1 chương 13: Các yếu tố ảnh hưởng lên hiệu suất lượng tử (1) Phản xạ: các bán dẫn dùng chế tạo photodiode có chiết suất khoảng 3,5Æ hệ số phản xạ ≈ 30% tại bề mặt bán dẫn. (2) Sự suy giảm hệ số hấp thụ ở bước sóng dài: hệ số hấp thụ ở bước sóng ngắn gấp ≈ 10 4 lần so với các bước sóng gần giới hạn vùng cấm. Hệ số hấp thụ biểu thị khả năng 1 photon có thể bị hấp thụ khi đi qua một đơn vị khoảng cách trong vật liệu. (3) Sự hấp thụ sóng ngắn: do các photon ngắn bị hấp thụ sớm ở lớp trên của photodiode trước khi có thể tới được vùng nghèo, do đó không đóng góp vào d òng thu. Có thể khắc phụ nhờ việc giảm độ dày lớp trên (4) Giới hạn vùng cấm: các photon phải có đủ năng lượng để gây chuyển mức e- qua vùng cấm. * Diode thác lũ (APD_Avalanche Photodiode): được thiết kế để nâng cao hiệu suất lượng tử, cho phép tạo ra dòng có tốc độ lớn hơn tốc độ d òng photon tới. APD được phân cực ngược với điện áp lớn để gia tốc các e- phát sinh do photon đến vận 2 tốc lớn và va chạm với cấu trúc nguyên tử trong miền nghèo tạo ra các cặp e- l ỗ trống mới, kết quả là dòng tổng có thể tăng hàng trăm lần so với diode PN đơn giả n. Độ lợi dòng = Dòng APD / Dòng do photon khi η = 1 - Độ lợi dòng của các APD chế tạo từ silicon rất nhạy với sự thay đổi đ iện áp rơi trên diode và với nhiệt độ Æ các mạch ứng dụng rất phức tạp, đ òi hỏi ổn định điện áp và bù nhiệt. - Độ lợi dòng của APD phản ánh số trung bình các e- được tạo ra trên 1 photon đến. Số e- được phát sinh bởi 1 photon bất kỳ thay đổi một cách ngẫu nhiên, tạo ra một tín hiệu nhiễu chồng lên giá trị trung bình. Nhiễu này khác với nhiễu nhiệt vì nó liên quan đến hiện tượng hấp thụ và nhân. Độ lợi có thể rất nhỏ ở mức công suất thấp. 3) Đặc trưng đường tải * Hoạt động mode quang thế tự thiên áp - Sụt áp trên tải và dòng quan hệ theo định luật Ohm, trong khi quan hệ giữa sụt áp trên photodiode và dòng tuân theo đặc trưng diode. - Điểm làm việc ≡ giao điểm đường tải và đường cong (I-V) của diode * Các đường cong quang thế (photovoltaic curves): - Nằm ở góc 1/4 thứ tư của đặc tuyến I d (V d ). - Th ế hở mạch qua photodiode trên tr ục V d : V 0 = K 1 ln(K 2 H 0 ) K 1 : h ằng số phụ thuộc nhiệt độ K 2 : hằng số phụ thuộc bước sóng và cấu trúc của photodiode H 0 : mật độ dòng quang tới 3 * Chế độ hoạt động ngắn mạch: -dòng thay đổi tuyến tính theo mật độ dòng quang tới - V o tỷ lệ với dòng qua trở feedback Æ tỷ lệ với mật độ dòng quang - có th ế offset do dòng rò (rất nhỏ). * Chế độ phân cực ngược: (mode quang dẫn) - Điện dung diode giảm Æ giảm thời gian đáp ứng 4 - Thế thiên áp V B tiêu biểu ≈ 10V - Quan h ệ dòng áp: V 0 = V B - V D hay I p R L = V B - V D - Để tránh phá huỷ diode khi I p =0, th ế phân cực ngược phải < thế đánh thủng V - Khi V d = 0 Æ I p = I ng ắn m ạch = I max = B R L gọi là dòng bão hoà I SAT * Đường tải Qua các điểm (V B , 0) và (0,V B /R L ) trên họ đặc tuyến ngược I d (V d ). Ý ngh ĩa: khi mật độ dòng quang đến, ví dụ, = H 2 Ædòng I 2 qua điode -Để tăng khoảng dòng thì cần tăng V B hoặc giảm R L . - Tích c ủa áp và dòng đi qua diode cần luôn nhỏ hơn khả năng tiêu tán công suất của diode . ÆĐường tải nằm trong đường công suất cực đại cho phép. - Công su ất tiêu tán cực đại cho phép xảy ra khi mật độ dòng quang tạo ra dòng điện = 1 dòng bão hoà, khi đó V = 1 V 2 d 2 B 4) Mô hình tín hiệu nhỏ cho photodiode: * Nguồn dòng I p : dòng trung bình gây bởi sóng tới. I p = RP R: đáp ứng của photodiode (Ampere/Watt) P: công suất sóng tới 5 tổng cộng. * Điện dung Shunt C: điện dung chuyển tiếp phân cực ngược C = KA/[ρ(V 0 – V D )] 1/2 K: h ệ số tỷ lệ ≈ 19000, khi đơn vị của các đại lượng khác như sau: A: diện tích tích cực (cm 2 ), ρ: điện trở suất (Ω.cm), nhận giá trị từ 10- 10000, V 0 : th ế khuếch tán của miền nghèo ≈ 0.6V với Si, V D : thế phân cực ngược, nhận giá trị âm. 6 * Trở Shunt: đuợc chú ý khi tính toán nhiễu, còn gọi là trở kênh (channel resistance) n ằm trong khoảng 100k Ω Æ vài M Ω , giảm khi nhi ệt độ hoặc diện tích linh kiện tăng, tăng khi thế phân cực tăng. Được định ng hĩa = độ dốc của đường cong I_V tại thế zero hay = tỷ số của thế phân cực ngược qua diode / dòng tối. * Dòng nhiễu I n tính cho tất cả các hiệu ứng nhiễu. + Nhiễu lượng tử (quantum noise): gây bởi quá trình ấp thụ photon, quan trọng khi mức công suất sóng tới thấp. Các photon đến có thể được hấp thụ hoặc không Æ tại một thời điểm, dòng thu có thể > hoặc < dòng trung bình. Quá trình này là ng ẫu nhiên và tạo ra dòng nhiễu lượng tử = công suất tín hiệu tạo bởi dòng trung bình được cho bởi: P m = (H 0 A) m ≈ (hc/λ)( ∆ f/η) với P m : công suất sóng tới khi (S/N) =1, ∆f: độ rộng băng nhiễu + Shot noise (nhiễu bắn): xem dòng là tổng của rất nhiều xung dòng nh ỏ gây bởi chuyển động của hạt tải trong các bước rời rạc, làm cho dòng thay đổi quanh giá trị trung bình. Sự thay đổi này gọi là shot noise current. I S = [2e ∆f(I d + I p )] 1/2 v ới I d : dòng tối I p : dòng quang trung bình + Nhi ễu nhiệt: có thể chiếm ưu thế khi hoạt động ở mode ngắn mạch I t = (4kT ∆ f/R SH ) 1/2 v ới R SH : điện trở shunt của photodidode Trở tải R L làm tăng nhiễu nhiệt: 7 I t = [4kT∆f(1/R SH + 1/R L )] 1/2 8 S t * Dòng nhiễu tổng I n : I n = (I 2 + I 2 ) 1/2 9 * Công suất nhiễu tương đương: (NEP) NEP = I n /R Ví d ụ: Tính phân bố nhiễu khi cho biết: H 0 , A, λ, R, R L , ∆f, R SH , I d . * Tr ở nối tiếp (R s ) : bao gồm trở của vật liệu và các tiếp xúc, đóng vai trò quan trọng với thời gian lên và tính tuyến tính, nhận giá trị từ 0,1 Ω Æ vài trăm Ohm * Tr ường hợp R L + R S << R SH và R L > R S , (giả thiết I P >> I N ) Æ Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sẽ gọn hơn Æ Hằng số thời gian của hệ đầu thu: τ RC ≡ (R S + R L )(C + C p ) v ới C p là các điện dung song song khác * Đáp ứng của detector bắt đầu phi truyền khi dòng ≈ 1/3 dòng bão hoà Æ Dòng tuy ến tính tối đa: I max = I sat /3 = (1/3)V B /(R S . trở của vật liệu và các tiếp xúc, đóng vai trò quan trọng với thời gian lên và tính tuyến tính, nhận giá trị từ 0,1 Ω Æ vài trăm Ohm * Tr ường hợp R L + R S << R SH và R L > R S ,. hiệu suất lượng tử, cho phép tạo ra dòng có tốc độ lớn hơn tốc độ d òng photon tới. APD được phân cực ngược với điện áp lớn để gia tốc các e- phát sinh do photon đến vận 2 tốc lớn và va chạm với. silicon rất nhạy với sự thay đổi đ iện áp rơi trên diode và với nhiệt độ Æ các mạch ứng dụng rất phức tạp, đ òi hỏi ổn định điện áp và bù nhiệt. - Độ lợi dòng của APD phản ánh số trung bình