ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH PTN CÔNG NGHỆ NANO HỒ THANH HUY NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC TINH THỂ, TÍNH CHẤT ĐIỆN VÀ TỪ CỦA HỢP CHẤT TmCoIn5 VÀ YbCoIn5 SỬ DỤNG CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐẶC TRƯNG MICRO VÀ NANO Chuyên ngành: Vật liệu Linh kiện Nanô (Chuyên ngành đào tạo thí điểm) LUẬN VĂN THẠC SĨ Người hướng dẫn khoa học: TS NGUYỄN VĂN HIẾU Thành phố Hồ Chí Minh - 2009 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan : Luận án “ Nghiên cứu cấu trúc tinh thể, tính chất điện từ hợp chất TmCoIn5 YbCoIn5 sử dụng phương pháp đặc trưng micro nano ” công trình nghiên cứu riêng Các số liệu Luận án sử dụng trung thực, xác đầy đủ Kết nghiên cứu trình bày Luận án chưa công bố công trình khác TP.HCM ngày tháng năm 2009 Tác giả luận án Hồ Thanh Huy MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN MỤC LỤC DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THN MỞ ĐẦU LỜI CẢM ƠN Chương Tổng quan đất 1.1 Giới thiệu đất 1.2 Tình hình nghiên cứu nước 1.3 Vai trò vật liệu đất ứng dụng Chương Khảo sát phân tích cấu trúc, thành phần đơn tinh thể sử dụng phương pháp đặc trưng micro nano 2.1 Khảo sát bề mặt thành phần hóa học tinh thể kỹ thuật SEM EDX (Scanning Electron Microcopy and Energy Dispersive X-ray spectroscopy) 2.1.1 Những khái niệm sở 2.1.2 Kính hiển vi điện tử quét SEM 2.1.3 Phân tích phổ tán sắc lượng tia X (EDX) 2.2 Xác định cấu trúc tinh thể hệ nhiễu xạ tia X 2.2.1 Hệ nhiễu xạ tia X đơn tinh thể 2.2.2 Xác định trục tinh thể phương pháp Laue 10 10 11 14 15 15 18 Chương Khảo sát tính chất điện từ hợp chất đơn tinh thể RCoIn5 (R=Tm,Yb) 3.1 Kỹ Thuật nhiệt độ thấp 3.1.1 Nitơ 3.1.2 Helium 3.1.3 Buồng chân không kỹ thuật nhiệt độ thấp 3.2 Đo điện trở suất đánh giá chất lượng tinh thể 3.2.1 Đo điện trở suất mũi dò 3.2.2 Đánh giá chất lượng tinh thể 3.1 Khảo sát từ tính vật liệu 3.3.1 Những khái niệm từ tính vật liệu 3.3.2 Các phương pháp đo từ tính vật liệu 22 22 22 22 24 24 25 26 26 33 Chương Thực nghiệm, kết thảo luận 4.1 Nuôi đơn tinh thể RCoIn5 36 4.1.1 Phương pháp nuôi đơn tinh thể cho hợp chất RCoIn5 4.1.2 Quy trình nuôi đơn tinh thể RCoIn5 4.1.3 Kết 4.2 Phân tích thành phần hóa học sử dụng kỹ thuật SEM, EDX xác định cấu trúc tinh thể nhiễu xạ tia X 4.2.1 Thành phần hóa học tinh thể RCoIn5 4.2.2 Cấu trúc tinh thể 4.2.3 Trục tinh thể 4.3 Điện trở suất chất lượng tinh thể 4.3.1 Chuyển pha phản sắt từ 2,6 K TmCoIn5 4.3.2 Không từ tính hợp chất YbCoIn5 4.4 Tính chất từ hợp chất RCoIn5 4.4.1 Hợp chất phản sắt từ TmCoIn5 4.4.2 Hợp chất không từ tính YbCoIn5 4.5 Thảo luận 4.5.1 Phương pháp nuôi đơn tinh thể tự nóng chảy hiệu với hợp chất đất 4.5.2 Sử dụng kỹ thuật SEM EDX để xác định mẫu đơn tinh thể có chất lượng cao 4.5.3 Sự thay đổi số mạng cấu trúc tinh thể 4.5.4 Kết thực nghiệm phù hợp với giá trị tính toán KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN CÁC CÔNG TRÌNH NGHIÊN CỨU – HỘI NGHN ĐÃ THAM DỰ TÀI LIỆU THAM KHẢO PHỤ LỤC 36 36 38 40 40 46 50 53 54 55 57 57 60 61 62 63 64 64 65 66 67 70 DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT CEF Crystalline Electric Field EDX Energy Dispersive X-ray Spectroscopy PTN RKKY Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida SEM S L J K Scanning Electron Microscopy Superconducting Quantum Interference Device Spin moment Orbitum moment Total moment Kelvin TN Néel Temperature T Tesla SQUID Trường tinh thể Phổ tán sắc lượng tia X Phòng thí nghiệm Tên nhà khoa học phát tương tác gián tiếp từ (Indirect Magnetic Exchange Interaction) Kính hiển vi điện tử quét Giao thoa kế lượng tử siêu dẫn Momen Spin Mômen quỹ đạo Mômen tổng Đơn vị đo nhiệt độ Nhiệt độ chuyển pha phản sắt từ Đơn vị đo từ trường DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU Bảng 1.1 Thời gian tồn phát quang mẫu thủy tinh TZB Bảng 3.1 Các đơn vị đo áp suất tiêu biểu Bảng 4.1 Kết phân tích EDX hợp chất TmCoIn5 (mẫu 1) Bảng 4.2 Kết phân tích EDX hợp chất TmCoIn5 (mẫu 2) Bảng 4.3 Kết phân tích EDX tinh thể YbCoIn5 Bảng 4.4 Những thông tin cấu trúc tinh thể TmCoIn5 từ hệ nhiễu xạ tia X đơn tinh thể Bảng 4.5 Những thông tin cấu trúc tinh thể YbCoIn5 từ hệ nhiễu xạ tia X đơn tinh thể Bảng 4.6 Cấu trúc tinh thể YbCoIn5 TmCoIn5 Bảng 4.7 Giá trị tính toán theo định luật Curie-Weiss 10 Bảng 4.8 Moment quỹ đạo moment spin Ion kim loại đất tính theo quy tắc Hund DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ BIỂU ĐỒ Hình 1.1 Bán kính ion R3+ giảm dần biết tượng “co lanthanode” Hình 1.2 Sự phủ lên điện tử nguyên tử Ce trường hợp có hiệu ứng tương đối (đường đen) hiệu ứng tương đối Hình 1.3 Các trạng thái 14 điện tử Ce3+ mô tả xét đến tương tác spin-quỹ đạo trường tinh thể (CEF) Hình 1.4 Biểu diễn giá trị môment quỹ đạo (L), môment Spin (S) tổng môment (J) nguyên tố đất theo định luật Hund Hình 1.5 Biểu diễn giá trị tương tác RKKY theo khoảng cách hàm bậc theo x Hình 1.6 Các giá trị lý thuyết từ độ cảm ứng từ trường hợp có hiệu ứng CEF Hình 1.7 Cấu trúc lập phương tinh thể RIn3 Hình 1.8 Hằng số mạng (a) nhiệt độ chuyển pha phản sắt từ (b) hợp chất RIn3 Hình 1.9 Hình dạng bề mặt Fermi điện tử xác định thực nghiệm dHvA 10 Hình 1.10 Sự phụ thuộc điện trở suất vào nhiệt độ nhiệt độ chuyển pha phản sắt từ RRhIn5 nghiên cứu 11 Hình 1.11 Sự co dần số a,c cấu trúc mạng tinh thể RRhIn5 12 Hình 1.12 Các mức lượng điện tử tính theo mô hình CEF cho hợp chất RRhIn5 13 Hình 1.13 Phổ phát quang thủy tinh TZB với phát xạ Tm3+ 1,47 1,66µm, kích thích Diode Laser 975 nm với công suất 0,9 W 14 Hình 1.14 Các mức lượng chế đảo ngược mức kích thích 975 nm Tm3+/Yb3+ kích thích thủy tinh TZB 15 Hình 2.1 Cơ chế tạo tia X đặc trưng 16 Hình 2.2 Sơ đồ khối hệ SEM-EDX 17 Hình 2.3 Định luật Bragg 18 Hình 2.4 Hệ nhiễu xạ tia X đơn tinh thể 19 Hình 2.5 Đế giữ mẫu ( Hệ nhiễu xạ tia X đơn tinh thể) 20 Hình 2.6 Cấu trúc tứ diện đơn tinh thể RCoIn5 21 Hình 2.7 Giao diện cho phép nhập giá trị đơn tinh thể 22 Hình 2.8 Giao diện cho phép nhập phương pháp nhiễu xạ mặt nhiễu xạ 23 Hình 2.9 Ảnh nhiễu xa thu từ phần mền Laue Pattern 24 Hình 2.10 Sơ đồ nguyên lý hệ nhiễu xạ phương pháp Laue 25 Hình 3.1 Mô hình buồng chân không sử dụng kỹ thuật nhiệt độ thấp 26 Hình 3.2 Sơ đồ nguyên lý hệ đo điện trở suất theo phương pháp mũi dò Hình 3.3 Độ từ hóa hợp chất đất NdRhIn5 Hình 3.4 Độ cảm ứng từ nghịch đảo độ cảm ứng từ hợp chất NdRhIn5 Hình 3.5 Sự xếp moment từ nguyên tử vật liệu thuận từ Hình 3.6 Đường cong từ trễ sắt từ 31 Hình 3.7 Sự xếp moment từ nguyên từ vật liệu phản sắt từ 32 Hình 3.8 Sự chuyển pha từ vật liệu phản sắt từ 33 Hình 3.9 Điện trở suất hợp chất đất NdRhIn5 34 Hình 3.10 Mô hình từ kế mẫu rung 35 Hình 3.11 Từ kế mẫu rung 36 Hình 3.12 Cuộn siêu dẫn 37 Hình 4.1 Vật liệu ban đầu vào nồi nung Al2O3 cho trình nuôi đơn tinh thể 38 Hình 4.2 Hệ hút chân không 39 Hình 4.3 Giản đồ thời gian trình nuôi đơn tinh thể 40 Hình 4.4 Máy quay ly tâm ống thạch chứa nồi nung mà bên đơn tinh thể Phía đầu sợi thạch anh dùng để lọc kim loại Indium dư 41 Hình 4.5 Ảnh đơn tinh thể TmCoIn5 YbCoIn5 chụp máy kỹ thuật số Đơn vị thước đo mm 42 Hình 4.6 Tinh thể TmCoIn5 chụp SEM PTN Ishida ( Đại học Phủ Osaka) Kích thước mẫu khoảng 800 µm 43 Hình 4.7 Tinh thể YbCoIn5 chụp SEM PTN Ishida (Đại học Phủ Osaka) Kích thước mẫu khoảng 800 µm 44 Hình 4.8 Kính hiển vi điện tử quét (SEM Hitachi S-300) PTN Ishida 45 Hình 4.9 Ảnh SEM phổ tán sắc lượng tia X TmCoIn5 (mẫu 1) 46 Hình 4.10 Ảnh SEM phổ tán sắc lượng tia X TmCoIn5 (mẫu 2) 47 Hình 4.11 Hình SEM phổ tán sắc lượng tia X YbCoIn5 chụp PTN 48 Hình 4.12 Hình SEM phổ tán sắc lượng tia X YbCoIn5 (mẫu 2) 49 Hình 4.13 Cấu trúc tứ diện TmCoIn5 50 Hình 4.14 Hệ nhiễu xạ Laue PTN Ishida 51 Hình 4.15 Ảnh nhiễu xạ TmCoIn5 chụp PNT Ishida 52 Hình 4.16 Ảnh nhiễu xạ Laue mô với mặt nhiễu xạ (100) tinh thể 53 Hình 4.17 Ảnh nhiễu xạ Laue mô với mặt nhiễu xạ (001) tinh thể TmCoIn5 54 Hình 4.18 Nối dây tạo hệ đo mũi dò để đo điện trở suất cho hợp chất đơn tinh thể TmCoIn5 55 Hình 4.19 Hệ đo điện trở suất mũi dò PTN Ishida 56 Hình 4.20 Điện trở suất phụ thuộc nhiệt độ tinh thể TmCoIn5 57 Hình 4.21 Điện trở suất TmCoIn5 tính toán theo hàm ρ(T ) vùng nhiệt độ thấp 27 28 29 30 58 Hình 4.22 Điện trở suất tinh thể YbCoIn5 59 Hình 4.23 Điện trở suất YbCoIn5 tính toán theo hàm ρ(T2) vùng nhiệt độ thấp Không có độ chuyển pha phản sắt từ 60 Hình 4.24 Hệ SQUID PTN Ishida 61 Hình 4.25 Độ cảm ứng từ χ 1/χ TmCoIn5 [7] Đường liền đậm đường thẳng vẽ theo định luật Curie-Weiss để ước lượng giá trị C, Θ, χ0 µeff 62 Hình 4.26 Từ độ TmCoIn5 K K phụ thuộc từ trường 63 Hình 4.27 Độ cảm ứng từ TmCoIn5 với từ trường khác 64 Hình 4.28 Giản đồ pha từ TmCoIn5 65 Hình 4.29 Độ cảm ứng từ χ YbCoIn5 phụ thuộc nhiệt độ 66 Hình 4.30 Giản đồ nhiệt độ nuôi đơn tinh thể đất hiếm: (a) RRhIn5 [21] (b) RCoIn5 67 Hình 4.31 Các đơn tinh thể đất hiếm: (a-l) RRhIn5 [21], (n) TmCoIn5 (m) YbCoIn5 68 Hình 4.32 Giá trị số mạng tinh thể RRhIn5 [21] ( hình tròn trắng) TmCoIn5 ( hình tam giác đen) YbCoIn5 ( hình tròn đen) [9] MỞ ĐẦU Các kết nghiên cứu hợp chất đất (Rare Earth compounds) cho thấy nhiều trạng thái điện tử khác hợp chất đất chuyển pha từ tính [32], chuyển pha đôi [25,26], hiệu ứng Kondo cách điện [13], siêu dẫn bất đối xứng [12] fermion nặng [14]; Tất tượng có mối liên quan chặt chẽ lai hóa hầu hết điện tử 4f với điện tử dẫn khác Các điện tử 4f nguyên tử đất bị đNy sâu vào phía bên lớp 5s 5p Đây lý điện tử lại gọi bị “định xứ” Mặc khác, đuôi hàm sóng lớp điện tử 4f kéo dài phủ lên lớp 5s 5p tạo ảnh hưởng lớn tương tác khác theo khoảng cách Đây nguyên nhân nhiều tính chất mà lớp điện tử 4f thể lai hóa với điện tử dẫn khác Mới đây, họ đất với hợp chất 115 với cấu trúc tinh thể tứ diện kiểu HoCoGa5 [34] thu hút quan tâm lớn nhiều nhà khoa học giới lĩnh vực vật lý chất rắn Sự khám phá siêu dẫn fermion nặng hợp chất CeTIn5 (T= Co, Rh, Ir) [35] với trạng thái điện tử chiều giả Hai hợp chất CeCoIn5 CeIrIn5 chất siêu dẫn áp suất không khí với nhiệt độ chuyển pha siêu dẫn TSC= 2,3 K TSC= 0,4 K Mặc khác CeRhIn5 thể hợp chất phản sắt từ nhiệt độ chuyển pha TN= 3,8 K trở thành hợp chất siêu dẫn áp suất 1,6 GPa Sự co lại lớp RIn3 RhIn2 cấu trúc tinh thể RRhIn5 đan xen dọc theo trục [001] Bề mặt Fermi hợp chất LaRhIn5 CeRhIn5 nghiên cứu qua hiệu ứng de Hass-van Alphen (dHvA) điều kiện nhiệt độ thấp (khoảng 20 mK) cường độ từ trường dao động từ đến 19,6 Tesla [35] Bề mặt Fermi lớp không điện tử 4f tinh thể LaRhIn5 xác định cấu trúc chiều giả tương ứng với cấu trúc tứ diện Nhóm nghiên cứu xác định hình dạng bề mặt Fermi CeRhIn5 tương tự LaRhIn5 khối lượng cylotron điện tử hợp chất Ce nặng hợp chất La Kết cho thấy điện tử lớp 4f hợp chất CeRhIn5 bị định xứ Chúng phải sử dụng tương tác gián tiếp RKKY để tương tác với điện tử dẫn Mặc khác, kết nghiên cứu gần nhóm tác giả Yoshichika Onuki (Nhật Bản) Nguyễn Văn Hiếu khám phá nhiều thông tin cấu trúc tinh thể tứ diện, điện trở suất, chuyển pha phản sắt từ, giản đồ pha từ,… qua thực nghiệm nhiệt độ thấp điện trở suất, nhiệt dung, từ độ, cảm ứng từ, hiệu ứng dHvA, tán xạ neutron thực phòng thí nghiệm đại Đại học Osaka Viện Hạt nhân Nguyên Tử Nhật Nhóm tác giả thành công việc nuôi đơn tinh thể họ RRhIn5 ( R= La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) với chất lượng cao kích thước tinh thể lớn kỹ thuật nuôi đơn tinh thể tự nóng chảy (seft-flux method) Các kết nghiên cứu có đóng góp lớn phương pháp 67 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt Nguyễn Hữu Đức (2006), Vật liệu từ liên kim loại, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội Nguyễn Hữu Đức (2007), Vật liệu từ điện tử Spin, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội Đặng Quang Minh (1996), “Nghiên cứu chế tạo ứng dụng số Ferit từ mềm, Luận án PTS cấp Nhà nước, Trường Đại học Tổng hợp Hà Nội Tiếng Anh Adam J L (2002), “Lanthanides in non-oxide glasses”, Chem Rev,102, pp 24-61 Adam JL, Duhamel-Henry N, Allain JY (1997), “Blue and Green up conversion in Yb3+, Tb3+ co-doped fluorophosphate glasses”, J Non-Cryst Solids, 245, pp.213214 Auzel F, Lipinska-Kalita K E , Santa-Cruz P (1996), “A new Er3+-doped vitreous fluoride amplification medium with crys-tal-like cross-sections and reduced inhomogeneous line width”, Opt Mater, 75 Bloembergen N (1959), “Solid state infrared quantum counters”, Phys.Rev, 84 K H J Buschow, H J van Daal, F E Maranzana and P B Van Aken, Phys Rev 3, pp 16-62 Ho Thanh Huy, Satoru Noguchi and Nguyen Van Hieu (2008), “The physical properties of Yb divalent in nano structure of YbTIn5 ( T= Co, Rh), in proceeding of the APCTP-ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), pp 905 10 Ho Thanh Huy, Satoru Noguchi, Nguyen Van Hieu, Xiangfeng Shao, Toyonari Sugimoto, Takekazu Ishida (2009), “Electrical and Magnetic Properties of TmCoIn5 and YbCoIn5 Single Crystals”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials (Accepted) 11 Hong-Chang Yang, Jau-Han Chen1, Shu-Yun Wang, Chin-Hao Chen, Jen-Tzong Jeng, Ji-Cheng Chen, Chiu-Hsien Wu, Shu-Hsien Liao and Herng-Er Horng (2003), “Superconducting Quantum Interference Device: The Most Sensitive Detector of Magnetic Flux”, Tamkang Journal of Science and Engineering, Vol 6, No 1, pp 9-18 12 Huang L, Jha A, Shen S, Liu X (2004), “Broadband emission in Er3+-Tm3+ codoped tellurite fibre”, Opt Express, 12, 2429 68 13 Jeong H, Oh K, Han SR, Morse T F (2003), “Characterization of broadband amplified spontaneous emission from an Er3+- Tm3+ co-doped silica fiber”, Chem Phys Lett, 367 507 14 Koehler (1986), Handbook on the Properties of Magnetically Substance, (NorthHolland, Amsterdam,), Vol 1, pp.190 15 J Kondo (1964), Prog Theor Phys, 37 16 Man S.Q, Wong S F, Pun E Y B, Chung P S (2004), “1.47 µm emission and multiphonon relaxation of Tm3+ ion in potassium bismuth gallate glasses”, J Opt Soc Am B: Opt Phys, 21, pp 313 17 Nguyen Van Hieu, Hiroaki Shishido, Arumugam Thamizhavel, Rikio Settai, Shingo Araki, Yasuo Nozue, Tatsuma D Matsuda, Yoshinori Haga, Tetsuya Takeuchi, Hisatomo Harima and Yoshichika Onuki (2005), “Fermi Surface and Magnetic Properties of PrTIn5 ( T: Co, Rh and Ir )”, Journal of Phys Soc Jpn, 74, 3320 18 Nguyen Van Hieu, Hiroaki Shishido, Hiroshi Nakashima, Kiyohiro Sugiyama, Rikio Settai, Tetsuya Takeuchi, Tatsuma D Matsuda, Yoshinori Haga, Masayuki Hagiwara, Koichi Kindo and Yoshichika Onuki (2007), “Magnetic properties in RRhIn5 ( R= Rare Earths )”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 310, pp 17-21 19 Nguyen Van Hieu, Hiroaki Shishido, Tetsuya Takeuchi, Arumugam Thamizhavel, Hiroshi Nakashima, Kiyohiro Sugiyama, Rikio Settai, Tatsuma D Matsuda, Yoshinori Haga, Masayuki Hagiwara, Koichi Kindo and Yoshichika Onuki (2006), “ Unique Magnetic Properties of NdRhIn5, TbRhIn5, DyRhIn5 and HoRhIn5”, Journal of Phys Soc Jpn, 75, 074708 20 Nguyen Van Hieu, Hiroaki Shishido, Tetsuya Takeuchi, Chie Tonohiro, Tsutomu Yamada, Hiroshi Nakshima, Kiyohiro Sugiyama, Rikio Settai, Tatsuma D Matsuda, Yoshinori Haga, Masayuki Hagiwara, Koichi Kindo, Shingo Araki, Yasuo Nozue and Yoshichika Onuki (2007), “Magnetic Properties and Crystalline Electric Field Scheme in RRhIn5 ( R= Rare Earths )”, Journal of Phys Soc Jpn, 76, 064702 21 Nguyen Van Hieu (2007), Doctoral Thesis,Osaka Univesity,Japan 22 Nguyen Van Hieu, Tetsuya Takeuchi and Yoshichika Onuki (2008), “Study the magnetic structure of RRhIn5 single crystal compounds in low temperature” Journal of Advances in Natural Sciences Vol 8, No 3&4 231 23 Y Onuki and A Hasegawa (1995), in Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths, edited by J K A Gschneidner and L Eyring (North-Holland, Amsterdam,), Vol 20, p.1 24 Onuki, K Ueda and T Komatsubara, “Heavy Electron System”, in Selected Paper in Physics IV, (Physical Society of Japan) 69 25 Qiu J, Kanno R, Kawamoto Y (1998) “Microstructure of transparent SiO2-PbF2- ErF3 glass ceramics with highly efficient Er3+up-conversion luminescence” Mater Sci Lett, 17: 653 26 SHI Dongmei, YANG Gangfeng, YANG Zhongmin, ZHANG Qinyuan, JIANG Zhonghong(2008), “Spectral properties and energy transfer of Tm3+/Ho3+ co-doped Ga2O3-Bi2O3-GeO2-PbO glasses”, J of Rare Earths, 26, 912 27 H Shishido, R Settai, D Aoki, S Ikeda, H Nakawaki, N Nakamura, T Iizuka, Y Inada, K Sugiyama, T Takeuchi, K Kindo, T C Kobayashi, Y Haga, H Harima, Y Aoki, T Namiki, H Sato and Y Onuki (2002), J Phys Soc Jpn, 71 162 28 H Shishido, R Settai, D Aoki, S Ikeda, S Araki, M Nakashima, N Nakamura, Y Inada, Y Haga, H Harima, Y Aoki, T Namiki, H Sato and Y Onuki (2002), J Phys Soc Jpn, 71, Suppl 276 29 Song JH, Heo J, Park SH (2005), “1,48um emission properties and energy transfer between Tm3+ and Ho3+/Tb3+ in Ge-Ga-As-S-CsBr glasses” J Appl Phys 083542 30 T Takeuchi, T Inoue, K Sugiyama, D Aoki, Y Tokiwa, Y Haga, K Kindo, and Y Onuki (2001), J Phys Soc.Jpn, 70 877 31 Tetsuya Takeuchi, Nguyen Van Hieu, Rikio Settai, Kiyohiro Sugiyama, Tatsuma D Matsuda, Yoshinori Haga and Yoshichika Onuki (2008), “Magnetism and Crystalline Electric Field Scheme in LnRhIn5 ( Ln: lanthanide)”, Journal of Solid State Physics ( Japanese), Vol 43, No 13 32 K Ueda and Y Onuki (1988), Physics of Heavy Fermions, p.11 33 WANG Xunsi, NIE Qiuhua, XU Tiefeng, SHEN Xiang, DAI Shixun and GAI Na (2008), “Tm3+-doped tellurite glass with Yb3+ energy sensitized for broadband amplifier at 1400 -1700 nm bands”, Journal of Rare Earths, 26 907 34 K Yamada and K Yosida, Prog Theor Phys 71, (1984) 450 35 K Yamada and K Yosida (1986), Prog Theor Phys 76, 621 70 PHỤ LỤC Giới thiệu Phòng thí nghiệm Ishida (Đại học Phủ Osaka) Các báo đăng hội nghị tạp chí nước Giới thiệu phòng thí nghiệm Ishida Lĩnh vực nghiên cứu Phòng thí nghiệm Giáo sư Takekazu Ishida thuộc môn Vật lý Điện tửKhoa Kỹ thuật Trường Đại học Phủ Osaka ( Osaka Prefecture University-OPU) Vật lý nhiệt độ thấp,Vật liệu từ ứng dụng, Vật liệu siêu dẫn ứng dụng Mỗi phòng thí nghiệm có giáo sư đứng đầu, 02 phó giáo sư đến trợ lý giáo sư Sinh viên năm cuối vào Phòng thí nghiệm để làm đề tài tốt nghiệp đại học 06 tháng Sau đó, tiếp tục học cao học Hiện PTN ISHIDA có sinh viên đại học, sinh viên thạc sỹ,1 sinh viên tiến sỹ sinh viên sau tiến sĩ Cán đứng đầu PTN GS.TS Takekazu Ishida (trưởng nhóm) 02 phó giáo sư PGS.TS Satoru Noguchi PGS.TS Shuichi Kawamata Thiết bị kỹ thuật Hiện PTN có thiết bị như: - Thiết bị nuôi đơn tinh thể - Hệ đo điện trở suất vật liệu - Nhiễu xạ tia X - Thiết bị đo từ tính vật liệu - Kính hiển vi điện tử quét (SEM) - Ngoài ra, số thiết bị sử dụng cho việc chế tạo lĩnh vực micro nano … Một số kết nghiên cứu công bố: Takekazu Ishida, Yoshiaki Matsushima, Makoto Shimizu, Masahiko Hayashi, Hiromichi Ebisawa, Osamu Sato, Masaru Kato, Tomio Koyama, Masahiko Machida, Kazuo Satoh, Tsutomu Yotsuya, Periodic flux jump in superconducting Pb networks as consequence of the extended Little－Parks effect, Physica C 468, (2008) 576-580 T Ishida, Y Matsushita, M Shimizu, M Kato, M Hayashi, H Ebisawa, K Satoh, T Yotsuya, O Sato, Votex Doping into Finite-Sized Superconducting Networks, International Journal of Modern Physics B, 21 (2007) 3177-3179 Takekazu Ishida, Masatoshi Nishikawa, Shigehito Miki, Hisashi Shimakage, Zhen Wang, Kazuo Satoh, Tsutomu Yotsuya, Masahiko Machida and Masaru Kato, Superconducting radiation detector by using a microfabricated MgB2 meander line, Physica C, 460-462 (2007) 618-619 (Proceedings of M2S-HTSC 2006) 4 Takekazu Ishida, Makoto Shimizu, Yoshiaki Matsushima, Masahiko Hayashi, Hiromichi Ebisawa, Osamu Sato, Masaru Kato, Kazuo Satoh and Tsutomu Yotsuya, Vortex (particle) and antivortex (hole) doping into superconducting network, Physica C, 460-462 (2007) 1226-1227 (Proceedings of M2S-HTSC 2006) Takekazu Ishida, Daisuke Fujiwara, Masatoshi Nishikawa, Shigehito Miki, Hisahi Shimakage, Zhen Wang, Kazuo Satoh, Tsutomu Yotsuya, Masahiko Machida, and Masaru Kato, Superconducting MgB2 Film as Radiation Detectors, Journal of the Korean Physical Society, 48 (2006) pp 1026-1031 (Proceedings of EASSE2005) T Ishida, M Fujii, T Abe, S Miki, S Kawamata, K Satoh, T Yotsuya, M Kato, M Machida, T Koyama, T Terashima, S Tsukui, M Adachi, Experimental and theoretical studies of d-dot, Physica C, 437-438 (2006) pp 104-110 S.Noguchi, A.Kuribayashi, M.Wang, H.Fujiwara, T.Sugimoto, T Ishida, Magnetic orderings of Fe3+ d spins in the 1:1 salts of BEDT-TTFVS(O) with FeX4- (X = Br, Cl) ions ,J Magn Magn Mater., Vol 310, p.1087-1089 S.Noguchi, A.Kuribayashi, T.Hiraoka, H.Fujiwara, T.Sugimoto, S.Kimura, M.Hagiwara, K.Kindo, T Ishida, High Field Magnetization of (BenzoTTFVS)2FeBr4 and (Benzo-TTFVO)2FeBr4, J Phys.: Conference Series Vol 51 p.331-334 S.Noguchi, T.Kosaka, M.Wang, H.Fujiwara,T.Sugimoto,T Ishida, A New Ferromagnetic Organic Semiconductor (BEDT-TTFVS)?FeBr4, AIP Conference Proceedings, Vol.850 p.1063-1064 10 S.Noguchi, S.Miki, H.Shimakage, Z.Wang, K.Satoh, T.Yotsuya, T Ishida, Upper critical field measurements in MgB2 sputtered films up to 30 T, Physica C, Vol.426-431, p.1449-1452 11 S.Noguchi,T.Sekimoto,TIshida,Tunnelling magnetoresistance of misfit layered obaltite Ca3-xYxCo4O9 (x = 0, 0.1,0.2), J Phys.: Condens Matter, Vol.16, p.S5769-S5772 12 S.Noguchi, S.Miyagawa, H.Aruga, T Ishida, Hall effect and specific heat under magnetic fields in CeSi, J Magn Magn Mater., Vol 272-276, p.e1533-e1534 13 S.Noguchi, T.Sakon, H.Nojiri, M Motokawa, Synthesis and magnetic properties of Gd1.2Fe4Si9.8 single crystal, Physica B, Vol 346-347, p.183-186 Và công trình khác [...]... Osaka) Các bài báo đăng tại hội nghị và tạp chí nước ngoài Giới thiệu về phòng thí nghiệm Ishida Lĩnh vực nghiên cứu Phòng thí nghiệm của Giáo sư Takekazu Ishida thuộc bộ môn Vật lý và Điện tửKhoa Kỹ thuật Trường Đại học Phủ Osaka ( Osaka Prefecture University-OPU) Vật lý nhiệt độ thấp,Vật liệu từ và ứng dụng, Vật liệu siêu dẫn và ứng dụng Mỗi phòng thí nghiệm có một giáo sư đứng đầu, 02 phó giáo sư và. .. Kawamata Thiết bị và kỹ thuật Hiện tại PTN này có các thiết bị như: - Thiết bị nuôi đơn tinh thể - Hệ đo điện trở suất của vật liệu - Nhiễu xạ tia X - Thiết bị đo từ tính của vật liệu - Kính hiển vi điện tử quét (SEM) - Ngoài ra, còn một số thiết bị sử dụng cho việc chế tạo trong lĩnh vực micro và nano … Một số kết quả nghiên cứu đã công bố: 1 Takekazu Ishida, Yoshiaki Matsushima, Makoto Shimizu, Masahiko...67 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt 1 Nguyễn Hữu Đức (2006), Vật liệu từ liên kim loại, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội 2 Nguyễn Hữu Đức (2007), Vật liệu từ và điện tử Spin, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội 3 Đặng Quang Minh (1996), Nghiên cứu chế tạo và ứng dụng một số Ferit từ mềm, Luận án PTS cấp Nhà nước, Trường Đại học Tổng hợp Hà Nội Tiếng Anh 4 Adam J L (2002), “Lanthanides in non-oxide... năm cuối vào Phòng thí nghiệm để làm đề tài tốt nghiệp đại học trong 06 tháng Sau đó, tiếp tục học cao học Hiện tại PTN ISHIDA có 4 sinh viên đại học, 4 sinh viên thạc sỹ,1 sinh viên tiến sỹ và 1 sinh viên sau tiến sĩ Cán bộ đứng đầu của PTN là GS.TS Takekazu Ishida (trưởng nhóm) và 02 phó giáo sư là PGS.TS Satoru Noguchi và PGS.TS Shuichi Kawamata Thiết bị và kỹ thuật Hiện tại PTN này có các thiết... (2008), “The physical properties of Yb divalent in nano structure of YbTIn5 ( T= Co, Rh), in proceeding of the APCTP-ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008), pp 905 10 Ho Thanh Huy, Satoru Noguchi, Nguyen Van Hieu, Xiangfeng Shao, Toyonari Sugimoto, Takekazu Ishida (2009), “Electrical and Magnetic Properties of TmCoIn5 and YbCoIn5 Single Crystals”, Journal of Magnetism... CeSi, J Magn Magn Mater., Vol 272-276, p.e1533-e1534 13 S.Noguchi, T.Sakon, H.Nojiri, M Motokawa, Synthesis and magnetic properties of Gd1.2Fe4Si9.8 single crystal, Physica B, Vol 346-347, p.183-186 Và các công trình khác ... 3177-3179 3 Takekazu Ishida, Masatoshi Nishikawa, Shigehito Miki, Hisashi Shimakage, Zhen Wang, Kazuo Satoh, Tsutomu Yotsuya, Masahiko Machida and Masaru Kato, Superconducting radiation detector by using a microfabricated MgB2 meander line, Physica C, 460-462 (2007) 618-619 (Proceedings of M2S-HTSC 2006) 4 Takekazu Ishida, Makoto Shimizu, Yoshiaki Matsushima, Masahiko Hayashi, Hiromichi Ebisawa, Osamu Sato,... (North-Holland, Amsterdam,), Vol 20, p.1 24 Onuki, K Ueda and T Komatsubara, “Heavy Electron System”, in Selected Paper in Physics IV, (Physical Society of Japan) 69 25 Qiu J, Kanno R, Kawamoto Y (1998) “Microstructure of transparent SiO2-PbF2- ErF3 glass ceramics with highly efficient Er3+up-conversion luminescence” Mater Sci Lett, 17: 653 26 SHI Dongmei, YANG Gangfeng, YANG Zhongmin, ZHANG Qinyuan, JIANG