0

3 2 2 rf mems switch performance with packaged cavities

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_3 ppt

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_3 ppt

Điện - Điện tử

... feeding RFID tag module was inkjet-printed and its configuration is shown in Fig 3. 11 The target RFID IC was EPC Gen2 RFID ASIC IC, which has a stable impedance performance of 16-j350 Ohm over 9 02 – ... for S21 in the “UP” state only varies by an average of 0. 0 32 dB across the entire measurement band The other S-parameter comparisons with and without the package layer are very similar 3. 2 .3 Transmission ... transmission line with and without the packaging layer are shown in Fig 3. 5 As expected from these simulations, the cases with and without the packaging layer are very similar 3. 3 ACTIVE DEVICE...
  • 12
  • 299
  • 0
Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_4 docx

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_4 docx

Điện - Điện tử

... [ 63] The size of each square microstrip open-loop resonator is 431 × 431 ␮m2 [RW × RL in Fig 4. 12( a)] with the line width of 100 ␮m [LW in Fig.4 12( a)] on the substrate The coupling gaps [S 23 ... 4. 12( a)] and width [RW in Fig 4. 12( a)] has been optimized to be approximately 0 .2 g using a full-wave simulator (IE3D) [ 63] The design parameters, such as the coupling coefficients (C 12 , C 23 , ... layout parameters are d 12 = d45 ≈ go /16, d 23 = d34 ≈ go /11, Lover ≈ go /26 [Fig 4.7(b)], where go is the guided wavelength and the filter size is 7. 925 × 1.140 × 0 .3 mm3 The measured insertion...
  • 12
  • 323
  • 0
Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_5 docx

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_5 docx

Điện - Điện tử

... DIMENSIONS (MM) 1.95 × 1 . 32 × 0.5 0.4 125 0.46 × 0. 538 0 .39 15 0 .26 1 × 0.4 0. 538 0 .39 0. 13 46 THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION -10 -20 dB -30 -40 -50 -60 S21 (measured) S21 (simulated) -70 57 58 (a) ... INTEGRATION 30 0 25 0 Qext 20 0 150 100 50 100 (a) 20 0 30 0 400 500 External slot length, SW ext ( m) 600 0.08 Coupling coefficient (k jj+1) 0.07 0.06 0.05 0.04 0. 03 0. 02 0.01 20 0 (b) 25 0 30 0 35 0 400 ... (kWL )3 HÁ 2 Rm (2W H + 2L3 H + W L + L3 W ) (5 .3) where k is the wave number in the resonator ( (2 fres (εr )1 /2 )/c), Rm is the surface resistance of the cavity ground planes (( fres / )1 /2 ),...
  • 12
  • 245
  • 0
Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_7 ppt

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_7 ppt

Điện - Điện tử

... (mm) 2. 04 1. 92 0.106 0.440 0.5 82 0 .24 5 0.6 42 0.168 0 . 32 5 0.065 1 .29 CROSS (mm) 2. 06 2. 06 0.106 0.470 0.4 72 0 .35 6 0.4 12 0.145 0.6075 1 .26 CAVITY-TYPE INTEGRATED PASSIVES 71 -10 dB -20 -30 -40 S21 ... (Ds ) 2. 075 2. 105 0.106 0 .36 0 0.5 72 0.5675 1 .37 TX FILTER (mm) 2. 04 2. 06 0.106 0 .36 0 0.5 72 0 .35 1 .35 5 of the metal traces since the simulations assume a perfect definition of metal strips with ... 1 -3- 4 -2 1 2 Result CAVITY-TYPE INTEGRATED PASSIVES 73 -10 dB -20 -30 -40 S21 (simulated) S21 (measured) S11 (simulated) S11 (measured) -50 -60 60 61 62 63 64 65 Frequency (GHz) 66 67 FIGURE 5 .26 :...
  • 12
  • 359
  • 0
Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_8 ppt

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_8 ppt

Điện - Điện tử

... 24 0 120 150 21 0 180 (a) H-plane E-plane 30 33 0 60 30 0 90 27 0 24 0 120 150 21 0 180 (b) FIGURE 6.8: Radiation characteristics at 61.5 GHz of patch antennas (a) with the soft surface and (b) with ... -40 -30 -20 -10 90o x 120 o - 120 o 180 o =0o Measured co-pol Simulated co-pol Measured cross-pol 30 o -60o 60o -150o -30 o 30 o -60o z E-plane ( =0 o ) -90o 60o 90o |E| (dB) -40 -30 -20 -10 120 o - 120 o ... antenna with the soft surface Also the beam width in the E-plane is reduced from 74◦ to 68◦ with the addition of the staked cavity THREE-DIMENSIONAL ANTENNA ARCHITECTURES 85 30 33 0 60 30 0 90 27 0 24 0...
  • 12
  • 335
  • 0
Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_10 pot

Three Dimensional Integration and Modeling A Revolution in RF and Wireless Packaging by Jong Hoon Lee Emmanuil Manos M Tentzeris and Constantine A Balanis_10 pot

Điện - Điện tử

... capacitors for mixed 1 02 REFERENCES [33 ] [34 ] [35 ] [36 ] [37 ] [38 ] [39 ] [40] [41] [ 42] [ 43] [44] signal applications on fully organic system-on-package technology,” in Proc IEEE 20 02 Radio and Wireless ... Technique, Vol 50, NO 10, pp 23 0 5– 23 1 4, Oct 20 02, doi:10.1109/LMWC .20 02. 801 130 [21 ] A El-Tager, J Bray, and L Roy, “High-Q LTCC Resonators For Millimeter Wave Applications,” in 20 03 IEEE MTT-S Int Microwave ... International Symposium, vol 2, pp 500–5 03, June 20 02, doi:10.1109/TMTT.19 72. 1 127 7 32 [ 73] C Balanis, Antenna Theory Canada: John Wiley & Sons, Inc, 1997, doi:10.1109/TMTT.1974.1 128 2 42 [74] P F M Smulder,...
  • 10
  • 366
  • 0
Three-Dimensional Integration and Modeling: A Revolution in RF andWireless Packaging docx

Three-Dimensional Integration and Modeling: A Revolution in RF andWireless Packaging docx

Kĩ thuật Viễn thông

... 13 3 .2. 2 RF MEMS Switch Performance with Packaged Cavities 13 3 .2 .3 Transmission Lines with Package Cavities 16 3. 3 Active Device Packaging ... aligned and stacked over the MEMS substrate with the assistance of four alignment pins as seen in Fig 3. 1 3. 2. 2 RF MEMS Switch Performance with Packaged Cavities The MEMS switches were comprised of ... LTCC LCP 3. 9–9.1 2. 9 3. 2 tan ı 0. 025 0.00 12 0.00 63 0.0 02 0.0045 CTE (ppm/◦ C) 15 20 3. 4–7 3 40 COST Very low Low/medium Low With efficient electrical, mechanical and thermal performance in RF and...
  • 118
  • 219
  • 0
Công nghệ xử lý nước thải  4.1.ppt

Công nghệ xử lý nước thải 4.1.ppt

Môi trường

... (m3/ngđ) x 150 g/m3 x 52 mgđ 20 0 m3 = 39 .000 g/m3 = 39 kg/m3 (đạt) Khoa CN&QL Môi Trường Đại Học Văn Lang UASB Bài Tập 4.1 Tốc độ sinh khí CH4 - COD of mole CH4 CH4 + 2O2  CO2 + 2H2O mol x 32 ... thụ qt khử SO42Nếu sử dụng CH3OH chất cho electron 119 SO 42- + 167CH3OH + 10CO2 + 3NH4+ + 3HCO3- + 178H+ = 3C5H7O2N + 60HS- + 33 1H2O 0,89 gCOD/gSO42Nếu CHC nước thải: 0,67 gCOD/gSO 42- (Arceivala, ... lượng thu từ CH4 KLR CH4 35 oC = 0, 634 6 g/L KLR CH4 30 oC 2 73 + 35 = 0, 634 6 g/L x = 0,6451 g/L 2 73 + 30 Năng lượng sinh từ CH4 = 720 .000 L/ngđ x 0,6451 g/L x 50,1 kJ/g CH4 = 23 , 3 x 106 kF/ngđ Khoa CN&QL...
  • 28
  • 902
  • 5
Công nghiệp silicat 4.1

Công nghiệp silicat 4.1

Hóa học - Dầu khí

... trung bình Boro silicat 2, 24 -2, 41 thấp Silicat chì 2, 85 -3, 12 cao Alumo silicat 2, 47 -2, 65 trung bình Các oxit ảnh hưởng đến tỷ trọng thủy tinh: CaO > MgO > Na2O > Al2O3 > SiO2 Tỷ trọng thường dễ ... oxit ảnh hưởng: K2O > Na2O > CaO > MgO > SiO2 > Al2O3 > B2O3 Loại thủy tinh Hệ số giãn nở nhiệt (10-7.K-1) TT silicat kiềm - kiềm thổ Boro silicat Silicat chì Alumo silicat 90-105 32 -50 85-100 40-60 ... thủy tinh ủ lâu = 2- 2,5 lần ủ bình thường * Độ giòn thủy tinh phụ thuộc vào: + Hình dạng mẫu + Kích thước mẫu + Phương pháp gia nhiệt Tăng cường độ va đập, giảm độ giòn: B2O3, Al2O3, MgO TÍNH CHẤT...
  • 39
  • 1,054
  • 12
Giải tích mạng điện - Chương 4.1

Giải tích mạng điện - Chương 4.1

Điện - Điện tử

... số nhánh bù cho phương trình (4 .2) Sự định Trang 43 GIẢI TÍCH MẠNG hướng vòng chọn giống chiều nhánh bù Vòng graph cho hình 4 .2 trình bày hình 4 .3 F 4 E G Hình 4 .3 : Vòng định hướng theo graph ... là: l=e-b Từ phương trình (4.1) ta có l= e-n+1 (4 .2) Cây bù tương ứng graph cho hình 4.1c trình bày hình 4 .2 Nhánh Nhánh bù e=7 n=5 b=4 l =3 Hình 4 .2 : Cây bù graph liên thông định hướng Nếu nhánh ... cho graph hình 4 .2 trình bày Với: Trang 44 GIẢI TÍCH MẠNG ∑a j =0 i j =0 i = 1, 2, e n 1 -1 e Đ= -1 -1 -1 -1 -1 -1 Các cột ma trận  phụ thuộc tuyến tính Vì hạng  < n 4 .3. 2 Ma trận thêm vào...
  • 11
  • 479
  • 3
Bài Giảng Mạch Điện Tử 2 - Chương 4.1

Bài Giảng Mạch Điện Tử 2 - Chương 4.1

Điện - Điện tử

... thông BW = f H − f L = Hệ số phẩm chất ngỏ vào R Qi = = ω0 RC ω0 L ω0 = 2 Qi 2 RC Tích số độ lợi – b.thông gm GBW = Aim BW = 2 C Ảnh hưởng rbb’ lên đáp ứng mạch kđ cộng hưởng đơn: ω h
  • 10
  • 814
  • 7
Năng lượng mặt trời Lý thuyết và Ứng dụng - Chương 4.1

Năng lượng mặt trời Lý thuyết và Ứng dụng - Chương 4.1

Cơ khí - Chế tạo máy

... biãøu thỉïc E0λ theo λ C2 − ∂E 0λ C2 λ max T =e + −1= ∂λ 5.λ max T Gii ta cọ: λmax.T = 2, 898.10 -3 m.K (4 .2) (4 .3) 56 E 0λ -6 10 W /m 30 T = 120 0K 20 TT =900K = 120 0K TT =600K = 120 0K 10 λ λm 10 µm Hçnh ... a∫ ebτ sin2ωτ.dτ = a bτ a ∫ e (1- cos2ωτ)dτ = ( ebτ - I ) (4.48) 2b e bτ ⎛ 2 ⎞ våïi: I = ∫ cos2ωτ de = ( 2 sin 2 τ + b cos 2 τ ) − ⎜ ⎟ I b ⎝ b ⎠ bτ be bτ tỉïc l: I = [2 sin2ωτ + bcos 2 τ] + C1 ... lỉåüng nhiãût täøn tháút bàòng: (4. 43) δQ2 = (k1F1 + k2F2 + k3F3) (t - to) dτ Do âọ, phỉång trçnh cán bàòng nhiãût: (4.44) δQ1 = dU + dIm + dIG + δQ2 hay: ε1DEt Ft sin2 ϕ(τ) dτ = dt ∑miCi + (GCp +...
  • 32
  • 600
  • 7
Tin học căn bản chương 4.1

Tin học căn bản chương 4.1

Kỹ thuật lập trình

... AUTOEXEC.BAT BKED EXE VIDU2 DOC CONGVAN1.TXT Tªn FILE 54,619 404 994 124 ,6 02 216, 734 17 ,35 3 02- 13- 94 03- 29 -95 05-07-95 05-16-95 04-16-97 02- 12- 96 6 :21 a 6 :29 p 2: 17p 7:49a 4:56p 2: 50p KÝch th­íc (byte) ... Disk) §Üa inch 1/4 36 0 KB vµ 1 .2 MB §Üa 3, 5 inch 720 KB vµ 1.4 MB §Üa cøng (Hard disk) • §ãng kÝn hép, cã nhiỊu tÇng ®Üa, nhiỊu ®Çu tõ • 1980: 10  20  MB • 1990: 40 MB • 1995: 20 0 MB • 1996: 1 GB ... LÀ FOLDER CON CẤP CON CỦA FOLDER CON CẤP LÀ FOLDER CẤP 2, … DESKTOP MYCOMPUTER C : PASCAL CONGVAN MYDOCUMENT DETHI LUUTRU 20 01 20 02 20 03 PATH PATH x ĐƯỜNG DẪN LÀ MỘT DÃY LIÊN TIẾP CÓ THỨ TỰ TÊN...
  • 77
  • 424
  • 0
Chương trình Quản Lý Bán Hàng eSalex 4.1

Chương trình Quản Lý Bán Hàng eSalex 4.1

Công nghệ thông tin

... + Ngày 20 /05 bạn nhập 50 với giá 6.000 đ + Ngày 25 /05 bạn nhập 40 với giá 5.500 đ + Ngày 27 /05 bạn nhập 10 với giá 6 .20 0 đ → Tổng kho = (50 X 6.000) + (40 X 5.500) + (10 X 6 .20 0) = 5 82. 000 đ ... bán) SAO LƯU VÀ PHỤC HỒI DỮ LIỆU 36 36 Sao lưu tự động 36 Phục hồi liệu 39 Sao lưu Cơ sở liệu TẠO CƠ SỞ DỮ LIỆU MỚI ... Lấy ví dụ mặt hàng Samsung 21 M17, nhìn vào bảng thống kê ta biết được: Mặt hàng kho chiếc, Tổng giá trị số hàng 8.800.000 đ Ngày 23 / 08 kho có với giá 1.800.000 đ; ngày 25 /08 nhập thêm với giá 1.750.000...
  • 49
  • 676
  • 0
CẤU TẠO, QUY TRÌNH LẮP ĐẶT THIẾT BỊ MIỆNG GIẾNG 20”x 13.3/8” x 9.5/8” x 4.1/2” _Plv 5000 PSI CỦA VECTO

CẤU TẠO, QUY TRÌNH LẮP ĐẶT THIẾT BỊ MIỆNG GIẾNG 20”x 13.3/8” x 9.5/8” x 4.1/2” _Plv 5000 PSI CỦA VECTO

Cơ khí - Vật liệu

... trêm 8- Bulong siết đệm kim loại 2. 2 .2 Bộ đầu bao ống chống 13- 3/8", Plv 30 00PSI Hình 2. 5: Cấu tạo đầu bao ống chống 13- 3/8” 1- Đầu bao ống chống 13- 3/8” 2- Mặt bích 3- Van 4- Gioăng làm kín 5- Đầu ... 20 ” đầu bao 13- 3/8” có đường ren 27 -1/4” - Nút bịt ( 12) có đầu ren 2 , lỗ ren 1 /2" nối với ty bịt - Đệm làm kín (14) có đường kính 26 ,38 0” áp suất làm việc 30 00PSi - Đĩa khóa ( 13) có độ dầy 3/ 8” ... Chất Đồ Án Tốt Nghiệp 3. 2 Lắp đặt thử ống dựng đầu nối 20 -3/ 4” Hình 3. 2: Lắp đặt ống dựng đầu nối 20 -3/ 4” 1- Cần khoan 2- Ống dựng 3- Vòng siết 4- Lỗ thử 5- Đầu nối 20 -3/ 4” 6- Gioăng làm kín...
  • 69
  • 1,535
  • 7
Thiết kế máy sàng rung có hướng chương 4-1

Thiết kế máy sàng rung có hướng chương 4-1

Cơ khí - Vật liệu

... = 2. 100809 ,29 = 840,07( N ) 24 0 Pr1 = 840,07.tg 20 = 31 6 ,29 ( N ) cos 14, 83 Pa1 = 840,07.tg14, 83 = 22 2, 42( N ) Và: P2 = Pr = 2. 9 837 0,66 = 819,75( N ) 24 0 819,75.tg 20 = 30 8,65( N ) cos 14, 83 Pa ... 5,5.0,96.0,995 = 5 ,25 kW N2 = 5,5.0,96.0,99 52. 0,98 = 5,1 23 kW n- số vòng quay phút bánh tính, n2 = n1 = 497 ,35 (vg/ph) ⇒ M x1 = M x2 = 9,55.10 6.5 ,25 = 100809 ,29 ( N mm) 497 ,35 9,55.10 6.5,1 23 = 9 837 0,66( ... n2 − n2 497 ,35 − 4 83, 33 = = 2, 8% c% = ' 497 ,35 n2 Như vậy, giá trị sai lệch nằm giới hạn cho phép.Các giá trị chọn bánh đai hợp lý Tỉ số truyền thực tế: itt = n1 1450 = = 2, 915 ' n2 497 ,35 3. Sơ...
  • 19
  • 1,929
  • 28

Xem thêm