Cơ chế dẫn điện chất bán dẫn Cơ chế dẫn điện chất bán dẫn Bởi: Trương Văn Tám Dưới tác dụng điện trường, điện tử lỗ trống di chuyển với vận tốc trung bình vn=μn.E vp=μp.E Số điện tử lỗ trống di chuyển thay đổi theo thời điểm, thời điểm có số điện tử lỗ trống sinh tác dụng nhiệt Số điện tử sinh đơn vị thời gian gọi tốc độ sinh tạo g Những điện tử có đời sống trung bình τn di chuyển điện tử gặp lỗ trống có lượng tái hợp với lỗ trống Nếu gọi n mật độ điện tử, đơn vị thời gian số điện tử bị tái hợp n/τn Ngoài ra, chất bán dẫn, phân bố mật độ điện tử lỗ trống không đều, Dòng điện khuếch tán điện tử qua A là: Dn gọi số khuếch tán điện tử Suy mật độ dòng điện khuếch tán điện tử là: 1/2 Cơ chế dẫn điện chất bán dẫn Tương tự, giây có lỗ trống bị đi, với p mật độ lỗ trống τp là đời sống trung bình lỗ trống Dòng điện khuếch tán lỗ trống mẫu bán dẫn là: Và mật độ dòng điện khuếch tán lỗ trống là: Người ta chứng minh rằng: Với: K số Boltzman = 1,382.10-23J/0K T nhiệt độ tuyệt đối Hệ thức gọi hệ thức Einstein Ở nhiệt độ bình thường (3000K): VT=0,026V=26mV 2/2 .. .Cơ chế dẫn điện chất bán dẫn Tương tự, giây có lỗ trống bị đi, với p mật độ lỗ trống τp là đời sống trung bình lỗ trống Dòng điện khuếch tán lỗ trống mẫu bán dẫn là: Và mật độ dòng điện