Đang tải... (xem toàn văn)
Ta thấy dòng I(d) thay đổi tuyến tính từ khoảng 0v đến 1,5v rùi bắt đầu đến giai đoạn bảo hòa ở mức 3,3mAVDS từ 0 đến 1,5V thì dòng I(d) là tuyến tinhVDS từ 1,5 đến 5V thì dòng I(d) là bảo hòa, dòng I(d) là 3,3mATại thời điểm bảo bắt đầu bao hòa( 1,5V) dòng I(d) bắt đầu đạt ngưỡng nên sau 1 khoảng thời gian thì dòng này vẫn ko thể thay dổi cao hơn nữa bất chấp VDS có tăng lên nữa.Tính điện trở (ước lượng) tại mỗi vùngTrở tại vùng tuyến tính: R=∆U∆I=1,5V2,9mA=517 ΩTrở tại vùng bảo hòa: R=∆U∆I=((51,5)V)3,3mA=1,06KΩThay đổi chiều rộngchiều dài kênh dẫnChiều trộng (W)Chiều dài (L)Dòng bão hòa IDS(µA)Dòng OFF(pA)Điện trở vùng tuyến tính (kΩ)WL3001052WL60010,12,210WL330011,50,518W2L1701010W10L4410.01502W2L48010,0444,68Thay đổi nhiệt độ T=100oCChiều trộng (W)Chiều dài (L)Dòng bão hòa IDS(µA)Dòng OFF(pA)Điện trở vùng tuyến tính (KΩ)WL2701096,81810WL30001920,625W2L0,1510014,81W10L3698,662,52W2L3301046,6
BÀI TẬP MÔ PHỎNG NMOS,PMOS TRÊN PHẦN MỀM LT SPICE IV Huỳnh Trí Mẫn MSSV:12141133 Mục tiêu tập mô đặc tuyến ID-VD NMOS, công nghệ 1um Phân tích điện áp VDS tại vùng tuyến tính bão hòa VGS=VDD Ta thấy dòng I(d) thay đổi tuyến tính từ khoảng 0v đến 1,5v rùi bắt đầu đến giai đoạn bảo hòa mức 3,3mA • VDS từ đến 1,5V thì dòng I(d) tuyến tinh • VDS từ 1,5 đến 5V thì dòng I(d) bảo hòa, dòng I(d) 3,3mA Tại thời điểm bảo bắt đầu bao hòa( 1,5V) dòng I(d) bắt đầu đạt ngưỡng nên sau khoảng thời gian thì dòng vẫn ko thể thay dổi cao nữa bất chấp V DS có tăng lên nữa Tính điện trở (ước lượng) tại vùng • Trở vùng tuyến tính: • Trở vùng bảo hòa: Thay đổi chiều rộng/chiều dài kênh dẫn Chiều trộng (W) Chiều dài (L) Dòng bão hòa IDS(µA) Dòng OFF(pA) Điện trở vùng tuyến tính (kΩ) W 2W 10W W W 2W L L L 2L 10L 2L 300 600 3300 170 44 480 10 10,1 11,5 10 10.01 10,044 2,2 0,518 10 50 4,68 Thay đổi nhiệt độ T=100oC Chiều trộng (W) W 10W W W 2W Chiều dài (L) L L 2L 10L 2L Dòng bão hòa IDS(µA) Dòng OFF(pA) 270 3000 0,15 36 330 109 192 100 98,6 104 Điện trở vùng tuyến tính (KΩ) 6,818 0,625 14,81 62,5 6,6 Mô với công nghệ 50nm, đo dòng bão hòa, dòng OFF, Điện trở vùng tuyến tính, điện trở vùng bão hòa Nhận xét khác giữa công nghệ 50nm 1u (làm nhóm, báo cáo cá nhân) Dòng I(d) bảo hòa • Dòng I(off) Trở vùng tuyến tính: • Trở vùng bảo hòa: Ta thấy được công nghệ 50nm thì giá trị trở cũng dòng id thấp=> điều se gây nhiều tác hại dưa dòng I(d) vào lớn So sánh đặc tính NMOS-PMOS, VSG=5V, VSD=5V Chiều Điện trở vùng Dòng bão hòa Dòng OFF Điện trở vùng trộng/chiều bão hòa IDS (pA) tuyến tính dài (kΩ) (mA) (kΩ) NMOS PMOS NMOS PMOS NMOS PMOS NMOS PMOS W/L=0.1 0,518 2,14 3,3 1,4 11,4 5,3 0,5 1,2 W/L=1 W/L=2 11,6 25 0,3 0.14 10 5,2 12,5 W/L=10 Áp dụng thiết kế cổng NOT, NAND, NOR để đảm bảo cân dòng ngõ • Cổng NAND • Cổng NOR • Cổng NOT Ảnh hưởng điện áp VSB tới điện áp ngưỡng chuyển mạch NMOS VSB 0.5 -0.5 -1 Vth Ioff Ảnh hưởng điện áp VSB tới điện áp ngưỡng chuyển mạch PMOS VBS (V) -2 -1 Vth Ioff ... 3000 0,15 36 330 109 192 100 98,6 104 Điện trở vùng tuyến tính (KΩ) 6,818 0,625 14,81 62,5 6,6 Mô với công nghệ 50nm, đo dòng bão hòa, dòng OFF, Điện trở vùng tuyến tính, điện trở vùng bão hòa