ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - DƢƠNG VĂN NAM CHẾ TẠO MÀNG MỎNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN TƢ̉ XUNG (PED) LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC LỜI CẢM ƠN Hà Nội – 2014 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - DƢƠNG VĂN NAM CHẾ TẠO MÀNG MỎNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT ZnO BẰNG PHƢƠNG PHÁP ĐIỆN TƢ̉ XUNG (PED) Chuyên ngành: Vật lí nhiệt Mã số: 60 44 09 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS PHẠM HỒNG QUANG Hà Nội – 2014 Hà Nội – 2014 LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy hƣớng dẫn em PGS.TS Phạm Hồng Quang bảo, hƣớng dẫn tận tình vƣớng mắc em gặp phải suốt trình làm Luâ ̣n văn tha ̣c si ̃ , để em hoàn thành tốt Luâ ̣n văn thạc sĩ Em xin gửi lời cảm ơn đến tất thầy cô giáo khoa Vật lý dạy dỗ truyền đạt kiến thức bổ ích cho em suốt năm qua, tạo điều kiện để em có kiến thức thực nội dung Luâ ̣n văn thạc sĩ Đồng thời em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới thầy cô giáo, tập thể cán làm việc Bộ môn Vật lý nhiệt độ thấp trƣờng Đại học khoa học tự nhiên tạo điều kiện giúp đỡ em thời gian qua Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn tới bạn bè, ngƣời ủng hộ, động viên, giúp đỡ em trình làm Luâ ̣n văn tha ̣c si.̃ Hà Nội, ngày tháng năm 2014 Học viên Dƣơng Văn Nam MỤC LỤC CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 Đặc điểm cấu trúc tính chất vật liệu ZnO 1.1.1 Cấu trúc lập phƣơng kiểu lục giác Wurtzite 1.1.2 Cấu trúc lập phƣơng đơn giản kiểu NaCl 1.1.3 Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm 1.2 Cấu trúc vùng lƣợng 1.2.1 Cấu trúc vùng lƣợng ZnO dạng lục giác Wurtzite 1.2.2 Cấu trúc vùng lƣợng mạng lập phƣơng giả kẽm 1.2.3 Cấu trúc vùng lƣợng mạng lập phƣơng kiểu NaCl 1.3 Tính chất điện 1.4 Tính chất quang 1.5 Xu hƣớng nghiên cứu 1.5.1 Vật liệu cấu trúc nano ZnO chiều 1.5.2 Vật liệu bán dẫn từ pha loãng 1.5.3 Vật liệu bán dẫn loại p 1.6 Một số nghiên cứu cấu trúc tinh thể tính chất ZnO, ZnO pha kim loại chuyển tiếp 1.6.1 Phổ nhiễu xạ tia X 1.6.2 Tính chất điện 1.6.3 Phổ tán xạ Raman 1.6.4 Tính chất bề mặt 1.6.5 Tính chất quang 1.6.5.1 Phổ truyền qua ZnO 1.6.5.2 Phổ hấp thụ 1.6.5.3 Phổ huỳnh quang CHƢƠNG PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 2.1 Phƣơng pháp sol – gel 2.1.1 Định nghĩa 2.1.2 Các trình xảy sol – gel 2.1.3 Ƣu điểm nhƣợc điểm trình sol – gel 2.2 Phƣơng pháp phún xạ 2.2.1 Định nghĩa 2.2.2 Bản chất trình phún xạ 2.2.3 Ƣu điểm nhƣợc điểm phún xạ 2.3 Phƣơng pháp lắng đọng màng mỏng lắng đọng xung lazer ( PLD) 2.3.1 Giới thiệu 3.2 Cấu tạo chế phƣơng pháp PLD 2.3.3 Ƣu điểm nhƣợc điểm phƣơng pháp PLD 2.4 Phƣơng pháp PED 2.4.1 Giới thiệu chung thiế t bi ̣điê ̣n tƣ̉ xung PED 2.4.2 Hệ thống ống phóng điện tử 2.4.3 Âm cực rỗng (nguồn điện tử) 2.4.4 Gia tốc chùm điện tử 2.4.5 Sự truyền chùm điện tử hội tụ 2.4.6 Quá trình lắng đọng 2.5 Ảnh hƣởng số yếu tố công nghệ chế tạo 2.5.1 Mối quan hệ điện phóng áp suất khí 2.5.2 Mối quan hệ áp suất khí chùm plasma 2.5.3 Mối quan hệ áp suất tỷ lệ lắng đọng 2.5.4 Ảnh hƣởng áp suất tới bề mặt, độ dày màng 2.5.5 Ảnh hƣởng áp suất tới tính chất màng CHƢƠNG 3: CHẾ TẠO LỚP MÀNG MỎNG DẪN ĐIỆN ZnO BẰNG PHƢƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG XUNG ĐIỆN TỬ (PULSED ELECTRON DEPOSITION – PED) 3.1 Kết đo chiều dày 3.2 Kết chụp hình thái bề mặt mẫu 3.3 Kết đo phổ nhiễu xạ tia X 3.4 Kết đo hệ số hấp thụ 3.5 Kết đo hiệu ứng Hall DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1.1: Mô tả số đặc trƣng vật liệu bán dẫn khối ZnO nhiệt độ phòng Bảng 2.1: Thông số hệ thống CS Bảng 2.2: Áp suất tối ƣu số chất làm màng mỏng Bảng 3.1: Thông số trình lắng đọng hệ mẫu Bảng 3.2: Các tính chất chuyển hệ AZO-2 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Cấu trúc Wurtzite lục giác xếp chặt mạng ZnO …… 12 Hình 1.2 Cấu trúc liên kết tinhh thể ………………………….…… 13 Hình 1.3 Cấu trúc kiểu lập phƣơng đơn giản kiểu NaCl… ……… 13 Hình 1.4 Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm …………………………… 14 Hình 1.5 Vùng Brilouin cấu trúc lục giác Wurtzite … ……… 15 Hình 1.6: Cấu trúc đối xứng vùng lƣợng ZnO ………… 15 Hình 1.7 Phổ nhiễu xạ tia X màng ZnO nhiệt độ khác nhau… 20 Hình 1.8 Sự dịch đỉnh phổ mẫu dƣới điều kiện áp suất khác ………………………………………………………… 20 Hình 1.9 Sự dịch đỉnh phổ mẫu dƣới điều kiện áp suất khác nhau…………………………………………………………… 20 Hình 1.10 Sự thay đổi điện trở màng ZnO nhiệt độ thay đổi… 21 Hình 1.11 Sự phụ thuộc điện trở suất nhiệt độ…… …… 21 Hình 1.12 Sự phụ thuộc điện trở suất nhiệt độ…… …… 21 Hình 1.13 Phổ tán xạ Raman màng ZnO nhiệt độ đế khác nhau………………………………………………………… 22 Hình 1.14 Phổ Raman mẫu ZnO không pha tạp…… ……… 23 Hình 1.15 Hình ảnh bề mặt mẫu màng……………… …… 23 Hình 1.16 Hình ảnh bề mặt mẫu màng……………… …… 23 Hình 1.17 Hình ảnh bề mặt mẫu màng……………… …… 24 Hình 1.18 Hình ảnh bề mặt mẫu màng……………… …… 24 Hình 1.19 Ảnh SEM mẫu màng tốc độ quay khác nhau…… 24 Hình 1.20 Ảnh SEM mẫu màng đế thủy tinh nhiệt độ khác ………………………………………………………… .25 Hình 1.21 Phổ truyền qua màng áp suất khác nhau… …… 15 Hình 1.22 Phổ truyền qua màng nhiệt độ khác …… 15 Hình 1.23 Phổ hấp thụ màng ………………………… …… 16 Hình 1.24 Phổ huỳnh quang màng áp suất khác …… 17 Hình 1.25 Phổ huỳnh quang màng nhiệt độ khác …… 17 Hình 2.1 Mô hình hệ thống lắng đọng điện tử xung … …… …… 19 Hình 2.2 Sơ đồ hệ thống PED … ………………………………… 20 Hình 2.3 Nguồn điện tử ………….….…….……………………… 21 Hình 2.4 Nguồn lắng đọng điện tử PEBS – 20… ………………… 22 Hình 2.5 Định luật Paschen … …………………… …………… 23 Hình 2.6 Ống phóng điện tử.… ……………… ………………… 24 Hình 2.7 Sắp xếp bia, đế ống phóng điện tử ……………… 25 Hình 2.8 Sắp xếp buồng lắng đọng ……… …… ………… 26 Hình 2.9 Hình ảnh trƣớc sau bắn chum xung điện tử bia vật liệu……………………….…………………………………… 29 Hình 2.10 Thiết bị kính hiển vi điện tử quét Jeol 5410 LV Trung tâm Khoa học Vật liệu, Đại học Quốc gia Hà Nội………………… 31 Hình 2.11 Hiện tƣợng nhiễu xạ tia X mặt phẳng mạng tinh thể sơ đồ nguyên lí máy nhiễu xạ tia X………………………… Hình 2.12 Mẫu đƣợc đặt bốn đầu dò tiêu chuẩn……………………… 32 35 Hình 3.1 Bề mặt mẫu ZnO chế tạo nhiệt độ đế 4000C, áp suất 10mTorr…………………………………………………… 46 Hình 3.2 Giản đồ nhiễu xạ tia X hệ AZO-1 chế tạo nhiệt độ phòng với áp suất khí khác nhau……………………………… 46 Hình 3.3 Giản đồ nhễu xạ tia X hệ AZO-2 chế tạo áp suất khí 3,5; 10mTorr với nhiệt độ đế 4000C…………………… 48 Hình 3.4 Phổ hấp thụ hệ AZO-1 chế tạo áp suất khí 3,5; 5;10 15mTorr ………………………………………… 49 Hình 3.5 Phổ hấp thụ hệ AZO-2 chế tạo áp suất khí 3,5; 5;10 10mTorr ………………………………………… 50 Hình 3.6 Sự phụ thuộc điện trở Hall vào cƣờng độ từ trƣờng H mẫu lắng đọng áp suất 5mTorr hệ AZO-2……………… 51 MỞ ĐẦU Tính cấp thiết đề tài Vấn đề ô nhiễm môi trƣờng có xu hƣớng ngày nghiêm trọng, nguyên nhân ngƣời sử dụng nhiều nguồn lƣợng hóa thạch Nguồn lƣợng chủ yếu dần cạn kiệt hết vài thập niên tới, xu hƣớng tiêu thụ nguồn lƣợng hóa thạch đƣợc coi không bền vững Thay vào chiến lƣợc phát triển bền vững cách sử dụng nguồn lƣợng tái tạo Sử dụng nguồn lƣợng mặt trời hình thức nằm chiến lƣợc Năng lƣợng mặt trời có có ƣu điểm nhƣ: sạch, không gây ô nhiễm môi trƣờng, chi phí nhiên liệu bảo dƣỡng thấp, an toàn cho ngƣời sử dụng Để có nguồn lƣợng đó, ngƣời ta phải phát triển ngành công nghiệp sản xuất pin mặt trời, góp phần thay nguồn lƣợng hóa thạch giảm phát sinh khí thải gây hiệu ứng nhà kính Vì vậy, đƣợc coi nguồn lƣợng quý giá, thay dạng lƣợng ngày cạn kiệt Pin lƣợng mặt trời đƣợc phát minh vào năm 1946 Cho đến nay, pin lƣợng mặt trời chƣa đƣợc sử dụng phổ biến giá thành cao hiệu suất thấp Các nhà khoa học nhà sản xuất giới không ngừng nghiên cứu để chế tạo pin lƣợng mặt trời có hiệu suất cao hơn, tuổi thọ dài giá thành thấp Trên thế giới có mô ̣t số trung tâm nghiên cƣ́u mạnh pin mặt trời màng mỏng CIGS, điể n hình NREL (Mỹ), Đa ̣i ho ̣c tổ ng hơ ̣p Colorado (Mỹ), Đa ̣i ho ̣c tổ ng hơ ̣p Uppsala (Thụy Điển), Đa ̣i học Quốc gia Chonnam (Hàn Quốc) Tại sở thực dự án lớn pin mặt trời màng mỏng CIGS, có dự án xây dựng dây chuyền sản xuất phƣơng pháp vật lý Việt Nam nƣớc nhiệt đới, có tiềm lƣợng mặt trời Với vị trí địa lý thuận lợi, Việt Nam, nguồn lƣợng mặt trời có lƣợng xạ trung bình 5kW/m²/ngày với khoảng 2.000 nắng/năm Bên cạnh đó, nguồn nhiên liệu tự nhiên dần cạn kiệt, giải pháp thay nhƣ pin mặt trời lại chƣa đƣợc sản xuất rộng rãi Nhƣ vậy, để tăng trƣởng phát triển bền vững, nhà khoa học nƣớc cần nghiên cứu sử dụng lƣợng nói chung lƣợng điện mặt trời nói riêng, cho có hiệu Việc nâng cao hiệu suất pin mặt trời điều vô cần thiết Hƣớng nghiên cứu pin mặt trời hệ loại đƣợc nhóm nhà khoa học môn Vật lý Nhiệt độ thấp, Khoa Vật lý, Trƣờng Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội tiến hành Hiện nay, Trƣờng đƣợc trang bị hệ thống máy lắng đọng điện tử xung (PED) công ty Neocera – Mỹ Hệ thống đƣợc chế tạo dựa công nghệ Neocera, đƣợc sử dụng để lắng đọng chất siêu dẫn nhiệt độ cao, màng mỏng kim loại, chất phủ cứng bề mặt, lắng đọng màng polymer…, phƣơng pháp để chế tạo màng mỏng chất lƣợng cao Trong lớp cấu thành pin mặt trời màng mỏng CIGS, lớp hấp thụ CIGS lớp dẫn điện suốt ZnO có vai trò quan trọng Đối với lớp hấp thụ CIGS, có nhiều phƣơng pháp chế tạo đƣợc nghiên cứu Có thể chia phƣơng pháp thành hai nhóm: Nhóm phƣơng pháp cần chân không, gồm: đồng bốc bay từ nguyên tố riêng rẽ, bốc bay từ hợp chất, lắng đọng hóa học, phún xạ catot, epitaxy chùm phân tử, lắng đọng điện tử xung, lắng đọng xung laze; Nhóm phƣơng pháp không cần chân không bao gồm: lắng đọng điện hóa, lắng đọng nhiệt phân, phun sơn nhiệt TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT Nguyễn Năng Định (2005), Vật lí kỹ thuật màng mỏng, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Nguyễn Văn Minh (2009), Cơ sở vật lý quang học chất rắn, Nhà xuất Đại học Sƣ phạm Hà Nội, Hà Nội Ngô Đình Sáng (2013), Mô vật lý linh kiện, chế tạo khảo sát tính chất số lớp pin mặt trời hệ sở màng mỏng CIGS, Luận văn Tiến sĩ Vật lý, Trƣờng ĐHKHTN-ĐHQGHN Nguyễn Thế Khôi, Nguyễn Hữu Mình (1992), Vật lí chất rắn, Nhà xuất Giáo dục, Hà Nội Phùng Hồ, Phan Quốc Phô (2001), Giáo trình vật lí bán dẫn, Nhà xuất Khoa học Kĩ thuật, Hà Nội Phạm Hồng Quang, Ngô Đình Sáng, Đỗ Quang Ngọc (2011), “Chế tạo màng mỏng lắng đọng xung điện tử (PED)”, Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý chất rắn Khoa học Vật liệu Toàn quốc lần thứ 7, tr 241-246 TIẾNG ANH Aga R S., Jr., Cox C , Ueda A , Jackson E , Collins W E , and Mu R (2006), “Influence of background gas pressure charging potential and target distance on the spot size ablated by single pulsed electron beam” J Vac Sci Technol A 24(6), pp 11-14 Andriesh A M., Verlan V I., Malahova L A (2003), “Deposition of heterostructures based on CIGSE and CdS by electron-beam ablation”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 5(4), pp 817-821 Chandra V., Manoharan S S (2008), “Pulsed electron beam deposition of highly oriented thin films of polytetrafluoroethylene”, Applied Surface Science 254, pp 4063-4066 62 10.Chen Y., Bagnall D M., Koh H J., Park K T., Hiraga K., Zhu Z Q., and Yao T (1998), “Plasma assited molecular beam epitaxy of ZnO on c- plane sapphire: Growth and characterization”, J Appl Phys 84(7), pp 3912- 3918 11.Choudhary R J., Ogale S B., Shinde S R., Kulkarni V N., Venkatesan T., Harshavardhan K S., Strikovski M., Hannoyer B (2004), “Pulsedelectronbeam deposition of transparent conducting SnO2 films and study of their properties” Appl Phys Lett 84(9), pp 1483-1485 12 Dikovska A O., Atanaskov P A., Dimitrov J G., Imamova S E., Vasilev T (2009), “Transparent conductive Al doped ZnO thin films produced by pulsed laser deposition”, Journal of Optoelectronics and Advanced materials 11(10), pp 1517-1520 13 Hirata G.A., McKittrick J., Siqueiros J., Lopez O A., Cheeks T., Contreras O., and Yi J Y (1996), “High transmittance-low resistivity ZnO: Ga films by laser ablation”, J Vac Sci Technol A 14(3), pp 791-794 14 Huang L., Li X., Zhang Q., Miao W., Zhang L., Yan X., Zhuang Z., and Hua Z (2005), “Properties of transparent conductive In2O3:Mo thin films deposited by Channel Spark Ablation”, J Vac Sci Technol A, 23(5), pp.1350-1353 15 Jackson E , Aga R., Jr., Steigerwald A , Ueda A , Pan Z , Collins W E , and Mu R (2008), “Characterization of CdTe Nanoparticles Fabricated by Pulsed Electron Deposition Technique at Different Ablation parameters”, AIP Conf Proc 991, pp 90-93 16 Jiang X L., and Xu N (1989), “Preparation of dense films of crystalline ZrO2 by intense pulsed-electron-beam ablation”, J Appl Phys 66(11), pp 5594-5597 17 Kovaleski S D., Gilgenbach R M., Ang L K., and Lau Y Y (1999), “Electron beam ablation of materials”, J Appl.Phys 86, pp 7129-7138 63 18 Kyoung P Ko, Seung H Moon, Kyu J Song, Park Chan, Sang Im Yoo (2005), “High quality SmBa2Cu3O7-δ thin films on SrTiO3 (100) substrates deposited by pulsed electron beam deposition”, IEEE Transactions on Applied Superconductivity 15(2), pp 3054-3057 19 Ngo Dinh Sang, Pham Hong Quang, Do Quang Ngoc (2012), “Effect of oxygen pressure on the charge transport property of Al-doped ZnO films grown by pulsed electron deposition”, Communications in Physics 22 (2), pp 155-160 138 20 Nampoori H V., Rincon V., Chen M., and Kotru S (2010), “Evaluation of indium tin oxide films grown at room temperature by pulsed electron deposition”, J Vac Sci Technol A 28(4), pp 671-674 21 Nistor M., Mandache N B and Perriere J (2008), “Pulsed electron beam deposition of oxide thin films”, J Phys D: Appl Phys 41, pp 165205 -165215 22 Ohta J., Sakurada K., Shih F Y., Kobayashi A., Fujioka H (2009), “Growth of group III nitride films by pulsed electron beam deposition”, Journal of Solid State Chemistry 182, pp 1241-1244 23 Pham Hong Quang, Ngo Dinh Sang, Do Quang Ngoc (2012), “Pulsed electron beam deposition of transparent conducting Al-doped ZnO films”, Thin Solid Films 520, pp 6455-6458.139 24 Park S M., Ikegami T., Ebihara K., Shin P K (2006), “Structure and properties of transparent conductive doped ZnO films by pulsed laser deposition”, Applied Surface Science 253, pp 1522-1527 25.Porter H L., Mion C., Cai A L., Zhang X., Muth J F (2005), “Growth of ZnO films on C-plane (0001) sapphire by pulsed electrodeposition (PED)”, Material Science and Engineering B 119, pp 210-212 26.Stark R., Christiansen J., Frank K., Mucke F., and Stetter M (1995), “Pseudospark produced pulsed electron beam for material processing”, IEEE Trans.Plasma Sci 23(3), pp 258-264 64 27 Strikovski M and Harshavardhan K.S (2003), “Parameters that control pulsed electron beam ablation of materials and film deposition processes”, Appl Phys Lett 82(6), pp 853-855 28 Vispute R D., Talyansky V., Trajanovic Z., Choopun S., Downes M., Sharma R P., Venkatesan T., Woods M C., Lareau R T., Jones K A., and Iliadis A A (1997), “High quality crystalline ZnO buffer layers on sapphire (001) by pulsed laser deposition for III-V nitrides”, Appl Phys Lett 70(20), pp 2735-2737 29 Zhan P., Li Z., and Zhangjun Zhang (2011), “Preparation of Highly Textured ZnO Thin Films by Pulsed Electron Deposition”, Materials transactions 52(9), pp 1764-1767 65 [...]... Al-doped ZnO films”, Thin Solid Films 520, pp 6455-6458.139 24 Park S M., Ikegami T., Ebihara K., Shin P K (2006), “Structure and properties of transparent conductive doped ZnO films by pulsed laser deposition”, Applied Surface Science 253, pp 1522-1527 25.Porter H L., Mion C., Cai A L., Zhang X., Muth J F (2005), “Growth of ZnO films on C-plane (0001) sapphire by pulsed electrodeposition (PED) , Material... J G., Imamova S E., Vasilev T (2009), “Transparent conductive Al doped ZnO thin films produced by pulsed laser deposition”, Journal of Optoelectronics and Advanced materials 11(10), pp 1517-1520 13 Hirata G.A., McKittrick J., Siqueiros J., Lopez O A., Cheeks T., Contreras O., and Yi J Y (1996), “High transmittance-low resistivity ZnO: Ga films by laser ablation”, J Vac Sci Technol A 14(3), pp 791-794... 5 Phùng Hồ, Phan Quốc Phô (2001), Giáo trình vật lí bán dẫn, Nhà xuất bản Khoa học và Kĩ thuật, Hà Nội 6 Phạm Hồng Quang, Ngô Đình Sáng, Đỗ Quang Ngọc (2011), “Chế tạo màng mỏng bằng lắng đọng xung điện tử (PED) , Tuyển tập các báo cáo Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc lần thứ 7, tr 241-246 TIẾNG ANH 7 Aga R S., Jr., Cox C , Ueda A , Jackson E , Collins W E , and Mu R (2006),... Venkatesan T., Woods M C., Lareau R T., Jones K A., and Iliadis A A (1997), “High quality crystalline ZnO buffer layers on sapphire (001) by pulsed laser deposition for III-V nitrides”, Appl Phys Lett 70(20), pp 2735-2737 29 Zhan P., Li Z., and Zhangjun Zhang (2011), “Preparation of Highly Textured ZnO Thin Films by Pulsed Electron Deposition”, Materials transactions 52(9), pp 1764-1767 65 ... of polytetrafluoroethylene”, Applied Surface Science 254, pp 4063-4066 62 10.Chen Y., Bagnall D M., Koh H J., Park K T., Hiraga K., Zhu Z Q., and Yao T (1998), “Plasma assited molecular beam epitaxy of ZnO on c- plane sapphire: Growth and characterization”, J Appl Phys 84(7), pp 3912- 3918 11.Choudhary R J., Ogale S B., Shinde S R., Kulkarni V N., Venkatesan T., Harshavardhan K S., Strikovski M., Hannoyer... deposition”, IEEE Transactions on Applied Superconductivity 15(2), pp 3054-3057 19 Ngo Dinh Sang, Pham Hong Quang, Do Quang Ngoc (2012), “Effect of oxygen pressure on the charge transport property of Al-doped ZnO films grown by pulsed electron deposition”, Communications in Physics 22 (2), pp 155-160 138 20 Nampoori H V., Rincon V., Chen M., and Kotru S (2010), “Evaluation of indium tin oxide films grown at