Đang tải... (xem toàn văn)
DO AN TOT NGHIEP DAI HOC
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN VẬT LÝ KỸ THUẬT ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA MÀNG MỎNG CdS CẤU TRÚC NANO LẮNG ĐỌNG BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHUN NHIỆT PHÂN Giáo viên hướng dẫn: TS. ĐỖ PHÚC HẢI Sinh viên thực hiện: NGUYỄN ĐÌNH QUYẾT Lớp: Vật lý và Kỹ thuật Ánh sáng – K48 Hà Nội, Tháng 5 năm 2008 Lời cảm ơn Trong suốt quá trình học tập tại Viện Vật lý kỹ thuật, trường Đại Học Bách Khoa Hà Nội, em đã nhận được những kiến thức quý báu và cần thiết từ các thầy, các cô và cán bộ của Trường. Điều đó giúp em rất nhiều trong quá trình thực hiện Đồ án tốt nghiệp này. Em xin được bầy tỏ lòng biết ơn trước tinh thần giảng dậy hết sức tận tâm và có trách nhiệm của các thầy cô giáo. Em xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới TS. Đỗ Phúc Hải là thầy giáo hướng dẫn trực tiếp, có những ý kiến mang tính định hướng cho em về việc nghiên cứu khoa học trong quá trình làm Đồ án tốt nghiệp cũng như trong sự nghiệp công tác sau này của bản thân. Qua đây em cũng chân thành cảm ơn toàn thể các cán bộ, giảng viên Phòng Thí nghiệm Phân tích và Đo lường Vật lý, Viện Vật lý kỹ thuật, Trường Đại học Bách Khoa đã tận tình giúp đỡ em trong suốt thời gian thực tập và làm đồ án tốt nghiệp tại đây. Cuối cùng, em xin cảm ơn gia đình, bàn bè, những người đã luôn động viên giúp đỡ em cả về mặt vật chất và tinh thần để em hoàn thành đồ án tốt nghiệp này. Hà nội, ngày 20 tháng 5 năm 2008 Sinh viên Nguyễn Đình Quyết MỤC LỤC MỞ ĐẦU 1 Chương I .TỔNG QUAN 3 I. Giới thiệu về vật liệu CdS .3 II. Công nghệ chế tạo màng mỏng CdS .4 III. Tính chất về cấu trúc của màng mỏng CdS 5 IV. Tính chất điện của màng CdS 8 V. Tính chất quang của màng mỏng CdS 10 Chương II: THỰC NGHIỆM .13 I. Chế tạo màng mỏng CdS bằng phương pháp phun nhiệt phân 13 I.1. Hoá chất 13 I.2. Xử lý đế .13 I.3. Phương pháp phun nhiệt phân .14 II.Các phương pháp nghiên cứu màng .19 II.1. Phương pháp phổ nhiễu xạ tia X (XRD) .19 II.2. Phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) 21 II.3.Phương pháp phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS) 24 II.4. Phương pháp đo phổ truyền qua (UV-VIS) .25 Chương III: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27 I. Phân tích phổ nhiễu xạ tia .27 III.Phổ tán sắc năng lượng (EDS) của màng CdS .40 IV.Phổ hấp thụ và truyền qua .40 IV.1.Phổ hấp thụ của màng mỏng CdS 41 IV.2.Phổ truyền qua của màng mỏng CdS .43 KẾT LUẬN 46 TÀI LIỆU THAM KHẢO .48 Danh mục các hình Hinh I.1: Cấu trúc tinh thể CdS .5 Hình II.1: Phổ truyền qua của nền đế thủy tinh .14 Hình II.2: Sơ đồ mô tả hệ phun phủ nhiệt phân 15 Hình II.3: Nhiễu xạ tia X bởi hai mặt phẳng nguyên tử .19 Hình II.4: Các tín hiệu và sóng điện từ phát ra từ mẫu đo 22 Hình II.5: Sơ đồ kính hiển vi điện tử quét(a) . Đường đi của tia điện tử trong SEM(b) 23 Hình II.6: Sơ đồ phương pháp đo phổ truyền qua 26 Hình III.1: Phổ XRD của màng CdS lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau Ts= 250 oC, 300 oC, 350 oC, 400 oC; thời gian phun ts=5 phút .29 Hình III.2: Phổ XRD của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ Ts= 350 oC ; thời gian phun ts=5 phút .30 Hình III.3: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=250 oC, thời gian phun ts=5 phút .33 Hình III.4: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=300 oC, thời gian phun ts=5 phút .33 Hình III.5: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts=5 phút .34 Hình III.6(a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=400oC, thời gian phun ts=5 phút .34 Hình III.6(b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=400oC, thời gian phun ts=5 phút .35 Hình III.7(a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts=1 phút .35 Hình III.7(b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts=1 phút .36 Hình III.8: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts=2 phút .36 Hình III.9: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 3 phút .37 Hình III.10: Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 5 phút .37 Hình III.11 (a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 7 phút 38 Hình III.11 (b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 7 phút 38 Hình III.12 (a): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 10 phút 39 Hình III.12 (b): Ảnh SEM của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 10 phút .39 Hình III.13: Ảnh phổ EDS của màng CdS lắng đọng ở nhiệt độ đế Ts=350 oC, thời gian phun ts= 5 phút 40 Hình III.14: Phổ hấp thụ của đế .41 Hình III.15: Phổ hấp thụ của màng CdS lắng đọng tại nhiệt độ đế khác nhau Ts= 250 oC, 300 oC, 350 oC, 400 oC; thời gian phun ts = 5 phút .41 Hình III.17: Phổ truyền qua của đế thủy tinh .43 Hình III.18: Phổ truyền qua của màng CdS lắng đọng tại các nhiệt độ đế Ts= 250 oC, 300 oC, 350 oC, 400 oC;thời gian phun ts=3 phút .44 Hình III.19: Phổ truyền qua của màng CdS lắng đọng tại nhiệt độ đế Ts= 350 oC với các khoảng thời gian phun khác nhau ts=1, 2, 3, 5, 7, 10 phút .45 Danh mục các bảng Bảng I.1: Tính chất cơ bản của cadmium sulfide [1, 9, 10 ] 4 Bảng II.1: Lĩnh vực ứng dụng của tín hiệu 22 Bảng III.1: Danh sách đỉnh nhiễu xạ của tinh thể CdS cấu trúc Hexagonal .30 Bảng III.2: Kích thước hạt tinh thể tính thể lắng đọng tại các nhiệt độ đế 250 oC, 300 oC, 350 oC, 400 oC (tính theo công thức Scherrer-công thức II.10) 31 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân MỞ ĐẦU Ngày nay, xã hội loài người đang đứng trước thảm họa biến đổi khí hậu theo chiều hướng có hại do việc gia tăng không ngừng lượng khí thải nhà kính và sự cạn kiệt dần các nguồn năng lượng hóa thạch truyền thống như than đá, dầu mỏ và khí đốt. Đây là những hệ quả tất yếu của việc bùng nổ dân số và sự pháp triển ồ ạt của các nền công nghiệp. Hơn bao giờ hết việc tìm cách đưa vào sử dụng các nguồn năng lượng sạch dồi dào, sẵn có như năng lượng mặt trời, gió, sóng, đã trở thành vấn đề cấp thiết và nghiêm túc. Từ lâu các nhà khoa học đã tập trung nghiên cứu và tìm ra hàng loạt các màng mỏng bán dẫn thích hợp cho việc sử dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời, như CdS, CdTe, CdSe…Trong các chất bán dẫn thuộc nhóm II-VI đó, CdS là một vật liệu đầy hứa hẹn bởi nó là một chất bán dẫn loại n, có vùng cấm thẳng rộng, với giá trị E g = 2.42 eV tại 300K, có thể dùng như lớp cửa sổ trong cấu trúc đa lớp kết hợp với các chất bán dẫn có khe năng lượng hẹp như Cu 2 S, InP, CdTe, CuInSe 2 … Một ví dụ cụ thể là, khi dùng lớp CdS có độ dày 50nm là cửa sổ trong cấu trúc CdS/CuInSe 2 người ta đã có thể chế tạo được các pin năng lượng mặt trời đạt hiệu suất lên tới 30% theo tính toán lý thuyết và 16% trên thực tế. Màng mỏng CdS đã được nghiên cứu chế tạo bằng nhiều phương pháp khác nhau như phương pháp bốc bay trong chân không, lắng đọng hóa học (CBD), epitaxi chùm phân tử (MBE), phun nhiệt phân,… Các tài liệu đã công bố cho thấy rằng màng mỏng CdS có các tính chất quang và điện khác nhau phụ thuộc vào phương pháp và điều kiện công nghệ chế tạo. Bên cạnh việc cải thiện nâng cao tính chất quang và điện bằng cách pha tạp, ngày nay, các nhà khoa học cũng đang cố gắng nghiên cứu chế tạo các màng mỏng CdS có cấu trúc nano bởi v ề mặt lý thuyết, khi kích thước hạt giảm xuống cỡ nanomet, các tính chất điện và quang được cải thiện, bên cạnh sự xuất hiện Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 1 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân của một số hiệu ứng mới, ví dụ như độ rộng năng lượng vùng cấm (Eg) được mở rộng ra khi kích thước hạt giảm dần tới cỡ nm và khi giảm tới cỡ bán kính Bohr exciton của chất bán dẫn khối thì dẫn tới việc dịch chuyển đỉnh phổ hấp thụ về phía bước sóng xanh (blue shift) do hiệu ứng nhốt lượng tử. Bắt kịp với xu thế chung, Phòng thí nghiệm Phân tích và Đo lường Vật lý, Viện Vật lý kỹ thuật, Đại học Bách khoa Hà nội đã triển khai nghiên cứu chế tạo màng mỏng CdS và CuInSe 2 có cấu trúc nano nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời hiệu suất cao. Trong khoảng thời gian 3 tháng, nội dung công việc của bản đồ án tốt nghiệp này là bước đầu nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân. Bản đồ án gồm 3 chương: Chương I: Tổng quan Giới thiệu về vật liệu CdS, các công nghệ chế tạo màng mỏng CdS, cấu trúc, tính chất điện và quang của màng mỏng CdS. Chương II: Thực nghiệm Chương này trình bày chi tiết quá trình chế tạo mẫu bằng phương pháp phun nhiệt phân và nguyên lý của các phương pháp nghiên cứu màng như phương pháp phổ nhiễu xạ tia X (XRD), hiển vi điện tử quét (SEM), phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS) và phổ truyền qua. Chương III: Kết quả và thảo luận Chương này trình bày chi tiết các kết quả thí nghiệm đã thu được, phân tích và thảo luận các kết quả đó. Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 2 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Chương I .TỔNG QUAN I. Giới thiệu về vật liệu CdS Bán dẫn hợp chất II-VI được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực đặc biệt là lĩnh vực chế tạo tế bào năng lượng mặt trời, vật liệu quang dẫn, đầu dò quang, tế bào quang hóa, màng transistor và thiết bị quang. Bán dẫn II-VI gồm thành phần được tạo thành từ nguyên tố nhóm II và nguyên tố nhóm IV trong bảng hệ thống tuần hoàn. Nhiều nghiên cứu đã khám phá ra nhiều hợp chất tự nhiên của nhóm II-VI và đặc biệt là hợp chất hóa học có bề rộng vùng cấm rộng ở nhiệt độ phòng [1]. Bán dẫn hợp chất II-VI, cụ thể là CdS, CdTe, CdSe …, từ lâu đã được quan tâm nghiên cứu để chế tạo các vật liệu quang dẫn trong vùng ánh sáng nhìn thấy. Trong đó, CdS là một trong các vật liệu quang dẫn tốt nhất [2, 3]. Màng mỏng cadmium sulphide (CdS) ở trạng thái rắn được ứng dụng rộng rãi trong các thiết bị như quang dẫn, chụp ảnh tĩnh điện, thiết bị phát quang, bộ áp điện, vật liệu laser, đầu dò quang, bộ chuyển đổi siêu âm, bộ biến đổi năng lượng quang điện, màng mỏng truyền qua quang điện và các thiết bị quang điện khác. Ngày nay, chúng ta nghiên cứu CdS như là vật liệu thích hợp nhất làm lớp cửa sổ cho tế bào năng lượng mặt trời trên nền vật liệu CdTe và CuIn(Ga)Se 2 [5, 6]. Nhiều nhà nghiên cứu đã tập trung công việc của họ vào việc nâng cao tính chất quang và tính chất điện của CdS tinh khiết và CdS có pha các tạp chất nhằm chế tạo tế bào năng lượng mặt trời có hiệu suất cao [7]. Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 3 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Bảng I.1: Tính chất cơ bản của cadmium sulfide [1, 9, 10 ]. Công thức (cách viết thông thường) CdS Cách viết khác cadmium orange Công thức Cd 1 S 1 Khối lượng phân tủ 144,477g Mầu sắc Vàng hoặc cam Hình dạng Tinh thể rắn Nhiệt độ nóng chảy 1750 o C Mật độ 4,830 g.cm -3 Nhiệt độ sôi Thăng hoa trong N 2 Khối lượng riêng 4,830 Cấu hình electotron Nguyên tố % Hóa trị Cấu hình Cd 77.8 1 2 [Kr].4d 10 S 22.19 -2 [Ne].3s 2 .3p 6 Khả năng tan trong nước Không tan II. Công nghệ chế tạo màng mỏng CdS CdS là một trong những chất bán dẫn được nghiên cứu tỉ mỉ và rộng rãi nhất trong các màng mỏng bán dẫn. Các phương pháp lắng đọng màng CdS sử dụng cho chế tạo lớp cửa sổ trong tế bào năng lượng mặt trời rất đa dạng [11]. Những công nghệ này gồm có: bốc bay trong chân không [12, 13], phun nhiệt phân, phún xạ, epitaxi chùm phân tử (MBE), epitaxi pha hơi kim loại Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 4 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân hữu cơ (MOVPE) [13], lắng đọng pha hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD), lắng đọng pha hơi vật lý (PVD), lắng đọng bể hóa học (CBD) [13,14], anot hóa, ăn mòn bằng laser…. Cần chú ý rằng mỗi phương pháp có những ưu cũng như khuyết điểm khác nhau. Ví dụ, ở phương pháp bốc bay trong chân không rất khó để thu được tỉ lệ về khối lượng như mong muốn và ở phương pháp phun nhiệt phân thì đòi hỏi nhiêt độ tạo màng phải cao. III. Tính chất về cấu trúc của màng mỏng CdS Chất lượng bề mặt của màng CdS phụ thuộc vào phương pháp chế tạo màng, quan trọng là màng không bị hạn chế về kích thước, không bị giới hạn về bề rộng của màng và có khả năng đạt được bề dầy nhỏ nhất để cho sự tổn thất năng lượng quang là thấp nhất [8]. Nhiều nghiên cứu khác nhau đã chỉ ra rằng CdS tồn tại ở cả hai dạng cấu trúc sáu phương xếp chặt và lập phương, như trong hình I.1. Sự hình thành pha cấu trúc sáu phương xếp chặt hay lập phương hoặc là có cả hai cấu trúc lẫn vào nhau phụ thuộc vào nhiều yếu tố của công nghệ lắng đọng. Tinh thể có cấu trúc sáu phương xếp chặt bền chắc ở nhiệt độ phòng [11, 15, 16]. Hinh I.1: Cấu trúc tinh thể CdS Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 5 [...]... trống trong màng CdS lắng đọng bằng phương pháp phun đo được 0.2 tới 0.4 µm [11] Trong màng CdS chế tạo bằng phương pháp phun sự hấp thụ O2 tại biên hạt làm giảm nồng hạt tải và độ linh động Độ linh động của màng CdS chế tạo bằng phương pháp phun tăng lên khi chiều dầy của màng tăng lên [11] 9 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng... kỹ thuật này để chế tạo màng Cadmium Sulphide (CdS) cho pin mặt trời, rất nhiều nghiên cứu về kỹ thuật phun nhiệt phân để lắng đọng màng mỏng đã được thực hiện [33] 14 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Phương pháp phun nhiệt phân là phương pháp sử dụng dòng khí để mang dung dịch tạo màng đến bề... hợp chất adamantine của đồng như Cu2ZnSnS4/Se4, Cu2CdSnS4/Se4, CuGaSnS4/Se4, Cu2InSnS4/Se4, CuIn5S4/Se4 Hình II.2 là sơ đồ hệ phun nhiệt phân Hình II.2: Sơ đồ mô tả hệ phun phủ nhiệt phân Trong hệ phun nhiệt phân, đầu phun là bộ phận quan trọng nhất Yêu cầu đối với đầu phun là dung dịch khi được phun phải tạo được một không gian 15 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất. .. pha tạp lên nhiệt độ 8 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân lắng đọng Màng CdS chế tạo bằng phương pháp bốc hơi thì không nhạy quang Pha tạp đồng làm tăng điện trở suất của màng lên vài bậc [11] Màng CdS chế tạo bằng phương pháp bay hơi ứng dụng vào tế bào năng lượng mặt trời thường có nồng độ... Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Chương II: THỰC NGHIỆM I Chế tạo màng mỏng CdS bằng phương pháp phun nhiệt phân I.1 Hoá chất Trong công trình này, Cadmium chloride (CdCl 2.2.5H20) được sử dụng là nguồn ion Cadmium và Thiourea ((NH 2)2CS) được sử dụng là nguồn ion Sulfua Trong quá trình phun, màng CdS được... nhiệt độ phun với cùng thời gian là ta =30 phút để khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ đế trong quá trình lắng đọng tới các tính chất của màng 2) Cùng một nồng độ dung dịch, cùng một nhiệt độ lắng đọng T s = 350 o C các màng khác nhau với thời gian lắng đọng khác nhau từ 1 đến 10 phút đã được chế tạo 18 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng... CdS thay đổi bởi quá trình ủ đã được phát hiện trong nhiều tài liệu Một vài tác giả đã miêu tả sự thay đổi cấu trúc khác của CdS sảy ra tại nhiệt độ khoảng 300 oC Trái lại, một thí nghiệm khác có số liệu chỉ ra rằng cấu trúc của màng CdS ổn định khi nhiệt độ 400 oC ở trong không khí, thậm chí là tính chất quang, khe năng lượng và mầu của 7 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính. .. mỏng CdS Tính chất quang của màng được xác định bởi cấu trúc siêu tế vi của màng, bởi các điều kiện lắng đọng Màng mỏng CdS có tính truyền qua ánh sáng trong vùng nhìn thấy cao và tính phản xạ tốt ánh sáng ở vùng gần hồng ngoại Báo cáo cũng chỉ ra rằng biên hấp thụ quang học của màng CdS làm 10 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng... màng CdS nhận được từ công nghệ lắng đọng bể hóa học có cấu trúc sáu phương xếp chặt với các 6 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân hằng số mạng a = 0.4015 nm, c = 0.6545 nm và họ không quan sát được bất kì pha cấu trúc khác hoặc là pha hỗn hợp nào Rami cùng các cộng sự [14] đã chế tạo màng CdS. .. ứng của các chất trong dung dịch pha ban đầu xảy ra Đối với hệ phun sử dụng trong đồ án này, đế có khả năng nâng nhiệt độ lên khoảng 600 oC và tốc độ gia nhiệt được điều khiển bằng hệ điều khiển nhiệt độ và nhiệt độ của đế được giữ ổn định trong suốt quá trình 16 Nguyễn Đình Quyết – KTAS K48 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt . KTAS K48 8 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân lắng đọng. Màng CdS chế tạo. Quyết – KTAS K48 1 Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của màng mỏng CdS cấu trúc nano lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân của một số hiệu ứng![Bảng I.1: Tớnh chất cơ bản của cadmium sulfide [1, 9, 10]. - NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ MỘT SỐ TÍNH CHẤT cua mang mong CdS bang pp phun nhiet phan- do an K48](https://media.store123doc.com/figures/002/839/bang-i-tonh-chat-cadmium-sulfide-2839575.png)
