Đang tải... (xem toàn văn)
Câu to và nguyên lý làm viec 1.1. Câu to BJT loi NPN, PNP 1.2. Nguyên lý làm viec ca BJT 1.3. He sô truyên ñt dòng ñien ca BJT 2. Các cách mac BJT và các h ñac tuyên tương ng 3. Các tham sô cc ñi và gii hn vùng làm viec ca BJT 4. Phân cc cho BJT 4.1. Chê ño làm viec ca BJT 4.2. Các dng phân cc 4.3. Xác ñnh ñiem công tác tĩnh 5. Sơ ñô tương ñương ca BJT chê ño khuêch ñi tín hieu nh 5.1. Sơ ñô mng 4 cc dùng cho BJT 5.2. Sơ ñô tương ñương vat lý 6. BJT làm viec chê ño chuyen mch 6.1. Nguyên lý làm viec 6.2. Các tham sô ca BJT chuyen mch 7. Darlington BJT 8. BJT công suât ln
Lession Transistor http://hqhuy.wordpress.com Néi dung C u t o nguyên lý làm vi c 1.1 C u t o BJT lo i NPN, PNP 1.2 Nguyên lý làm vi c c a BJT 1.3 H s truy n đ t dịng n c a BJT Các cách m c BJT h ñ c n tương ng Các tham s c c ñ i gi i h n vùng làm vi c c a BJT Phân c c cho BJT 4.1 Ch ñ làm vi c c a BJT 4.2 Các d ng phân c c 4.3 Xác ñ nh m cơng tác tĩnh Sơ đ tương ñương c a BJT ch ñ khu ch ñ i tín hi u nh 5.1 Sơ đ m ng c c dùng cho BJT 5.2 Sơ ñ tương ñương v t lý BJT làm vi c ch ñ chuy n m ch 6.1 Nguyên lý làm vi c 6.2 Các tham s c a BJT chuy n m ch Darlington BJT BJT công su t l n http://hqhuy.wordpress.com Cấu tạo BJT http://hqhuy.wordpress.com Nguyên lý l m viƯc cđa BJT http://hqhuy.wordpress.com Amplifier In Gain = Out Out In http://hqhuy.wordpress.com Moore’s law • Moore founded Intel with Robert Noyce in 1968 and served as its CEO from 1975 to 1987 Since 1997, he has served as Chairman Emeritus of the company • While working for Fairchild Semiconductor in 1965, he coined the now famous Moore's Law as he was preparing an article for Electronics magazine At that time, the law stated that the number of transistors on a chip doubles every year In 1975, he amended it to say it doubles every two years • "If you asked me in 1980, I would have missed the PC I didn't see much future for it" (http://news.zdnet.com/2100-9584_22-123972.html) http://hqhuy.wordpress.com NPN Transistor Structure The collector is lightly doped N C The base is thin and is lightly doped P B The emitter is heavily doped N E http://hqhuy.wordpress.com NPN Transistor Bias No current flows N http://hqhuy.wordpress.com P B N The C-B junction is reverse biased C E NPN Transistor Bias N P B N The B-E junction is forward biased C E Current flows http://hqhuy.wordpress.com NPN Transistor Bias IC Current flows everywhere Note that IB is smaller than IE or IC http://hqhuy.wordpress.com C P B N Most of the emitter carriers diffuse through the thin base When both junctions region since they are attracted are biased by the collector N E IB IE 10 Mô hình tơng đơng vật lý (Mô hình tham số re) ã Mạch BC: re từ v i đến 50; rc từ 1M đến 2M ã Mạch EC: re tõ v i Ω ®Õn 50Ω; rc tõ 40KΩ đến 50K http://hqhuy.wordpress.com 73 Mô hình tham số re I E = I SE (e U EB UT − 1) ∂U C rc = ∂I C ∂U EB re = ∂I E I E =Const ( BC ) I B = Const ( EC ) U T 26mV re ≅ ≅ IE IE http://hqhuy.wordpress.com 74 hre hre + re = ; rc = hoe hoe hre rb = hie − (1 + h fe ) hoe β ac = h fe ; α ac h fe β ac = = + β ac + h fe http://hqhuy.wordpress.com 75 BC ã Trở kháng v o: rv = re • Trë kh¸ng ra: rra = rc http://hqhuy.wordpress.com 76 EC rv = U BE ie re ( β + 1)ib re = = = ( β + 1)re ≅ βre ib ib ib rra = rc http://hqhuy.wordpress.com 77 CC http://hqhuy.wordpress.com 78 CC rv = u v U B ib βre + ie RE ib βre + ( β + 1)ib RE = = = iv ib ib ib rv = βre + (β+1)RE ≅ βRE http://hqhuy.wordpress.com 79 CC • uv ib = rv ie ≅ uv ( β + 1)u v ie = ( β + 1)ib = ( β + 1) = rv βre + ( β + 1) RE uv re + R E rra = RE//re ≅ re u RE Ku = = ≈1 uv RE + re Ki = ira ie ( β + 1)ib = = ≈β i v ib ib http://hqhuy.wordpress.com 80 VÝ dụ ã Dùng mô hình tơng đơng tham số re để tính tham số sau mạch khuếch đại dùng BJT: Điện trở v o rv, điện trở rra, hệ số khuếch đại điện áp Ku, hệ số khuếch đại dòng điện Ki +EC RC R1 C2 C1 ura uv R2 RE http://hqhuy.wordpress.com CE 81 uv rv = iv rv = R1// R2// βre rra = Rc// rc http://hqhuy.wordpress.com 82 u − ( βib )( Rc // rc ) Rc // rc Ku = = =− uv ib βre re Rc Ku ≅ − re βib rc ira βrc ira = → = rc + Rc ib rc + Rc ira ira ib Ki = = iv ib i v ( R1 // R2 )iv ib R1 // R2 ib = → = R1 // R2 + βre iv R1 // R2 + βre Ki = β ( R1 // R2 )rc (rc + Rc )( R1 // R2 + βre ) β ( R1 // R2 ) Ki = R1 // R2 + βre http://hqhuy.wordpress.com Ki ≅ β 83 Sù phơ thc cđa hfe v o tần số http://hqhuy.wordpress.com 84 Các tham số cực đại http://hqhuy.wordpress.com 85 Transistor Structure and Bias Quiz The heaviest doping is found in the _ region emitter The thinnest of all three regions is called the base The collector-base junction is _ biased reverse The base-emitter junction is biased forward The majority of the emitter carriers flow to http://hqhuy.wordpress.com the _ collector 86 http://hqhuy.wordpress.com 87 ... t o BJT lo i NPN, PNP 1.2 Nguyên lý làm vi c c a BJT 1.3 H s truy n đ t dịng ñi n c a BJT Các cách m c BJT h ñ c n tương ng Các tham s c c ñ i gi i h n vùng làm vi c c a BJT Phân c c cho BJT. .. vi c 6.2 Các tham s c a BJT chuy n m ch Darlington BJT BJT cơng su t l n http://hqhuy.wordpress.com CÊu t¹o cđa BJT http://hqhuy.wordpress.com Nguyªn lý l m viƯc cđa BJT http://hqhuy.wordpress.com... làm vi c c a BJT 4.2 Các d ng phân c c 4.3 Xác đ nh m cơng tác tĩnh Sơ ñ tương ñương c a BJT ch ñ khu ch ñ i tín hi u nh 5.1 Sơ ñ m ng c c dùng cho BJT 5.2 Sơ ñ tương ñương v t lý BJT làm vi c