BÀI TP CUI CHNG BJT 3.1 Hãy dn xut các phng trình ca A v , A i và R in cho mch khuych i CE nh  hình P3.1. 3.2 Tính R in , A v , và A i khi có R B = R L = 5kΩ, R E = 1kΩ, và h ie = 0 cho mch khuych i CE nh  hình P3.2. Cho β: a) β = 200; b) β = 100; c) β = 10. 3.3 Hãy xác nh A v , A i và R in cho mch khuych i nh  hình P3.2, khi có R B = R L = 5kΩ, h ib = 40Ω, β = 300, và R E cho bi: a) R E = 1kΩ; b) R E = 0,5kΩ; c) R E = 100Ω; d) R E = 0. 3.4 Cho mch khuych i emitter-chung nh  hình P3.1, V BE = 0,6V, V CC = 12V, β = 300, P L (bình quân ln nht) = 100mW, và A v = - 10. Hãy xác nh R 1 , R 2 , R in và A i . Mc công sut tiêu tán trong transistor là bao nhiêu ?. 3.5 Xác nh A v cho mch khuych i  hình P3.3, trong ó h ie = 2kΩ, h re = 0, h fe = 200, và 1h oc = 8kΩ. 3.6 Cho mch khuych i emitter-chung nh  hình P3.4, trong ó h ie = 1kΩ, h oe = 10S, và h fe = 50, vc tuyn cho mi trng hp sau: a) A i = i L i in khi cho R B << h ie , nh mt hàm s ca giá tr R L . Cho R L bin thiên t 0 n 500kΩ. b) A i nh mt hàm s ca R L nhng cho h re = 0 = h oe . 3.7 Cho mch khuych i CE nh  hình P3.5, xác nh  bin thiên ca A i và R in nu h fe ca transistor silicon bin thiên t 50 n 150. 3.8 Hãy xác nh h ie , A i , R in , v o v i và R o cho mch khuych i CE nh  hình P3.6, nu h fe = 100 và h re = h oe = 0. 3.9 Hãy so sánh các in tr vào và các h s khuych i n áp ca các mch khuych i tng ng ac nh  hình P3.7. 3.10 Hãy thit k mch khuych i CE nh  hình P3.8, s dng transistor pnp khi có R L = 3kΩ, A v = - 10, V BE = - 0,7V, β = 200, A i = - 10, và V CC = - 12V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, R in , và  dao ng ca n áp ln nht trên R L . 3.11 Thit k mch khuych i CE nh  hình P3.8, s dng transistor pnp khi có R L = 4kΩ, A v = - 10, A i = - 10, V BE = 0,7V, β = 200, và V CC = 15V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, và  dao ng ca n áp ra nh-nh ln nht. 3.12 Thit k mch khuych i CE nh  hình P3.4, s dng transistor npn khi có R L = 9kΩ, A v = - 10, A i = - 10, V BE = 0,7V, β = 200, và V CC = 15V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, R in , và  dao ng ca n áp ra nh-nh ln nht. 3.13 Thit k mch khuych i CE  nhn c h s khuych i n áp là - 25 khi có R in = 5kΩ, R L = 5kΩ, V CC = 12V, β = 200, và V BE = 0,7V. Xác nh tr s ca tt c các cu kin, h s khuych i dòng in, và  dao ng ca n áp ra ln nht. S dng mch  hình P3.8, nhng vi transistor npn. 3.14 Phân tích mch hình P3.9 và xác nh các yêu cu sau khi có β = 300, và V BE = 0,6V. a) I CQ và V CEQ . b)  dao ng n áp ra không nhiu. c) Công sut c cung cp t ngun cung cp. d) H s khuych i n áp. e) Các ng ti. 3.15 Thit k mch khuych i CE  nhn c h s khuych i n áp là - 10 khi có R in = 2kΩ, R L = 4kΩ, V CC = 15V, V BE = 0,6V, và β = 300. Mch khuych i cn phi cho  dao ng ca n áp ra không b méo dng 2V, nên vic thit k cn phi thc hin  tiêu hao mc dòng nh nht t ngun cung cp dc. Xác nh tr s ca tt c các cu kin và h s khuych i dòng in. 3.16 Thit k mch khuych i  có h s khuych i toàn b là - 15 khi in áp vào có tr kháng ca ngun (R i ) là 2kΩ và b khuych i t có R in = 4kΩ, V BE = 0,7V, và β = 200. (xem hình P3.10). mch khuych i cn phi cho  dao ng ca n áp ra ln nht. Xác nh tr s ca tt c các cu kin, h s khuych i dòng in A i và  dao ng ca n áp ra ln nht. 3.17 Thit k mch khuych i nh  mch hình P3.11,  có h s khuych i là - 200 vi n tr vào là 1kΩ. Xác nh tr s ca tt c các cu kin, và  dao ng ca n áp ra ln nht khi có β = 400 và V BE = 0,7V. 3.18 Thit k mch khuych i EF nh  mch hình P3.12,  u khin ti 200Ω s dng transistor silicon pnp. V CC = - 24V,  = 200, A i = 10, và V BE = - 0,7V. Hãy xác nh tr s ca cu kin và tính R in , I CQ , và  dao ng n áp ra i xng không méo dng i vi mi tr s ca R E cho di ây: a) R E = R L . b) R E = 0,2R L . c) R E = 5R L . So sánh các kt qu tính bng biu . 3.19 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình 3.11a, s dng transistor npn vi R L = 500Ω, V BE = 0,7V, A i = 25, β = 200, và V CC = 15V. Hãy xác nh tr s ca cu kin, R in , A v , và  dao ng in áp ra i xng ln nht. 3.20 Thit k mch khuych i EF  lái ti 8Ω, khi có  = 60, V CC = 24V, V BE = 0,7V, A v = 1, và A i = 10. S dng mch nh  hình 3.11a. Hãy xác nh tr s ca cu kin,  dao ng n áp ra, R in 3.21 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình P3.11a, s dng transistor npn vi R L = 1500Ω, V BE = 0,7V, A i = 10, β = 200, và V CC = 16V. Hãy xác nh tr s ca cu kin, R in , A v , và  dao ng in áp ra i xng ln nht. 3.22 Phân tích mch nh  hình P3.13, và xác nh các yêu cu sau khi có β = 300 và V BE = 0,6V: a) I CQ và V CEQ . b)  dao ng ca n áp ra không méo. c) Công sut cn thit t ngun cung cp. d) Công sut ra ln nht (ac không méo dng). e) Các ng ti. 3.23 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình P3.11a, u khin ti 10Ω vi V CC = 24V, V BE = 0,6V, A v = 1, R in = 100Ω, và β = 200. Hãy xác nh tr s ca tt c cu kin, R in , và  dao ng in áp ra i xng ln nht. 3.24 Phân tích mch nh  hình P3.14, khi có β = 100 và V BE = 0,7V và xác nh các yêu cu sau: a) I CQ và V CEQ . b)  dao ng ca in áp ra không méo. c) Công sut cn thit t ngun cung cp. d) Công sut ra ln nht (ac không méo dng). e) Các ng ti. 3.25 Thit k mch khuych i CB (xem hình 3.13),  có h s khuych i n áp bng 10 và ti 4kΩ. S dng β = 100, V BE = 0,7V, V CC = 18V và R E = 500Ω. Hãy xác nh tr s ca I CQ , R 1 , R 2 , R B và  dao ng ca n áp ra. H s khuych i n áp là bao nhiêu khi R 1 c r mch bng mt tn có n dng ln?. 3.26 Thit k mch khuych i CB bng cách s dng các tr s cho  bài tp 3.25 ngoi tr h s khuych i n áp là 100. Hãy xác nh tr s ca R 1 , R 2 , I CQ , R B và  dao ng ca n áp ra ln nhât. 3.27 Thit k mch khuych i CB  có  dao ng in áp ln nht và tr kháng vào thp nht là 100Ω, R L = 8kΩ, V CC = 12V, và R E = 500Ω. S dng transistor npn có β = 200, và V BE = 0,7V. Hãy xác nh tr h s khuych i n áp và tr s ca tt cn tr. 3.28 Phân tích mch khuych i CB  có R in , A v , và V o (p-p) theo các tr s s dng nh sau: V CC = 16V, R 1 = 2kΩ, R 2 = 25kΩ, R E = 200Ω, R C = R L = 4kΩ, β = 200, và V BE = 0,7V. Base c ni t ac nh  hình 3.13. 3.29 Hãy xác nh các tr s ca V 1 , V 2 , V 3 , V 4 , I C1 , và I C2 ca mch  hình P3.15. β = 300 cho c hai transistor. 3.30 Ghép trc tip mt mch khuych i CE vi mch EF (xem hình 3.15b))  cho  dao ng ca n áp ra là 4V vi các tr s nh sau: V CC = 12V, A v = 10, Q 1 có β = 200 và V BE = 0,7V, Q 2 có β = 100 và V BE = 0,7V, và R E1 = 100Ω. Ly R C = 4kΩ, và xác nh R 1 , R 2 , và R E . 3.31 Cho mch nh  hình P3.16, xác nh các yêu cu sau khi có β = 400 và V BE = 0,6V: a) im-Q cho c hai mch khuych i. b)  dao ng ca n áp ra không méo ln nht. c) V dng sóng ca tín hiu ra. d) H s khuych i n áp v o v i . 3.32 Cho mch nh  hình P3.17, khi có v i = 0,1sin 1000t V, xác nh in áp ra (cho β = 200 và V BE = 0,7V): a) Tu cc v o (+) n u cc v o (-). b) Tu cc v o (+) n t. 3.33 Tính A i , A v , và R in ca mch khuych i EF nh  hình P3.18, khi cho β = 200 và h ib = 0. 3.34 Hãy xác nh các h s khuych i dòng và áp toàn b, n tr vào cho mch khuych i ghép bin áp nh  hình P3.19. S dng transistor npn, vi a = 4, R 1 = 2kΩ, R 2 = 4kΩ, V CC = 15V, β = 200, và R L = 500Ω. B qua h ie . 3.35 Tính A i , A v , cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.20. Các transistor là silicon. 3.36 Hãy xác nh A i , A v , cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.21. 3.37 Tính A i , A v , và R in cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.22. 3.38 Thit k mch khuych i CE bng transistor npn  có n áp ra ln nht vi các yêu cu sau: A v = - 20, R in = 4kΩ, R L = 5kΩ, V CC = 12V, β = 300, V BE = 0,7V. Xác nh tr s ca tt c các cu kin,  dao ng ca n áp ra nh-nh không méo dng, và h s khuych i dòng in. 3.39 Tính R theo các mc n áp dc  có V o = 0 cho mch  hình P3.23. Tính I CQ1 , I CQ2 , R in , R o , và A v . Bit rng, V BE = 0,7V và β = 100 i vi c hai transistor. . BÀI TP CUI CHNG BJT 3.1 Hãy dn xut các phng trình ca A v , A i và R in cho mch khuych i CE nh  hình P3.1. 3.2