Kỹ thuật điện tử Câu : Nêu nhiệm vụ , vẽ sơ đồ khối giải thích nguyên lí hoạt động theo sơ đồ khối hệ thống đo lường tự động điều chỉnh , điều khiển Hệ thống đo lường tự động điều chỉnh, điều khiển có nhiệm vụ tự động theo dõi, khống chế vài thông số trình cho thông số phải nằm giới hạn cho phép định trước, tức là: Giám sát đối tượng và; - Tự động ổn định thông số giải định a Sơ đồ khối Sơ đồ khối hệ thống nói chung mô tả hình 1.4 bao gồm khối: - Đối tượng điều chỉnh thông số mang tính chất điện điện áp, dòng điện, công suất không điện nhiệt độ, áp suất, tốc độ Khối biến đổi có nhiệm vụ biến đổi thông số không điện điện áp tỷ lệ với Đối với thông số mang tính chất điện không cần biến đổi - Khối hiển thị giá trị có chức hiển thị giá trị thông số cần điều chỉnh để người vận hành giám sát hoạt động hệ thống Khối tạo điện áp chuẩn tạo giá trị điện áp chiều ổn định Uch: gọi giá trị chuẩn - Khối so sánh có nhiệm vụ so sánh giá trị cần điều chỉnh với giá trị chuẩn tạo điện áp sai lệch ΔU = Ux - Uch - Khối khuếch đại sai lệch khuếch đại giá trị điện áp sai lệch lên đủ lớn để điều khiển phần tử thực - Phần tử thực có chức làm thay đổi giá trị thông số cần điều chỉnh Khi giá trị vượt giải cho phép tức ΔU mang dấu dương (+) phần tử thực thực làm giảm giá trị thông số, ngược lại ΔU mang dấu âm (-) phần tử thực làm tăng giá trị thông số cần điều chỉnh Hình 1.4 Sơ đồ khối hệ thống đo lường tự động điều chỉnh, điều khiển b Nguyên lý hoạt động Với hệ thống đo lường: hệ thống hở, đối tượng (tham số) cần đo biến đổi giá trị điện thích hợp (thông thường điện áp chiều) tỷ lệ với tham số cần đo Giá trị gia công biến đổi để phù hợp với thiết bị hiển thị kết đo cấu đo hay hiển thị số Với hệ thống tự động điều chỉnh/điều khiển: hệ thống kín, đối tượng cần điều chỉnh/điều khiển biến đổi giá trị điện thích hợp (thông thường điện áp chiều U x) tỉ lệ với đối tượng Điện áp so sánh với điện áp chuẩn (U ch) tạo chuẩn tạo để sai lệch ΔU = U x - Uch Sự sai lệch khuếch đại lên đủ lớn tác động vào phần tử thực Phần tử thực trực tiếp tác động vào đối tượng theo nguyên tắc vòng phản hồi âm khép kín để tự động giữ (điều khiển) cho đối tượng có giá trị nằm giải cho phép định trước Câu : Nêu khái niệm chất bán dẫn , chất bán dẫn , cấu trúc mạng tinh thể tính chất dẫn điện chất bán dẫn Mức chênh lệch lượng vùng dẫn vùng hoá trị gọi mức lượng liên kết, có ký hiệu Eg với đơn vị tính electron-Volt (eV) Tuỳ theo giá trị E g mà người ta chia chất rắn tinh thể làm loại theo tính dẫn điện sau: + Chất cách điện: Eg > 2eV + Chất bán dẫn thường: < Eg ≤ 2eV + Chất dẫn điện: Eg ≤ 0eV Chất bán dẫn chất có độ dẫn điện mức trung gian chất dẫn điện chất cách điện Chất bán dẫn chất bán dẫn tinh khiết không lẫn tạp chất khác Hai chất bán dẫn điển hình đặc trưng silic (Si) Gecmani (Ge) có mức lượng liên kết 1,12eV với silic 0,72eV với gecmani nằm nhóm bảng tuần hoàn Men-đê-lê-ep Hình 2.3 Cấu trúc mạng tinh thể chất bán dẫn Ge/Si - Ở nhiệt độ 00K (-2700C) mối liên kết bền vững nên điện tử tự tách khỏi quỹ đạo chuyển động nên chất bán dẫn chất cách điện - Khi kích thích nguồn lượng xảy tượng nhảy mức lượng từ vùng hóa trị lên vùng dẫn Tức điện tử vòng tách khỏi quỹ đạo chuyển động tạo thành cặp hạt dẫn: Như để chất bán dẫn có khả dẫn điện phải kích thích lượng lớn mức lượng liên kết: EKT > Eg Câu : giải thích hình thành bán dẫn tạp loai N nêu đặc tính dẫn điện chất bán dẫn tạp loại N Khi pha trộn công nghệ chất bán dẫn (hoá trị 4) với tạp chất có hoá trị (như arsen - As; photpho – P; Bi hay Sb …) mối liên kết đôi hoá trị chất bán dẫn với tạp chất, nguyên tử tạp chất bị dư điện tử vòng không tham gia vào mối liên kết đôi hoá trị liên kết yếu với hạt nhân, trở thành điện tử tự do, chất bán dẫn tạp loại n chất dẫn điện Như hạt dẫn chủ yếu chất bán dẫn tạp loại n điện tử tự mang điện tích âm nên gọi bán dẫn n (âm – negative) gọi hạt dẫn đa số Nồng độ hạt dẫn đa số bán dẫn tạp loại n (nn) tỷ lệ thuận với nồng độ tạp chất pha trộn Do chất bán dẫn không hoàn toàn tinh khiết tồn hạt dẫn mang điện tích dương lỗ trống có nồng độ p n có giá trị nhỏ Như bán dẫn tạp loại n nồng độ hạt dẫn âm lớn nhiều lần so với hạt dẫn dương hạt dẫn âm gọi hạt dẫn đa số, hạt dẫn dương gọi hạt dẫn thiểu số: nn >> pn Câu : giải thích hình thành chất bán dẫn loại P va nêu dặc tính dẫn điện chất bán dẫn tạp lại P Khi pha trộn công nghệ chất bán dẫn (hoá trị 4) với tạp chất có hoá trị (như nhôm – Al; Bo – B;Gali – Ga; … mối liên kết đôi hoá trị chất bán dẫn với tạp chất, nguyên tử tạp chất bị thiếu điện tử vòng để tham gia vào mối liên kết đôi hoá trị dễ dàng nhận điện tử tự để trung hoà điện, trở thành lỗ trống tự mang điện tích dương có khả dẫn điện Như hạt dẫn đa số chất bán dẫn tạp loại p lỗ trống mang điện tích dương nên gọi bán dẫn tạp loại p (dương – positive) có nồng độ pp; hạt dẫn thiểu số điện tử tự mang điện tích âm có nồng độ np Nồng độ lỗ trống tỷ lệ với nồng độ tạp chất pha trộn Trong chất bán dẫn tạp loại p nồng độ hạt dẫn đa số lớn nhiều lần so với nồng độ hạt dẫn thiểu số: pp >> np Câu : Khái niệm tiếp giáp PN giải thích trình hình thành tiếp giáp PN Khi cho miếng bán dẫn tạp khác loại (p n) tiếp xúc công nghệ với hình thành tiếp giáp P-N hình 2.5 Tiếp giáp P-N sở cấu tạo hầu hết linh kiện bán dẫn Quá trình hình thành tiếp giáp P-N giải thích sau: Do có chênh lệch nồng độ hạt dẫn lớn hạt dẫn đa số miền với hạt dẫn thiểu số miền lại tiếp xúc công nghệ với nhau, hạt dẫn xảy tượng khuếch tán tái hợp: Điện tử tự miền N sễ ạt chuyển động khuếch tán sang miền P để trung hoà (tái hợp) với lỗ trống miền P, vùng tiếp giáp xảy trường hợp: Phía N bị thiếu điện tử tự nên tích điện dương (+); Phía P bị thừa điện tử tự nên tích điện âm (-)   Như vùng tiếp giáp hình thành điện trường hướng từ N sang P gọi điện trường tiếp xúc (ETX) có tác dụng ngăn cản chuyển động khuếch tán điện tử tự từ N sang P Chính mà gọi hàng rào điện Câu : Trình bày tính dẫn điện tiếp giáp PN P N + + + ETX Eng + Eng Ith  Tiếp giáp P-N phân cực thuận: Nếu ta đặt điện trường (Eng) có: - Cực (+) vào P; - Cực (-) vảo N Như hình vẽ: P N + + + ETX Eng Eng + Lúc ta thấy điện trường có chiều ngược với hàng rào điện có tác dụng thu hẹp hàng rào điện làm giảm khả ngăn cản chuyển động gia tốc hạt dẫn tức có dòng điện thuận (Ith) chảy qua tiếp giáp P-N Khi giá trị điện trường vượt qua giá trị điện trường tiếp xúc hàng rào điện bị biến dòng điện thuận tăng nhanh  Tiếp giáp P-N phân cực ngược: Nếu ta đặt điện trường (Eng) có: - Cực (-) vào P; - Cực (+) vào N Như hình vẽ: Khi điện trường ngoà i có chiều với chiều hàng rào điện có tác dụng mở rộng hàng rào điện thế, gia tăng khả ngăn cảnsự chuyển động gia tốc hạt dẫn dòng điện ngược chảy qua tiếp giáp P-N Tuy nhiên, tồn hạt dẫn thiểu số có nồng độ nhỏ tồn dòng điện ngược có giá trị nhỏ chảy qua Câu : Trình bày đặc điểm cấu tạo , ký hiệu , vẽ giải thích đặc tuyến V-A Diode bán dẫn Đi-ốt bán dẫn cấu tạo sở tiếp giáp P-N, cực P gắn điện cực gọi a-nốt (A), cực N gắn điện cực gọi ka-tốt (K) Tiếp P-N đi-ốt hình thành loại tiếp xúc bản: + Chuyển tiếp mặt: Diện tích tiếp xúc đơn tinh thể lớn + Chuyển tiếp điểm: Diện tích tiếp xúc đơn tinh thể nhỏ Hình 2.6 Cấu tạo, ký hiệu số dạng thực tế đi-ốt Hình 2.7 Đặc tuyến V-A điốt bán dẫn Đặc tuyến chia làm vùng sau: - Vùng I gọi vùng phân cực thuận, điện trường U AK vượt qua giá trị điện trường tiếp xúc (ETX) dòng thuận tăng nhanh theo điện trường thuận (+UAK) - Vùng phân cực ngược chia làm vùng: vùng II vùng dòng điện ngược (IAK) có giá trị nhỏ tăng dần theo giá trị điện trường ngược U KA - Vùng III gọi vùng đánh thủng: giá trị trường ngược U KA đạt tới giá trị (gọi Uđth), cường độ điện trường lớn xảy tượng phóng điện điện cực đánh thủng tiếp giáp P-N lúc dòng điện ngược đột ngột tăng mạnh làm hỏng tiếp giáp Câu : Nêu tên , tính chất đặc trưng khả ứng dụng loại ot đặc biệt Điốt Zene: cấu tạo dựa vào hiệu ứng Zê-ne, xác định xác giá trị U đth đặc tuyến vônampe điốt Với tính chất điốt điện áp ngược U KA vượt qua giá trị Uđth dòng điện ngược tăng mạnh làm cho điện áp ngược tăng Nếu mắc điện trở hạn chế nối tiếp với dòng ngược IKA toàn gia tăng giá trị điện áp trường ngược bị sụt điện trở hạn chế, điều dẫn đến điện áp ngược cực điốt ổn định Thông số điện áp ngược cực đại điốt Zê-ne có giá trị thấp, xác gọi giá trị điện áp ổn định (U ôđ) điốt Zê-ne gọi điốt ổn áp sử dụng làm mạch ổn áp tham số Ký hiệu điốt Zê-ne mạch điện ổn áp dùng điốt Zê-ne vẽ sau: Hình 2.8 Ký hiệu, dạng mạch ứng dụng điốt ổn áp Điốt biến dung: Do cấu tạo điốt tiếp giáp P-N phân cực ngược tương đương tụ điện với cực má tụ, chất điện môi hàng rào điện Khi thay đổi giá trị trường ngược bề dày (d) hàng rào điện bị thay đổi cho nên, giá trị điện = ε εS d dung C thay đổi theo Như vậy, điốt phân cực ngược điện dung biến đổi theo giá trị trường ngược (-U AK) Các điốt cấu tạo cho mục đích gọi điốt biến dung hay gọi điốt Varicap với dạng thực tế, ký hiệu, đặc tuyến điện dung sơ đồ mạch ứng dụng sau: Hình 2.9 Dạng thực tế, ký hiệu, đặc tuyến điện dung sơ đồ mạch ứng dụng Đi-ốt biến dung sử dụng để làm tụ điện biến đổi điện áp thay tụ điện biến đổi học có nhiều nhược điểm A K Điôt phát quang – LED (Light Emission Diode): la loại đi-ốt có khả xạ ánh sáng có dòng điện thuận chảy qua số loại bán dẫn tạp kết hợp GaAs; GaP; GaAsP… Mỗi loại phát màu sắc định hồng ngoại, xanh đỏ vàng… có ký hiệu gần giống điôt: Đèn LED loại đèn bổ sung vào danh sách nguồn sáng sử dụng lượng hiệu Trong đèn LED phát ánh sáng nhìn thấy dải quang phổ hẹp, chúng tạo "ánh sáng trắng” Điều thực nhờ đèn LED xanh có phủ photpho hay dải màu đỏ-xanh da trời-xanh Đèn LED có tuổi thọ từ 40.000 đến 100.000 tùy thuộc vào màu sắc Đèn LED sử dụng nhiều ứng dụng chiếu sáng, bao gồm biển báo lối thoát, đèn tín hiệu giao thông … Câu : Trình bày đặc điểm cấu tạo , phân loại ký hiệu tranzitor lưỡng hạt ( BJT) Transistor lưỡng hạt (hay gọi transistor) cấu tạo miếng bán dẫn tạp khác loại ghép xen kẽ hình vẽ P(N) P(N) N(P) E B C JBE JBC Hình 2.10 Cấu tạo transistor lưỡng hạt (BJT) Với đặc điểm cấu tạo sau: - Lớp bán dẫn tạp bên có bề dày lớn nồng độ tạp chất (n n/pp) cao gắn điện cực gọi cực phát (Emicter) có ký hiệu E - Lớp bán dẫn tạp có bề dày mỏng (μm) nồng độ tạp chất thấp gắn điện cực gọi cực gốc (Baser) có ký hiệu B - Lớp bán dẫn tạp lại có bề dày nồng độ tạp chất trung bình gắn điện cực gọi cực góp (Collector) có ký hiệu C - Hình thành hai tiếp giáp P-N JBE JBC Với đặc điểm cấu tạo transistor có loại PNP NPN: - Loại PNP gọi transistor thuận với cấu trúc ký hiệu hình 2.11 (a) - Loại NPN gọi transistor ngược với cấu trúc ký hiệu hình 2.11 (b) Hình 2.11 Phân loại theo cấu tạo, ký hiệu dạng transistor lưỡng hạt BJT Câu 10 : Trình bày nguyên lí hoạt động Tranzitor lưỡng hạt (BJT ) Để transistor làm việc phần tử điều khiển khuếch đại thì: N N P E B C UBE UBC _ + _ + - Tiếp giáp JBE phải phân cực thuận và; - Tiếp giáp JBC phải phân cực ngược Về nguyên lý làm việc loại transistor giống nhau, khác loại hạt dẫn tự điện tử (NPN) hay lỗ trống (PNP), xét cụ thể cho loại: ví dụ với loại NPN - Dưới tác dụng điện trường phân cực thuận U BE hạt dẫn đa số (e) từ miền E ạt chuyển động gia tốc sang miền B tạo thành dòng điện emicter (I E) Do miền baser có nồng độ tạp chất nhỏ, phần nhỏ điện tử từ emicter sang tái hợp với lỗ trống miền baser tạo thành dòng baser (IB) có cường độ nhỏ Phần lớn lại điện tử tự tập trung tiếp giáp JBC - Mặc dù tiếp giáp JBC phân cực ngược bề dày miền baser mỏng bên cạnh trường gia tốc có giá trị lớn: U CE = UCB + UBE (hai nguồn phân cực nối tiếp nhau) điện tử dễ dàng vượt qua tiếp giáp J BC sang miền collector tạo thành dòng điện collector (IC) IE IC IB - Khi thay đổi giá trị điện trường phân cực thuận U BC làm thay đổi lượng hạt dẫn lớn từ miền E chuyển động qua miền B Tuy nhiên, miền B có nồng độ thấp số lượng hạt dẫn tái hợp miền B để tạo thành dòng I B thay đổi không đáng kể làm thay đổi lớn lượng hạt dẫn tạo thành dòng collector (IC) Hình 3.30 Nguyên lý dao động tự kích Bao gồm khâu: khuếch đại hồi tiếp: + Khâu khuếch đại có hệ số khuếch đại k độ di pha φk + Khâu hồi tiếp có hệ số truyền đạt β độ di pha φβ Một khuếch đại có hồi tiếp trở thành tạo dao động tự kích thoả mãn điều kiện sau: Điều kiện pha - điều kiện cần: Tổng góc di pha khâu KĐ phải nguyên lần a 360 : φk + φβ = n2π (Trong n số nguyên ) Điều có nghĩa tín hiệu hồi tiếp phải trùng pha với tín hiệu vào Như cụ thể điều kiện pha phải có hồi tiếp dương b Điều kiện biên độ - điều kiện đủ : Biên độ tín hiệu hồi tiếp phải biên độ tín hiệu đầu vào KĐ: Uht ≥ Uvào chia làm phần: + Trong trình độ mạch điều kiện biên độ Uht > Uvào + Trong trình xác lập mạch điều kiện biên độ Uht = Uvào U U va o U ht U Ta có: k = β = kiện biên độ là: k.β ≥ ta có U ht U U U U = ht x = x ht = k.β U va o U va o U U va o U cụ thể điều Câu 35 : Câu 36 : Giải thích mạch nguyên lý làm việc mạch điện sau Mạch điện Bao gồm: + Tụ C1 C2 mắc nối tiếp phân đôi tụ điện C kết hợp với cuộn dây L tạo thành khung dao động LC + Các tụ điện ghép Cg1 Cg2 để ghép nối tín hiệu phân cách thành phần chiều + Các điện trở RB1; RB2 RE kết hợp với với tải tầng khuếch đại mắc kiểu E chung R C để phân cực tạo điểm công tác tĩnh có chế độ A Nguyên lý tạo dao động điều hoà theo nguyên lý chung mạch dao động điểm: Tín hiệu tụ C1 C2 ngược pha nhau: tín hiệu tụ C tín hiệu (U CE) tín hiệu tụ C tín hiệu hồi tiếp Do tầng khuếch đại mắc kiểu E chung nên tín hiệu ngược pha với tín hiệu lối vào, tín hiệu hồi tiếp trùng pha với tín hiệu vào tức có hồi tiếp dương, thoả mãn điều kiện pha Để thoả mãn điều kiện biên độ, ta cho mạch khuếch đại mắc E chung có hệ số khuếch đại (k) lớn cách lựa chọn transistor có hệ số khuếch đại dòng điện (β) lớn Tần số dao động điều hoà lối tần số cộng hưởng riêng khung: 2π LC f= C1C C1 + C Trong C điện dung tương đương C1 nối tiếp với C2: C = Câu 37 : Chỉnh lưu gi ? Nêu tên loại mạch chỉnh lưu đc học đặc điểm mạch Câu 38 : Vẽ giải thích mạch nguyên lí làm việc mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ đồ thị thời gian Qua biến áp, điện áp xoay chiều U~ từ lưới điện công nghiệp hạ áp đến giá trị yêu cầu (U AB) đưa tới chỉnh lưu van điện tử (D) Điốt có tác dụng biến đổi dòng điện xoay chiều dòng điện chiều để biến đổi điện áp xoay chiều điện áp chiều theo nguyên lý chỉnh lưu sau: - Ở nửa chu kì dương điện áp vào (UAB > 0), điốt D phân cực thuận nên có dòng thuận chảy từ A qua điốt, qua tải tới B tạo nên điện áp tải (+) điểm a R T - Sang nửa chu kì âm điện áp xoay chiều lối vào (U AB < 0), điốt D bị phân cực ngược nên dòng điện chảy qua điện trở tải nên điện áp lối R T Như vậy, dòng điện qua điện trở tải R T nửa chu kì điện áp vào có chiều từ a -> b (U ab >0) điện áp có dạng đồ thị thời gian hình 3.12 nói Câu 39 : Vẽ sơ đồ khói nguồn chỉnh lưu giải thích chức khối Hình 3.39 Sơ đồ khối nguồn chỉnh lưu - Biến áp có nhiệm vụ biến đổi điện áp xoay chiều từ lưới điện công nghiệp giá trị thích hợp với điện áp nguồn chiều cung cấp cho mạch điện tử Mặt khác, có nhiệm vụ cách ly điện đảm bảo an toàn cho người sử dụng - Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ biến đổi điện áp xoay chiều sau biến áp điện áp chiều cần thiết cho mạch điện tử - Mạch lọc san có nhiệm vụ san điện áp sau chỉnh lưu - Để điện áp chiều ổn định, sau chỉnh lưu thường có mạch ổn áp Ở số máy có mạch ổn áp nguồn cấp lấy từ nguồn chiều khác pin, ắc quy Câu 40 : giải thích mạch nguyên lí làm việc mạch điện sau Trong mạch điện ổn áp bù nối tiếp dùng transistor, T transitor công suất lớn làm nhiệm vụ phần tử thực hiện, chịu điều khiển T làm nhiệm vụ so sánh khuếch đại sai lệch Mạch ổn áp tham số gồm Rhc Dz làm nhiệm vụ tạo điện áp chuẩn (U ch) cực E T2 Nhóm R2, R3 VR mạch phân áp để lấy mẫu điện áp tải (UBE2) Nguyên lý ổn áp giải thích sau: Giả thiết nguyên nhân làm cho điện áp tải tăng lên (U =UT = UE1↑) tức UB2↑, có mạch ổn áp tham số làm cho U E2 không đổi Điều dẫn đến U BE2 = UB2 – UE2 tăng lên, transistor T2 dẫn dòng nhều (I c2↑) làm giảm UB1↓ = Uvào – IC2.R1↑ Từ ta có theo giả thiết làm giảm mạnh điện áp UBE T1 (UBE1↓↓ = UB1 ↓– UE1↑) dẫn đến nội trở T1 tăng lên kéo cho điện áp giảm giá trị ổn định Câu 41 : Giải thích nguyên lý việc mạch điện trạng thái ổn định sau Mạch điện triger đối xứng dùng transistor vẽ sau: Thực chất tầng KĐ mắc E chung làm việc chế độ B mắc liên tiếp khép kín để tạo thành vòng phản hồi dương - Hai lối đưa xung kích thích vào R S - Hai lối lấy xung Q Q Mạch điện có trạng thái ổn định bền là: Q + T1 thông – T2 khoá, ứng với mức điện áp Q = UL = “0”; = UH = “1” Q + T1 khoá – T2 thông, ứng với mức điện áp Q = UH = “1”; = UL = “0” Việc thay đổi trạng thái ổn định bền thực xung kích thích vào đầu vào R S: Q - Khi có xung dương kích thích vào cửa S làm cho T thông – T1 khoá (Q = 1; gọi cửa vào “thiết lập – Set” = 0) Do cửa vào S Q - Khi có xung dương kích thích vào cửa R làm cho T thông – T2 khoá (Q = 0; gọi cửa vào “xoá – Reset” = 1) Do cửa vào R - Không xảy trường hợp cửa vào R S kích thích xung lúc xảy tranh chấp trạng thái dẫn đến mạch điện không làm việc bình thường Trạng thái gọi trạng thái CẤM (x) Tổ hợp trạng thái ứng với trạng thái vào lập thành bảng gọi bảng trạng thái Bảng trạng thái triger RS sau: Đầu vào Rn Sn Đầu Qn+1 Q n+1 0 Qn Q 1 1 x x n Trạng thái cấm thể đầu vào có xung kích thích R = S = 1, nói cách khác, điều kiện làm việc Triger RS R.S = • • n + nhịp trạng thái n nhịp trạng thái trước Câu 42 : Giải thích tóm tắt nglýhđ mạch trạng thái ko ổn địh dung transistor sau Mạch dao động đa hài đợi đồ thị thời gian mô tả hình 4.6 Khi có xung dương kích thích vào lối vào làm cho T thông, điện áp tụ C đặt lên B E T làm cho tiếp giáp BE T phân cực ngược dẫn đến T khoá, điện áp đạt giá trị cao (U = UraH) Vòng phản hồi dương thông qua R trì trạng thái mạch điện Trong thời gian tụ điện C phóng điện qua điện trở RC1 RB đến hết điện tích lại nạp theo chiều ngược lại thông qua R B làm cho điện áp UB2 tăng dần giá trị dương đủ để mở transistor T T2 thông, điện áp đạt mức thấp (U = Ura) làm cho T1 khóa, vòng phản hồi dương trì trạng thái ổn định bền có xung kích thích Thời gian tồn xung lối phụ thuộc vào thời gian phóng nạp điện tụ C Tần số xung lối tần số xung kích lối vào Câu 43 : Giải thích tóm tắt ng lý hđ mạch trạng thái k ổn định đung transistor hv : Hình 4.8 Mạch dao động đa hài dùng transistor (a) đồ thị thời gian (b) Theo cấu trúc tương tự mạch không đồng có trạng thái transistor T T2 Hai điện trở để tạo vòng hồi tiếp dương thay tụ điện C C2 để tạo tích phóng lượng điện trường hình thành nên trạng thái không ổn định mạch điện Câu 44 : Khái niệm biến logic hàm logic ? trình bày phương pháp biểu diễn hàm logic = giải tích - biến lôgic biến số nhận hai giá trị “0” “1” Biến logic có ký hiệu (thường trừ chữ F/f để ký hiệu hàm logic) hàm logic hàm số biểu diễn mối quan hệ biến logic thông qua phép tính logic có ký hiệu F  Biễu diễn giải tích: Được biểu diễn với ký hiệu hàm, biến phép tính chúng Có hai dạng giải tích sử dụng dạng tuyển : hàm cho dạng tổng tích biến dạng hội : hàm cho dạng tích tổng biến Mỗi số hạng dạng tuyển chứa đủ tích biến, ta gọi mintec ký hiệu m có F = x y.z + x y.z + x y.z = m1 + m + m3 dạng tuyển đầy đủ, ví dụ: Tương tự, số hạng dạng hội chứa đủ tổng biến, ta gọi maxtec ký hiệu F = ( x + y + z )( x + y + z )( x + y + z ) = M M 2.M M có dạng hội đầy đủ, ví dụ: Ưu điểm phương pháp biểu diễn giải tích từ hàm trực tiếp vẽ mạch điện, nhược điểm khó khăn việc tối thiểu hóa hàm Câu 45 kn biến logic hàm logic trình bày phương pháp biểu diễn hàm logic = bảng trạng thái  Biễu diễn hàm logic bằng bảng trạng thái: x y F 0 m0 m1 m2 1 m3 Là liệt kê toàn số tổ hợp biến có giá trị hàm tương ứng với tổ hợp biến nói dạng bảng có: + Số cột tổng số biến (n) + cột hàm: n+1 + Số hàng số tổ hợp biến: 2n + Mỗi giá trị hàm ứng với tổ hợp biến mimtec Ví dụ cho hàm (F) hai biến (x, y) biểu diễn bảng sau: Ưu điểm phương pháp biểu diễn bảng trạng thái dễ nhận biết trạng thái hàm ứng với tổ hợp biến Nhược điểm bảng cồng kềnh số biến lớn sử dụng để tối thiểu hóa hàm Câu46 : nêu kn biến logic va hàm logic ? trình bày phương pháp biểu diễn hàm logic bảng bìa cacno  Biễu diễn hàm logic bìa Cacnô (Karnaugh) Là biễu diễn đồ hình ô vuông mintec biểu thị ô Trị số mintec trị ghi ô vuông Hai ô vuông kề khác giá trị biến, hàng cột đánh theo trị biến tương ứng theo nguyên tắc: + Chia số biến (n) thành nhóm: nhóm hàng (h) nhóm cột (c) cho số lượng biến hàng cột không vượt biến + Lập bảng với số cột 2c số hàng 2h + Ghi trạng thái tổ hợp biến cột biến hàng cho ô kề cận phép khác biến + Mỗi giá trị hàm ứng với tổ hợp biến ô mimtec Ví dụ cụ thể với hàm bốn biến (n = 4) biến (n = 3) cho bảng tương ứng sau: Ưu điểm phương pháp biễu diễn hàm bìa Karnaugh khắc phục nhược điểm phương pháp bảng trạng thái tức làm gọn bảng trạng thái đặc biệt công cụ hiệu phương pháp tối thiểu hóa hàm logic 00 01 11 10 00 01 11 10 00 m0 m1 m3 m2 m0 m1 m3 m2 01 m4 m5 m7 m6 m5 m7 m6 m4 11 m12 m13 m15 m14 10 m8 m9 m11 m10 F x1 x2 F x3 x4 x2x3 x1 Câu 47 kn , viết hàm giải tích , vẽ kí hiệu , lập bảng trạng thái nx phần tử OR NOR Phần tử cộng logic (OR) a Định nghĩa Phần tử OR phần tử thực phép phép cộng logic biến đầu vào, bao gồm n biến đầu F = x1 + x + + x n vào hàm đầu thực hàm logic b Ký hiệu c Bảng trạng thái giản đồ thời gian minh hoạ cho hàm có hai biến vào: Nhận xét: Phần tử OR cho kết đầu “0” tất biến đầu vào có giá trị “0” Phần tử cộng đảo (NOR) a Định nghĩa Phần tử NOR phần tử thực phép phủ định phép cộng logic biến đầu vào, bao F = x1 + x + + x n gồm n biến đầu vào hàm đầu thực hàm logic x1 F x2 x1 x2 F xn xn b Ký hiệu c Bảng trạng thái giản đồ thời gian minh hoạ cho hàm có hai biến vào: Nhận xét: Phần tử NOR cho kết đầu “1 tất biến đầu vào có giá trị “0 Câu 48 : Kn viết hàm giải tích , vẽ kí hiệu , lập bảng trạng thái nhận xét cho phần tử logic AND NAND Phần tử nhân logic (AND) a Định nghĩa x1 F x2 xn Phần tử AND phần tử thực phép phép nhân logic biến đầu vào, bao gồm n biến đầu F = x1 x x n vào hàm đầu thực hàm logic b Ký hiệu c Bảng trạng thái giản đồ thời gian minh hoạ cho hàm có hai biến vào: Nhận xét: Phần tử AND cho kết đầu “1” tất biến đầu vào có giá trị “1” Phần tử nhân đảo (NAND) a Định nghĩa Phần tử NAND phần tử thực phép phủ định phép nhân logic biến đầu vào, bao gồm n F = x1 x x n biến đầu vào hàm đầu thực hàm logic x1 F x2 xn b Ký hiệu: c Bảng trạng thái giản đồ thời gian minh hoạ cho hàm có hai biến vào: Nhận xét: Phần tử NAND cho kết đầu “0” tất biến đầu vào có giá trị “1” Câu 49 : kn , viết hàm giải tích , vẽ kí hiệu lập bảng trạng thái nx cho phần tử logic thông dụng : khác dấu tương đương ( đồng dấu ) Phần tử khác dấu (Cộng Modun 2) a Định nghĩa Phần tử khác dấu phần tử so sánh khác (không nhau) biến nhị phân (biến logic) đầu vào, bao gồm biến đầu vào hàm đầu thực hàm logic phép cộng modun không nhớ: F = x1 x + x1 x = x1 ⊕ x x1 x2 F x1 x2 F b Ký hiệu c Bảng trạng thái giản đồ thời gian minh hoạ Nhận xét: Phần tử tương đương cho kết hàm đầu “1” tất hai biến đầu vào có giá trị khác Phần tử tương đương (Đồng dấu) a Định nghĩa Phần tử tương đương phần tử so sánh tương đương (bằng nhau) biến nhị phân (biến logic) đầu vào, bao gồm biến đầu vào hàm đầu thực hàm logic: F = x1 x + x1 x x1 x2 F x1 x2 F b Ký hiệu x1 x2 F t t t 0 0 0 0 1 1 1 0 1 c Bảng trạng thái giản đồ thời gian minh hoạ x1 x2 F 0 1 0 1 Nhận xét: Phần tử tương đương cho kết hàm đầu “ “1” tất hai biến đầu vào có giá trị Câu 50 : Dn , viết hàm giải tích , lập bảng trạng thái vẽ kí hiệu p tử bán tổng a Định nghĩa Phần tử bán tổng phần tử thực phép cộng modul biến logic đầu vào, có đưa nhớ nhịp sau mà nhớ từ nhịp trước đưa tới Phần tử bán tổng bao gồm biến đầu vào hàm đầu hàm tổng [S] hàm nhớ [P], thực hệ hàm: S = x1 ⊕ x  P = x1 x b Bảng trạng thái mạch thực hệ hàm x1 x2 S P 0 0 1 1 1 x1 x2 S P [...]... đổi điện áp xoay chiều từ lưới điện công nghiệp về giá trị thích hợp với điện áp của nguồn một chiều cung cấp cho các mạch điện tử Mặt khác, nó còn có nhiệm vụ cách ly điện đảm bảo an toàn cho người sử dụng - Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ biến đổi điện áp xoay chiều sau biến áp về điện áp một chiều cần thiết cho các mạch điện tử - Mạch lọc san bằng có nhiệm vụ san bằng điện áp sau chỉnh lưu - Để điện. .. Ura Câu 31 : vẽ mạch và chứng minh ứng dụng của vi mạch KD TT làm bộ KD đảo Mạch điện: Bao gồm: + Điện áp vào đưa tới lối vào đảo pha thông qua điện trở R 1 + Điện áp cửa vào đồng pha bằng ‘0’ (nối mát) + Điện áp hồi tiếp âm được lấy thông qua điện trở Rht Do đặc điểm của vi mạch KĐTT (có U d = UN – UP = 0) và cấu trúc của mạch điện nên chúng ta có: điện áp đặt trên điện trở R1 là điện áp vào; điện áp... trên điện trở Rht là điện áp ra, do đó: - Dòng điện chảy qua R1 được xác định: IR1 = U vào R1 và: − - Dòng điện chảy qua Rht được xác định: IRht = áp vào) U ra R ht (dấu âm thể hiện điện áp ra ngược pha với điện Do đặc điểm của KĐTT là IV = 0 cho nên ta có IR1 = IRht; do đó ta có: U vào R1 − = U ra R ht từ đó rút ra hệ số khuếch đại điện áp của bộ khuếch đại đảo là: KU = U ra R = - ht U vào R1 (dấu... dòng điện nhỏ (IB) điều khiển dòng điện lớn (IC) và đây chính là nguyên tắc làm việc của transistor Câu 11 : Vẽ và giải thích họ đặc tuyến ra của Transistor BJT (loại NPN) Họ đặc tuyến ra: biểu diễn mối quan hệ phụ thuộc giữa dòng điện ra I C với điện áp ra UCE khi điện áp hay dòng điện lối vào U BE/IB không thay đổi: IC = f(UCE)\IB = const Đặc tuyến ra của transisor mắc EC được mô tả trên hình 2 .13 c... điện áp ra trên tải tăng lên (U ra =UT = UE1↑) tức UB2↑, trong khi đó do có mạch ổn áp tham số làm cho U E2 không đổi Điều này dẫn đến U BE2 = UB2 – UE2 tăng lên, transistor T2 dẫn dòng nhều hơn (I c2↑) làm giảm UB1↓ = Uvào – IC2.R1↑ Từ đó ta có theo giả thiết sẽ làm giảm mạnh điện áp UBE của T1 (UBE1↓↓ = UB1 ↓– UE1↑) dẫn đến nội trở của T1 tăng lên kéo cho điện áp ra giảm về giá trị ổn định Câu 41. .. nên điện áp ra trên tải có thế (+) ở điểm a trên của R T - Sang nửa chu kì âm của điện áp xoay chiều lối vào (U AB < 0), điốt D bị phân cực ngược nên không có dòng điện chảy qua điện trở tải nên không có điện áp lối ra trên R T Như vậy, dòng điện đi qua điện trở tải R T chỉ trong một nửa chu kì của điện áp vào có chiều từ a -> b (U ab >0) và điện áp ra có dạng như đồ thị thời gian trong hình 3 .12 nói... giá trị này được gọi là điện áp cắt UGSc p1 n1 p2 n2 J1 J2 J3 A K G Câu 19 : Trình bày cấu tạo , kí hiệu , và vẽ sơ đồ tương đương của Thyristor Thyristor có cấu tạo bao gồm 4 lớp bán dẫn tạp khác loại ghép xen kẽ nhau là p 1; n1; p2 và n2 như hình vẽ: - Lớp p1 được gắn một điện cực gọi là cực An t – A - Lớp p2 được gắn một điện cực gọi là cực cổng – G - Lớp n2 được gắn một điện cực gọi là cực Katốt... cho giá trị điện áp giữa chúng (UBE) thay đổi xung quanh giá trị điện áp phân cực U BE0, điều này có nghĩa là dòng điện vào IB cũng thay đổi xung quanh giá trị IB0 dẫn đến dòng điện và điện áp lối ra cũng thay đổi xung quanh giá trị phân cực của điểm công tác tĩnh là I C0 và UCE0 Do dòng điện ra có giá trị lớn cho nên khi mắc một điện trở nối tiếp với dòng điện này chúng ta có biên độ điện áp tín hiệu... sẽ làm cho T 1 thông, điện áp trên tụ C sẽ đặt lên B và E của T 2 làm cho tiếp giáp BE của T 2 phân cực ngược dẫn đến T 2 khoá, điện áp ra đạt giá trị cao (U ra = UraH) Vòng phản hồi dương thông qua R 1 sẽ duy trì trạng thái này của mạch điện Trong thời gian này tụ điện C phóng điện qua các điện trở RC1 và RB đến khi hết điện tích lại được nạp theo chiều ngược lại thông qua R B làm cho điện áp UB2 tăng... 0 0 Qn Q 1 0 1 0 1 1 0 1 x 1 0 x n Trạng thái cấm được thể hiện khi cả 2 đầu vào đều có xung kích thích R = 1 và S = 1, nói cách khác, điều kiện làm việc của Triger RS là R.S = 0 trong đó • • n + 1 là nhịp trạng thái hiện tại và n là nhịp trạng thái trước đó Câu 42 : Giải thích tóm tắt nglýhđ của mạch một trạng thái ko ổn địh dung transistor như sau Mạch dao động đa hài đợi và đồ thị thời gian được