Chất bán dẫn điện hay nội bẩm Chất bán dẫn điện hay nội bẩm Bởi: Trương Văn Tám 1/2 Chất bán dẫn điện hay nội bẩm Khi lượng lớn lượng dải cấm (0,7eV Ge 1,12eV Si), điện tử vượt dải cấm vào dải dẫn điện chừa lại lỗ trống (trạng thái lượng trống) dải hóa trị) Ta nhận thấy số điện tử dải dẫn điện số lỗ trống dải hóa trị Nếu ta gọi n mật độ điện tử có lượng dải dẫn điện p mật độ lỗ trống có lượng dải hóa trị Ta có:n=p=ni Người ta chứng minh rằng: ni2 = A0.T3 exp(-EG/KT) Trong đó: A0 : Số Avogadro=6,203.1023 T : Nhiệt độ tuyệt đối (Độ Kelvin) K : Hằng số Bolzman=8,62.10-5 eV/0K EG : Chiều cao dải cấm Ta gọi chất bán dẫn có tính chất n=p chất bán dẫn nội bẩm hay chất bán dẫn Thông thường người ta gặp nhiều khó khăn để chế tạo chất bán dẫn loại 2/2 ... eV/0K EG : Chiều cao dải cấm Ta gọi chất bán dẫn có tính chất n=p chất bán dẫn nội bẩm hay chất bán dẫn Thông thường người ta gặp nhiều khó khăn để chế tạo chất bán dẫn loại 2/2 .. .Chất bán dẫn điện hay nội bẩm Khi lượng lớn lượng dải cấm (0,7eV Ge 1,12eV Si), điện tử vượt dải cấm vào dải dẫn điện chừa lại lỗ trống (trạng thái lượng trống) dải hóa trị) Ta nhận thấy số điện. .. thái lượng trống) dải hóa trị) Ta nhận thấy số điện tử dải dẫn điện số lỗ trống dải hóa trị Nếu ta gọi n mật độ điện tử có lượng dải dẫn điện p mật độ lỗ trống có lượng dải hóa trị Ta có:n=p=ni