... chit die thii cua vit lieu gdm SD nhiet cao Phin tuyd'n tinh I - V d viing V cao dugc xem nhu qui luit Om ciia trang thai thudng cua vit lieu Tuy nhidn cd thd d viing I a: Ic cd mdt phin dien trd ... cua miu mang day Bi-2212 d cic nhiet dd T = 30, 50 ya 70K Cic tuyen die deu cd dang chung la cd vung tuyd'n tinh Viing thip (I « Jc) vdi V < 0,3 V va viing cao (I > Je) vdi V > V d giua viing ... vdi md hinh tU giao (Flux creep model)[2] va cic hien tugng ghim tir thdng (flux pinning)[3] cd the cho gii tri Jc tir die trung Tuy nhien, sir bien luan die trungI - V tai viing I « Je la rit...
... Lý i n quang sinh pin chênh lệch mức Fermi lớp màng bán dẫn (v i TiO2 mức Fermi khoảng -0,5 V/ SCE) vi oxi hóa của cặp I- /I3 - (0,4 V/ SCE) Vvi DSC sử dụng TiO2 cặp I- /I3 - hiệu i n cực đ i đạt ... gồm I2 nồng độ 0,050,1 M mu i iodide LiI, NaI, KI, R4NI, hay imidazolium nồng độ 0,1-0,5 M hòa tan dung m i hữu Các ion đ i mu i iodide Li+, Na+, K+, R4N+, đóng vai trò quan trọng hoạt động pin: ... hoàn toàn so vipin MT kiểu p-n tiếp xúc i n tử lỗ trống p-n sinh pha, bị tách i n trường v ng tiếp xúc bán dẫn, hiệu quang sinh pin định hiệu i n v ng tiếp xúc Đ ivi DSC, i n tử electron...
... C có số th i gian ứng vi bán nguyệt phổ Nyquist i m uốn đồ thị pha Pin DSC mô tả mạch i n phức tạp vi nhiều phần tử i n trở i n dung có nhiều số th i gian, số th i gian đặctrưng cho trình ... chuyển v n i n tử màng TiO2 liền vimáti n tử kết hợp vi I3- giao diện TiO2/dung dịch i n ly [06]: V n chuyển i n tử màng xem cách đơn giản khuếch tán có chiều d i xác định (bỏ qua hiệu ứng ... toàn pin DSC (b) Mạch đơn giản hóa TiO2 dẫn i n (khi i n áp v o gần V, dòng i n mạch thấp) (c) Mạch đơn giản TiO2 trạng th i dẫn i n M i phần tử mạch biểu thị cho trình trao đ ii n tử ion...
... (Solaronix) LiI (của Merck), I2 (của Unichem), Propyl metyl imidazol iodine (PMII), 3metoxypropionitril (3-MPN) (Fluka), 4-tert-butyl piridin (4-TBP) (SigmaAldrich), mu i Guanidine thiocianat (GNCS) ... Dye: cis-bis(isothiocyanato)bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato)-ruthenium (II) bis-tetrabutylammonium (Ru535); cis-bis(isothiocyanato)(2,2'-bipyridyl4,4'-dicarboxylato)(2,2’-bipyridyl-4,4’-di-nonyl) ... 49 Luận V n Thạc Sĩ Chuyên Ngành Hóa Lý I (mA) 0 200 400 600 800 V (mV) Hình 3.4: Đường đặctrưng I- Vpin chế tạo 3.3.5 Đo phổ tổng trở pin Phép đo thực vi hệ i n cực: i n cực đ ii n cực...
... theo th i gian ph i nhiệt 85oC t i: (A) Hiệu suất pin; (B) Isc; (C) Voc; (D) ff Trong η Isc pin dye N719 giảm dần suốt 600 ph i, vipin dye D520 thông số l i ổn định 500 đầu ph i nhiệt vi giá trị ... đầu ph i nhiệt pin dye D520 hoạt động tốt ổn định i u gi i thích cấu trúc dye D520 có đu i cacbon kị nước d i, giúp bảo v bề mặt TiO2 kh i tiếp cận hợp chất có cực dung dịch, ion I3 - Vipin dùng ... hoạt động pin chưa bị suy giảm sau 780 ph i nhiệt V n đề bay dung dịch i n ly v n xem nguyên nhân làm hỏng pin không xảy vipin chế tạo Ngo i hai dye phổ biến N719 D520, thử nghiệm vi dye đen...
... tìm hiểu sâu biến đ i xảy pin DSC bị ph i nhiệt Một số đề xuất: Nghiên cứu c i thiện khả trao đ ii n tử catốt t i ưu tính chất lớp oxit dẫn TiO2 để nâng cao hiệu suất pin Kiểm soát qui trình ... động pin bị ph i nhiệt Sự 4-TBP thay cho ph i tử (NCS) dye xảy vi mức độ đáng kể, vi dye đen N719 Sự có mặt sản phẩm vi cực đ i hấp thụ dịch chuyển trung bình 25 nm v phía sóng xanh so vi dye ... Luận V n Thạc Sĩ Chuyên Ngành Hóa Lý Khuếch tán ion I3 - dung dịch i n ly xảy khó khăn Nồng độ iot dung dịch giảm bay hay tạo thành hợp chất phức I2 vi phụ gia 4-TBP Tính chất giao diện TiO2/dung...
... vi gi - Nghiên c i s i mô hình pin m -V, P- Vc - Phân tích tính c àm vi - Nghiên c MPPT kh áp - Dùng ph làm vi c ên c pin m ình mô dò tìm - Thi 1.4 - Thu th i li - Nghiên c i nghiên ... i báo t i li 26 (Incremental Conductance) d àm P -V c Hình 3.1 Ta có: dP/dV) c H U TE dP/dV = 0, t C H miêu t dP/dV < 0, bên ph T dP dV d (IV ) dV Ta có th dI/dV = - I/ V, t dI/dV > dI/dV < -I/ V, ... v ph t ên vi àm cho giá thành c ì không yêu c v 22 Start Set V ref Sense Vpv NO Vpv < Vref H U TE YES YES Vpv > Vref C H NO Increase Vref Decrease Vref Return Hình 2.15 Gi 2.4.2 B bi pháp vi...
... ruthenium (II) N535 cis-bis(isothiocyanato)bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato) ruthenium(II) N719 cis-bis(isothiocyanato)bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato)ruthenium(II) bis-tetrabutylammonium ... Lý i n quang sinh pin chênh lệch mức Fermi lớp màng bán dẫn (v i TiO2 mức Fermi khoảng -0,5 V/ SCE) vi oxi hóa của cặp I- /I3 - (0,4 V/ SCE) Vvi DSC sử dụng TiO2 cặp I- /I3 - hiệu i n cực đ i đạt ... trao đ i Io Dòng t ipin DSC Ip Dòng rò pin Isc Dòng ngắn mạch pin ITO Oxít thiếc có thêm Indium (Indium-doped tin oxide) k1 (k) Hằng số tốc độ t i kết hợp i n tử vi I3- k2 Hằng số tốc độ t i kết...
... i th t i xng gia hai nhỏnh v ng húa tr n i trờn Th t ca chỳng phi l i vi v ng cao nht, i vi v ng tip theo, v cui cựng l iu ny cho thy s tỏch qu o spin ca vt liu ZnO l ngc so vi cỏc vt liu AIIBVI ... 2024% vi vi cỏc pin mt tri mng mng phi t 15% vo nm 2020 6) ng dng nhiu hn v a dng hn cỏc pin mt tri mng mng 7) a vo ng dng cỏc loi pin mt tri trờn c s cỏc vt liu mi nh pin mt tri nhum mu, pin ... quang in phi t 2024% vi vi cỏc pin mt tri mng mng phi t 15% vo nm 2020 2) ng dng nhiu hn v a dng hn cỏc pin mt tri mng mng 3) a vo ng dng cỏc loi pin mt tri trờn c s cỏc vt liu mi nh pin mt tri...
... dụng thiết bị khác vi lượng cần để sản xuất pin Nhóm nghiên cứu phát so sánh vipinv cơ, th i gian thu h i lượng pinmặt tr i hữu thấp Tuy nhiên, nghiên cứu thực để kiểm tra độ ổn định thiết ... lượng mặt tr i đến m i trường không đầy đủ Để nhận thức rõ lượng, l i ích m i trường tác h ii n mặt tr i, nhóm nghiên cứu thuộc Viện Công nghệ Rochester (RIT) tiến hành đánh giá v ng đ ipinmặt ... giá toàn diện v ng đ i công nghệ Theo Anctil, đánh giá trước v ng đ i không tính đến việc tách thành phần v t liệu có pinmặt tr i hữu tính toán tổng lượng thu h i thiết bị xác định lượng sinh...
... tnh v thnh ph; B Bu chớnh Vin thụng, B Quc phũng, B Giao thụng, v. v ã Mc ớch s dng: Sinh hot (chiu sỏng, TV, i, bm nc, v. v.), thụng tin liờn lc, tớn hiu giao thụng, v. v ã Ngun kinh phớ: - Kinh ... tri da trờn hiu ng quang in v cụng ngh nhit mt tri da trờn hiu ng nh kớnh (nhit thp) v cụng ngh nhit mt tri hi t (nhit cao) a- Cụng ngh in mt tri Quang in Khi chiu sỏng mt lp tip xỳc bỏn dn ... lp tip xỳc bỏn dn Silic loi n v loi p, nSi/pSi (hỡnh 1) Hỡnh 1- Nguyờn lý cu to PMT (trờn) v mụun PMT (di) Hiu sut bin ii quang-in ca cỏc mụun PMT Si thng mi khong 11-14% Cụng ngh sn xut in nng...
... t i 25 eurocent/kWh v ng có ánh mặt tr i nhiều Cho t i hịên v t liệu chủ yếu cho pinmặt tr i (v cho thiết bị bán dẫn) silic tinh thể Pinmặt tr i từ tinh thể silic chia thành lo i: Một tinh ... thống lượng mặt tr i Ứng dụng pinmặt tr i Việt Nam Pinmặt tr i phương pháp sản xuất i n trực tiếp từ lượng mặt tr i (NLMT) qua thiết bị biến đ i quang i n Pinmặt tr i (PMT) có ưu i m gọn nhẹ, ... âm, lo i bán dẫn n, lo i âm di chuyển xung quanh, tương tự ngược l ivi lo i p V t liệu hiệu suất Nhiều lọai v t liệu khác thử nghiệm cho pinmặt tr iV hai tiêu chuẩn, hiệu suất giá Hiệu suất...
... nhiều đa dạng pinmặt tr i màng mỏng 3) Đưa v o ứng dụng lo ipinmặt tr i sở v t liệu pinmặt tr i nhuộm màu, pinmặt tr i hữu cơ v. v 4) Nghiên cứu sử dụng v t liệu chế tạo pinmặt tr i N i ... i n mặt tr i nữa, là: 1) Tăng hiệu suất chuyển đ i quang i n tế bào mặt tr i Cụ thể vipinmặt tr i silicon hiệu suất quang i n ph i đạt 20÷24% pinmặt tr i màng mỏng ph i đạt 15% v o năm ... triển, nhà máy lượng mặt tr i hòa vi lư ii n quốc gia, nước phát triển, nhà máy lượng mặt tr i l i hoạt động đơn v độc lập Có thể n i, lượng mặt tr i bắt đầu phát triển đà trưởng thành, giá...
... cao ngư i Năng lượng mặt tr i có nhiều, khai thác n i tr i đất, gần tác động tiêu cực vi m i trường sinh v t sống V n đề mặt kinh tế ảnh hưởng pinmặt tr iV n đề vii n mặt tr i hiệu suất ... hoạt động: Pinmặt tr i sử dụng chất nhạy sáng ( Dye Sensitized Solar Cell hay DSSC ) lo ipinmặt tr i giá rẻ thuộc lo ipinmặt tr i film mỏng Lo ipin g ipin Graetzel Brian O'Regan Michael Graetzel ... pinmặt tr ivi giá thành rẻ, xuất phát từ nguyên liệu có sẵn tự nhiên, không gây h i cho m i trường vi trình chuẩn bị đơn giản gi i pháp cho pinmặt tr i tương lai PHẦN II: TỔNG QUAN ĐỀ TÀI...
... cao ngư i Năng lượng mặt tr i có nhiều, khai thác n i tr i đất, gần tác động tiêu cực vi m i trường sinh v t sống V n đề mặt kinh tế ảnh hưởng pinmặt tr iV n đề vii n mặt tr i hiệu suất ... hoạt động: Pinmặt tr i sử dụng chất nhạy sáng ( Dye Sensitized Solar Cell hay DSSC ) lo ipinmặt tr i giá rẻ thuộc lo ipinmặt tr i film mỏng Lo ipin g ipin Graetzel Brian O'Regan Michael Graetzel ... pinmặt tr ivi giá thành rẻ, xuất phát từ nguyên liệu có sẵn tự nhiên, không gây h i cho m i trường vi trình chuẩn bị đơn giản gi i pháp cho pinmặt tr i tương lai PHẦN II: TỔNG QUAN ĐỀ TÀI...
... Tr n Minh H i vii DANH M C KÝ HI U VI T T T DANH M C KÝ HI U VI T T T A ð h p thu a-Si Silicon v đ nh hình ACN Acetonitrile AM Air mass, đ i lư ng đ c trưng cho đ suy gi m tia m t tr i qua khí ... GuNCS Guanidinium thiocyanate H2dcbpy 2,2’-bipyridine-4,4’-dicarboxylic axit HOMO M c lư ng cao nh t chi m b i n t HPLC- S c ký l ng hi u cao k t h p đ u dò UV/Vis kh i ph Tr n Minh H i viii DANH ... silicon v đ nh hình (a-Si) V t li u có h n ch cho hi u su t pin tương đ i th p so vi silicon tinh th d b th i bi n dư i tác d ng c a ánh sáng Sau nhi u nghiên c u nh m hi u rõ Tr n Minh H i...
... nhiều pinmặt tr i thành hệ thống pinmặt tr i ứng dụng sử dụng nguồn lượng mặt tr i nhiều mà không th i chất khí Một pinmặt tr i nhóm tế bào mặt tr i hoạt động đồng vi nhau, tế bào mặt tr i ... thường ghép vi thành module mặt tr i, g iPINMẶT TR I 1.2 Phân lo i Có hai lo ipinmặt tr i PMT nhạy cảm chất màu DSC PMT Silic V nhiều lí do, hiệu suất lo ipin nhạy cảm chất màu DSC v o cỡ 11% ... lo ipinMặt tr i hoạt động tốt nắng yếu, đặc biệt hoạt động vi ánh sáng nhà Cho t iv t liệu chủ yếu cho pinmặt tr i (v cho thiết bị bán dẫn) silic tinh thể V t liệu xuất phát để làm pin mặt...
... kiệt v n đề an ninh lượng biến đ i khí hậu nóng bỏng toán thách thức gi i khoa học công nghệ toàn gi iVv y, nghiên cứu chế tạo ứng dụng pinmặt tr i (PMT) hướng nghiên cứu trọng i m ưu tiên ... Thư viện Quốc gia Việt Nam - Trung tâm Thông tin - Thư viện, Đ i học Quốc gia Hà N i MỞ ĐẦU V n đề lượng trở thành đề t i riêng quốc gia mà m i quan tâm toàn gi i Bên cạnh việc tìm kiếm nguồn lượng ... quốc gia toàn gi i, có Việt Nam Vi phát triển khoa học công nghệ, nhiều lo iv t liệu khác thử nghiệm cho PMT Hiện nay, lo i PMT thương m i sử dụng cho ứng dụng mặt đất “PMT Si” Thế hệ PMT chiếm...
... gi i sản xuất pinmặt tr i, mắt panô pinmặt tr i có hiệu suất đột phá 36% mà v t liệu hợp chất bán dẫn nguyên tố cột III (aluminium, gallium, indium) cột V (nitrogen, arsenic) bảng phân lo i ... đường I- V hệ hai i n cực, i n cực làm việc n ivii n cực anode-quang pin, i n cực đ i n ivi cathode pin Tốc độ quét mV/s, quét mạch hở Voc đến Số liệu đường I- V xử lý phần mềm IV2400 ... so vii n tử tinh thể) nên hiệu suất chuyển hoán thành i n phân nửa hiệu suất silic đơn tinh thể Các chất bán dẫn indium galium dislenide đồng cadimium telluride có giá rẻ nhiều so vi silic...
... tổng quan Pinmặt tr i thông số đặctrưng cho pin 1.4.1 Các hệ pinmặt tr i [15] Dựa v o lịch sử phát triển cấu tạo lo iPinmặt tr i, ngư i ta phân thành bốn lo i hệ Pinmặt tr i SVTH: Nguyễn ... Pinmặt tr i quang- i n-hóa (PEC), Pinmặt tr i chất màu nhạy quang (dye-sensitized solar cells), Pinmặt tr i hữu • Pinmặt tr i dạng nano tinh thể Các tế bào lượng mặt tr i dựa Silic vi lớp ... Minh tiến hành đề t i nghiên cứu chế tạo Pinmặt tr i tảng v t liệu Silic, PGS.TS Đặng Mậu Chiến chủ nhiệm quản lý Sở Khoa học công nghệ Thành phố Hồ Chí Minh Đ iviPinmặt tr i sở v t liệu tinh...