... lệ theo nhiệt độ với tốc độ -2 mV/K. - Tại vùng khóa (phân cực ngược) giá trị dòng bão hòa Is nhỏ (10 - 12 A/cm2 với Si và 10 -6 A/cm2 với Ge và phụ thuộc ... khoảng 0,3V với tiếp xúc p-n làm từ Ge và 0,6V với loại làm từ Si, phụ thuộc vào tỉ số nồng độ hạt dẫn cùng loại, vào nhiệt độ với hệ số nhiệt âm (-2 mV/K). b – Mặt ghép p-n khi có điện trường ngoài ... ngược bão hòa của tiếp xúc p-n. Bề rộng vùng nghèo tăng lên so với trạng thái cân bằng. Người ta gọi đó là sự phân cực ngược cho tiến xúc p-n. Kết quả là mặt ghép p-n khi đặt trong 1 điện trường...