Đang tải... (xem toàn văn)
Bước sang thế kỷ 21 , khoa học kỹ thuật - mà Điện Tử Viện Thông lại là một ngành mũi nhọn luôn đi tiên phong trong mọi lĩnh vực đã và đang ngày càng phát triển với tốc độ đáng kinh ngạc . Sự ra đời của những con Chíp , những Vi mạch với mức độ tích đến vài chục triệu Transistor/Chíp . Tuy nhiên , với chúng ta - Những sinh viên điện tử , đang chỉ mới bắt đầu trong ngành thì việc thiết kế một mạch điện từ những linh kiện rời mới thật sự bổ ích .
Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 1 LỜI NÓI ÂẦU Bước sang thế kỷ 21 , khoa học kỹ thuật - mà Điện Tử Viện Thông lại là một ngành mũi nhọn luôn đi tiên phong trong mọi lĩnh vực đã và đang ngày càng phát triển với tốc độ đáng kinh ngạc . Sự ra đời của những con Chíp , những Vi mạch với mức độ tích đến vài chục triệu Transistor/Chíp . Tuy nhiên , với chúng ta - Những sinh viên điện tử , đang chỉ mới bắt đầu trong ngành thì việc thiết kế một mạch điện từ những linh kiện rời mới thật sự bổ ích . Mặc dù vậy , để tiến tới hoàn chỉnh một mạch Điện đòi hỏi người thiết kế phải có một kiến thức tối thiểu về lĩnh vực Điện tử - Từ những linh kiện đơn giản và thường dùng nhất như : Điện trở ; Tụ ;Cuộn dây ; Diode và đặc biệt là Transistor mà chúng ta phải hiểu rõ nguyên lý , bản chất một cách thấu đáo . Để từ đó chọn giải pháp thiết kế vừa hiệu quả lại vừa kinh tế và thẫm mỹ, hòng làm hài lòng người sử dụng. Là sinh viên năm thứ 3 , lại là đồ án đầu tiên cùng với nhiều bở ngỡ mà đặc biệt là gặp phải nhiều sự khác biệt giữa lý thuyết và thực tế . Nhưng với sự ham học hỏi và quyết tâm của mình mà đặc biệt là được sự hướng dẫn tận tình của Thầy Cô giáo trong khoa CNTT-ĐTVT cũng như sự giúp đỡ của bạn bè, em sẻ cố gắng đồ án của mình một cách tốt nhất . Với sự tự tin vào khả năng , nghiên cứu ngiêm túc bước đầu tập làm một người thiết kế một máy tăng âm kiểu OCL với ngõ vào đơn , công suất vừa phải , thiết bị dể mua , dể kiếm lại không mắc lắm . Vì vậy trong thiết kế tính toán có gì sai xót , mong được sự chỉ dẫn của các Thầy , các Cô cũng như sự đóng ý kiến của bạn bè • Em xin chân thành cảm ơn ! Đà Nẵng , ngày 10 tháng 4 năm 2001. Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 2 PHẦN I: LÝ THUYẾT A. TRANSISTOR LƯỠNG CỰC ( bipolar junction transistor) : I. CẤU TẠO : BJT là linh kiện điện tử có ba miền bán dẫn với các loại dẫn xen kẻ nhau trong cùng một đơn tinh thễ bán dẫn.Các miền này được phân cách bởi hai chuyển tiếp PN.Tùy thuộc thứ tự bố trí các lớp bán dẫn mà ta có hai loại BJT:BJT loại NPN và BJT loại PNP Transistor loại NPN C N P N B E Mô hình lý thuyết Ký hiệu trên mạch Transistor loại PNP C P N P B E Mô hình lý thuyết Ký hiệu trên mạch Tương ứng với mỗi miền là một cực của BJT.Miền bán dẫn ở giữa hai chuyễn tiếp PN được gọi là miền gốc (hay Base-ký hiệu B).Hai miền còn lại được chế tạo bất đối xứng sao cho một miền có khả năng chích các hạt tải điện vào miền Base,miền này gọi là miền phát (hay Emitter-ký hiệu E),còn miền kia có khả năng nhận được tất cả các hạt tải điện chích từ miền Emitter qua miền Base ,miền này gọi là miền thu (hay Collector-ký hiệu C).Để thực hiện chức năng trên ba miền bán dẫn được cấu tạo với nồng độ tạp chất pha tạp khác nhau:Miền phát có nồng độ tạp chất cao nhất ,miền thu có nồng độ tạp chất thấp,còn miền gốc có nồng độ tạp chất rất thấp. Do cấu tạo như trên sẽ hình thành 2 chuyển tiếp PN rất gần nhau :Chuyễn tiếp Emitter giữa miền phát và miền gốc(Je),chuyễn tiếp Collector giữa miền thu (Jc).Hoạt động của BJT chủ yếu dựa trên sự tương tác của hai chuyễn tiếp rất gần nhau này. II. NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC VÀ KHẢ NĂNG KHUẾCH ĐẠI CỦA TRANSISTOR LƯỞNG CỰC Tùy theo thứ tự sắp xếp các miền bán dẫn mà ta chia BJT ra làm hai loại Loại NPN và loại PNP.Nguyên lý làm việc của cả hai loại BJT này đều giống nhau .Để thuận tiện ta xét nguyên lý làm việc vủa loại PNP làm ví dụ Để BJT làm việc trong vùng khuếch đại thì tiếp giáp Je phân cực thuận ,còn tiếp giáp Jc được phân cực ngược . Đầu tiên ta xét chuyển tiếp Jc một cách riêng rẻ khi chuyển tiếp này được phân cực ngược .Vì chuyển tiếp Jc được phân ngược nó chỉ đóng với hạt tải cơ Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 3 bản còn các hạt tải không cơ bản(lổ trống từ miền B và điện tử từ miền C) có thể chuyển dời qua chuyển tiếp một cách dể dàng .Do vậy trong mạch C sẻ xuất hiện một dòng điện rất nhỏ ký hiệu là Ico.Dòng Ico thường được gọi là dòng rò của BJT. Bây giờ ta lại xét một cách độc lập chuyển tiếp Je.Giả sử rằng điện áp đặt vào chuyển tiếp E có chiều như trên hình vẻ ,như vậy chuyển tiếp Je sẻ phân cực thuận và các hạt tải cơ bản (lổ trống từ vùng P và điện tử từ vùng N) có thể chuyển dời qua chuyển tiếp một cách dể dàng .Trong mạch E sẻ xuất hiện một dòng điện lớn (ký hiệu là Ie).Dòng Ie chủ yếu là thành phần khuếch tán và bao gồm hai thành phần là dòng các lổ trống từ E và dòng các điện tử từ B. Như vậy I E =I EN +I EP Do nồng độ tạp chất trong miền Emitter lớn hơn trong miền Base rất nhiều nên: I EP >>I EN ⇒I E ≈I EP Xét khi cả hai chuyển tiếp Je và Jc được phân áp đồng thời với Je phân cực thuận còn Jc phân cực ngược .Dòng các lổ trống từ miền E (I EP ) sẻ chích vào B do quá trình tán nhiệt có xu hướng làm cân bằng nồng độ lổ trống ,vì thế các lổ trống này sẻ dịch chuyển về phía C.Do chiều dày miền Base rất mỏng nên các lổ trống có thể chuyển dời đến chuyển tiếp Jc mà không có sự tái hợp nào đáng kể .Đến chuyển tiếp Jc các lổ trống lúc này là hạt tải không cơ bản nên vượt qua chuyển tiếp Jc một cách dể dàng (lúc này là một điện trường gia tốc với các hạt tải không cơ bản ) và ra mạch ngoài của C.Trong mạch C sẻ xuất hiện một dòng điện lớn có giá trị gần bằng dòng I E .Thực tế thì dù chiều dày vùng Base nhỏ đến đâu vẫn xảy ra sự tái hợp của một số lổ trống trong vùng này,dòng lổ trống trong vùng Collector sẻ mất đi một lượng bằng số các hạt tải điện mất trong miền Base .Hay là I EP =I Eth +I CP Với Ieth là thành phần tái hợp của dòng I E . Như vậy ta có: I E =I EN +I EP I B =I EN +I Eth -I CO I C =I CP +I CO ⇒I E =I B +I C Dòng Ico là dòng độc lập ,không phụ thuộc vào dòng Ie mà chỉ phụ thuộc vào vật liệu bán dẫn làm BJT và nhiệt độ làm việc của BJT.Dòng I CP phụ thuộc vào dòng I E ,điều này được đặc trưng bằng hệ số α gọi là hệ số truyền đạt của BJT ,α chỉ ra có bao nhiêu lổ trống (hay điện tử từ ) E đến được C. α=I CP /I E =0.95÷0.99 Ngoài ra BJT còn được đặc trưng bằng hệ số truyền đạt dòng I B ,ký hiệu là β,xác định bởi hệ thức: β= B C I I III. CÁC DẠNG MẠCH CỦA TRANZITO Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 4 Trazito là một linh kiện bán dẫn có ba cực gồm emitơ, bazơ và colectơ khi sử dụng thường đưa tín hiệu vào hai cực và lấy ra trên hai cực khác vì vậy có một cực làm cực chung cho đầu và lẫn đầu ra vì vậy thường có ba cách mắc cơ bản đó là cách mắc emitơ chung ( CE), bazơ chung ( CB) và colectơ chung (CC). 1. Cách mắc emitơ chung 1.a. Sơ đồ: i c i b C B U out U in i e E 1.b. Đặc điểm Trazito mắc chung emitơ tức là cức emitơ được dùng chung cho cả đầu vào và lẫn đầu ra. Dòng điện và điện áp vào được lấy từ cực bazơ và emitơ còn dòng điện ra và điện áp ra được lấy trên hai cực emitơ và colectơ . Hệ số khuếch đại điện áp lớn, hệ khuếch đại dòng điện lớn, trở kháng vào khoảng trung bình cho đến lớn, trở kháng ra có giá trị trung bình, tín hiệu vào và tín hiệu ra ngược pha nhau. Trong các cách mắc tranzito thì mạch EC có hệ số khuếch đại công suất lớn nhất (vì K u .K i đều lớn ), vì mạch EC thường thông dụng hơn cả. Mặt khác trở kháng vào và trở kháng ra có gia trị trung bình vì vậy mạch EC tiện lợi đối với việc ghép tải và nguồn tín hiệu. 2. Cách mắc bazơ chung 2.a. Sơ đồ: i e i c U in E C B i b U out 2.b. Đặc điểm Trazito mắc chung cực bazơ tức là cực bazơ được dùng chung cho cả đầu vào và đầu ra. Vì vậy dòng điện và điện áp ra lấy trên cực colectơ và bazơ. Hệ số khuếch đại điện áp lớn, hệ số khuếch đại dòng điện bé, trở kháng vào bé, trở kháng ra lớn và điện áp vào và điện áp ra đồng pha. Loại cacïh mắc này chỉ dùng khi khuếch đại điện áp tần số cao. 3. Cách mắc colectơ chung 3.a. Sơ đồ i e E I b B U out U in C i c Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 5 3.b. Đặc điểm Trazito mắc chung cực colectơ tức là cực colectơ được dùng chung cho cả đầu vào và đầu ra. Do đó dòng điện và điện áp vào được lấy trên hai cực colectơ và emitơ . Hệ số khuếch đại điện áp bé, hệ số khuếch đại dòng điện lớn, trở kháng vào lớn, trở kháng ra bé, tín hiệu vào và tín hiệu ra cùng pha. Cách ghép này được dùng để phối hợp trở kháng tải thấp với nguồn tín hiệu có trở kháng cao, thường dùng làm bộ khuếch đại đệm hay bộ lặp emitơ . IV. PHÂN CỰC VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM CÔNG TÁC TĨNH TRANZITO : 1. Phân cực cho tranzito Để cho tranzito làm việc ở chế độ khuếch đại thì ta phải phân cực cho tranzito nghĩa là đưa điện áp bênh ngoài vào chuyển tiếp emitơ và colectơ với những giá trị cực tính thích hợp. Khi có điện áp một chiều được đặc vào thì trên các cực của tranzito có dòng điện tĩnh và điện áp tĩnh có những giá trị xác định đó là điều kiện phân cực cho tranzito. Điều kiện phân cực này thể hiện qua điểm công tác tĩnh Q. Việc phân cực cho tranzito nhằm làm cho tranzito làm việc bình thường và có những tham số tối ưu tuỳ mục đích sử dụng. 2. Sơ đồ ổn định điểm làm việc tĩnh Để ổn định điểm làm việc tĩnh ta thường quan tâm đến các đại lượng V BE , I B và V CE , I C . Do tính quan trọng của điểm công tác tĩnh nên ta phải tính toán cho sao thích hợp ( thường nằm khoảng giữa đặt tuyến ra ). Để có biên độ tín hiệu ra lớn, ít bị méo ( méo ở đây là tín hiệu ra khác với dạng tín hiệu vào) và sự ổn định người ta thường dùng loại sơ đồ hồi tiếp âm một chiều nhằm biến đổi thiên áp mạch vào của tranzito sao cho có thể hạn chế sự duy chuyển của điểm làm việc tĩnh trên đặc tuyến ra. Sự thay đổi của nó chính là nguyên nhân gây ra yếu tố mất ổn định. Vì vậy ta đề cập đến các sơ đồ ổn định thường hay dùng sau. 2.a>. Sơ đồ cung cấp và ổn định điểm làm việc bằng hồi tiếp dòng emitơ Sự ổn định điểm làm việc bằng hồi tiếp dòng emitơ hay hồi tiếp dòng điện một chiều hay còn gọi là tự phân cực có sơ đồ sau Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 6 Re R2 Vin Vout Q1 Vcc Ce C2 C1 Rc R1 H.II.2.1. Sơ đồ nguyên lí mạch phân cực bằng dòng emitơ Hai điện trở R 1 và R 2 tạo ra bộ phân áp lấy điện từ nguồn U cc . Điện áp bazơ U B lấy trên bộ phân áp R 1 và R 2 gần như là không đổi. Dòng I E bị rơi trên điện trở R E , lúc này U E = I E . R E II.1.a Từ hình (H.2.1) ta có U E = U B - U BE II.2.b 21 2 RR R UU CCB + = II.3.c 21 21 RR RR R B + = II.4.d Từ ( II.1.a), ( II.2.b), ( II.3.c) và ( II.4.d) ECCCBE RI RR R UU − + = 21 2 II.2.1 Ở đây ta phải tính toán sao U BE > U ( U là điện áp nguỡng, đối với silic U = 0,3 V còn gecmani U = 0.75V). Mặt khác cần lư ý đến R B chọn giá trị thích hợp. Nếu R B > R E mạch kém ổn định vì vậy ta phải chọn R 1 và R 2 sao cho giá trị tương ứng khi mắc song song của chúng là R B có giá trị càng nhỏ . Nhưng R B nhỏ quá thì tầng khuếch đại giảm vì vậy ta thường chọn R B = R E . Ngoài ra nguyên tắt ổn định còn được trình bày ở chổ từ biểu thức ( II.2) khi nhiệt độ thay đổi hay một yếu tố nào đó làm cho I E tăng lên dẫn đến điện áp trên R E tăng lên. Điên áp U B lấy trên R 1 và R 2 không đổi làm cho tiếïp giáp BE phân cực yếu làm cho dòng I B giãm kéo theo dòng I C giãm làm cho I C gần trở lại giá trị ban đầu. Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 7 Trong sơ đồ trên R E làm nhiệm vụ hồi tiếp âm dòng điện một chiều để ổn định điểm làm việc. Các tụ phân mạch C 1 và C 2 phải chon sao cho với tín hiệu xoay chiều trở kháng của nó gần bằng không. Tụ C E là tụ thoát cao tần được mắc song song với R E nhằm tránh hồi tiếp âm đối với dòng tín hiệu xoay chiều trên R E làm giảm hệ số khuếch đại của mạch, coi C E có tác dụng ngắn mạch đối với tín hiệu. 2.b>. Sơ đồ cung cấp và ổn định bằng hồi tiếp âm điện áp một chiều Sơ đồ có dạng như sau: Vin Vcc Vout Q C1 C2 Rc R1 H.II.2. Hồi tiếp âm điện áp một chiều Ta thấy rằng R 1 có nhiêm vụ đưa thiên áp vào bazơ bằng phương pháp định dòng bazơ và dẫn điện áp hồi tiếp về mạch vào. Khi có sự thay đổi về nhiệt độ hay một yếu tố nào đó khiến dòng I CO trên colectơ tăng lên thì U BEO giảm xuống làm cho dòng định thiên bazơ giãm xuống ( I BO = U CEO / R 1 ) làm cho dòng I CO giảm xuống nghĩa là dòng tĩnh I CO ban đầu giữ nguyên và ta có sơ đồ tương đương như sau ( II.2.2) Nếu bỏ qua dòng ngược I CBO và thiết I C >> I 1 thì ( ) 21 2 1 21 1 1 21 21 21 2 21 21 ' RR R RI RIU RR R RIU RR RRI RR R U RR RRI UU C CCCCBCE B CE B BBE + −−= + −= + − + = + −= β +− + =⇒ 2 1 1 1 R R UU RR I BECC C C β β Để ổn định dòng I C βR C >> R 1 +−=⇒ 2 1 1 1 R R UU R I BECC C C Ta thường chọn RC có ICRC = 0,2 UCC. Sơ đồ II.2.2 có ưu điểm công suất tổn hao nhỏ vì R1 và R2 lớn. Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 8 1 1 + V. SƠ ĐỒ DARLINGTON : Trong nhiều trường hợp khi tín hiệu đưa vào mạch khuếch đại có trở kháng ra rất lớn đòi hỏi phải có những mạch khuếch đại có trở kháng vào lớn hay trong mạch lặp emitơ , hệ số khuếch đại dòng điện không đủ lớn. Để khắc phục những yếu tố trên, người ta tổ hợp một số tranzito thành sơ đồ Darlington. Có nhiều cách mất thành sơ đồ Darlington nhưng ta chỉ xét hai sơ đồ cơ bản sau 1. Sơ đồ mạch Darlington chuẩn : - Hệ số khuếch đại dòng ( ) ( ) 212 2 22221 2 2211 2 21 1 1 fefefefe b bfebfefe b bfebfe b cc b c fe hhhh i ihihh i ihih i ii i i h ++=⇒ ++ = + = + == IV.1.a - Trở kháng vào ( ) ( ) 122 2 22221 2 21 1 1 iefeieie B BieBfefe B BEBE ie hhhh I IhIhh I Q V Q V h ++=⇒ ++ = + = IV.1.b 2. Sơ đồ mạch giả Darlington : C 2 = C 1 = C E B=B 2 Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 9 B B 2 =E 1 E =E 1 C - Hệ số khuếch đại dòng điện ( ) ( ) ( ) 1 1 1 12 2 122 2 11 2 1 += + = + === fefe B fefeB B Bfe B E B C fe hh I hhI I Ih I I I I h IV.2.a - Trở kháng vào 2 2 2 ie B BE ie h I Q V h == IV.2.b Mạch Darrlington chuẩn và giả darlington có hệ số khuếch đại dòng điện h fe lớn nên dòng I B2 = I E2 / h fe2 có thể rất bé. Nên Q 2 có thể làm việc trên đoạn đặc tuyến ( I B = f (V BE )). Để khắc phục ta mắc thêm điện trở R b (H.IV.2) để toàn bộ dòng tín hiệu không thể qua R b mà đưa toàn bộ đến cực bazơ của Q 1 . Mắc theo kiểu giả darlington làm cho tranzito có công suất nhỏ dẫn đến dễ tìm linh kiện. Q2 Rb Rb Q4 Q3 Q1 H.IV.2 VI. MÉO CROSSOVER VÀ BIỆN PHÁP KHẮC PHỤC: 1. Méo CROSSOVER Khi tầng khuếch đại làm việc ở chế độ BC thì điểm làm việc tĩnh nằm ở vị trí Q(0;0) trên đặc tuyến vào của tranzito. Đặc tuyến này có “vùng chết” ứng với U BE nhỏ hơn U γ , nghĩa là khi điện áp tín hiệu đầu vào khác không nhưng chưa vượt qua mức ngưỡng U γ thì mới có tín hiệu ra. Kết quả dạng sóng tín hiệu ra bị méo dạng ở vùng có biên độ có tín hiệu bé và biên độ tín hiệu cũng bé hơn trường hợp có U γ = 0. Méo dạng này gọi là méo CROSSOVER. (H.V.1) i B méo crossover Đồ Aïn Môn Học - Kỹ Thuật Mạch Điện Tử 1 Trang 10 U BE ( H.V.1.Sơ đồ méo Crossover ) 2. Các phương pháp tránh méo Crossover: Để tránh méo Crossover người ta thường phân cực cho tiếp giáp BE để dời điểm tĩnh Q( 0 ; 0 ) dần đến điểm Q(U γ ; 0 ) lúc đó tầng khuếch đại công suất làm việc ở chế độ AB. Có các phương pháp khắc phục sau 2.a. Nhiệt trở với biến trở chỉnh song song B 1 B 2 H.2.a. Nhiệt trở với biến trở chỉnh song song Điện trở Z B1B2 gồm hai điện trở R T và V R, , thông thường nhiệt điện trở R T mắc song song với V R . Ngoài nhiệm vụ phân cực cho tranzito làm việc ở chế độ AB nó còn tác dụng ổn định dòng điện tĩnh cho tranzito khỏi ảnh hưởng bởi nhiệt độ. Khi nhiệt độ của tranzito tăng lên thì dòng tĩnh i CBO tăng theo lúc này làm cho R T giãm giá trị làm cho phân áp U BE của tranzito giảm xuống làm cho dòng i CO giảm về giá trị ban đầu. V R : Dùng để chỉnh và làm tuyến tính hoá đặc tuyến của R T với R T = f ( T O ) 2.b. Diode với biến trở mắc nối tiếp Ở dòng phân cực nhất định thì điện áp trên diode hầu như không thay đổi. Nếu diode cùng vật liệu với các tranzito công suất thì khi V γ của diode xấp xỉ bằng V γ của trsnzito. V γ để chỉnh phân áp cực cho đúng yêu cầu ( H.V.2.b ). Tính chất giữ ổn định dòng nhiệt cho tranzito B 1 của diode tương tự như R T ở trên. V R mắc nối tiếp với các diode do đó để điều chỉnh điểm tĩnh Q nhưng lại bị mất mát tín hiệu trên V R . Khi dòng tín hiệu tăng làm xê dịch điểm tĩnh Q của tranzito thì áp rơi trên V R cũng tăng theo tín hiệu ra. B 2 H.V.2.b. Diode với biến trở nối tiếp 2.c. Các diode với biến trở song song Do đặc tuyến diode có đoạn cong lúc V d bé nên nội trở B 1 R t VR Vr D2 D1 [...]... cụng sut khụng ghộp t ngừ ra (OCL) : u im: Khụng gõy mộo tn s thp do khụng cú t, hiu sut cao Nhc im: Phi dựng hai ngun cung cp i xng khụng ngn cn c dũng mt chiu qua loa khi mch mt i xng 6.d> Khuch i cu BTL u im: Cụng sut ra ln, dựng mt ngun cung cp Nhc im: Dựng nhiu linh kin, cỏc v ca cu phi tht i xng m bo khụng b mộo tớn hiu Ti khụng c ni vi v mỏy X MCH KHUCH I CễNG SUT OCL *Dng s c bn ( H.IX ) *Tớnh... I C max = I LP max PL max = R I PCC max 2 hd VCC RL V = RL CC 2 2 VCC = 2 RL 2 RL 2 2 VCC = RL + Hiu sut max = PL max PCC max = 78,5 % 4 Mch khuch i cụng sut OCL cú di thụng rng nhng phi dựng hai ngun cung cp i xng Mch OCL khụng phi hp c vi tr khỏng loa Mun cú cụng sut ln phi dựng ngun cung cp ln XI VN GIM NHIT CHO TRANZITO CễNG SUT: Trong mch khuch i cụng sut khi chuyn i cụng sut ngun... c bn ( H.IX ) *Tớnh toỏn: + iờn ỏp trờn nh loa Trang 19 Aùn Mụn Hc - K Thut Mch in T 1 V LP = VCC VCES + in ỏp hiu dng ra loa V Lhd = VLP 2 = VCC VCES 2 R3 Q1 D2 R1 D1 C1 Q2 Q3 R2 H.X.1 S c bn ca OCL + Cụng sut tiờu th trờn loa (VCC VCES ) 2 V 2 CC PL = 2 RL 2 RL + Dũng in trung bỡnh chy qua loa I LP 2 I LP 2 I Ltb = I LP sin t d t = cos t 0 = 2 0 + Cụng sut ngun cung cp PCC = VCC I L... khớ trỏnh hin tng ny nờn bụi vo ni tip xỳc mt lp vaslinsilicon trỏnh n mũn v gióm nhit tr ni tip xỳc Trang 21 Aùn Mụn Hc - K Thut Mch in T 1 PHN II : THIT K V TNH TON YấU CU: MCH KHUCH I CễNG SUT OCL Ngừ vo : n Cụng sut : P in ỏp vo : Vin = 0,775V = 105W Tr khỏng loa : RL =4 Tr khỏng vo : Zin = 300 K Bng thụng : BW = 16Hz - 16KHz Mộo phi tuyn : = 0,3% TC DNG CC LINH KIN : * Tng khuch i cụng . PHÂN CỰC VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM CÔNG TÁC TĨNH TRANZITO : 1. Phân cực cho tranzito Để cho tranzito làm việc ở chế độ khuếch đại thì ta phải phân cực cho tranzito nghĩa là đưa điện áp bênh ngoài vào. còn phải lưu ý đến méo tín hiệu sinh ra khi điểm làm việc chuyển tiếp từ tranzito này sang tranzito khác vì trong tranzito chỉ có dòng emitơ khi có điện áp bazơ - emitơ lớn hơn 0,7 V . Khi điện. Điện Tử 1 Trang 1 LỜI NÓI ÂẦU Bước sang thế kỷ 21 , khoa học kỹ thuật - mà Điện Tử Viện Thông lại là một ngành mũi nhọn luôn đi tiên phong trong mọi lĩnh vực đã và đang ngày càng