phún xạ magnetron dc
nghiên cứu chế tạo màng mỏng ZnO loại P bằng phương pháp phún xạ Magnetron
Ngày tải lên :
18/03/2013, 11:49
... được chế tạo bằng phương
pháp phún xạ magnetron RF ở điều kiện nhiệt độ 510K trên đế thạch anh và xác định cấu trúc
bằng phương pháp nhiễu xạ tia X
Hình 2.5 Phổ nhiễu xạ của ZnO
Hằng số mạng của ... ZnO LOẠI P
BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN X Ạ MAGNETRON
HVBC: NGUYỄN ĐỖ MINH QUÂN
GVHD: TS. LÊ TR ẤN
Thắc mắc xin đưa lên diễn đàn tại: www.myyagy.com/mientay
Mẫu Khí phún xạ ρ(Ωcm) µ(cm
2
/Vs) n(cm
-3
) ... Al
2
O
3
lần lượt
là 0,75%, 1,5%, 3,5% và thu đư ợc màng có tính dẫn loại p có kết quả cụ thể:
%Al Khí phún xạ ρ(Ωcm) µ(cm
2
/Vs) n(cm
-3
) T(%)
0,75% 30%N
2
0,0852 5,42 1,35.10
18
61
0,75% 60%N
2
1,6860...
- 7
- 1.8K
- 20
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu chế tạo màng mỏng Al2O3 bằng phương pháp phún xạ Magnetron RF potx
Ngày tải lên :
27/06/2014, 10:20
... Để tạo màng có nhiều phương pháp như phún xạ
phản ứng, lắng đọng từ phún xạ bằng chùm laser (PLD), ngưng tụ dung dịch (sol gel),… trong
đó, kỹ thuật phún xạ được áp dụng rộng rãi nhờ vào khả ... việc nghiên cứu chế tạo màng mỏng Al
2
O
3
bằng phương pháp phún
xạ magnetron rf và chuyển pha bằng xử lý nhiệt sau đó. Màng được phún xạ phản ứng từ bia
nhôm kim loại trong môi trường hỗn hợp ... nhận bằng phổ hấp thu hồng ngoại IR cũng như phổ tán xạ tia X.
2. THỰC NGHIỆM
Hệ phún xạ được dùng là máy Univex 450. Màng Al
2
O
3
được phún xạ từ bia nhôm kim
loại. Điều kiện tiến hành được...
- 11
- 791
- 0
Báo cáo khoa học: Ảnh hưởng của nhiệt độ đế lên cấu trúc và tính chất điện của màng dẫn điện trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạ Magnetron phản ứng potx
Ngày tải lên :
27/06/2014, 11:20
... tinh thể. Trong phương
pháp tạo màng bằng phún xạ magnetron rf, việc
tạo sự thiếu hụt oxy trong màng có thể được
điều chỉnh thông qua tốc độ phún xạ và áp suất
riêng phần cuả oxy trong quá ... ĐHQG-HCM
(2) ĐHQG-HCM
TÓM TẮT: Màng điện cực trong suốt SnO
2
:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạ
Magnetron DC phản ứng trên đế thủy tinh. Vật liệu bia là hợp kim Sn (tinh khiết 99,5%) pha Sb (5% ... NGHIỆM
Trong công trình này, màng điện cực trong
suốt SnO
2
:Sb được chế tạo bằng phương pháp
phún xạ magnetron DC phản ứng trên đế thủy
tinh corning ở các nhiệt độ đế khác nhau. Vật
liệu bia là hợp...
- 6
- 802
- 1
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu chế tạo màng tin bằng phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron DC docx
Ngày tải lên :
27/06/2014, 11:20
...
cho màng có cấu trúc đặc.
2.THỰC NGHIỆM
Màng TiN được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron dc trên đế thủy
tinh, hệ chân không làm việc có áp suất tới hạn 10
-4
torr với bia ...
3.1.1.Khảo sát ảnh hưởng của thế phún xạ theo tỉ lệ khí Nitơ và Argon.
Với mỗi tỉ lệ % của Nitơ và Argon, chúng tôi khảo sát điện trở suất của màng theo thế
phún xạ như đồ thị (hình 1) và tìm ... thị (hình 1) và tìm được điện trở suất thấp ứng với thế phún xạ ngưỡng ). Kết
quả nhận được cho thấy điện trở suất giảm theo thế phún xạ, là do sự truyền xung lượng giữa
ion và nguyên tử Titan...
- 10
- 676
- 2
phun xa catot
Ngày tải lên :
05/09/2013, 13:10
... trình
phún xạ
2 Kỹ thuật phún xạ
phóng điện phát
sáng
3 Phún xạ chùm iôn
, chùm điện tử
4 Ưu điểm và hạn
chế của phún xạ
catốt
2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng
Phún xạ magnetron
... trình
phún xạ
2 Kỹ thuật phún xạ
phóng điện phát
sáng
3 Phún xạ chùm iôn
, chùm điện tử
4 Ưu điểm và hạn
chế của phún xạ
catốt
2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng
Phún xạ magnetron
... trình
phún xạ
2 Kỹ thuật phún xạ
phóng điện phát
sáng
3 Phún xạ chùm iôn
, chùm điện tử
4 Ưu điểm và hạn
chế của phún xạ
catốt
2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng
Phún xạ magnetron
Là...
- 11
- 497
- 3
nghiên cứu và chế tạo màng dẫn điện trong suốt zno pha tạp vanadium bằng phương pháp đồng phún xạ
Ngày tải lên :
19/06/2014, 09:44
... văn này, chúng tôi chế tạo màng trong suốt dẫn điện ZnO pha tạp V bằng
phương pháp đồng phún xạ magnetron DC từ hai bia ZnO và bia kim loại V. Để
đánh giá chính xác các tính chất quang điện, cấu ... bức xạ
Hình 2.13.
Nguyên lý của phép phân tích EDX
Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng
Học viên
: Phùng Nguyễn Thái Hằng
29
hóa chất khí.
* Mô tả hệ phún xạ.
+ Hệ phún ... quá trình phún xạ phản ứng là tốc độ hình thành màng thấp và
hồ quang. Tốc độ hình thành màng thấp được giải thích là do năng lượng liên kết
của các hợp chất cao hơn nên hiệu suất phún xạ hợp...
- 96
- 853
- 1
Báo cáo khoa học: Tổng hợp màng cứng CrN bằng phương pháp phún xạ mạ ion (SIP) ppt
Ngày tải lên :
27/06/2014, 11:20
... tái phún xạ. Lúc này, tốc độ tái phún xạ lớn hơn tốc độ ngưng tụ trên màng. Do
đó, độ dày của màng giảm. Theo như giải thích ở trên, thì độ dày của màng giảm sẽ dẫn đến
cường độ chùm nhiễu xạ ... ion khí
làm việc và ion nguyên tử phún xạ có thể đâm sâu vào bề mặt đế, làm biến thể cấu trúc và sản
sinh sai hỏng bên trong. Sự sản sinh sai hỏng và tái phún xạ bề mặt đế sẽ làm nhoè lớp phân ...
θ
λ
=
cosB
9.0
b
(2)
với
0
A5406,1=λ ; θ là vị trí góc nhiễu xạ, được lấy từ số liệu đo phổ nhiễu xạ; B độ rộng vạch
nhiễu xạ ở vị trí ½ cường độ cực đại.
Kết quả tính toán trình bày trong...
- 8
- 649
- 2
influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties of amorphous indium zinc oxide thin film y s jung
Ngày tải lên :
24/05/2014, 13:53
... crystalline indium zinc
oxide (IZO) thin films were deposited on glass or Si
wafer substrates using DC magnetron sputtering tech-
nique. The IZO films deposited below 350 8C were of
amorphous phase, ... matter ᮊ 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
doi:10.1016/j.tsf.2003.09.014
Influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties of
amorphous indium zinc oxide thin film
Yeon ... indium zinc oxide (IZO) thin films, which are highly transparent and conducting, were deposited by
DC magnetron sputtering. X-Ray diffraction technique was used for analyzing microstructures of the...
- 9
- 502
- 0
Báo cáo hóa học: " High-rate low-temperature dc pulsed magnetron sputtering of photocatalytic TiO2 films: the effect of repetition frequency" ppt
Ngày tải lên :
22/06/2014, 22:20
... prepared by reactive
magnetron sputtering in a mixture of Ar + O
2
by dc
pulsed dual magnetron equipped with Ti(99.5) targets
of 50 mm in diameter. The magnetron was supplied by
a dc pulsed Advanced ... pulse
length s
Nanoscale Res Lett (2007) 2:123–129 125
123
NANO EXPRESS
High-rate low-temperature dc pulsed magnetron sputtering
of photocatalytic TiO
2
films: the effect of repetition frequency
J. S
ˇ
ı
´
cha ... reports on low-temperature
high-rate sputtering of hydrophilic transparent TiO
2
thin films using dc dual magnetron (DM) sputtering in
Ar + O
2
mixture on unheated glass substrates. The
DM was operated...
- 7
- 206
- 0
KHÔNG GIAN MÊTRIC - Ánh xạ liên tục.pdf
Ngày tải lên :
04/08/2012, 14:24
... metric
§3. Ánh xạ liên tục
(Phiên bản đã chỉnh sửa)
PGS TS Nguyễn Bích Huy
Ngày 20 tháng 12 năm 2004
Tóm tắt lý thuyết
1 Định nghĩa
Cho các không gian metric (X, d), (Y, ρ) và ánh xạ f : X → Y
• ... Int G nếu G mở.
Bài 8. Cho các không gian metric (X, d), (Y, ρ) và các ánh xạ liên tục f, g : X → Y . Ta định
nghĩa ánh xạ
h : X → R, h(x) = ρ(f (x), g(x)), x ∈ X
1. Chứng minh h liên tục
2. Suy ... y
1
) + d
2
(y
2
, y
2
)
Giả sử rằng f
1
: X → Y
1
, f
2
: X → Y
2
là các ánh xạ liên tục. Chứng minh rằng ánh xạ
f : X → Y
1
× Y
2
, f(x) = (f
1
(x), f
2
(x)) liên tục.
Hướng dẫn
Sử dụng định...
- 7
- 9.8K
- 193
