... phân? Câu18TrìnhbàychếphụchồiDNAbịbiếnđổitái bản? Câu 19 TrìnhbàychếphụchồiDNAbịbiếnđổi không tái bản? Câu 20 Trìnhbày dạng đột biếncấu trúc nhiễm sắc thể, chế hậu dạng? Câu ... câu 2.5 điểm (Số câu: x x = 12 câu) Câu 13 Trìnhbày giai đoạn hoạt động phiên mã sinh vật nhân sơ (Prokaryote)? Câu 14 Vai trò enzyme chế di truyền cấp độ phân tử? Câu 15 TrìnhbàychếtáiDNA ... (Prokaryote) Câu 16 So sánh chếtáiDNA sinh vật nhân chuẩn (Eukaryote) với sinh vật nhân sơ (Prokaryote) Ý nghĩa chếtái DNA? Câu 17 Trìnhbày mối quan hệ cấu trúc nhiễm sắc thể phân tử DNA kỳ trình...
... nhóm III CHUẨN BỊ GIÁO CỤ: *Giáo viên: Giáo án, tập *Học sinh: Học cũ, chuẩn bị trước đến lớp IV TIẾN TRÌNH BÀI DẠY: 1.Ổn định lớp: Kiểm tra sĩ số, đồng phục 2.Kiểm tra cũ: Kết hợp trình luyện ... a) Có lớp electron tập (5’) b) Lớp có e Đại diện c) Nguyên tố kim loại nhóm lên bảng BT6/30SGK: thảo trình 2 6 bày, a) 15e nhóm khác b) 15 nhận xét c) lớp thứ Gv nhận d) Có lớp e, Lớp thứ có ... THỨC CẦN NẮM VỮNG: vấn hs phần kiến thức học: 1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s … 2/ Số e tối đa trong: + Thứ tự mức 1/ Thứ tự mức lượng: Lớp thứ n (=1,2,3,4) 2n2e Phân lớp: s2 , p6 , d10 ,...
... tế bào S bị xử lý protease RNAase hoạt tính biến 20 nạp còn, cứng tỏ RNA protein tác nhân gây bệnh Nhưng tế bào chết S bị xử lý DNAase hoạt tính biến nạp không nữa, chứng tỏ DNA nhân tố biến nạp ... (gia cầm) bị chết nhiễm virus bị tiêu hủy Thông thường virus cúm lan truyền giới cách kí sinh tế bào ruột non loài chim di cư, chúng chủng H5N1 không gây chết Tuy nhiên chủng virus bị đột biến trở ... chết trộn với vi khuẩn R sống cho chuột, chuột chết Trong xác chuột chết có vi Thí nghiệm biến nạp chuột khuẩn S R Như vậy, cách chủng R không gây bệnh biến thành chủng S gây bệnh Năm 1928, Griffith...
... nucleotide nucleotide thường biếnđổi nhiều cách: - Biếnđổi bazơ nitơ (metyl hoá hay tio hoá ) - Biếnđổi pentose (metyl hoá) - Thay đổicấu trúc bazơ N - Thay đổi kiểu cấu trúc nucleotide Thảo ... ribonucleotide dezoxiribo nucleotide Mỗi nhóm có loại nucleotide nhiều nucleotide (nucleotide biếnđổi thành) Bazơ Ribo nucl Dezoxiribo nu nitơ eotide cleotide A Adenozin.5 Dezoxi ' - mono P adenozin5' ... H3PO4 H3PO4 H3PO4 Pentose Ribose Dezoxi ribose Bazơ N A, G, C, U A, G, C, T Các loại bazơ nitơ : Bazơ bé - Pyrimidine Các loại bazơ lớn - Purin Cấu tạo nucleotide Từ nhóm thành phần liên kết với...
... nucleotide nucleotide thường biếnđổi nhiều cách: - Biếnđổi bazơ nitơ (metyl hoá hay tio hoá ) - Biếnđổi pentose (metyl hoá) - Thay đổicấu trúc bazơ N - Thay đổi kiểu cấu trúc nucleotide Vai ... nhiên Cấu trúc không gian bị phá vỡ, tâm hoạt động bịbiến dạng không hoạt động bình thường hay khả hoạt động Kết tính chất protein bịbiếnđổi - biến tính protein Sự biến tính có khả thuận nghịch ... protein không hoà tan Khi phân tử protein bị kết tủa, cấu trúc không gian phân tử bị thay đổi liên kết hyđro, liên kết ion, liên kết kỵ nước bị ảnh hưởng Mạch polypeptid bị tháo gỡ để hình thành...
... Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Vài ứng dụng quang điện trở: Quang điện trở dùng phổ biến mạch điều khi n Mạch báo động: B+ Bóng đèn chuông tải R1 SCR λ Nguồn sáng hồng ngoại Hình Khi quang ... Yellow 590 Cam Orange 650 Đỏ Red 750nm Biên soạn: Trương Văn Tám λ Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý giới hạn có tính cách tương đối Sự khác tần số lại dẫn đến khác biệt quan trọng lượng xạ ... góc khối (hình nón) không đổi gọi quang thông Đơn vị quang thông Lumens (Lm) hay Watt Lm = 1,496.10-10 watt Đơn vị cường độ ánh sáng foot-candles (fc), Lm/ft2 hay W/m2 Trong đó: Lm/ft2 = fc = 1,609.10-12...
... động nhìn từ cực phát E vùng điện trở âm là: rd = − ∆VE ∆I E Khi IE tăng, RB1 giảm lúc RB2 bị ảnh hưởng nên điện trở liên RBB giảm Khi IE đủ lớn, điện trở liên RBB chủ yếu RB2 Kết thúc vùng điện ... đỉnh VP thông số quan trọng UJT Như thấy, thay đổi điện đỉnh VP chủ yếu điện ngưỡng nối PN tỉ số η thay đổi không đáng kể Người ta ổn định nhiệt cho VP cách thêm điện trở nhỏ R2 (thường khoảng vài ... Hình 29 Trang 144 Biên soạn: Trương Văn Tám t Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi cấp điện, tụ C1 bắt đầu nạp điện qua điện trở RE (Diod phát-nền bị phân cực nghịch, dòng điện phát IE xấp xỉ không)...
... điện -VBO, DIAC lại dẫn điện kích Triac dẫn điện Ta thay đổi VR để thay đổi thời nạp điện tụ C, thay đổi góc dẫn Triac đưa đến làm thay đổi độ sáng bóng đèn V DIOD SHOCKLEY Diod shockley gầm có ... đóng vai trò chất bán dẫn loại P Vùng P nằm cách vùng B1 khoảng 70% so với chiều dài hai cực B1, B2 Dây nhôm đóng vai trò cực phát E Hình sau trìnhbày cách áp dụng điện chiều vào cực UJT để khảo ... Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy có ký hiệu khác với SCR SCS tính chất tương tự Sự khác biệt tiến GTO so với SCR SCS mở tắt GTO cổng (mở GTO cách đưa xung dương vào cực cổng tắt GTO cách đưa...
... theo cách khác nhau, trìnhbày hình vẽ sau đây: + + T2 T2 G - Cách T2 G IG < T1 - T2 G IG > T1 - - G IG < T1 + Cách Cách IG > T1 + Cách Hình 11 Trang 134 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình ... Cách Hình 11 Trang 134 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Cách (1) cách (3) nhạy nhất, cách (2) cách (4) Do tính chất dẫn điện hai chiều, Triac dùng mạng điện xoay chiều thuận ... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Bình thường đèn 6V cháy sáng nhờ nguồn điện qua mạch chỉnh lưu Lúc SCR ngưng dẫn bị phân cực nghịch, accu nạp qua D1, R1 Khi điện, nguồn điện accu...
... tuyến trìnhbàybiến thiên dòng điện anod IA theo điện anodcatod VAK với dòng cổng IG coi thông số - Khi SCR phân cực nghịch (điện anod âm điện catod), có dòng điện rỉ nhỏ chạy qua SCR - Khi SCR ... Trang 129 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Ta làm SCR dẫn điện cách tăng điện anod lên đến điện quay VBO cách dùng dòng kích cực cổng Một cách khác tăng điện anod nhanh tức dv/dt ... Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Các thông số SCR: Sau thông số kỹ thuật SCR - Dòng thuận tối đa: Là dòng điện anod IA trung bình lớn mà SCR chịu đựng liên tục Trong trường hợp dòng...
... thông lộ điều hành theo kiểu tăng khác cấu trúc E-MOSFET V-MOS trìnhbày hình vẽ sau: Trang 122 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Nguồn S Cổng G Thoát D Nguồn S SiO2 Cổng ... hơn, nên vo(t) tăng Như vây ta thấy tín hiệu ngõ vào ngõ ngược pha (lệnh pha 180 o) XIII MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS Các transistor trường ứng (JFET MOSFET) mà ta khảo sát thích hợp cho mạch ... vi(t) S1 VDD = 7,5V Hình 49 VGG = VDD = 7,5V - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh N dẫn điện mạnh E-MOSFET kênh P bắt đầu dẫn điện yếu Do vo(t) giảm - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh...
... th ) K Thay vo trờn ta c: g m = KI D Trong ú: gm: l in dn truyn ca E-MOSFET cho tớn hiu nh K: l hng s vi n v Amp/volt2 ID: Dũng din phõn cc cc thoỏt D Trang 118 Biờn son: Trng Vn Tỏm Giỏo trỡnh ... ID=IDSS) c gi l gmo 2I g mo = DSS Vy: VGS( off ) gm = VGS T ú ta thy: g m = g mo VGS( off ) Trong ú: gm: l in dn truyn ca JFET hay DE-MOSFET vi tớn hiu nh gmo: l gm VGS= 0V VGS: in th phõn ... tng tr vo ca FET l vụ hn Vi FET : r Trang 119 Biờn son: Trng Vn Tỏm Giỏo trỡnh Linh Kin in T Trong cỏc mch s dng vi tớn hiu nh ngi ta cú th dựng mch tng ng cho FET nh hỡnh (a) hoc hỡnh (b)...
... thay đổi hiệu số điện cực thoát cực nguồn Ta có vDS(t) = VDD – iD(t).RD Khi iD(t) có trị số tối đa, vDS(t) có trị số tối thiểu ngược lại Điều có nghĩa thay đổi vDS(t) ngược chiều với thay đổi ... vào: AV = vo (t) vS ( t ) Trong trường hợp thí dụ trên: o v o ( t ) 0,0574VP − P − 180 = AV = v S (t) 0,02VP− P AV=2,87 ∠ -180 o Người ta dùng dấu - để biểu diễn độ lệch pha 180 o Trang 114 Biên soạn: ... nguồn luôn âm Nhờ đặc tuyến truyền, thấy điểm điều hành di chuyển VGS thay đổI Trang 113 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử theo tín hiệu Ở thời điểm VGS âm hơn, dòng thoát...
... với nguồn G E-MOSFET kênh P S Thân U Hình 30 Trang 108 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi VGS < 0V, (ở E-MOSFET kênh N), thông lộ nối liền hai vùng thoát nguồn nên có nguồn ... pMạch tương đương Hình 31 Khi VGS>0, điện trường tạo vùng cổng Do cổng mang điện tích dương nên hút điện tử p- (là hạt tải điện thiểu số) đến tập trung mặt đối diện vùng cổng Khi VGS đủ lớn, lực hút ... (gate-to-source threshold voltage) VGS(th) Khi VGS tăng lớn VGS(th), dòng điện thoát ID tiếp tục tăng nhanh Người ta chứng minh rằng: [ I D = K VGS − VGS( th ) ] Trong đó: ID dòng điện thoát E-MOSFET...
... không Để tăng tổng trở vào, người ta tạo loại transistor trường khác cho cực cổng cách điện hẳn cực nguồn Lớp cách điện Oxyt bán dẫn SiO2 nên transistor gọi MOSFET Ta phân biệt hai loại MOSFET: ... 24 Trang 104 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý DE - MOSFET có cực: cực thoát D, cực nguồn S, cực cổng G thân U (subtrate) Trong ứng dụng thông thường, thân U nối với ... thuận nối cổng - nguồn tối đa 0,2V (trị số danh định 0,5V) Trang 102 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng (Tối đa 0,2V) + + VDS - G + VGS - - D IGSS...
... k w c Khi lập trình, người lập trình thâm nhập ô nhớ vào lúc Việc chọn đòa có khoảng cách liên tục hay ngẩu nhiên I.5 CHẾ ĐỘ CẤM LẬP TRÌNH: Chế độ thực thi người viết chương trình điều khi n ... hàng lập trình lần chương trình cài sẵn trìnhchế tạo nhà sản xuất Thường gọi ROM mặt nạ. III.2.3 EPROM (Erasable ROM): Là loại ROM lập trình nhiều lần Mỗi lần lập trình sai lập trình lại cách xóa ... tiêu thụ tối đa 35 mA Các ngõ trạng thái (Hi – Z ), độc lập với ngõ vào CE I.4 CHẾ ĐỘ LẬP TRÌNH: Chế độ lập trình hoàn hảo EPROM xóa Khi đó, bit EPROM trạng thái logic Việc lập trình tiến hành từ...
... gồm bit PC0 – PC7 Các Port Port Input Output tùy thuộc vào lệnh điều khi n, lệnh điều khi n Microprocessor gởi đến chứa ghi lệnh (còn gọi ghi điều khi n) để điều khi n 8255A Các đường đòa A1 A0 ... xuất liệu Chức đường tín hiệu trìnhbày hình vẽ Các đường tín hiệu Port C trở thành đường điều khi n/ liệu Port B Chức bit điều khi n giống nhóm A hoạt độfg Mode Các bit xxx dùng để thiết lập ... hiệu trìnhbày hình vẽ Control Word X X X X 1 X INTEB PB7-PB0 PC PC IBFB PC MODE (PORT B) STBB INTRB RD Các đường tín hiệu Port C trở thành đường điều khi n/dữ liệu port B Chức bit điều khi n...