Các dải nano graphene giúp nhớ máy tính trở nên mạnh nhanh Như biết, tính chất quan chip nhớ dung lượng, đặc trưng cho lượng thông tin mà tích trữ Để máy tính ngày “mạnh” hơn, số lượng chíp nhớ đơn vị diện tích nhớ (còn gọi mật độ lưu trữ nhớ) phải tăng Theo định luật Moore, đại lượng tăng theo hàm mũ! Và nghiệm 20 năm qua Mật độ lưu trữ phụ thuộc vào kích thước đơn vị tế bào nhớ dùng để lưu trữ bit thông tin, Do đó, tính đắn định luật Moore phụ thuộc vào tốc độ thu nhỏ kích cỡ đơn vị tế bào nhớ nhà khoa học graphene, màng cacbon với bề dày cỡ nguyên tử, vật liệu hứa hẹn, cho phép tạo nên thiết bị nhỏ 10nm giới hạn mà linh kiện dùng sillcon không vượt qua Các dải nano graphene giúp nhớ máy tính trở nên mạnh nhanh (Ảnh PhysicsWord) Đạt ngưỡng 10nm Roman Sordan Politecnico đồng nghiệp trường cao đẳng Stuttgart Lausanne đạt đến kích cỡ 10nm cách chế tạo tế bào nhớ dựa dải nano graphene, dạng graphene có bề diện nhỏ “Hơn nữa, tiết diện tế bào nhớ nhỏ đến cho phép đẩy mật độ lưu trữ lên lớn”, Sordan nói “Như vậy, mong đợi chip nhớ làm từ dải nano grapgene cho phép định luật Moore tiếp tục dự đoán tương lai” Các nhà nghiên cứu tạo dải nano graphene cách làm kết tủa sợi V2O5 lên bề mặt graphene làm mòn mẫu cách sử dụng chùm ion argon Chùm ion argon dở bỏ thành phần graphen không bảo vệ sợi nano Tách sợi nano đi, ta thu dải nano graphene Các dải nano hẹp Thuận lợi phương pháp bào mòn bề mặt với sợi nano kỉ thuật tạo dải nano hẹp với bề rộng chưa tới 20nm Các dải có mép nhẵn so với tiêu chuẩn in litô (lithography) Trong khi, mép xần xùi thường ảnh hưởng tiêu cực đến đặc tính thiết bị Một ưu điểm khác việc dùng sợi V2O5 chúng dể dàng gở bỏ khỏi mẫu cách dội rửa mẫu nước thường Khá đơn giản thân thiện với môi trường Các nhà nghiên cứu nhận thấy đảo cực xung điện cổng vào thiết bị, trạng thái đóng (bit 1) mở (bit 0) hoán đổi cho Bên cạnh, thiết bị có ứng dụng có khả “ghi nhớ” trạng thái ta tắt thiết bị mở lại nhanh sau “Hiệu ứng ghi nhớ trạng thái xuất phát từ điện tích xung quanh dải nano, chúng bẫy phân tử nước bám bề mặt SiO2 thiết bị tạo thành,” Sordan giải thích Nhỏ nhanh Thiết bị có thời gian chuyển (là thời gian cần thiết để chuyển đổi trạng thái nhớ, ví dụ từ bit sang bit 1) nhỏ khoảng 1000 lần so với thiết bị nhớ trước làm graphene ống nano cacbon Thời gian chuyển có liên hệ trực tiếp đến tần số cao mà thiết bị thực Đồng nghĩa với việc thời gian chuyển nhỏ, tốc độ ghi nhớ tăng Trong khi, thiết bị nhớ cần thiết phải nhỏ mà phải nhanh “Các tế bào nhớ tỏ mạnh mẽ linh hoạt Chúng dùng nhớ truy xuất ngẫu nhiên (RAM) tế bào nhớ ổn định nhạy ứng dụng cần mật độ lưu trữ lớn  ... Tách sợi nano đi, ta thu dải nano graphene Các dải nano hẹp Thuận lợi phương pháp bào mòn bề mặt với sợi nano kỉ thuật tạo dải nano hẹp với bề rộng chưa tới 20nm Các dải có mép nhẵn so với tiêu... dải nano graphene cách làm kết tủa sợi V2O5 lên bề mặt graphene làm mòn mẫu cách sử dụng chùm ion argon Chùm ion argon dở bỏ thành phần graphen không bảo vệ sợi nano Tách sợi nano đi, ta thu dải. .. độ ghi nhớ tăng Trong khi, thiết bị nhớ cần thiết phải nhỏ mà phải nhanh Các tế bào nhớ tỏ mạnh mẽ linh hoạt Chúng dùng nhớ truy xuất ngẫu nhiên (RAM) tế bào nhớ ổn định nhạy ứng dụng cần mật