nhiệt độ lên chất bán dẫn, từ đó hiểu được cơ chế dẫn điện trong chất bán dẫn.
Đây là vật liệu cơ bản dùng trong ...
Khi năng lượng này lớn hơn năng lượng của dải cấm (0,7eV đối với Ge và 1, 12eV
đối với Si), điện tử có thể vượt dải cấm vào dải dẫn điện và chừa lại n...
... V
0
thay đổi từ 1, 2 volt đến 1, 8 volt.
Thường người ta lấy trị trung bình là 1, 6 volt.
CỰC:
Ta có thể phân cực nối P-N theo hai
Trang 34 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện ... dIp=0; P=P
0
=hằng số
Phương trình (1) cho ta:
pp
gg0
τ
=⇒
τ
−=
Với P
là mật độ lỗ trống ở trạng thái cân bằng nhiệt. Thay trị số của g vào phương trình
0
P
p
0
(1) và để ý rằn...
... theo mối là Ge hay Si,
Với K/J10.3 81, 1k
023−
=
coulomb10.602,1e
−= , là điện tích của electron
T là nhiệt độ tuyệt đối.
19 −
Ở nhiệt độ bình thường, T=273
0
K,
1e10
V
V
T
V
V
T
>>⇒>
...
[]
0
p1p
n
n1np
n)x(n
L
1
.D.e)x(J −=
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
−=
1en.
L
D
.e)x(J
T
0
V
V
p
n
n
1np
Suy ra, mật độ dòng điện J trong mối nối P-N là:
)x(J)x(JJ
1np2pn
+=
⎥
⎥
⎤
⎢
⎡
−
⎥
⎤
⎢
⎡
+...
...
c nữa mà t
1. D
L
ế
ện á
Anod Catod
A
K Ký hiệu
N
P N
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Áp dụng:
10
2
).C25(I)Ct(I
t
00
=
25
00
−
10
2
.nA25
2 510 0−
=
18 1.nA25=
1( A525,4)C00I
0
0
µ=⇒
... C
T
.
d
T
W
A.
V
Q
C
ε
=
∆
∆
=
Trong đó, ε là hằng số điện môi của chất bán dẫn, A là điện tích của nối P-N và W
d
là độ rộng của vùng hiếm.
vùng hiếm thay đổi...
... mạch dùng diode 1N 917 với tín hi ỏ V
S
(t)=50 Sinωt (mV).
ìm điện thế V
D
(t) ngang qua diode, biết rằng điện trở r
B
của hai vùng bán dẫn P-N là
0Ω.
iải:
ệu nh
T
1
Vs =15 V
R=3K
Vs(t)
+-
+ ...
Thí dụ:
Từ đặc tuyến V-I của diode 1N 917 (Si), xác định điện trở động r
và tìm điểm
v
Giải:
Bước 1: dùng kiểu điện thế ngưỡng:
mA
VV
I
KS
77,4
7, 015
' =
KR
D
3...