1 M c l c  2 1.1.  2 1.1.1 Định nghĩa về nghịch lưu 2 1.1.2 Phân loại 2 1.1.3 Các mức áp cổng ra tiêu chuẩn 2 1.1.4 Ứng dụng 2 1.2. B 3  MOSFET 4 2.1 GII THIU V MOSFET 4 2.2 PHN LOI V CU TO C BN CA VAN MOSFET 4 2.2.1 Phân loại 4 2.2.2 Cấu tạo cơ bản của MOSFET 6 2.3NGUYN TC LM VIC V C TNH NG CT CA VAN MOSFET 7 2.3.1 Nguyên tắc hoạt động 7 2.3.2 Đặc tính đóng cắt của MOSFET 9 2.4 CC THNG S THC T CA MOSFET. 11 : PHN TCH MCH NGHCH LU P MT PHA V IU CH IN P U RA VI B LC 14 3.1 NGHCH LU P CU M PHA 14 3.2 IU CHA VBL 15 : THIT K MCH NGHCH LU DNG MOSFET 16 4.1 MT S LINH KIN S DNG TRONG MCH 16 4.1.1 Ic ổn áp nguồn 78xx 16 4.1.2 CD4047 17 4.1.3 IR2103 18 4.1.4 MOSFET IRFz44 20 4.2 S  NGUYN L VKHI TRONG M 21 4.2.1 Khối nguồn 21 4.2.2 Khối tạo xung 22 4.3.2 IR2103 và cầu nghịch lưu MOSFET 23 4.2.4 Sơ đồ mạch tổng thể và đi dây mạch in 24 2   1.1 1.1.1  Nghịch lưu là việc biến đổi năng lượng điện từ nguồn điện một chiều thành năng lượng điện xoay chiều. Ở trong đồ án này chúng ta chỉ xét đến nghịch lưu độc lập là việc nghịch lưu từ các nguồn một chiều độc lập như ắc quy . 1.1.2  a. Theo tham số điều khiển ngõ ra :  Bộ nghịch lưu áp : điều khiển áp ra  Bộ nghịch lưu dòng: điều khiển dòng ra b. Theo tính chất nguồn :  Bộ nghịch lưu áp nguồn áp  Bộ nghịch lưu dòng nguồn dòng  Bộ nghịch lưu dòng nguồn áp  Bộ nghịch lưu áp nguồn dòng c. Theo quá trình chuyển mạch : Bộ nghịch lưu với:  QTCM cưỡng bức : linh kiện có khả năng kích đóng và ngắt (MOSFET, BJT, IGBT, GTO)  QTCM phụ thuộc : linh kiện chỉ kích đóng, quá trình ngắt phụ thuộc áp nguồn hoặc tải (Thyristor) 1.1.3 : 1 pha 120V / 60 Hz 220V/50Hz 115V/400 Hz 3 pha 120/208/60 Hz 220/380/50Hz 115/200/400 Hz 1.1.4   Bộ biến tần ( truyền động động cơ điện xoay chiều )  Lò cảm ứng trung tần , hàn trung tần 3  Nguồn xoay chiều trong gia đình , nguồn lưu điện (UPS), chiếu sáng (đèn huỳnh quang cao tần)  Bù nhuyễn công suất phản kháng  Truyền tải điện cao áp một chiều (HVDC) : Nguồn điện áp 1 chiều : có thể là acquy ( bình ) , pin điện hoặc từ nguồn điện áp xoay chiều được chỉnh lưu và lọc phẳng. Linh kiện bộ nghịch lưu : có khả năng kích đóng và kích ngắt nếu quá trình chuyển mạch là cưỡng bức, hoặc Thyristor nếu quá trình chuyển mạch là phụ thuộc :  Công suất nhỏ và vừa : sử dụng các khoá BJT , MOSFET, IGBT  Công suất lớn : IGBT, GTO, Thyristor + Bộ chuyển mạch (chuyển mạch cưỡng bức) hoặc Thyristor thường nếu quá trình chuyển mạch phụ thuộc.  Diode mắc đối song: Tạo thành mạch chỉnh lưu cầu không điều khiển có chiều dẫn ngược lại, cho phép trao đổi công suất ảo giữa tải xoay chiều với nguồn một chiều và hạn chế quá áp khi kích ngắt các công tắc (chức năng bảo vệ linh kiện). Điện áp ra có thể giữ không đổi hoặc thay đổi được ở tần số giữ cố định hoặc thay đổi được. Điện áp ra được điều khiển bởi việc điều chỉnh giá trị điện áp nguồn DC nếu giữ độ lợi (gain) bộ nghịch lưu không đổi. Nếu nguồn DC có trị số cố định không đổi thì điện áp ra thay đổi bằng cách thay đổi độ lợi của bộ nghịch lưu ( ví dụ bằng phương pháp điều biến độ rộng xung) . Độ lợi được định nghĩa là tỷ số giữa điện áp ra AC và điện áp vào DC. Điện áp ở ngõ ra của một bộ nghịch lưu lý tưởng phải có dạng sin. Tuy nhiên dạng sóng của các bộ nghịch lưu trên thực tế là không có dạng sin chuẩn (do linh kiện nghịch lưu là các khoá làm việc ở chế độ đóng cắt) và chứa các sóng hài bậc cao. Các sóng hài này có thể gây ra nhiễu dưới dạng lan truyền trong cáp dẫn hoặc dạng tia do bức xạ sóng điện từ, gây các ảnh hưởng không tốt đến tải, nguồn và mạng viễn thông. Vì vậy các biện pháp sử dụng để chống nhiễu là cần thiết : ví dụ các bộ lọc nguồn, thiết bị nghịch lưu được đặt trong tủ kim loại, sử dụng cáp bọc. Với sự ứng dụng các linh kiện điện tử công suất tần số đóng ngắt cao, thành phần hài bậc cao của áp ra có thể bị loại bỏ hoặc giảm bớt đáng kể bằng kỹ thuật đóng ngắt. Các thuật toán PWM tối ưu được đề xuất phần lớn đều xét đến khía cạnh sóng hài. 4  :  2.1  Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết, Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính . Hình 2.1 Transistor hiệu ứng trường Mosfet 2.2   Transistor trường MOS có hai loại: 1. transistor MOSFET có kênh sẵn 2. transistor MOSFET kênh cảm ứng. Trong mỗi loại MOSFET này lại có hai loại là kênh dẫn loại P và kênh loại N .  MOSFET kênh sẵn Transistor trường MOSFET kênh sẵn còn gọi là MOSFET-chế độ nghèo (Depletion-Mode MOSFET viết tắt là DE-MOSFET).Transistor trường loại MOS có kênh sẵn là loại transistor mà khi chế tạo người ta đã chế tạo sẵn kênh dẫn 5 Hình 2.2 : Cấu tạo và kí hiệu của DE-MOSFET  MOSFET kênh cảm ứng Transistor trường loại MOS kênh cảm ứng còn gọi là MOSFET chế độ giàu (Enhancement- Mode MOSFET viết tắt là E-MOSFET). Khi chế tạo MOSFET kênh cảm ứng người ta không chế tạo kênh dẫn. Do công nghệ chế tạo đơn giản nên MOSFET kênh cảm ứng được sản xuất và sử dụng nhiều hơn. Hình 2.3 : Cấu tạo và kí hiệu của E-MOSFET 6 2.2.2  Cấu tạo cơ bản và ký hiệu mạch của MOSFET kênh n được cho ở hình 2.4. Phần chính của một MOSFET có cấu trúc như hai bản cực của một tụ điện: một bản kim loại ở phía trên được nối với chân ra gọi là chân Cổng [Gate] G, bản cực phía dưới là phiến đế làm bằng vật liệu bán dẫn Si tạp dạng p, đôi khi đế được nối với cực nguồn ở bên trong MOS (MOS ba chân), nhưng phần lớn, cực đế được lấy ra bằng một chân thứ tư có tên là chân Đế [Bode] B, (có khi còn gọi là cực SS [Substrate]) để có thể cho phép điều khiển bởi mức điện thể của nó từ bên ngoài. Lớp điện môi của tụ chính là lớp cách điện rất mỏng di ôxit Silicon (SiO2), do cấu trúc như vậy nên Cổng - Đế được gọi là cấu trúc của tụ MOS [Metal-Oxide- Semiconductor]. Các chân Nguồn [Source] S và Máng [Drain] D, là các chân được nối với các vùng bán dẫn tạp dạng n+ đặt bên trong phiến đế, gọi là vùng Nguồn và vùng Máng tương ứng. Đối với một dụng cụ bán dẫn kênh n, thì dòng điện được hình thành bằng các điện tử và vùng Nguồn và Máng được cấu tạo bởi các vùng pha tạp đậm n+(vào khoảng 1020 cm -3 ) để có thể tiếp xúc tốt với kênh dẫn. Người ta dùng phương pháp cấy ion để tạo ra vùng Nguồn và Máng sau khi cấu trúcCổng đã được xác lập sao cho hai vùng này thẳng hàng với vùng Cổng, và để sự hình thànhkênh dẫn được liên tục cần phải có sự chồng lấn giữa vùng Cổng với vùng Nguồn và Cổng với Máng ở hai đầu kênh dẫn. Do cấu tạo của dụng cụ có tính đối xứng nên Nguồn và Máng có thể thay thế lẫn nhau. Vùng bán dẫn giữa hai vùng Nguồn và Máng ngay phía dưới Cổng được gọi là vùng kênh. Khoảng cách giữa hai tiếp giáp pn (vùng Nguồn-Đế và vùng Máng-Đế) là chiều dài hiệu dụng của kênh L. và W là chiều rộng của kênh. Vùng đế là một 7 bán dẫn tạp kiểu ngược lại với hai vùng Nguồn và Máng (thường ở mức pha tạp loãng hơn) để đảm bảo cách ly giữa hai vùng. Lớp ôxit (SiO2) được tạo ra bằng cách gia nhiệt ở nhiệt độ cao để có các đặc tính bề mặt chung tốt nhất. Vật liệu làm Cổng thông dụng nhất là kim loại hoặc polysilicon. Khi chiều dài kênh dẫn bằng 0,3µm, thì các thông số điển hình là: chiều dày của lớp ôxit ≈ 10µm, mức pha tạp của vùng đế là ≈ 3x10 17 cm -3 ,độ dày tiếp giáp pn giữa Máng-Đế và Nguồn-Đế là ≈ 0,2µm. Đối với mỗi loại kênh dẫn, thì mức ngưỡng của điện áp cổng phải thích hợp để có thể làm biến đổi kênh dẫn. Nếu kênh dẫn biến mất tại điện áp cổng bằng 0 (tức là kênh dẫn thường hở - normally OFF) thì MOSFET được gọi là dụng cụ tăng cường kênh do điện áp cổng cần phải có cho sự “tăng cường” [enhance] hay làm giàu kênh dẫn, (hình 3.1a, b). Nếu kênh là có sẵn tại điện áp cổng bằng 0 (tức thường kín - ON), thì MOSFET được gọi là dụng cụ nghèo kênh vì điện áp cổng cần cho việc “làm suy kiệt” [deplete] hay làm nghèo kênh dẫn, (hình 3.1b). Các điện áp và dòng điện của MOSFET kênh n cũng đã được xác định rõ trên hình 3.1b. Dòng Máng iD, dòng Nguồn iS, dòng Cổng iG, và dòng đế iB được xác định với chiều dương của dòng được chỉ rõ cho một transistor MOSFET kênh n. Các điện áp giữa các cực quan trọng là điện áp Cổng-Nguồn: vGS = vG - vS , điện áp Máng-Nguồn: vDS = vD - vS , và điện áp Nguồn-Đế: vSB = vS - vB . Tất cả các điện áp này đều có giá trị ≥ 0 trong chế độ hoạt động thông thường của N MOSFET. Chú ý rằng: các vùng Nguồn và Máng tạo thành tiếp giáp pn với vùng Đế. Hai tiếp giáp này luôn luôn được giữ ở điều kiện phân cực ngược để có sự cách ly giữa các tiếp giáp của transistor MOS. Vì vậy, điện áp Đế phải nhỏ hơn hoặc bằng với điện áp ở các cực Nguồn và Máng để đảm bảo cho các tiếp giáp pn được phân cực ngược một cách thích hơp, tức: iB ≈ 0. Ngoài ra, Cổng phải là một bản cực kim loại để có tiếp xúc mặt nhưng vẫn được cách điện với vùng kênh qua lớp SiO2, hay nói cách khác là không có kết nối điện trực tiếp giữa cực Cổng và kênh dẫn ở MOSFET, nên MOSFET là một dụng cụ có trở kháng vào rất cao, bởi vì dòng Cổng rất nhỏ, iG ≈ 0 ở cấu hình phân cực dc. Vì lý do này mà đôi khi MOSFET còn có tên gọi là FET có cổng cách ly hay IGFET [Insulated-Gate FET]. 2.3   Nguyên tắc hoạt động của MOSFET kênh loại P và MOSFET kênh loại N giống nhau nhưng cực tính nguồn cung cấp ngược nhau. MOSFET kênh có sẵn (loại N). Khi transistor làm việc thông thường cực nguồn S được nối với đế của linh kiện và nối đất nên US = 0. Các điện áp đặt vào các chân cực cửa G và cực máng D là so với chân cực S. Các chân cực đ-ợc cấp nguồn sao cho dòng điện chạy từ cực S tới cực D, điện áp trên cực cửa sẽ quyết định MOSFET làm việc ở chế độ giàu hạt dẫn hay nghèo hạt dẫn. Khi UGS = 0 trong mạch vẫn có dòng điện cực máng (dòng các hạt điện tử) nối giữa cực S và cực D. Khi UGS > 0 điện tử bị hút vào vùng kênh đối diện với cực cửa làm giàu hạt dẫn cho kênh, tức là làm giảm điện trở của kênh do đó tăng dòng cực máng ID. Chế độ làm việc này gọi là chế độ giàu của MOSFET. Khi UGS < 0 qúa trình xảy ra ngược lại, tức là điện tử bị đẩy ra xa kênh dẫn làm điện trở của kênh tăng lên, do vậy dòng cực máng ID giảm. Chế độ này gọi là chế độ nghèo hạt dẫn của MOSFET. 8 Hình 2.5 Họ đặc tuyến ra của Mosfet kênh có sẵn loại n MOSFET kênh cảm ứng (loại N).Loại MOSFET này kênh dẫn chỉ xuất hiện trong quá trình làm việc. Khi UGS = 0, kênh dẫn không tồn tại, dòng ID = 0. Khi UGS > 0 tại vùng đế đối diện cực cửa xuất hiện các điện tử tự do và hình thành kênh dẫn nối giữa nguồn và máng. Độ dẫn điện của kênh phụ thuộc vào UGS. Như vậy, MOSFET kênh cảm ứng chỉ làm việc với một loại cực tính của UGS và chỉ ở chế độ giàu. Dưới đây là hình minh hoạ cho các trường hợp trên với từng loại EMOSFET. Hình 2.6 Kênh dẫn trong EMOSFET 9 Hình 2.7 họ đặc tuyến ra MOSFET kênh cảm ứng loại N 2.3.2  Trong tranzito MOSFET có các tụ điện dung kí sinh làm giảm tốc độ chuyển mạch do cần thời gian nạp và phóng chúng. Ta có thể phân ra : Điện dung cổng-nguồn C GS có điện môi là lớp oxit cách điện của cổng. Điện dung này ít nhạy với điện áp V DS Điện dung cổng –máng C GD tính đến vùng điện tích không gian hình thành trong vùng P dưới cổng. Điện dung này thay đổi nhiều với điện áp V DS từ một giá trị so sánh được với C GS khi V DS nhỏ ( MOSFET khóa ) sang giá trị nhỏ có thể bỏ qua khi MOSFET bị khóa với V DS lớn như trên hình Điện dung máng nguồn C DS ảnh hưởng ít quan trọng. Điện dung vào : C i = C GS + C GS Hình 2.8 Điện dung kí sinh của MOSFET 10 Trên hình 2.9 cho quan hệ của điện áp V GS theo điện tích của Q G ở cổng do dòng I G khi mồi. Bắt đầu ở trạng thái khóa V GS bằng không , V DS có giá trị E là nguồn nuôi. Trên biểu đồ này ta có thể phân biệt ba đoạn: Đoạn OA ứng với điện tích của điện dung vào với điện áp V DS . Điện dung C i hơi khác với C GS . Điện tích cần cung cấp cho dòng điện máng I có thể chạy qua kênh phụ thuộc vào dòng điện này. Đoạn AB ứng với việc giảm V DS từ E đến V DSON . Điện áp V GS không thay đổi. Điện tích cung cấp dùng để làm thay đổi điện áp trên các cực của C GD . Điện áp này càng lớn khi trị số ban đầu E của V DS đã lớn. Đoạn BC ứng với điện tích của điện dung vào, tranzito đang dẫn. Điện dung này bằng C Gs + C GDON độc lập với E và I. Đường nét đứt OA’B’C’ ứng với dòng điện I’ > I, đường nét chấm gạch OAB’’C” ứng với điện áp E’ > E. Để dập tắt một tranzito như hình 2.10 cho thấy , phải thoát các điện tích thừa dư (đoạn CF), sự phóng của C GD trong khi điện áp giảm (đoạn FH) và sự hóng điện của C GS trong khi dòng điện giảm (đoạn HJ). Lượng điện tích Q’ 3 phải thoát bằng cổng trong thời gian dập tắt. Ta nhận thấy trong khi giảm chiều dày của lớp oxit bao quanh lưới , ta được tranzito có điện áp ngưỡng tương đối thấp để có thể điều khiển trực tiếp băng các mạch logic nguồn nuôi 5V . Đó là các   FET (Logic Level Gate FET ), điện dung C GD của chúng cao hơn.  Chuyển mạch đóng Ta xét trường hợp MOSFET được mắc nối tiếp vào một tải điện cảm, D là diot thoát, điện áp đặt vào là E. Giả thiết dòng điện I không đổi trong quá trình chuyển mạch. Ở t = 0, điện á điểu khiển V i chuyển từ 0 sang E’ (hình 2.11 b). Điện dung vào của tranzito bị khóa được nạp qua điện trở R i . Điện áp V GS đạt tới ngưỡng ở t = t 1 . [...]... R=47K,C=0,1uF Tín hiệu từ 2 chân 10 và 11 sẽ được đưa vào ic 74HC02 là ic tích hợp 4 cổng NOR nhằm tạo ra 4 tín hiệu điều khiển L1, H1, L2 và H2 Sở dĩ phải làm vậy vì mỗi IR 210 3 điều khiển nửa cầu cần 2 tín hiệu để điều khiển 2 MOSFET Q 0 0 1 1 0 1 0 1 L1 1 1 0 0 H1 0 1 0 0 L2 1 0 1 0 H2 0 0 1 0 4.3.2 I 210 3 và cầu nghịch lưu MOSFET Hình 4.9 IR 210 3 điều khiển nửa cầu Mạch cầu MOSFET nghịch lưu sử dụng... 0.5-2A 12 Hình 2 .12 : Thông số trong datasheet của IRF Z44 13 Chương III : hân tích mạch nghịch lưu áp 1 pha , điều chế áp đầu ra với bộ lọc 3 .1 Nghịch lưu áp cầu một pha Hình 3 .1 Sơ đồ ngịch lưu cầu Sơ đồ gồm 4 van động lực chủ yếu là T1 , T2 , T3, T4 và các điôt D1, D2, D3, D4 dùng để trả công suất phản kháng của tải về lưới và như vậy tránh được hiện tượng quá áp ở đầu nguồn Tụ C được mắc song song... áp Các đèn led D1,D2, D3 báo hiệu nguồn 5v ,12 v,24v Vì led chỉ chịu được dòng tối đa vào khoảng 25mA nên cần có các trở R1, R2 , R3 để hạn dòng  D1 : I1 = = 0.5 (mA)  D2 : I1 = = 1. 13 (mA)  D3 : I1 = = 4.3 (mA) 4.2.2 Khối tạo xung Hình 4.8 Khối tạo xung IC 4047 được mắc theo sơ đò trên sẽ phát ra sóng vuông với hai nửa chu kỳ lệch pha nhau 18 0˚ Để tần số hoạt động là 50Hz tính toán theo công thức... dạng dip 10 0T Điện áp hoạt động trongkhoảng từ 3V đến 15 V Chúng ta cần quan tâm tới chức năng của các chân sau:  1 đầu vào tụ C  2 đầu vào điện trở R  3 đầu vào R-C tạo dao động với tần số định sẵn  10 đầu ra xung vuông bán chu kỳ dương  11 đầu ra xung vuông bán chu kỳ âm  7 cấp nguồn âm  14 cấp nguồn dương Tần số của xung vuông ra được tính theo công thức: T = 2.48RC : 17 Hình 4.3 Sơ đồ khối... 4047 4 .1. 3 IR 210 3 IR 210 3 là ic chuyên dụng được thiết kế để điều khiển nửa cầu MOSFET hoặc IGBT kênh N  Sử dụng kĩ thuật “ bootstrap”  Có thể điều khiển mạch lực lên tới 600V  Nguồn cấp từ 10 V đến 20 V  Bảo vệ thiếu áp  Tương thích 3.3v , 5v, 15 v logic  Tích hợp “deadtime” trong ic 18 Hình 4.5 Sơ đồ khối bên trong IR 210 3 Hình 4.6 Các kiểu đóng gói chân của IR 210 3 Hình 4.5 Sơ đồ kết nối IR 210 3... Mạch cầu MOSFET nghịch lưu sử dụng hai IR 210 3 , mỗi một IR 210 3 điều khiển 2 MOSFET Như trong hình 4.9 là IR 210 3 điều khiển MOSFET Q1 và Q4, mạch điều khiển 2 MOSFET Q2 và Q3 cũng tương tự Khi tín hiệu HIN là mức cao thì IR 210 3 sẽ kích đóng MOSFET Q1, còn khi là mức thấp thì MOSFET Q4 sẽ được kích mở Tụ C 11 là tụ “ boot trap” được IR 210 3 sử dụng để kích đóng FET Q1 Sở dĩ phải dùng tụ “boot trap” là vì... các khối trong mạch điện 4.2 .1 Khối nguồn Hình 4.7 Khối nguồn Hình 4.7 là sơ đồ nguyên lí của khối nguồn trong mạch Dòng xoay chiều 220v qua biến áp thành dòng xoay chiều 24v sẽ được đưa vào cầu điôt để chỉnh lưu cầu 1 pha sau đó đưa qua phía ic ổn áp Sơ đồ dùng ic ổn áp 7824,7 812 ,7805 mắc nối tiếp nhau theo sơ đồ cơ bản trong datasheet nhằm tạo ra mức điện áp dương 24v ,12 v và 5v Các tụ đặt trước và... điện áp trên tải sẽ ngược lại và U1 = -E tại thời điểm Do tải mang tính trở cảm nên dòng vẫn giữ nguyên hướng cũ , T1, T2 bị khóa nên dòng phải khép mạch qua D3 , D4 Suất điện động cảm ứng trên tải sẽ trở thành nguồn trả năng lượng thông qua D2, D4 về tụ C Tương tự như vậy khi khóa cặp T3, T4 dòng tải sẽ khép mạch qua D1, D2 14 Hình 3.2 Đồ thị nghịch lưu cầu một pha 3.2 Điều chế áp đầu ra với bộ... MOSFET 4 .1 Một số linh kiện sử dụng trong mạch 4 .1. 1 Ic ổn áp nguồn 78xx Ic ổn áp là là ic được dùng trong mạch nguồn sau nhằm cố định điện áp Dòng ic tạo điện áp dương thông dụng là 78xx với xx là điện áp đầu ra Đặc điểm :    Dòng cực đại có thể duy trì 1A Dòng đỉnh 2.2A Công suất tiêu tán cực đại nếu không dùng tản nhiệt: 2W  Công suất tiêu tán nếu dùng tản nhiệt đủ lớn: 15 W Công suất tiêu tán trên... suất tiêu tán trên IC lớn sẽ làm giảm hiệu suất Tuy nhiên lưu ý cần giữ áp vào lớn hơn áp ra khoảng 2V cho IC hoạt động bình thường Ví dụ dùng 7805 thì cần có lối vào ít nhất là 7V Chênh lệch áp vào ra tối thiểu 2V (Ui – Uo) = =2V 16 Hình 4 .1 Hình dạng và sơ đồ chân của 7805 dạng chân cắm TO-220AB 4 .1. 2 CD4047 Chức năng: tạo sóng vuông hai nửa chu kỳ Hình 4.2 Sơ đồ chân CD4047 Đây là ic gồm 14 chân đóng